JPH05283271A - チップ型半導体磁器部品及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 表面実装が可能で、有効となる対向電極１３
の面積を広く取ることができ、しかも信頼性の高い、生
産効率の高いチップ型半導体磁器部品を提供すること。 【構成】 粒界絶縁型半導体磁器基板１６の表裏両主表
面に対向電極１３が形成されたチップ型半導体磁器部品
において、外部接続電極１４が形成された側面間の角部
が切削されて溝（凹部）１２が形成されているチップ型
半導体磁器部品。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はチタン酸ストロンチウム
等を主成分とした粒界絶縁型半導体磁器を利用したチッ
プ型半導体磁器部品及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】チタン酸ストロンチウムを主成分とする
粒界絶縁型半導体磁器は、小型大容量の半導体磁器コン
デンサや静電容量を有する電圧非直線性素子などの複合
機能素子としてすぐれた特性を有するため、広く利用さ
れている。

【０００３】その製品形態は、円板形状の磁器基板の両
面に電極が形成され、その全体に樹脂被覆が施され、外
部接続電極としてリード線を有するものであったが、近
年の機器の小型化・薄型化の要求及びＩＣ回路の発達に
伴い、表面実装可能なチップ型の製品形態が望まれるよ
うになってきている。

【０００４】このような要求に対し、チップ型コンデン
サとして、磁器素体内に対向電極を形成し、磁器と電極
とを同時焼結させて一体型とする積層型のものが提案さ
れている。

【０００５】しかしながら、チタン酸ストロンチウムを
主成分とする粒界絶縁型半導体磁器を用いて積層型のチ
ップ形状とすることは、焼成温度が１４００℃以上と高
く、しかも粒界絶縁のための酸化処理を要するため、実
用化が困難であった。

【０００６】又、チタン酸ストロンチウムを主成分とす
る粒界絶縁型半導体磁器のチップ化のために、単層のチ
ップ形状の部品が提案されている。

【０００７】従来のこの種チップ型半導体磁器部品を図
１８〜図２０に示す。図１８に示したものでは、半導体
磁器基板４１の表裏両主面に対向電極４３が形成されて
おり、表裏面のどちらか一方の対向電極４３と接続され
る外部接続電極４４が前後側面に全面的に形成されてい
る。

【０００８】あるいは図１９に示したように、半導体磁
器基板４１の表裏両主面の一部を除く略中央に対向電極
４３が形成され、図１８に示した上記従来例のものと同
様に外部電極４４が前後側面に全面的に形成されたもの
もある。

【０００９】あるいは図２０に示したように、半導体磁
器基板４１の表裏両主面の一部を除く略中央に対向電極
４３が形成され、図１８に示した上記従来例のものと同
様に外部電極４４が前後側面に全面的に形成され、さら
に両側面にガラス絶縁層４５が形成されたものもある。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
例のものでは、大容量を得ようとすると対向電極４３の
面積を広く形成しなければならず、対向電極４３の面積
を広げた場合、半導体磁器基板４１の側面との距離が短
くなってしまい信頼性が低下する。逆に信頼性を高めよ
うとすると対向電極４３の面積を小さくしたり、絶縁の
ためのガラス絶縁層４５を側面に形成したりする必要が
あり、大容量を得ることが困難となったり、あるいは製
造上の困難をともなうという課題があった。

【００１１】本発明は上記課題に鑑み発明されたもので
あって、表面実装が可能で、有効となる対向電極面積を
広く取ることができ、かつ信頼性の高く、しかも製造が
比較的容易なチップ型半導体磁器部品及びその製造方法
を提供することを目的としている。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係るチップ型半導体磁器部品は、粒界絶縁型
半導体磁器基板の表裏両主表面に対向電極が形成された
チップ型半導体磁器部品において、外部接続電極が形成
された側面間の角部に凹部が形成されていることを特徴
とし（１）、また上記（１）記載のチップ型半導体磁器
部品の製造方法において、表裏両主面に複数本の平行で
表裏相対向する溝が形成された半導体磁器基板に、粒界
絶縁化処理を施す工程を含んでいることを特徴とし
（２）、さらには上記（１）記載のチップ型半導体磁器
部品において、凹部にガラス絶縁層が形成されているこ
とを特徴とし（３）、また上記（３）記載のチップ型半
導体磁器部品の製造方法において、表裏両主面に複数本
の平行で表裏相対向する溝が形成された半導体磁器基板
に、粒界絶縁化処理を施した後、前記溝内にガラス絶縁
層を形成する工程を含んでいることを特徴としている
（４）。

【００１３】また上記（１）記載のチップ型半導体磁器
部品において、外部接続電極と対向電極との接続側角部
と反対側角部近傍に溝が形成されていることを特徴とし
（５）、さらには上記（５）記載のチップ型半導体磁器
部品の製造方法において、表裏両主面に複数本の平行で
表裏相対向する溝が形成されると共に、前記溝に直交す
る複数本の表裏相対向しない溝が形成された半導体磁器
基板に、粒界絶縁化処理を施す工程を含んでいることを
特徴としている（６）。

【００１４】また上記（５）記載のチップ型半導体磁器
部品において、凹部及び溝にガラス絶縁層が形成されて
いることを特徴とし（７）、また上記（７）記載のチッ
プ型半導体磁器部品の製造方法において、表裏両主面に
複数本の平行で表裏相対向する溝が形成されると共に、
前記溝に直交する複数本の表裏相対向しない溝が形成さ
れた半導体磁器基板に、粒界絶縁化処理を施した後、前
記溝内にガラス絶縁層を形成する工程を含んでいること
を特徴としている（８）。

【００１５】また上記（１）記載のチップ型半導体磁器
部品において、対向電極が形成された両主面間の角部に
凹部が形成されていることを特徴とし（９）、さらには
上記（９）記載のチップ型半導体磁器部品の製造方法に
おいて、表裏両主面に複数本の平行で表裏相対向する溝
が形成されると共に、これら溝間に複数個の孔が形成さ
れた半導体磁器基板に、粒界絶縁化処理を施す工程を含
んでいることを特徴としている（１０）。

【００１６】また上記（５）記載のチップ型半導体磁器
部品において、対向電極が形成された両主面間の角部に
凹部が形成されていることを特徴とし（１１）、さらに
は上記（１１）記載のチップ型半導体磁器部品の製造方
法において、表裏両主面に複数本の平行で表裏相対向す
る溝が形成されると共に、前記溝に直交する複数本の表
裏相対向しない溝が形成され、さらに表裏相対向する前
記溝間に複数個の孔が形成された半導体磁器基板に、粒
界絶縁化処理を施す工程を含んでいることを特徴として
いる（１２）。

【００１７】また上記（９）または（１１）記載のチッ
プ型半導体磁器部品において、凹部及び溝にガラス絶縁
層が形成されていることを特徴とし（１３）、また上記
（１３）記載のチップ型半導体磁器部品の製造方法にお
いて、溝及び孔が形成された半導体磁器基板に、粒界絶
縁化処理を施した後、前記溝内及び前記孔内にガラス絶
縁層を形成する工程を含んでいることを特徴としている
（１４）。

【００１８】

【作用】上記した（１）、（５）、（９）及び（１１）
の構成によれば、外部接続電極が形成された側面間の角
部が切削されて凹部が形成されており、または前記凹部
に加えて外部接続電極と対向電極との接続側角部と反対
側角部近傍に溝が形成されており、または、前記凹部に
加えて対向電極が形成された両主面間の角部が切削され
て凹部が形成されており、または前記凹部及び前記溝部
に加えて対向電極が形成された両主面間の角部が切削さ
れて凹部が形成されているので、これら凹部及び溝の部
分において絶縁性が確保される。

【００１９】また上記した（２）、（６）、（１０）及
び（１２）の製造方法によれば、前記凹部及び前記溝が
形成された半導体磁器基板に、粒界絶縁化処理を施す工
程を含んでいるので、これら凹部及び溝の表面は確実に
絶縁処理される。

【００２０】さらに上記した（３）、（７）及び（１
３）の構成によれば、前記凹部及び前記溝にガラス絶縁
層が形成されているので、信頼性がさらに向上するだけ
でなく、前記凹部及び前記溝を小さく設計することが可
能となり、対向電極等の面積を広くとることが可能とな
る。

【００２１】また上記した（４）、（８）及び（１４）
の製造方法によれば、前記粒界絶縁化処理を施した後、
前記溝内にガラス絶縁層を形成しているので、粒界絶縁
化処理のみを行なう場合よりもより一層絶縁性の確保が
容易となる。

【００２２】

【実施例】以下、本発明に係るチップ型半導体磁器部品
及びその製造方法の実施例を図面に基づいて説明する。

【００２３】（実施例１）図１〜図４は本発明に係るチ
ップ型半導体磁器部品の製造方法の一実施例を工程順に
示した模式的斜視図及び側面図である。

【００２４】本実施例に係るチップ型半導体磁器部品を
製造する場合、まずチタン酸ストロンチウムを主成分と
する半導体磁器用原料粉末を用意し、バインダを混合し
た後プレス成形で表裏両主面に相対向する互いに平行な
複数個の溝１２を有した１枚のシート状成形体を形成す
る。このシート状成形体に空気中で８００〜１０００℃
の温度範囲で脱バインダ処理を施した後、窒素８５〜９
９％と水素１５〜１％よりなる還元雰囲気中で１４５０
〜１５００℃の温度範囲で焼成し、半導体磁器基板１１
を作製する（図１）。

【００２５】得られた半導体磁器基板１１を溝１２と直
交する鎖線で示した切断線で所望の寸法に切断し、短冊
状の基板を形成する。ついでその両主表面にBi₂O₃ を主
成分とする拡散剤を塗布し、空気中で１１００〜１２５
０℃の温度範囲で粒界絶縁化のための熱処理を行ない、
粒界絶縁型半導体磁器基板１６を作成する（図２）。

【００２６】粒界絶縁型半導体磁器基板１６の表裏両主
表面の溝１２を除く平面上に、所望の形状に銀ペースト
を印刷し、空気中で７５０〜８６０℃の温度範囲で焼き
付けを行ない、対向電極１３を形成する（図３）。

【００２７】次に溝１２を割り溝として、個々の素体に
分割する。そして最後に表裏主表面上の対向電極１３の
各々片方に接続する外部接続電極１４を所望の形状に、
溝１２と直交する側面に形成してチップ型半導体磁器部
品１７を作製する（図４）。

【００２８】このように本実施例にあっては、溝１２を
形成した後に粒界絶縁化処理を施しているので、溝１２
を割り溝として粒界絶縁型半導体磁器基板１６を後の工
程で切断しても、対向電極１３間は確実に絶縁され、信
頼性の高いチップ型半導体磁器部品を製作することがで
きる。また溝１２を形成することにより対向電極１３の
面積を広く取ることが可能となり、容量を増大させるこ
とができる。さらには溝１２を割り溝として利用するこ
とができ、チップ型半導体磁器部品１７の製作が容易と
なる。

【００２９】（実施例２）図５（ａ）、（ｂ）は本発明
に係るチップ型半導体磁器部品及びその製造方法の別の
実施例を示した模式的斜視図及び側面図である。

【００３０】実施例１の場合と同様にして、表裏両主表
面上に銀ペストを焼き付けて形成した対向電極１３を有
した短冊状の粒界絶縁型半導体磁器基板１６を作製し
（図３）、さらに粒界絶縁型半導体磁器基板１６の表裏
両主面の相対向する溝１２内に絶縁性のB₂O₃、SiO₂、Zn
O を主成分とするガラスペーストを印刷塗布し、空気中
で７５０〜８７０℃の温度範囲で焼き付けを行なう。次
に溝１２を割り溝として、個々の素体に分割する。最後
に表裏主表面上の対向電極１３の各々片方に接続する外
部接続電極１４を所望の形状に溝１２と直交する側面に
形成してチップ型半導体磁器部品１８を作製する（図
５）。

【００３１】このように本実施例にあっては、溝１２を
形成した後に粒界絶縁化処理を施し、さらに溝１２内に
絶縁性のガラスペーストを印刷塗布しているので、溝１
２を割り溝として粒界絶縁型半導体磁器基板１６を後の
工程で切断しても、対向電極１３間は確実に絶縁され、
信頼性の高いチップ型半導体磁器部品を製作することが
できる。また溝１２にガラス絶縁層１５を印刷塗布する
ことにより実施例１よりさらに対向電極１３の面積を広
く取ることが可能となり、容量を増大させることができ
る。

【００３２】（実施例３）図６（ａ）、（ｂ）は本発明
に係るチップ型半導体磁器部品及びその製造方法のさら
に別の実施例を示した模式的斜視図及び側面図である。

【００３３】実施例１の場合と同様にして表裏両主表面
上に銀ペーストを焼き付けて形成した対向電極１３を有
した短冊状の粒界絶縁型半導体磁器基板１６を作製し
（図３）、さらに粒界絶縁型半導体磁器基板１６の表裏
両主面の相対向する溝１２内及び対向電極１３上に絶縁
性のB₂O₃、SiO₂、ZnO を主成分とするガラスペーストを
印刷塗布し、空気中で７５０〜８７０℃の温度範囲で焼
き付けを行ない、チップ型半導体磁器部品１９を作製す
る（図６）。

【００３４】このように本実施例にあっては、溝１２を
形成した後に粒界絶縁化処理を施し、さらに溝１２内及
び対向電極上１３に絶縁性のガラスペーストを印刷塗布
しているので、溝１２を割り溝として粒界絶縁型半導体
磁器基板１６を後の工程で切断しても、対向電極１３間
は確実に絶縁され、信頼性の高いチップ型半導体磁器部
品を製作することができる。また溝１２内及び対向電極
１３上にガラス絶縁層１５を印刷塗布することによりさ
らに対向電極１３の面積を広く取ることが可能となり、
容量を増大させることができる。さらに、実施例２に比
べ、対向電極１３間の絶縁化を高めることができる。

【００３５】（実施例４）図７〜図１０は本発明に係る
チップ型半導体磁器部品及びその製造方法のさらに別の
実施例を示した模式的斜視図及び側面図である。

【００３６】本実施例に係るチップ型半導体磁器部品を
製造する場合、まずチタン酸ストロンチウムを主成分と
する半導体磁器用原料粉末を用意し、バインダを混合し
た後プレス成形で表裏両主表面に相対向する互いに平行
な複数個の溝２２ａ及び溝２２ａに直交する表裏相対向
しない互いに平行な複数個の溝２２ｂを有する１枚のシ
ート状成形体を形成する。このシート状成形体に空気中
で８００〜１０００℃の温度範囲で脱バインダ処理を施
した後、窒素８５〜９９％と水素１５〜１％よりなる還
元雰囲気中で１４５０〜１５００℃の温度範囲で焼成
し、半導体磁器基板２１を作製する（図７）。

【００３７】得られた半導体磁器基板２１を表裏両主表
面で相対向しない溝２２ｂと平行な鎖線で示した切断線
で所望の寸法に切断し、短冊状の基板を形成する。その
両主表面にBi₂O₃ を主成分とする拡散剤を塗布し、空気
中で１１００〜１２５０℃の温度範囲で粒界絶縁化のた
めの熱処理を行ない、粒界絶縁型半導体磁器基板２６を
作成する（図８）。

【００３８】粒界絶縁型半導体磁器基板２６の表裏両主
表面の溝２２ａ、２２ｂを除く平面上に所望の形状に銀
ペーストを印刷し、空気中で７５０〜８６０℃の温度範
囲で焼き付けを行ない対向電極２３を形成する（図
９）。

【００３９】次に表裏相対向する溝２２ａを割り溝とし
て、個々の素体に分割する。最後に表裏主表面上の対向
電極２３の各々片方に接続する外部接続電極２４を所望
の形状に、溝２２ｂを平行な側面に形成して、チップ型
半導体磁器部品２７を作製する（図１０）。

【００４０】このように本実施例にあっては、溝２２ａ
を形成した後に粒界絶縁化処理を施しているので、溝２
２ａを割り溝として粒界絶縁型半導体磁器基板２６を後
の工程で切断しても、対向電極２３間は確実に絶縁さ
れ、信頼性の高いチップ型半導体磁器部品を製作するこ
とができる。また溝２２ｂを形成することにより対向電
極２３と外部接続電極２４間は確実に絶縁されることか
ら、対向電極２３の面積を広く取ることが可能となり、
容量を増大させることができる。さらには溝２２ａを割
り溝として利用することができ、チップ型半導体磁器部
品２７の製作が容易となる。

【００４１】（実施例５）図１１（ａ）、（ｂ）は本発
明に係るチップ型半導体磁器部品及びその製造方法のさ
らに別の実施例を示した模式的斜視図及び側面図であ
る。

【００４２】実施例４の場合と同様にして表裏両主表面
上に銀ペーストを焼き付けて形成した対向電極２３を有
した短冊状の粒界絶縁型半導体磁器基板２６を作製し
（図９）、粒界絶縁型半導体磁器基板２６の表裏両主面
の相対向する溝２２ａ内及び溝２２ａに直交する溝２２
ｂ内に絶縁性のB₂O₃、SiO₂、ZnO を主成分とするガラス
ペースト２５を印刷塗布し、空気中で７５０〜８７０℃
の温度範囲で焼き付けを行なう。次に表裏両主面の相対
向する溝２２ａを割り溝として個々の素体に分割する。
最後に表裏主表面上の対向電極２３の各々片方に接続す
る外部接続電極２４を所望の形状に溝２２ｂと平行な側
面に形成してチップ型半導体磁器部品２８を作製する
（図１１）。

【００４３】このように本実施例にあっては、溝２２ａ
を形成した後に粒界絶縁化処理を施しているので、溝２
２ａを割り溝として粒界絶縁型半導体磁器基板２６を後
の工程で切断しても、対向電極２３間は確実に絶縁さ
れ、実施例４に比べ、さらに信頼性の高いチップ型半導
体磁器部品を製作することができる。また溝２２ｂを形
成することにより対向電極２３と外部接続電極２４間は
確実に絶縁されるだけでなく、対向電極２３の面積を広
く取ることが可能となり、容量を増大させることができ
る。

【００４４】（実施例６）図１２〜図１５は本発明に係
るチップ型半導体磁器部品及びその製造方法のさらに別
の実施例を示した模式的斜視図及び側面図である。

【００４５】本実施例に係るチップ型半導体磁器基板を
製造する場合、まずチタン酸ストロンチウムを主成分と
する半導体磁器用原料粉末を用意し、バインダを混合し
た後プレス成形で表裏両主表面に相対向する互いに平行
な複数個の溝３２ａおよび溝３２ａに直交する表裏相対
向しない互いに平行な複数個の溝３２ｂを有し、また図
中鎖線で示した切断線と溝３２ａとの交点の溝３２ａ内
に孔３７を有する１枚のシート状成形体を形成する。こ
のシート状成形体に空気中８００〜１０００℃の温度範
囲で脱バインダ処理を施した後、窒素８５〜９９％と水
素１５〜１％よりなる還元雰囲気中で１４５０〜１５０
０℃の温度範囲で焼成し、半導体磁器基板３１を作製す
る（図１２）。

【００４６】得られた半導体磁器基板３１の両主表面に
Bi₂O₃ を主成分とする拡散剤を塗布し、空気中で１１０
０〜１２５０℃の温度範囲で粒界絶縁化のための熱処理
を行ない、その後溝３２ｂと平行な鎖線で示した切断線
で所望の寸法に切断し、粒界絶縁型半導体磁器基板３６
を作製する（図１３）。

【００４７】粒界絶縁型半導体磁器基板３６の表裏両主
表面の溝３２ａ、３２ｂを除く平面上に所望の形状に銀
ペーストを印刷し、空気中で７５０〜８６０℃の温度範
囲で焼き付けを行ない、対向電極３３を形成する（図１
４）。

【００４８】次に表裏相対向する溝３２ａを割り溝とし
て切断し、個々の素体に分割する。最後に表裏両主表面
上の対向電極３３の各々片方に接続する外部接続電極３
４を所望の形状に、溝３２ｂと平行な側面に形成してチ
ップ型半導体磁器部品３８を作製する（図１５）。

【００４９】このように本実施例にあっては、溝３２
ａ、３２ｂを形成した後に粒界絶縁化処理を施している
ので、溝３２ａを割り溝として粒界絶縁型半導体磁器基
板３６を後の工程で切断しても、対向電極３３間は確実
に絶縁され、さらに対向電極３３と外部接続電極３４間
においても確実に絶縁化されるため、さらに信頼性の高
いチップ型半導体磁器部品を製作することができる。ま
た孔３７を形成することにより外部接続電極３４間は確
実に絶縁され、さらに信頼性の高いものになる。

【００５０】（実施例７）図１６（ａ）、（ｂ）は本発
明に係るチップ型半導体磁器部品及びその製造方法のさ
らに別の実施例を示した模式的斜視図及び側面図であ
る。

【００５１】実施例６の場合と同様にして表裏両主表面
上に銀ペーストを焼き付けて形成した対向電極３３を有
する粒界絶縁型半導体磁器基板３６を作製し（図４）、
粒界絶縁型半導体磁器基板３６の表裏両主面の相対向す
る溝３２ａ内及び溝３２ａに直交する溝３２ｂ内さらに
表裏貫通する孔３７内に絶縁性のB₂O₃、SiO₂、ZnO を主
成分とするガラスペースト３５を印刷塗布し、空気中で
７５０〜８７０℃の温度範囲で焼き付けを行なう。次に
表裏相対向する溝３２ａを割り溝として個々の素体に分
割した。最後に表裏両主表面上の対向電極３３の各々片
方に接続する外部接続電極３４を所望の形状に溝３２ｂ
と平行な側面に形成してチップ型半導体磁器部品３９を
作製する（図１６）。

【００５２】このように本実施例にあっては、溝３２
ａ、３２ｂ及び孔３７を形成した後に粒界絶縁化処理を
施し、さらにガラス絶縁層３５で印刷塗布しているの
で、溝３２ａを割り溝として粒界絶縁型半導体磁器基板
３６を後の工程で切断しても、対向電極３３間は確実に
絶縁され、対向電極３３と外部接続電極３４間において
も確実に絶縁化され、さらに外部接続電極３４間も確実
に絶縁され、実施例６に比べ、さらに信頼性の高いチッ
プ型半導体磁器部品を製作することができる。また対向
電極３３の面積を広く取ることが可能となり、容量を増
大させることができる。

【００５３】図１７は本発明に係るチップ型半導体磁器
部品及びその製造方法のさらに別の実施例を示した模式
的斜視図である。

【００５４】本実施例に係るチップ型半導体部品では、
図１７に示したように、外部接続電極３４と対向電極３
３との接続側角部と反対側角部近傍を切除し、また、対
向電極３３が形成された両主面間の角部に溝３２ａを、
および外部接続電極３４の両側角部に孔３７を形成して
いる。

【００５５】このように本実施例にあっては、溝３２
ａ、３２ｂ及び孔３７を形成した後に粒界絶縁化処理を
施しているので、溝３２ａを割り溝として粒界絶縁型半
導体磁器基板３６を後の工程で切断しても、対向電極３
３間は確実に絶縁され、対向電極３３と外部接続電極３
４間においても確実に絶縁化され、さらに外部接続電極
３４間も確実に絶縁され、信頼性の高いチップ型半導体
磁器部品を製作することができる。また実施例７に比
べ、対向電極３３の面積を広く取ることが可能となり、
容量を増大させることができる。

【００５６】

【発明の効果】以上の説明により明らかなように、上記
した請求項（１）、（５）、（９）及び（１１）のチッ
プ型半導体磁器部品にあっては、外部接続電極が形成さ
れた側面間の各部が切削されて凹部が形成されており、
または前記凹部に加えて外部接続電極と対向電極との接
続側各部と反対側角部近傍に溝が形成されており、また
は、前記凹部に加えて対向電極が形成された両主面間の
角部が切削されて凹部が形成されており、または前記凹
部及び前記溝に加えて対向電極が形成された両主面間の
角部が切削されて凹部が形成されてるので、これら凹部
及び溝の部分において絶縁性が確保される。

【００５７】また請求項（２）、（６）、（１０）及び
（１２）の製造方法によれば、前記凹部及び前記溝が形
成された半導体磁器基板に、粒界絶縁化処理を施す工程
を含んでいるので、これら凹部及び溝の表面は確実に絶
縁処理される。

【００５８】さらに請求項（３）、（７）及び（１３）
のチップ型半導体磁器部品にあっては、前記凹部及び前
記溝にガラス絶縁層が形成されているので、信頼性がさ
らに向上するだけでなく、前記凹部及び前記溝を小さく
設計することが可能となり、対向電極等の面積を広くと
ることが可能となる。

【００５９】また請求項（４）、（８）及び（１４）の
製造方法によれば、前記粒界絶縁化処理を施した後、前
記溝内にガラス絶縁層を形成しているので、粒界絶縁化
処理のみを行なう場合よりもより一層絶縁性の確保が容
易となる。

【００６０】従って表面実装が可能で、有効となる対向
電極面積を広く取得することでき、しかも信頼性の高い
生産効率の高いチップ型半導体磁器部品を容易に製造す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るチップ型半導体磁器部品の製造方
法の一実施例における一工程を示した模式的斜視図であ
る。

【図２】本発明に係るチップ型半導体磁器部品の製造方
法の一実施例における一工程を示した模式的斜視図であ
る。

【図３】本発明に係るチップ型半導体磁器部品の製造方
法の一実施例における一工程を示した模式的斜視図であ
る。

【図４】（ａ）、（ｂ）は本発明に係るチップ型半導体
磁器部品の一実施例を示した模式的斜視図及び側面図で
ある。

【図５】（ａ）、（ｂ）は本発明に係るチップ型半導体
磁器部品の別の実施例を示した模式的斜視図及び側面図
である。

【図６】（ａ）、（ｂ）は本発明に係るチップ型半導体
磁器部品のさらに別の実施例を示した模式的斜視図及び
側面図である。

【図７】本発明に係るチップ型半導体磁器部品の製造方
法の別の実施例における一工程を示した模式的斜視図で
ある。

【図８】本発明に係るチップ型半導体磁器部品の製造方
法の別の実施例における一工程を示した模式的斜視図で
ある。

【図９】本発明に係るチップ型半導体磁器部品の製造方
法の別の実施例における一工程を示した模式的斜視図で
ある。

【図１０】（ａ）、（ｂ）は本発明に係るチップ型半導
体磁器部品の別の実施例を示した模式的斜視図及び側面
図である。

【図１１】（ａ）、（ｂ）は本発明に係るチップ型半導
体磁器部品のさらに別の実施例を示した模式的斜視図及
び側面図である。

【図１２】本発明に係るチップ型半導体磁器部品の製造
方法のさらに別の実施例における一工程を示した模式的
斜視図である。

【図１３】本発明に係るチップ型半導体磁器部品の製造
方法の別の実施例における一工程を示した模式的斜視図
である。

【図１４】本発明に係るチップ型半導体磁器部品の製造
方法の別の実施例における一工程を示した模式的斜視図
である。

【図１５】（ａ）、（ｂ）は本発明に係るチップ型半導
体磁器部品の別の実施例を示した模式的斜視図及び側面
図である。

【図１６】（ａ）、（ｂ）は本発明に係るチップ型半導
体磁器部品のさらに別の実施例を示した模式的斜視図及
び側面図である。

【図１７】本発明に係るチップ型半導体磁器部品の製造
方法の別の実施例を示した模式的側面図である。

【図１８】従来のチップ型半導体磁器部品を示した模式
的斜視図である。

【図１９】従来のチップ型半導体磁器部品を示した模式
的斜視図である。

【図２０】従来のチップ型半導体磁器部品を示した模式
的斜視図である。

【符号の説明】

１１、２１、３１ 半導体磁器基板 １２、２２ａ、３２ａ 溝（凹部） ２２ｂ、３２ｂ 溝 １３、２３、３３ 対向電極 １４、２４、３４ 外部接続電極 １５、２５、３５ ガラス絶縁層 １６、２６、３６ 粒界絶縁型半導体磁器基板 ３７ 孔

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 粒界絶縁型半導体磁器基板の表裏両主表
   面に対向電極が形成されたチップ型半導体磁器部品にお
   いて、外部接続電極が形成された側面間の角部に凹部が
   形成されていることを特徴とするチップ型半導体磁器部
   品。
2. 【請求項２】 表裏両主面に複数本の平行で表裏相対向
   する溝が形成された半導体磁器基板に、粒界絶縁化処理
   を施す工程を含んでいることを特徴とする請求項１記載
   のチップ型半導体磁器部品の製造方法。
3. 【請求項３】 凹部にガラス絶縁層が形成されている請
   求項１記載のチップ型半導体磁器部品。
4. 【請求項４】 表裏両主面に複数本の平行で表裏相対向
   する溝が形成された半導体磁器基板に、粒界絶縁化処理
   を施した後、前記溝内にガラス絶縁層を形成する工程を
   含んでいることを特徴とする請求項３記載のチップ型半
   導体磁器部品の製造方法。
5. 【請求項５】 外部接続電極と対向電極との接続側角部
   と反対側角部近傍に溝が形成されている請求項１記載の
   チップ型半導体磁器部品。
6. 【請求項６】 表裏両主面に複数本の平行で表裏相対向
   する溝が形成されると共に、前記溝に直交する複数本の
   表裏相対向しない溝が形成された半導体磁器基板に、粒
   界絶縁化処理を施す工程を含んでいることを特徴とする
   請求項５記載のチップ型半導体磁器部品。
7. 【請求項７】 凹部及び溝にガラス絶縁層が形成されて
   いる請求項５記載のチップ型半導体磁器部品。
8. 【請求項８】 表裏両主面に複数本の平行で表裏相対向
   する溝が形成されると共に、前記溝に直交する複数本の
   表裏相対向しない溝が形成された半導体磁器基板に、粒
   界絶縁化処理を施した後、前記溝内にガラス絶縁層を形
   成する工程を含んでいることを特徴とする請求項７記載
   のチップ型半導体磁器部品の製造方法。
9. 【請求項９】 対向電極が形成された両主面間の角部に
   凹部が形成されている請求項１記載のチップ型半導体磁
   器部品。
10. 【請求項１０】 表裏両主面に複数本の平行で表裏相対
    向する溝が形成されると共に、これら溝間に複数個の孔
    が形成された半導体磁器基板に、粒界絶縁化処理を施す
    工程を含んでいることを特徴とする請求項９記載のチッ
    プ型半導体磁器部品の製造方法。
11. 【請求項１１】 対向電極が形成された両主面間の角部
    に凹部が形成されている請求項５記載のチップ型半導体
    磁器部品。
12. 【請求項１２】 表裏両主面に複数本の平行で表裏相対
    向する溝が形成されると共に、前記溝に直交する複数本
    の表裏相対向しない溝が形成され、さらに表裏相対向す
    る前記溝間に複数個の孔が形成された半導体磁器基板
    に、粒界絶縁化処理を施す工程を含んでいることを特徴
    とする請求項１１記載のチップ型半導体磁器部品の製造
    方法。
13. 【請求項１３】 凹部及び溝にガラス絶縁層が形成され
    ている請求項９または請求項１１記載のチップ型半導体
    磁器部品。
14. 【請求項１４】 溝及び孔が形成された半導体磁器基板
    に、粒界絶縁化処理を施した後、前記溝内及び前記孔内
    にガラス絶縁層を形成する工程を含んでいることを特徴
    とする請求項１３記載のチップ型半導体磁器部品の製造
    方法。