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JPH05264221A - 半導体露光装置用マーク位置検出装置及びこれを用いた半導体露光装置用位置合わせ装置 - Google Patents

半導体露光装置用マーク位置検出装置及びこれを用いた半導体露光装置用位置合わせ装置

Info

Publication number
JPH05264221A
JPH05264221A JP4058508A JP5850892A JPH05264221A JP H05264221 A JPH05264221 A JP H05264221A JP 4058508 A JP4058508 A JP 4058508A JP 5850892 A JP5850892 A JP 5850892A JP H05264221 A JPH05264221 A JP H05264221A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mark
semiconductor exposure
alignment
line sensor
exposure apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP4058508A
Other languages
English (en)
Inventor
Makio Fukita
牧夫 吹田
Hironobu Kitajima
弘伸 北島
Masaki Yamabe
正樹 山部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP4058508A priority Critical patent/JPH05264221A/ja
Priority to US08/032,237 priority patent/US5400145A/en
Publication of JPH05264221A publication Critical patent/JPH05264221A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】マークの位置を高速に検出し、位置合わせ処理
を高速に行う。 【構成】マーク11の長手方向に関しては、シリンドリ
カルレンズ33は単なるガラス板として機能し、シリン
ドリカルレンズ34はマーク11の長手方向に沿った部
分からの光をラインセンサ35aの画素上に集光させ
る。これにより輝度の積分処理が光学的に行われて、画
像処理が簡単になり、画像処理を高速に行うことができ
る。マーク11の幅方向に関しては、シリンドリカルレ
ンズ34は単なるガラス板として機能し、シリンドリカ
ルレンズ33はマーク11の幅方向に沿った部分からの
光をラインセンサ35aの画素列上に結像させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体露光装置用マー
ク位置検出装置及びこれを用いた半導体露光装置用位置
合わせ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図7は、従来の半導体露光装置用位置合
わせ装置を示す。この装置は、ウェーハ10上のアライ
メントマーク11に対しマスク12上のアライメントマ
ーク13を相対的に位置合わせをするものである。ウェ
ーハ10はウェーハステージ14上に載置され、マスク
12はその周部に固着されたマスクリング15を介しマ
スクステージ16に取着されている。マスクステージ1
6には、顕微鏡筒ステージ17を介し金属顕微鏡筒18
が取り付けられている。白色照明光源19から射出され
た光は、光ファイバ20を通り、金属顕微鏡筒18内に
配置されたハーフミラー21及び対物レンズ23を通
り、ウェーハ10上及びマスク12上に照射される。ウ
ェーハ10又はマスク12からの反射光は、対物レンズ
23を通り、ハーフミラー21で反射され、接眼レンズ
24で2次元カメラ25の撮像面に結像される。
【0003】2次元カメラ25から出力された映像信号
及び同期信号は画像入力装置26に供給され、画像入力
装置26は、この映像信号をデジタル変換し、かつ、同
期信号に基づいてアドレスを生成し、画像メモリ27の
このアドレスに輝度データを格納させる。画像処理装置
28は、画像メモリ27に格納された画像を処理して、
アライメントマーク13に対するアライメントマーク1
1の相対位置を検出し、これをコントローラ29に供給
する。コントローラ29は、この相対位置が0になるよ
うに、ウェーハステージ14又はマスクステージ顕微鏡
筒用ステージ16を移動させる。このような処理を数回
繰り返すことにより、アライメントマーク13に対しア
ライメントマーク11を正確に位置合わせすることがで
きる。
【0004】例えば40倍の対物レンズ23を用い、一
辺が12μmの正方形画素を512×512個並べた2
次元固体撮像素子を2次元カメラ25に用いた場合、1
53.6μm×153.6μmの対象領域を2次元カメ
ラ25で撮像することができる。このため、マスクステ
ージ16に対するマスクリング15の取り付け位置やウ
ェーハステージ14に対するウェーハ10の取り付け位
置の誤差がある程度存在しても、初回の撮像でアライメ
ントマーク11及び13を視野内に入れることができ、
位置合わせが行えないという問題は生じない。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、2次元カメラ
25は、規格に従って1/30秒で1フレームの画像デ
ータを出力するので、例えば位置合わせ処理を3回繰り
返すと、画像取り込みだけで0.1秒の時間を要し、露
光プロセスのスループットが低下する原因となる。
【0006】また、画像メモリ27上の図8(A)に示
すような2次元画像27aにおいて、その中央部にウイ
ンドWを設定し、このウインドW内で、画像信号の平均
化処理を行う目的で図示Y方向に沿って輝度を加算し
て、図8(B)に示すようなX軸投影輝度分布を取得
し、アライメントマーク11の端部に相当する谷部の位
置X1とX2を求め、その平均値X0=(X1+X2)
/2を2次元画像27a内におけるアライメントマーク
像11aの幅方向位置とする。このようにすれば、幅数
〜数十μmのアライメントマーク11の位置X0を正確
に検出することができる。
【0007】しかし、Y方向加算処理のために演算時間
が長くなり、露光プロセスのスループットがさらに低下
する原因となる。
【0008】本発明の目的は、このような問題点に鑑
み、マークの位置を高速に検出することができる半導体
露光装置用マーク位置検出装置及び位置合わせ処理を高
速に行うことができる半導体露光装置用位置合わせ装置
を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段及びその作用】本発明に係
る半導体露光装置用マーク位置検出装置及びこれを用い
た半導体露光装置用位置合わせ装置を、実施例図中の対
応する構成要素の符号を引用して説明する。
【0010】第1発明の半導体露光装置用マーク位置検
出装置は、例えば図1に示す如く、ラインセンサ35a
を備えた1次元撮像手段35と、表面にマーク11又は
13が形成された対象物10又は12の表面上X方向に
ついてラインセンサ35a上に結像させる第1シリンド
リカルレンズ33と、該表面上の該X方向と直角なY方
向についてラインセンサ35a上に集光させる第2シリ
ンドリカルレンズ34と、1次元撮像手段35の出力信
号を処理してマーク11又は13のX方向位置を検出す
る信号処理手段36〜38とを備えている。
【0011】この半導体露光装置用マーク位置検出装置
では、例えば図2(A)に示す如く、マーク11の長手
方向に関しては、シリンドリカルレンズ33は単なるガ
ラス板として機能し、シリンドリカルレンズ34はマー
ク11の長手方向に沿った部分からの光をラインセンサ
35aの画素上に集光させる。したがって、図8におけ
るY方向に沿った輝度の加算、すなわち積分処理が光学
的に行われ、画像処理が簡単になり、かつ、画像処理を
高速に行うことができる。
【0012】また、図2(B)に示す如く、マーク11
の幅方向に関しては、シリンドリカルレンズ34は単な
るガラス板として機能し、シリンドリカルレンズ33は
マーク11の幅方向に沿った部分からの光をラインセン
サ35aの画素列上に結像させる。したがって、ライン
センサ35aの画素列上の輝度分布は、例えば図2
(C)に示す如くなる。
【0013】以上のことから、この第1発明の半導体露
光装置用マーク位置検出装置によれば、マークの位置を
高速に検出することができる。
【0014】第2発明の半導体露光装置用マーク位置検
出装置は、例えば図5に示す如く、ラインセンサ35a
を備えた1次元撮像手段35と、表面にマーク11又は
13が形成された対象物10又は12の表面上X方向に
ついてラインセンサ35a上に結像させ、かつ、該表面
上の該X方向と直角なY方向についてラインセンサ35
a上に集光させるトロイダルレンズ43と、1次元撮像
手段35の出力信号を処理してマーク11又は13のX
方向位置を検出する信号処理手段36〜38とを備えて
いる。
【0015】この半導体露光装置用マーク位置検出装置
は、例えば図6(A)に示す如く、マーク11の長手方
向に関しては、トロイダルレンズ43はマーク11の長
手方向に沿った部分からの光をラインセンサ35aの画
素上に集光させる。したがって、図8におけるY方向に
沿った輝度の加算、すなわち積分処理が光学的に行わ
れ、画像処理が簡単になり、かつ、画像処理を高速に行
うことができる。
【0016】図6(B)に示す如く、マーク11の幅方
向に関しては、トロイダルレンズ43はマーク11の幅
方向に沿った部分からの光をラインセンサ35aの画素
列上に結像させる。したがって、ラインセンサ35aの
画素列上の輝度分布は、例えば図6(C)に示す如くな
る。
【0017】以上のことから、この第2発明の半導体露
光装置用マーク位置検出装置によれば、マークの位置を
高速に検出することができる。
【0018】第3発明では、例えば図1又は図5に示す
如く、ステージ14を移動させて、対象物10又は12
に形成されたアライメントマーク11又は13を所定位
置に位置合わせする半導体露光装置用位置合わせ装置に
おいて、上記第1発明又は第2発明の半導体露光装置用
マーク位置検出装置と、該半導体露光装置用マーク位置
検出装置で検出されたアライメントマーク11又は13
のX方向位置が所定位置に位置するようにステージ14
を移動させる制御手段29とを備えている。
【0019】この半導体露光装置用位置合わせ装置は、
上記構成の半導体露光装置用マーク位置検出装置を用い
ているので、位置合わせ処理を高速に行うことができ
る。
【0020】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明に係る半導体露
光装置用マーク位置検出装置及びこれを用いた半導体露
光装置用位置合わせ装置の実施例を説明する。
【0021】[第1実施例]図1は、第1実施例の半導
体露光装置用位置合わせ装置の構成を示す。図7と同一
構成要素には、同一符号を付してその説明を省略する。
【0022】この装置では、図7の2次元カメラ25の
代わりに1次元カメラ35を配置し、図7の対物レンズ
23及び接眼レンズ24の代わりにそれぞれシリンドリ
カルレンズ33及びシリンドリカルレンズ34を配置し
ている。
【0023】シリンドリカルレンズ33及び34は、図
2(A)及び(B)に示す関係を満たすように配置され
ている。図2(A)はアライメントマーク11の長手方
向断面を示し、図2(B)はこれと直角な、アライメン
トマーク11の幅方向断面を示している。1次元カメラ
35に内蔵されているラインセンサ35aの長手方向
(画素配列方向)は、アライメントマーク11の幅方向
と平行になっている。
【0024】図2(A)に示す如く、アライメントマー
ク11の長手方向に関しては、アライメントマーク11
側に配置されたシリンドリカルレンズ33は単なるガラ
ス板として機能し、ラインセンサ35a側に配置された
シリンドリカルレンズ34はアライメントマーク11の
長手方向に沿った部分からの光をラインセンサ35aの
画素上に集光させる。したがって、図8におけるY方向
に沿った輝度の加算、すなわち積分処理が光学的に行わ
れ、画像処理が簡単になり、かつ、画像処理を高速に行
うことができる。
【0025】図2(B)に示す如く、アライメントマー
ク11の幅方向に関しては、ラインセンサ35a側に配
置されたシリンドリカルレンズ34は単なるガラス板と
して機能し、アライメントマーク11側に配置されたシ
リンドリカルレンズ33はアライメントマーク11の幅
方向に沿った部分からの光をラインセンサ35aの画素
列上に拡大結像させる。したがって、ラインセンサ35
aの画素列上の輝度分布は、図2(C)に示す如くな
る。この図は、図8(B)に対応している。図2(C)
中の2つの谷は、アライメントマーク11の幅方向端部
段差近傍での光路差による干渉効果で生ずる。
【0026】図1において、1次元カメラ35から出力
される映像信号及び同期信号は画像入力装置36に供給
され、画像入力装置36は、この同期信号に同期して、
映像信号をデジタル変換しこれを輝度データとしてライ
ンメモリ37に格納させる。
【0027】画像処理装置38は、ラインメモリ37に
格納された画像を処理し、アライメントマーク13に対
するアライメントマーク11の相対位置を検出し、これ
をコントローラ29に供給する。後述の如く、コントロ
ーラ29はこの相対位置が0になるように、ウェーハス
テージ14又は顕微鏡筒用ステージ17を移動させる。
このような処理により、アライメントマーク13に対し
アライメントマーク11を正確に位置合わせすることが
できる。
【0028】構成要素17〜21及び33〜37は、ウ
ェーハ10上に形成された図7に示すようなスクライブ
ライン40上の3つのアライメントマーク11A、11
B及び11Cの各々に対応して、3組備えられており、
図1では簡単化のためにその1組のみを示している。画
像処理装置38は、これら3組の画像に対して処理を行
う。1次元カメラに備えられたラインセンサの画素配列
方向は、アライメントマーク11A、11B及び11C
に対応して、3組のうち2組はX軸に平行であり、他の
1組はY軸に平行である。
【0029】なお、図1では簡単化のために2次元カメ
ラ及びその画像処理の構成を図示省略しているが、アラ
イメントマーク位置合わせは、2次元カメラ及びその画
像処理による粗位置合わせと、この後の1次元カメラ3
5及びその画像処理による微位置合わせとからなる。
【0030】次に、アライメントマーク11を位置合わ
せする手順を図4に基づいて説明する。
【0031】(50)コントローラ29からの指令に基
づいて、ウェーハ10上に焦点を合わせて上記2次元カ
メラで撮像し、その画像を従来同様に処理してアライメ
ントマーク11の位置を検出し、2次元画像の視野中心
に対するアライメントマーク11のずれをコントローラ
29に供給し、コントローラ29はこれに基づきずれが
0になるようにウェーハステージ14を移動させる。こ
れにより、粗位置合わせ処理が完了し、次の微位置合わ
せ処理が可能となる。
【0032】(51)コントローラ29からの指令に基
づいて、1次元カメラ35でウェーハ10上を撮像す
る。その画像は、ラインメモリ37に格納される。
【0033】(52)画像処理装置38は、ラインメモ
リ37に格納された図2(C)に示すような画像を処理
して、アライメントマーク13に対するアライメントマ
ーク11の相対位置、すなわち、1次元画像上の中点に
対するアライメントマーク位置のずれX0を検出する。
この検出は、図3のアライメントマーク11A、11B
及び11Cの各々について行われる。
【0034】(53)画像処理装置38は、図3のアラ
イメントマーク11A、11B及び11Cの全てについ
て、このずれが許容範囲内であれば処理を終了し、そう
でなければこのずれをコントローラ29に供給し、コン
トローラ29はこのずれが0になるようにウェーハステ
ージ14を移動させる。
【0035】上記ステップ51〜53の処理は、通常1
〜2回繰り返される。ラインセンサ35aの画素数を1
00程度にした場合、一回の画像取り込み時間は1/
3.3μsec程度となり、位置合わせを高速に行うこ
とが可能となる。
【0036】アライメントマーク13を視野中心に位置
合わせする処理は、焦点をマスク12に合わせて画像を
取得することと、顕微鏡筒ステージ17を調整して位置
合わせすることの外は、上記アライメントマーク11の
位置合わせ処理と同一である。アライメントマーク11
及び13の各々の位置合わせにより、アライメントマー
ク13に対するアライメントマーク11の位置合わせが
行われる。
【0037】[第2実施例]図5は、第2実施例の半導
体露光装置用位置合わせ装置の構成を示す。図1と同一
構成要素には、同一符号を付してその説明を省略する。
【0038】この装置では、図1のシリンドリカルレン
ズ33及び34の代わりに、シリンドリカルレンズ33
の位置にトロイダルレンズ43を配置して、シリンドリ
カルレンズ33及び34の機能をトロイダルレンズ43
で果たしている。
【0039】トロイダルレンズ43は、図6(A)及び
(B)に示す関係を満たすように配置されている。図6
(A)はアライメントマーク11の長手方向断面を示
し、図6(B)はこれと直角な、アライメントマーク1
1の幅方向断面を示している。ラインセンサ35aの長
手方向は、アライメントマーク11の幅方向と平行にな
っている。
【0040】図6(A)に示す如く、アライメントマー
ク11の長手方向に関しては、トロイダルレンズ43は
アライメントマーク11の長手方向に沿った部分からの
光をラインセンサ35aの画素上に集光させる。したが
って、図8におけるY方向に沿った輝度の加算、すなわ
ち積分処理が光学的に行われ、画像処理が簡単になり、
かつ、画像処理を高速に行うことができる。
【0041】図6(B)に示す如く、アライメントマー
ク11の幅方向に関しては、トロイダルレンズ43はア
ライメントマーク11の幅方向に沿った部分からの光を
ラインセンサ35aの画素列上に拡大結像させる。した
がって、ラインセンサ35aの画素列上の輝度分布は、
図6(C)に示す如くなる。
【0042】他の点は、上記第1実施例と同一である。
【0043】
【発明の効果】以上説明した如く、第1及び第2の発明
に係る半導体露光装置用マーク位置検出装置によれば、
一方向に沿った輝度の積分処理が光学的に行われるの
で、画像処理が簡単になり、かつ、画像処理を高速に行
うことができ、したがって、マークの位置を高速に検出
することができるという優れた効果を奏し、露光プロセ
スのスループット向上に寄与するところが大きい。
【0044】第3発明に係る半導体露光装置用位置合わ
せ装置では、上記半導体露光装置用マーク位置検出装置
を用いているので、位置合わせ処理を高速に行うことが
できるという優れた効果を奏し、露光プロセスのスルー
プット向上に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例の半導体露光装置用位置合
わせ装置構成図である。
【図2】図1の装置の集光・結像光学系原理及び及びラ
インセンサ上の輝度分布を示す図である。
【図3】ウェーハ上に形成されたスクライブライン上の
アライメントマーク配置図である。
【図4】アライメントマーク位置合わせ手順を示すフロ
ーチャートである。
【図5】本発明の第2実施例の半導体露光装置用位置合
わせ装置構成図である。
【図6】図5の装置の集光・結像光学系原理及び及びラ
インセンサ上の輝度分布を示す図である。
【図7】従来の半導体露光装置用位置合わせ装置構成図
である。
【図8】図7の画像メモリ上の画像及びX軸投影輝度分
布を示す図である。
【符号の説明】
10 ウェーハ 11、11A、11B、11C、13 アライメントマ
ーク 12 マスク 14 ウェーハステージ 16 マスクステージ 17 顕微鏡筒ステージ 18 金属顕微鏡筒 19 白色照明光源 20 光ファイバ 21 ハーフミラー 33、34 シリンドリカルレンズ 35 1次元カメラ 37 ラインメモリ 43 トロイダルレンズ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ラインセンサ(35a)を備えた1次元
    撮像手段(35)と、 表面にマーク(11、13)が形成された対象物(1
    0、12)の表面上X方向について該ラインセンサ上に
    結像させる第1シリンドリカルレンズ(33)と、 該表面上の該X方向と直角なY方向について該ラインセ
    ンサ上に集光させる第2シリンドリカルレンズ(34)
    と、 該1次元撮像手段の出力信号を処理して該マークのX方
    向位置を検出する信号処理手段(36〜38)と、 を有することを特徴とする半導体露光装置用マーク位置
    検出装置。
  2. 【請求項2】 ラインセンサ(35a)を備えた1次元
    撮像手段(35)と、 表面にマーク(11、13)が形成された対象物(1
    0、12)の表面上X方向について該ラインセンサ上に
    結像させ、かつ、該表面上の該X方向と直角なY方向に
    ついて該ラインセンサ上に集光させるトロイダルレンズ
    (43)と、 該1次元撮像手段の出力信号を処理して該マークのX方
    向位置を検出する信号処理手段(36〜38)と、 を有することを特徴とする半導体露光装置用マーク位置
    検出装置。
  3. 【請求項3】 ステージ(14)を移動させて、対象物
    (10、12)に形成されたアライメントマーク(1
    1、13)を所定位置に位置合わせする半導体露光装置
    用位置合わせ装置において、 請求項1又は2記載の半導体露光装置用マーク位置検出
    装置と、 該半導体露光装置用マーク位置検出装置で検出された該
    アライメントマークのX方向位置が所定位置に位置する
    ように該ステージを移動させる制御手段(29)と、 を有することを特徴とする半導体露光装置用位置合わせ
    装置。
JP4058508A 1992-03-17 1992-03-17 半導体露光装置用マーク位置検出装置及びこれを用いた半導体露光装置用位置合わせ装置 Withdrawn JPH05264221A (ja)

Priority Applications (2)

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JP4058508A JPH05264221A (ja) 1992-03-17 1992-03-17 半導体露光装置用マーク位置検出装置及びこれを用いた半導体露光装置用位置合わせ装置
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Publications (1)

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Country Status (2)

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JP (1) JPH05264221A (ja)

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