JPH0526331B2 - - Google Patents
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- JPH0526331B2 JPH0526331B2 JP60013490A JP1349085A JPH0526331B2 JP H0526331 B2 JPH0526331 B2 JP H0526331B2 JP 60013490 A JP60013490 A JP 60013490A JP 1349085 A JP1349085 A JP 1349085A JP H0526331 B2 JPH0526331 B2 JP H0526331B2
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- Japan
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- etching
- aluminum
- etched
- gas
- uniformity
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、アルミニウム膜のドライエツチング
方法に係わり、特にアルミニウム膜を均一性良く
エツチングする方法に関する。
方法に係わり、特にアルミニウム膜を均一性良く
エツチングする方法に関する。
現在、IC、LSIの相互配線材料として最も多く
使われている金属はアルミニウムであり、このア
ルミニウムはその蒸着膜をフオトレジストをマス
クとしてエツチング加工することにより配線とし
て利用される。
使われている金属はアルミニウムであり、このア
ルミニウムはその蒸着膜をフオトレジストをマス
クとしてエツチング加工することにより配線とし
て利用される。
アルミニウム膜のエツチング方法には、他のエ
ツチング方法と同様に燐酸系エツチング液による
ウエツト加工法とプラズマを用いるドライ加工法
とがある。しかし、ウエツト加工法では エツチング中に気泡が付着してアルミニウム
が局部的に残る。
ツチング方法と同様に燐酸系エツチング液による
ウエツト加工法とプラズマを用いるドライ加工法
とがある。しかし、ウエツト加工法では エツチング中に気泡が付着してアルミニウム
が局部的に残る。
アンダーカツトが大きく高精度パターンの形
成が困難である。
成が困難である。
段差でくびれが生じ易い。
等の問題があり、高い精度で微細でパターンを再
現性良く形成することは極めて困難である。
現性良く形成することは極めて困難である。
一方、ドライ加工法としてのアルミニウム膜の
プラズマエツチングは、Cl2、CCl4、BCl3等のプ
ラズマ中にClを含むガスを用いて行うことができ
る。円筒型プラズマ装置によつてもこのエツチン
グは可能ではあるが、この場合反応熱によりエツ
チング中に試料温度が上昇するため、プラズマ中
の塩素成分によつてフオトレジストの熱烈化が顕
著になる。
プラズマエツチングは、Cl2、CCl4、BCl3等のプ
ラズマ中にClを含むガスを用いて行うことができ
る。円筒型プラズマ装置によつてもこのエツチン
グは可能ではあるが、この場合反応熱によりエツ
チング中に試料温度が上昇するため、プラズマ中
の塩素成分によつてフオトレジストの熱烈化が顕
著になる。
これに対しては、基板冷却が可能でアルミニウ
ム膜表面に存在すると思われる酸化アルミニウム
膜の除去が容易な平行平板型プラズマ装置の方
が、アルミニウム相互配線形成上有利である。
ム膜表面に存在すると思われる酸化アルミニウム
膜の除去が容易な平行平板型プラズマ装置の方
が、アルミニウム相互配線形成上有利である。
しかしながら、平行平板型プラズマ装置におい
ても、アルミニウム表面の酸化膜（Al2O3）の除
去に伴うエツチング開始の不均一性の問題があ
る。即ち、十分にAl2O3を還元できる量のCCl3 +、
BCl2 +等が存在しないと均一にアルミニウムが露
出されず、引続くアルミニウムのエツチングの開
始に差が生じ、不均一性が助長される。これは、
Al2O3がラジカルではなく、イオンのみによつて
エツチングされることに起因する。
ても、アルミニウム表面の酸化膜（Al2O3）の除
去に伴うエツチング開始の不均一性の問題があ
る。即ち、十分にAl2O3を還元できる量のCCl3 +、
BCl2 +等が存在しないと均一にアルミニウムが露
出されず、引続くアルミニウムのエツチングの開
始に差が生じ、不均一性が助長される。これは、
Al2O3がラジカルではなく、イオンのみによつて
エツチングされることに起因する。
この問題に対して従来は、排気の到達圧力を低
くすることによつて残留ガスの主体であるH2O
を減らし、CCl3 +やBCl2 +の消費を少なくしたり、
また高周波出力を大きくし、イオン衝撃効果を強
めることによつてAl2O3の均一な除去をはかつて
きた。
くすることによつて残留ガスの主体であるH2O
を減らし、CCl3 +やBCl2 +の消費を少なくしたり、
また高周波出力を大きくし、イオン衝撃効果を強
めることによつてAl2O3の均一な除去をはかつて
きた。
しかし、これだけアルミニウムを均一性良くエ
ツチングすることは困難であり、実際５インチウ
エハで±20〜30［％］の値しか得られていない。
このようにアルミニウムの均一性が悪い原因とし
ては、最近報告されているように、Al2O3層の除
去された後のアルミニウムが塩素ラジカル或いは
塩素分子によつてもエツチングされることに起因
していると考えられる。即ち、プラズマエツチン
グ装置においては、エツチングガスは、被エツチ
ング物が載置される電極と相対した電極側から導
入され、被エツチング物の載置された電極の周辺
部より排気される構造を有しているが、電界に関
係ない塩素ラジカルや塩素分子によつてエツチン
グされる量が被エツチング物内の中心部と周辺部
とで、ガスの滞在時間の違いによる異なつている
ためである。さらに、この塩素分子、ラジカルに
よつてエツチングされる量が全体のエツチング速
度のうち無視できない値であり、特に塩素分子に
よつてエツチングされる量が無視できない値であ
り、その結果として第５図に示すように電極の周
辺部、即ち被エツチング材料の周辺部が異常に速
くエツチングされ、全体の均一性を悪くしている
と考えられる。
ツチングすることは困難であり、実際５インチウ
エハで±20〜30［％］の値しか得られていない。
このようにアルミニウムの均一性が悪い原因とし
ては、最近報告されているように、Al2O3層の除
去された後のアルミニウムが塩素ラジカル或いは
塩素分子によつてもエツチングされることに起因
していると考えられる。即ち、プラズマエツチン
グ装置においては、エツチングガスは、被エツチ
ング物が載置される電極と相対した電極側から導
入され、被エツチング物の載置された電極の周辺
部より排気される構造を有しているが、電界に関
係ない塩素ラジカルや塩素分子によつてエツチン
グされる量が被エツチング物内の中心部と周辺部
とで、ガスの滞在時間の違いによる異なつている
ためである。さらに、この塩素分子、ラジカルに
よつてエツチングされる量が全体のエツチング速
度のうち無視できない値であり、特に塩素分子に
よつてエツチングされる量が無視できない値であ
り、その結果として第５図に示すように電極の周
辺部、即ち被エツチング材料の周辺部が異常に速
くエツチングされ、全体の均一性を悪くしている
と考えられる。
本発明の目的は、エツチング均一性を悪くして
いる要因である塩素ラジカル或いは塩素分子によ
るエツチング量を抑制することができ、被エツチ
ング物内のエツチング均一性の向上をはかり得る
アルミニウムのドライエツチング方法を提供する
ことにある。
いる要因である塩素ラジカル或いは塩素分子によ
るエツチング量を抑制することができ、被エツチ
ング物内のエツチング均一性の向上をはかり得る
アルミニウムのドライエツチング方法を提供する
ことにある。
本発明の骨子は、塩素ラジカル或いは塩素によ
つて生じるエツチングの不均一性をできるだけ取
除くために、エツチング室内のエツチング用ガス
の排気速度を速めることにある。
つて生じるエツチングの不均一性をできるだけ取
除くために、エツチング室内のエツチング用ガス
の排気速度を速めることにある。
即ち本発明は、エツチング室内に塩素ガスを導
入すると共に、エツチング室内に対向配置された
一対の電極間に放電を生起し、アルミニウム若し
くは少なくともアルミニウムを含む材料をエツチ
ングするドライエツチング方法において、前記エ
ツチング室内のガスを排気する排気速度を、１秒
間に該エツチング室の容積の1/2以上排気できる
速度に設定するようにした方法である。
入すると共に、エツチング室内に対向配置された
一対の電極間に放電を生起し、アルミニウム若し
くは少なくともアルミニウムを含む材料をエツチ
ングするドライエツチング方法において、前記エ
ツチング室内のガスを排気する排気速度を、１秒
間に該エツチング室の容積の1/2以上排気できる
速度に設定するようにした方法である。
ここで、上記排気速度を１秒間にエツチング室
容量の1/2以上排気できる速度に設定した理由は、
エツチング均一性を±0.5［％］以内にするためで
あり、このためには上記のエツチング速度が必要
であると本発明者等の実験により確認されたから
である。
容量の1/2以上排気できる速度に設定した理由は、
エツチング均一性を±0.5［％］以内にするためで
あり、このためには上記のエツチング速度が必要
であると本発明者等の実験により確認されたから
である。
本発明によれば、排気速度を上述した範囲に設
定することにより、アルミニウム等の被エツチン
グ材料の表面に滞在する塩素ラジカルや塩素分子
の滞在時間を短くすることができ、これらの滞在
時間の違いを少なくすることができる。このた
め、塩素ラジカル或いは塩素分子によつて生じる
エツチングの被エツチング物内の不均一性が取除
かれることになり、被エツチング物内のエツチン
グ均一性は飛躍的に向上する。
定することにより、アルミニウム等の被エツチン
グ材料の表面に滞在する塩素ラジカルや塩素分子
の滞在時間を短くすることができ、これらの滞在
時間の違いを少なくすることができる。このた
め、塩素ラジカル或いは塩素分子によつて生じる
エツチングの被エツチング物内の不均一性が取除
かれることになり、被エツチング物内のエツチン
グ均一性は飛躍的に向上する。
以下、本発明の詳細を図示の実施例によつて説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例方法に使用したドラ
イエツチング装置の概略構成を示す模式図であ
る。図中１１はエツチング室を形成する真空容器
であり、この容器１１内には一対の平行平板電極
１２，１３が対向配置されている。上部電極１２
は容器１１と共に接地されており、下部電極１３
には高周波電源１４からの高周波電力が印加され
ている。そして、アルミニウム膜等の被エツチン
グ材料を披着された被エツチング試料１５は下部
電極１３上に載置されるものとなつている。
イエツチング装置の概略構成を示す模式図であ
る。図中１１はエツチング室を形成する真空容器
であり、この容器１１内には一対の平行平板電極
１２，１３が対向配置されている。上部電極１２
は容器１１と共に接地されており、下部電極１３
には高周波電源１４からの高周波電力が印加され
ている。そして、アルミニウム膜等の被エツチン
グ材料を披着された被エツチング試料１５は下部
電極１３上に載置されるものとなつている。
一方、容器１１内にはバルブ２１ａ及びガス導
入管２２を介してエツチング用ガス、例えばCl2
ガスが導入される。容器１１内に導入されたガス
は、排気管２３及びバルブ２１ｂ，２１ｃを介し
て拡散ポンプ（以下DPと略記する）２４及びメ
カニカルブースタポンプ（以下MBPと略記する）
２５により排気されるものとなつている。また、
DP２４及びMBP２５の排気側には、それぞれば
ルプ２１ｄ，２１ｅを介してロータリーポンプ
（以下RPの略記する）２６が接続されている。
入管２２を介してエツチング用ガス、例えばCl2
ガスが導入される。容器１１内に導入されたガス
は、排気管２３及びバルブ２１ｂ，２１ｃを介し
て拡散ポンプ（以下DPと略記する）２４及びメ
カニカルブースタポンプ（以下MBPと略記する）
２５により排気されるものとなつている。また、
DP２４及びMBP２５の排気側には、それぞれば
ルプ２１ｄ，２１ｅを介してロータリーポンプ
（以下RPの略記する）２６が接続されている。
ここで、実際に排気を行うには、まずバルブ２
１ｂ，２１ｄを開き、バルブ２１ｃ，２１ｅを閉
じ、DP２４及びRP２６により真空容器１１内を
排気する。容器１１内が一旦所定圧力（アルミニ
ウムエツチング時の圧力）まで排気された後は、
バルブ２１ｂ，２１ｄを閉じ、バルブ２１ｃ，２
１ｅを開き、MBP２５及びRP２６により容器１
１内を排気するものとなつている。
１ｂ，２１ｄを開き、バルブ２１ｃ，２１ｅを閉
じ、DP２４及びRP２６により真空容器１１内を
排気する。容器１１内が一旦所定圧力（アルミニ
ウムエツチング時の圧力）まで排気された後は、
バルブ２１ｂ，２１ｄを閉じ、バルブ２１ｃ，２
１ｅを開き、MBP２５及びRP２６により容器１
１内を排気するものとなつている。
ところで、前記上部電極１２は第２図ａ，ｂに
示す如く下部中央に凹部を有する電極本体３１
と、この電極３１の下面に取着された板体３２と
から形成されている。板体３２には、前記被エツ
チング試料１５上でエツチング種が均一な流れを
作るように複数個の小孔（ガス排気口）３２ａが
設けられている。例えば、φ1.5［mm］の小孔３２
ａが等間隔に20個設けられてくる。
示す如く下部中央に凹部を有する電極本体３１
と、この電極３１の下面に取着された板体３２と
から形成されている。板体３２には、前記被エツ
チング試料１５上でエツチング種が均一な流れを
作るように複数個の小孔（ガス排気口）３２ａが
設けられている。例えば、φ1.5［mm］の小孔３２
ａが等間隔に20個設けられてくる。
一方、前記下部電極１３は、第３図に示す如く
真空容器１１の内壁面に密着固定された板状の絶
縁体３３上に載置されている。絶縁体３３の周辺
部には、通気孔３３ａが同心円上に複数個設けら
れてくる。そして、上部電極１２のガス導出孔３
２ａから真空容器１１内に導入されたエツチング
用ガスは上記通気孔３３ａを介してエツチング室
上部から下部に流れ、前記排気管２３から排気さ
れるものとなつている。なお、第３図中３５，３
６は下部電極１３を冷却するための水冷配管を示
している。
真空容器１１の内壁面に密着固定された板状の絶
縁体３３上に載置されている。絶縁体３３の周辺
部には、通気孔３３ａが同心円上に複数個設けら
れてくる。そして、上部電極１２のガス導出孔３
２ａから真空容器１１内に導入されたエツチング
用ガスは上記通気孔３３ａを介してエツチング室
上部から下部に流れ、前記排気管２３から排気さ
れるものとなつている。なお、第３図中３５，３
６は下部電極１３を冷却するための水冷配管を示
している。
次に、上記装置を用いたエツチング方法につい
て説明する。
て説明する。
まず、被エツチング材料としてはアルミニウム
膜を用い、エツチング用ガスとしては塩素（Cl2）
及び三塩化硼素（BCl3）を用いた。また、MBP
２５の排気能力は4000［／min］、RP２６の排
気能力は1200［／min］とした。高周波電力は
100［Ｗ］、エツチング時の圧力は0.1［torr］とし、
排気速度を変えて、アルミニウム膜のエツチング
均一性を調べた。
膜を用い、エツチング用ガスとしては塩素（Cl2）
及び三塩化硼素（BCl3）を用いた。また、MBP
２５の排気能力は4000［／min］、RP２６の排
気能力は1200［／min］とした。高周波電力は
100［Ｗ］、エツチング時の圧力は0.1［torr］とし、
排気速度を変えて、アルミニウム膜のエツチング
均一性を調べた。
第４図はその結果を示す特性図である。なお、
実効排気速度は、前記絶縁体３３に設けた通気孔
３３ａの総和面積から求めた。被エツチング材料
内のエツチング均一性の値は実効排気速度が大き
くなるに従つて良くなつており、この結果から排
気速度と均一性とが綿密に関係していることが明
かである。ここで、排気速度を速めるに伴いエツ
チング均一性が向上する理由は、被エツチング材
料上に滞在する塩素ラジカルや塩素分子の滞在時
間が短くなり、これにより被エツチング材料表面
上における上記塩素ラジカルや塩素分子の滞在時
間の違いが少なくなるからであると考えられる。
実効排気速度は、前記絶縁体３３に設けた通気孔
３３ａの総和面積から求めた。被エツチング材料
内のエツチング均一性の値は実効排気速度が大き
くなるに従つて良くなつており、この結果から排
気速度と均一性とが綿密に関係していることが明
かである。ここで、排気速度を速めるに伴いエツ
チング均一性が向上する理由は、被エツチング材
料上に滞在する塩素ラジカルや塩素分子の滞在時
間が短くなり、これにより被エツチング材料表面
上における上記塩素ラジカルや塩素分子の滞在時
間の違いが少なくなるからであると考えられる。
一方、このとき使用した真空容器１１の容積は
80であり、エツチング均一性が±５［％］にな
るときの通気孔３３ａの全面積から求めた実効排
気速度は約40［／sec］となる。つまり、アルミ
ニウムのエツチング均一性を±５［％］以下に抑
えるには、エツチング室全容積と実効排気速度
（１秒間における排気量）との比を１／２以上に
する必要があることが判る。
80であり、エツチング均一性が±５［％］にな
るときの通気孔３３ａの全面積から求めた実効排
気速度は約40［／sec］となる。つまり、アルミ
ニウムのエツチング均一性を±５［％］以下に抑
えるには、エツチング室全容積と実効排気速度
（１秒間における排気量）との比を１／２以上に
する必要があることが判る。
なお、本発明者等は、エツチング室の容積を変
えて各種の実験を行つた場合にも上記の関係（エ
ツチング均一性を±５％以下にするためのエツチ
ング室容積に対する実効排気速度が1/2以上であ
る）が成立することを確認しており、さらにエツ
チング時の圧力を変えた場合でも同様であること
を確認している。
えて各種の実験を行つた場合にも上記の関係（エ
ツチング均一性を±５％以下にするためのエツチ
ング室容積に対する実効排気速度が1/2以上であ
る）が成立することを確認しており、さらにエツ
チング時の圧力を変えた場合でも同様であること
を確認している。
このように本実施例方法によれば、真空容器１
１内のエツチング用ガスの排気速度を該容器１１
の全容積の1/2以上排気できる速度に制定するこ
とにより、アルミニウムのエツチング均一性を±
５［％］以内に抑えることができる。このため、
配線パターンの形成等に適用して絶大なる効果が
得られる。
１内のエツチング用ガスの排気速度を該容器１１
の全容積の1/2以上排気できる速度に制定するこ
とにより、アルミニウムのエツチング均一性を±
５［％］以内に抑えることができる。このため、
配線パターンの形成等に適用して絶大なる効果が
得られる。
なお、本発明は上述した実施令に限定されるも
のではない。例えば、前記エツチング室内を排気
するのに用いる真空ポンプは拡散ポンプやメカニ
カルブースタポンプに限定されるものではなく、
エツチング室内を所定の圧力に、且つ１秒間にエ
ツチング室内の容積の1/2以上排気できる能力を
有するポンプであればよい。また、アルミニウム
に限らず、少なくともアルミニウムを含む材料の
エツチングに適用することが可能である。さら
に、エツチング用ガスとしては塩素に限らず、少
なくとも塩素を含むガスであればよい。また、本
発明方法に使用するドライエツチング装置の構成
は前記第１図乃至第３図に示す構成に何等限定さ
れるものではなく、仕様に応じて適宜変更可能で
ある。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、種々変形して実施することができる。
のではない。例えば、前記エツチング室内を排気
するのに用いる真空ポンプは拡散ポンプやメカニ
カルブースタポンプに限定されるものではなく、
エツチング室内を所定の圧力に、且つ１秒間にエ
ツチング室内の容積の1/2以上排気できる能力を
有するポンプであればよい。また、アルミニウム
に限らず、少なくともアルミニウムを含む材料の
エツチングに適用することが可能である。さら
に、エツチング用ガスとしては塩素に限らず、少
なくとも塩素を含むガスであればよい。また、本
発明方法に使用するドライエツチング装置の構成
は前記第１図乃至第３図に示す構成に何等限定さ
れるものではなく、仕様に応じて適宜変更可能で
ある。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、種々変形して実施することができる。
第１図は本発明の一実施例方法に使用したドラ
イエツチング装置の概略構成を示す模式図、第２
図は上部電極の具体的構造を示す断面図及び平面
図、第３図は下部電極及びその取付け部材である
絶縁体の具体的構造を示す断面図、第４図は実効
排気速度とエツチング均一性との関係を示す特性
図、第５図は従来の問題点を説明するための特性
図である。 １１……真空容器（エツチング室）、１２……
上部電極、１３……下部電極、１４……高周波電
源、１５……被エツチング試料、２１ａ〜２１ｅ
……バルブ、２２……ガス導入管、２３……ガス
排気管、２４……拡散ポンプ、２５……メカニカ
ルブースタポンプ、２６……ロータリーポンプ、
３１……電極本体、３２……板体、３２ａ……ガ
ス導入孔、３３……絶縁体、３３ａ……通気孔、
３５，３６……冷却水配管。
イエツチング装置の概略構成を示す模式図、第２
図は上部電極の具体的構造を示す断面図及び平面
図、第３図は下部電極及びその取付け部材である
絶縁体の具体的構造を示す断面図、第４図は実効
排気速度とエツチング均一性との関係を示す特性
図、第５図は従来の問題点を説明するための特性
図である。 １１……真空容器（エツチング室）、１２……
上部電極、１３……下部電極、１４……高周波電
源、１５……被エツチング試料、２１ａ〜２１ｅ
……バルブ、２２……ガス導入管、２３……ガス
排気管、２４……拡散ポンプ、２５……メカニカ
ルブースタポンプ、２６……ロータリーポンプ、
３１……電極本体、３２……板体、３２ａ……ガ
ス導入孔、３３……絶縁体、３３ａ……通気孔、
３５，３６……冷却水配管。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ エツチング室内に塩素ガスを導入すると共
に、エツチング室内に対向配置された一対の電極
間に放電を生起し、アルミニウム若しくは少なく
ともアルミニウムを含む材料をエツチングするド
ライエツチング方法において、前記エツチング室
内のガスを排気する際の実効排気速度Ｘ（／
sec）を、前記エツチング室の容積をＶ（）と
し、 Ｘ＞（1/2）Ｖ に設定したことを特徴とするドライエツチング方
法。 ２ 前記電極は平行平板電極であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のドライエツチン
グ方法。 ３ 前記アルミニウム若しくは少なくともアルミ
ニウムを含む材料は、前記平行平板電極のうち高
周波電力印加側の電極上に載置されることを特徴
とする特許請求の範囲第２項記載のドライエツチ
ング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1349085A JPS61174634A (ja) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | ドライエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1349085A JPS61174634A (ja) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | ドライエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61174634A JPS61174634A (ja) | 1986-08-06 |
| JPH0526331B2 true JPH0526331B2 (ja) | 1993-04-15 |
Family
ID=11834555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1349085A Granted JPS61174634A (ja) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | ドライエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61174634A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0697676B2 (ja) * | 1985-11-26 | 1994-11-30 | 忠弘 大見 | ウエハサセプタ装置 |
| JPH06103665B2 (ja) * | 1987-01-29 | 1994-12-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
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| JP3327285B2 (ja) * | 1991-04-04 | 2002-09-24 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理方法及び半導体装置の製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54118172A (en) * | 1978-03-06 | 1979-09-13 | Nichiden Varian Kk | Method of dry etching aluminum |
| JPS57133633A (en) * | 1981-02-13 | 1982-08-18 | Anelva Corp | Dry-etching device |
| US4376672A (en) * | 1981-10-26 | 1983-03-15 | Applied Materials, Inc. | Materials and methods for plasma etching of oxides and nitrides of silicon |
| US4412885A (en) * | 1982-11-03 | 1983-11-01 | Applied Materials, Inc. | Materials and methods for plasma etching of aluminum and aluminum alloys |
-
1985
- 1985-01-29 JP JP1349085A patent/JPS61174634A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54118172A (en) * | 1978-03-06 | 1979-09-13 | Nichiden Varian Kk | Method of dry etching aluminum |
| JPS57133633A (en) * | 1981-02-13 | 1982-08-18 | Anelva Corp | Dry-etching device |
| US4376672A (en) * | 1981-10-26 | 1983-03-15 | Applied Materials, Inc. | Materials and methods for plasma etching of oxides and nitrides of silicon |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61174634A (ja) | 1986-08-06 |
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