JPH05250744A - 光ディスク媒体の製造方法 - Google Patents
光ディスク媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH05250744A JPH05250744A JP4852392A JP4852392A JPH05250744A JP H05250744 A JPH05250744 A JP H05250744A JP 4852392 A JP4852392 A JP 4852392A JP 4852392 A JP4852392 A JP 4852392A JP H05250744 A JPH05250744 A JP H05250744A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording layer
- layer
- dielectric layer
- ferrite
- optical disk
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高温での熱処理が必要なＣｏフェライト、Ｂ
ａフェライト又は磁性ガーネット等の磁性体からなる記
録層を有し、高密度記録が可能な光ディスク媒体を得る
ことを目的とする。 【構成】 先ず、石英ガラス等の耐熱性が高い材質から
なる基板４上にＳｉＮ、Ｔａ2 Ｏ5 及びＳｉＯ2 等の透
明誘電体からなる誘電体層５を形成する。次に、所定の
溝パターンに形成されたフォトレジストをマスクとし
て、誘電体層５をイオンエッチングし、その後フォトレ
ジストを除去する。次に、誘電体層５上に、Ｃｏフェラ
イト、Ｂａフェライト又は磁性ガーネット等の磁性体か
らなる記録層７を形成し、所定の温度で熱処理を施す。
次いで、記録層７上に透明保護層８を形成する。
ａフェライト又は磁性ガーネット等の磁性体からなる記
録層を有し、高密度記録が可能な光ディスク媒体を得る
ことを目的とする。 【構成】 先ず、石英ガラス等の耐熱性が高い材質から
なる基板４上にＳｉＮ、Ｔａ2 Ｏ5 及びＳｉＯ2 等の透
明誘電体からなる誘電体層５を形成する。次に、所定の
溝パターンに形成されたフォトレジストをマスクとし
て、誘電体層５をイオンエッチングし、その後フォトレ
ジストを除去する。次に、誘電体層５上に、Ｃｏフェラ
イト、Ｂａフェライト又は磁性ガーネット等の磁性体か
らなる記録層７を形成し、所定の温度で熱処理を施す。
次いで、記録層７上に透明保護層８を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光により情報の記録、
再生又は消去を行なうことが可能な光ディスク媒体の製
造方法に関する。
再生又は消去を行なうことが可能な光ディスク媒体の製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光ディスク媒体においては、予め
基板にトラッキング用の溝が設けられていると共にアド
レス情報が記録されている。
基板にトラッキング用の溝が設けられていると共にアド
レス情報が記録されている。
【０００３】図６は、従来の光ディスク媒体を示す断面
図である（特公昭52-32931）。この光ディスク媒体は、
ディスク面に光（例えば、レーザービーム）を照射し、
ディスクから反射された光の変調により情報を再生する
ものである。
図である（特公昭52-32931）。この光ディスク媒体は、
ディスク面に光（例えば、レーザービーム）を照射し、
ディスクから反射された光の変調により情報を再生する
ものである。
【０００４】基板１は射出成形された有機樹脂からな
り、その一方の面には情報に応じた段差（即ち、情報構
体２）が設けられ、他方の面は平坦に成形されている。
そして、情報構体２が設けられた面は、光透過性の樹脂
からなる保護層３により被覆されている。
り、その一方の面には情報に応じた段差（即ち、情報構
体２）が設けられ、他方の面は平坦に成形されている。
そして、情報構体２が設けられた面は、光透過性の樹脂
からなる保護層３により被覆されている。
【０００５】この光ディスク媒体は、情報再生時に、光
源（図示せず）から出力されレンズ１０で屈折された光
ビームが情報構体２の面に収束するようになっている。
この場合に、情報構体２の位置におけるビーム径に比し
て、情報構体２から離れた位置（例えば、レンズ１０の
位置）における光のビーム径が極めて大きくなるよう
に、基板１の厚さが設定されている。このため、基板１
の光源側の面に塵粒子が付着したり、又は疵が付いて
も、情報の読出しが可能であるという長所がある。ま
た、基板がＰＣ（ポリカーボネート）及びＰＭＭＡ（ポ
リメタクリル酸メチル）等の有機樹脂からなるため、製
品コストが低いという利点もある。
源（図示せず）から出力されレンズ１０で屈折された光
ビームが情報構体２の面に収束するようになっている。
この場合に、情報構体２の位置におけるビーム径に比し
て、情報構体２から離れた位置（例えば、レンズ１０の
位置）における光のビーム径が極めて大きくなるよう
に、基板１の厚さが設定されている。このため、基板１
の光源側の面に塵粒子が付着したり、又は疵が付いて
も、情報の読出しが可能であるという長所がある。ま
た、基板がＰＣ（ポリカーボネート）及びＰＭＭＡ（ポ
リメタクリル酸メチル）等の有機樹脂からなるため、製
品コストが低いという利点もある。
【０００６】なお、近年、情報の記録、再生及び消去が
可能の光ディスク媒体として、基板と保護層との間に、
磁性体からなる記録層を設けた光ディスク媒体も開発さ
れている。
可能の光ディスク媒体として、基板と保護層との間に、
磁性体からなる記録層を設けた光ディスク媒体も開発さ
れている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の光ディスク媒体においては、以下に示す問題点
がある。即ち、近時、高密度で情報記録が可能の磁性体
として、ガーネット系磁性体が注目されている。このガ
ーネット系磁性体は、所望の磁気特性を得るために、成
膜時に５００℃以上の温度で熱処理することが必要であ
る。しかし、従来の光ディスク媒体においては、基板が
ＰＣ及びＰＭＭＡ等の有機樹脂からなるため、温度に対
する安定性の上限は約１２０℃と低い。従って、従来の
光ディスク媒体においては、記録層としてこれらの磁性
体を使用することが困難である。
た従来の光ディスク媒体においては、以下に示す問題点
がある。即ち、近時、高密度で情報記録が可能の磁性体
として、ガーネット系磁性体が注目されている。このガ
ーネット系磁性体は、所望の磁気特性を得るために、成
膜時に５００℃以上の温度で熱処理することが必要であ
る。しかし、従来の光ディスク媒体においては、基板が
ＰＣ及びＰＭＭＡ等の有機樹脂からなるため、温度に対
する安定性の上限は約１２０℃と低い。従って、従来の
光ディスク媒体においては、記録層としてこれらの磁性
体を使用することが困難である。
【０００８】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、高温での熱処理が必要な磁性体を記録層に
適用することができて、従来に比して高密度で情報を記
録することが可能な光ディスク媒体を製造することがで
きる光ディスク媒体の製造方法を提供することを目的と
する。
のであって、高温での熱処理が必要な磁性体を記録層に
適用することができて、従来に比して高密度で情報を記
録することが可能な光ディスク媒体を製造することがで
きる光ディスク媒体の製造方法を提供することを目的と
する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る光ディスク
媒体の製造方法は、その表面が平滑である耐熱性基板上
に透明誘電体層を形成する工程と、この透明誘電体層の
表面に選択的に溝を設ける工程と、前記透明誘電体層の
表面上に磁性体からなる記録層を形成する工程と、この
記録層に対し熱処理を施す工程と、前記記録層上に保護
層を形成する工程とを有することを特徴とする。
媒体の製造方法は、その表面が平滑である耐熱性基板上
に透明誘電体層を形成する工程と、この透明誘電体層の
表面に選択的に溝を設ける工程と、前記透明誘電体層の
表面上に磁性体からなる記録層を形成する工程と、この
記録層に対し熱処理を施す工程と、前記記録層上に保護
層を形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明においては、先ず、その表面が平滑な耐
熱性基板上にＳｉＮ、Ｔａ2 Ｏ5 及びＳｉＯ2 等の誘電
体からなる透明誘電体層を形成し、この透明誘電体層の
表面に選択的に溝を形成する。その後、前記誘電体層の
表面上に例えばガーネット系磁性体からなる記録層を形
成し、熱処理を施す。この熱処理により、磁性体からな
る記録層はその結晶状態が変化し、高密度で情報を記録
することが可能になる。次いで、この記録層上に保護層
を形成する。
熱性基板上にＳｉＮ、Ｔａ2 Ｏ5 及びＳｉＯ2 等の誘電
体からなる透明誘電体層を形成し、この透明誘電体層の
表面に選択的に溝を形成する。その後、前記誘電体層の
表面上に例えばガーネット系磁性体からなる記録層を形
成し、熱処理を施す。この熱処理により、磁性体からな
る記録層はその結晶状態が変化し、高密度で情報を記録
することが可能になる。次いで、この記録層上に保護層
を形成する。
【００１１】本発明においては、上述の如く、記録層に
対して熱処理を施すときには保護層が形成されていな
い。つまり、熱処理時に高温に曝されるのは耐熱性基板
及び透明誘電体層であり、熱処理後に記録層上に保護層
（樹脂）を形成する。従って、本発明においては、記録
層として、ガーネット系磁性体等の高温で熱処理するこ
とが必要な磁性体を適用することが可能であり、記録密
度が高い光ディスク媒体を得ることができる。
対して熱処理を施すときには保護層が形成されていな
い。つまり、熱処理時に高温に曝されるのは耐熱性基板
及び透明誘電体層であり、熱処理後に記録層上に保護層
（樹脂）を形成する。従って、本発明においては、記録
層として、ガーネット系磁性体等の高温で熱処理するこ
とが必要な磁性体を適用することが可能であり、記録密
度が高い光ディスク媒体を得ることができる。
【００１２】なお、基板としては、記録層を熱処理する
ときの温度以上の耐熱性があればよく、例えば石英ガラ
スを使用することができる。この石英ガラスの耐熱温度
は１０００℃以上と極めて高い。
ときの温度以上の耐熱性があればよく、例えば石英ガラ
スを使用することができる。この石英ガラスの耐熱温度
は１０００℃以上と極めて高い。
【００１３】また、透明誘電体層としては、ＳｉＮ、Ｔ
ａ2 Ｏ5 及びＳｉＯ2 等の耐熱性が高い誘電体を使用す
ることができる。これらの誘電体からなる膜は、透明で
あると共に屈折率が高く、また、例えばイオンエッチン
グ法によりその表面に溝を形成することができる。
ａ2 Ｏ5 及びＳｉＯ2 等の耐熱性が高い誘電体を使用す
ることができる。これらの誘電体からなる膜は、透明で
あると共に屈折率が高く、また、例えばイオンエッチン
グ法によりその表面に溝を形成することができる。
【００１４】
【実施例】次に、本発明の実施例について添付の図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【００１５】図１乃至図５は本発明の実施例に係る光デ
ィスク媒体の製造方法を工程順に示す断面図である。
ィスク媒体の製造方法を工程順に示す断面図である。
【００１６】先ず、図１に示すように、例えば直径が
３．５インチであり、その表面が平滑な円板状石英ガラ
ス基板４を用意し、マグネトロンスパッタ法により、こ
の基板４上に透明誘電体層５を形成する。この透明誘電
体層５は、ＳｉＮ、Ｔａ2 Ｏ5及びＳｉＯ2 等の屈折率
が高い材料により形成することが好ましい。
３．５インチであり、その表面が平滑な円板状石英ガラ
ス基板４を用意し、マグネトロンスパッタ法により、こ
の基板４上に透明誘電体層５を形成する。この透明誘電
体層５は、ＳｉＮ、Ｔａ2 Ｏ5及びＳｉＯ2 等の屈折率
が高い材料により形成することが好ましい。
【００１７】次に、スピンコータを使用して、誘電体層
５上にフォトレジストを塗布し、プリベーク処理を施
す。その後、トラッキング用の溝パターンが螺旋状に設
けられたマスクを使用し、ミラー・プロジェクション装
置により前記フォトレジストを露光した後、現像処理を
実施して、図２に示すように、溝パターンのフォトレジ
スト６を形成する。
５上にフォトレジストを塗布し、プリベーク処理を施
す。その後、トラッキング用の溝パターンが螺旋状に設
けられたマスクを使用し、ミラー・プロジェクション装
置により前記フォトレジストを露光した後、現像処理を
実施して、図２に示すように、溝パターンのフォトレジ
スト６を形成する。
【００１８】次に、図３に示すように、ＳＦ6 とＯ2 と
の混合ガスを使用したＲＩＥ（リアクティブ・イオン・
エッチング）法により、フォトレジスト６をマスクとし
て誘電体層５に対しエッチングを施す。その後、フォト
レジスト６を剥離液で除去する。なお、誘電体層５のエ
ッチング深さは、トラッキング信号出力が最も大きくな
るように、記録及び再生に用いるレーザー光の波長の１
／８とすることが好ましい。
の混合ガスを使用したＲＩＥ（リアクティブ・イオン・
エッチング）法により、フォトレジスト６をマスクとし
て誘電体層５に対しエッチングを施す。その後、フォト
レジスト６を剥離液で除去する。なお、誘電体層５のエ
ッチング深さは、トラッキング信号出力が最も大きくな
るように、記録及び再生に用いるレーザー光の波長の１
／８とすることが好ましい。
【００１９】次に、図４に示すように、スパッタ装置を
使用して、誘電体層５上に例えばＣｏフェライトからな
る記録層７を形成し、その後４００℃の温度で３時間熱
処理を施す。この熱処理により、Ｃｏフェライトの結晶
状態が非晶質から微結晶に変化して磁気特性が向上す
る。なお、石英ガラス基板４の耐熱温度は１０００℃以
上であるので、この熱処理において基板４に損傷を与え
ることはない。
使用して、誘電体層５上に例えばＣｏフェライトからな
る記録層７を形成し、その後４００℃の温度で３時間熱
処理を施す。この熱処理により、Ｃｏフェライトの結晶
状態が非晶質から微結晶に変化して磁気特性が向上す
る。なお、石英ガラス基板４の耐熱温度は１０００℃以
上であるので、この熱処理において基板４に損傷を与え
ることはない。
【００２０】次に、スピンコーターにより、記録層７上
に紫外線硬化性の樹脂を塗布する。このとき、樹脂の表
面を平坦にするために、例えば塗布厚を１０μｍとす
る。次いで、図５に示すように、紫外線照射装置を使用
して樹脂に紫外線を照射し、樹脂を硬化させて透明保護
層８とする。これにより、光ディスク媒体が完成する。
に紫外線硬化性の樹脂を塗布する。このとき、樹脂の表
面を平坦にするために、例えば塗布厚を１０μｍとす
る。次いで、図５に示すように、紫外線照射装置を使用
して樹脂に紫外線を照射し、樹脂を硬化させて透明保護
層８とする。これにより、光ディスク媒体が完成する。
【００２１】本実施例においては、基板４及び誘電体層
５がいずれも記録層７を熱処理するときの温度以上の耐
熱性を有し、熱処理後に樹脂からなる保護層８を形成す
る。このため、記録層７の材質として、Ｃｏフェライ
ト、Ｂａフェライト及び磁性ガーネット等の高温で熱処
理することが必要な磁性体を使用することが可能であ
り、これらの磁性体を用いて記録層７を形成することに
より、高密度記録が可能となる。
５がいずれも記録層７を熱処理するときの温度以上の耐
熱性を有し、熱処理後に樹脂からなる保護層８を形成す
る。このため、記録層７の材質として、Ｃｏフェライ
ト、Ｂａフェライト及び磁性ガーネット等の高温で熱処
理することが必要な磁性体を使用することが可能であ
り、これらの磁性体を用いて記録層７を形成することに
より、高密度記録が可能となる。
【００２２】次に、本実施例方法により実際に光ディス
ク媒体を製造し、そのトラッキング状態を調べた結果に
ついて説明する。
ク媒体を製造し、そのトラッキング状態を調べた結果に
ついて説明する。
【００２３】上述の方法により、石英ガラス基板上に透
明誘電体層としてＳｉＮ層を形成し、このＳｉＮ層をＲ
ＩＥ法によりエッチングした後、記録層としてＣｏフェ
ライト層を成膜した。その後、約４００℃の温度で３時
間熱処理を実施した。そして、この記録層上に透明保護
層を形成し、光ディスク媒体を得た。
明誘電体層としてＳｉＮ層を形成し、このＳｉＮ層をＲ
ＩＥ法によりエッチングした後、記録層としてＣｏフェ
ライト層を成膜した。その後、約４００℃の温度で３時
間熱処理を実施した。そして、この記録層上に透明保護
層を形成し、光ディスク媒体を得た。
【００２４】この光ディスク媒体を光ディスク評価装置
にセットし、１８００ｒｐｍの回転数で回転させつつ、
基板側からレーザービームを入射してトラッキングを行
なった。その結果、光ディスク媒体の内周から外周ま
で、良好な状態でトラッキングが可能であった。
にセットし、１８００ｒｐｍの回転数で回転させつつ、
基板側からレーザービームを入射してトラッキングを行
なった。その結果、光ディスク媒体の内周から外周ま
で、良好な状態でトラッキングが可能であった。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、耐
熱性基板上に形成した誘電体層に所定の溝を設け、この
誘電体層上に記録層を形成して熱処理を施した後、保護
層を形成するから、前記記録層として高温での熱処理を
必要とするＣｏフェライト、Ｂａフェライト及び磁性ガ
ーネット等の磁性体を適用することができる。このよう
な磁性体を用いて記録層を形成することにより、高密度
記録が可能な光ディスク媒体を得ることができる。
熱性基板上に形成した誘電体層に所定の溝を設け、この
誘電体層上に記録層を形成して熱処理を施した後、保護
層を形成するから、前記記録層として高温での熱処理を
必要とするＣｏフェライト、Ｂａフェライト及び磁性ガ
ーネット等の磁性体を適用することができる。このよう
な磁性体を用いて記録層を形成することにより、高密度
記録が可能な光ディスク媒体を得ることができる。
【図１】本発明の実施例に係る光ディスク媒体の製造方
法の一工程を示す断面図である。
法の一工程を示す断面図である。
【図２】同じくその一工程を示す断面図である。
【図３】同じくその一工程を示す断面図である。
【図４】同じくその一工程を示す断面図である。
【図５】同じくその一工程を示す断面図である。
【図６】従来の光ディスク媒体を示す模式図である。
１，４；基板 ２；情報構体 ３，８；保護層 ５；誘電体層 ６；フォトレジスト ７；記録層 １０；レンズ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平田 守 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所西神総合研究地区内 (72)発明者 平野 貴之 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所西神総合研究地区内
Claims (4)
- 【請求項１】 その表面が平滑である耐熱性基板上に透
明誘電体層を形成する工程と、この透明誘電体層の表面
に選択的に溝を設ける工程と、前記透明誘電体層の表面
上に磁性体からなる記録層を形成する工程と、この記録
層に対し熱処理を施す工程と、前記記録層上に保護層を
形成する工程とを有することを特徴とする光ディスク媒
体の製造方法。 - 【請求項２】 前記記録層は、ガーネット系磁性体から
なることを特徴とする請求項１に記載の光ディスク媒体
の製造方法。 - 【請求項３】 前記基板は石英ガラスからなることを特
徴とする請求項１又は２に記載の光ディスク媒体の製造
方法。 - 【請求項４】 前記透明誘電体層はＳｉＮ、Ｔａ2 Ｏ5
及びＳｉＯ2 からなる群から選択された１種の誘電体か
らなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項
に記載の光ディスク媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4852392A JPH05250744A (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | 光ディスク媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4852392A JPH05250744A (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | 光ディスク媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05250744A true JPH05250744A (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=12805725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4852392A Pending JPH05250744A (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | 光ディスク媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05250744A (ja) |
-
1992
- 1992-03-05 JP JP4852392A patent/JPH05250744A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1225467A (en) | Method of manufacturing optical memory element | |
| JPS6391842A (ja) | 光学情報記録媒体 | |
| JP3852408B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| US4839251A (en) | Photo-mask for use in manufacturing an optical memory disc, a method for making the photo-mask and a method for manufacturing the optical memory disc | |
| JPS6145437A (ja) | 光学記録部材 | |
| JPH05250745A (ja) | 光ディスク媒体の製造方法 | |
| JPH05250744A (ja) | 光ディスク媒体の製造方法 | |
| JP3104092B2 (ja) | 光ディスクの製造方法 | |
| JPH0685237B2 (ja) | 光磁気メモリ素子の製造方法 | |
| JP2665281B2 (ja) | 光メモリ素子の製造方法 | |
| JPS59210547A (ja) | 光メモリ素子の製造方法 | |
| JPS60197960A (ja) | 光メモリ素子の製造方法 | |
| JPH0664757B2 (ja) | 情報記憶媒体用の基盤及び基盤製造方法 | |
| JPH083912B2 (ja) | 新規な光記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH07311984A (ja) | 相変化光ディスク記録媒体の製造方法 | |
| JPH0944900A (ja) | 光ディスクとその製造方法 | |
| JPS6151634A (ja) | 光学式情報記録媒体の製造方法 | |
| JPH07169101A (ja) | 高密度再生専用相変化光ディスク | |
| JPS62123464A (ja) | 光メモリ素子基板製造用フオトマスク | |
| JPS6129439A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2001006219A (ja) | 光記録媒体、光記録媒体用基板及び光記録媒体製造用原盤 | |
| JPS6266445A (ja) | 光メモリ素子の製造方法 | |
| JPS6329339A (ja) | 情報担体デイスク | |
| JPH0264942A (ja) | ガラスマスター原盤の製造方法 | |
| JPS62245540A (ja) | 光学的情報記録部材 |