JPH05249055A - 全反射螢光ｘ線分析装置 - Google Patents
全反射螢光ｘ線分析装置Info
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- JPH05249055A JPH05249055A JP8170192A JP8170192A JPH05249055A JP H05249055 A JPH05249055 A JP H05249055A JP 8170192 A JP8170192 A JP 8170192A JP 8170192 A JP8170192 A JP 8170192A JP H05249055 A JPH05249055 A JP H05249055A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】試料表面に入射するＸ線を全反射させ、このと
き発生する蛍光Ｘ線を検出分光し、試料表面の元素組成
を分析する従来の全反射蛍光Ｘ線分析装置では、入射Ｘ
線が試料面となす角が例えば０．１度以下と極めて低角
である。このため試料表面のＸ線照射部内のＸ線強度分
布が不均一となり、正しい分析結果が得られない。この
課題を解決することを目的とする。 【構成】本発明は、Ｘ線照射部中心Ｑを通る垂線ＺＺ′
に関し対称な同一入射面内の位置に配設され、互いに等
しいＸ線強度のＸ線源対と、このＸ線源対を対称位置関
係を保ったまま入射面内を移動させ固定するＸ線源対の
位置制御手段とを設けることにより、照射部内のＸ線強
度分布を均一にした装置である。
き発生する蛍光Ｘ線を検出分光し、試料表面の元素組成
を分析する従来の全反射蛍光Ｘ線分析装置では、入射Ｘ
線が試料面となす角が例えば０．１度以下と極めて低角
である。このため試料表面のＸ線照射部内のＸ線強度分
布が不均一となり、正しい分析結果が得られない。この
課題を解決することを目的とする。 【構成】本発明は、Ｘ線照射部中心Ｑを通る垂線ＺＺ′
に関し対称な同一入射面内の位置に配設され、互いに等
しいＸ線強度のＸ線源対と、このＸ線源対を対称位置関
係を保ったまま入射面内を移動させ固定するＸ線源対の
位置制御手段とを設けることにより、照射部内のＸ線強
度分布を均一にした装置である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、蛍光Ｘ線分析装置に関
するもので、特に半導体基板等の試料表面の元素組成分
析に使用される全反射蛍光Ｘ線分析装置に係るものであ
る。
するもので、特に半導体基板等の試料表面の元素組成分
析に使用される全反射蛍光Ｘ線分析装置に係るものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】全反射法による蛍光Ｘ線分析法は、試料
表面の不純物分析等に利用されている。図５は、従来の
上記全反射蛍光Ｘ線分析装置の構成の概要を示す図であ
る。
表面の不純物分析等に利用されている。図５は、従来の
上記全反射蛍光Ｘ線分析装置の構成の概要を示す図であ
る。
【０００３】同図において、Ｘ線源１からの一次Ｘ線２
を、全反射臨界角（全反射するときの入射Ｘ線が試料面
となす角）以下で、板状の試料３に入射させ、このとき
に試料より発生する二次（蛍光）Ｘ線４を、試料上方に
設置されたＸ線検出器５により検出し、分光することに
より試料表面層に含まれる元素組成を分析している。な
お、符号６は試料台、７は計数管、８は鉛板等から成る
スリットである。
を、全反射臨界角（全反射するときの入射Ｘ線が試料面
となす角）以下で、板状の試料３に入射させ、このとき
に試料より発生する二次（蛍光）Ｘ線４を、試料上方に
設置されたＸ線検出器５により検出し、分光することに
より試料表面層に含まれる元素組成を分析している。な
お、符号６は試料台、７は計数管、８は鉛板等から成る
スリットである。
【０００４】この全反射による方法では、試料表面の極
めて浅い部分にのみ一次Ｘ線は入射し、全反射するの
で、試料内部からの雑音が少ない等により、高Ｓ／Ｎが
得られるため、試料表面の不純物分析等に使用されてい
る。
めて浅い部分にのみ一次Ｘ線は入射し、全反射するの
で、試料内部からの雑音が少ない等により、高Ｓ／Ｎが
得られるため、試料表面の不純物分析等に使用されてい
る。
【０００５】上記従来技術を用いて、試料表面の不純物
分析を行なう場合、次のような問題があった。即ち、同
一入射角の一次Ｘ線で同一領域を測定するとき、該領域
の不純物分布濃度が不均一の場合には、一次Ｘ線の入射
方向によって測定された濃度値が異なるということ、例
えば図５に示すように一次Ｘ線を左側から右方向に入射
する場合と、Ｘ線源を右側に移し、一次Ｘ線を同一入射
角で右側から左方向に入射する場合とで、測定結果が異
なるという問題があった。
分析を行なう場合、次のような問題があった。即ち、同
一入射角の一次Ｘ線で同一領域を測定するとき、該領域
の不純物分布濃度が不均一の場合には、一次Ｘ線の入射
方向によって測定された濃度値が異なるということ、例
えば図５に示すように一次Ｘ線を左側から右方向に入射
する場合と、Ｘ線源を右側に移し、一次Ｘ線を同一入射
角で右側から左方向に入射する場合とで、測定結果が異
なるという問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来技
術では、不純物濃度分布に不均一がある試料の濃度測定
は、一次Ｘ線の入射方向によって濃度値が異なるという
問題があった。
術では、不純物濃度分布に不均一がある試料の濃度測定
は、一次Ｘ線の入射方向によって濃度値が異なるという
問題があった。
【０００７】図５に示すように、一次Ｘ線は、ある程度
の幅をもっている。このため測定の時、一次Ｘ線が入射
する領域で、Ｘ線源側と計数管側とで、Ｘ線源からの距
離が異なる（即ち前者の距離はｄ1 、後者の距離は
ｄ2 ）。この距離の相違は、臨界角以下の低角度入射で
は無視できない大きさであり、また一般にＸ線強度は距
離の２乗に反比例するので、試料表面に入射する一次Ｘ
線の強度は、Ｘ線源側と計数管側とで異なってしまう。
このため、試料表面から発生する二次（蛍光）Ｘ線の強
度に差が生じる。
の幅をもっている。このため測定の時、一次Ｘ線が入射
する領域で、Ｘ線源側と計数管側とで、Ｘ線源からの距
離が異なる（即ち前者の距離はｄ1 、後者の距離は
ｄ2 ）。この距離の相違は、臨界角以下の低角度入射で
は無視できない大きさであり、また一般にＸ線強度は距
離の２乗に反比例するので、試料表面に入射する一次Ｘ
線の強度は、Ｘ線源側と計数管側とで異なってしまう。
このため、試料表面から発生する二次（蛍光）Ｘ線の強
度に差が生じる。
【０００８】そこで、測定領域（照射部）内で、不純物
濃度の分布が不均一の試料を、従来技術で測定した場
合、前記のＸ線強度の差によって、測定によって得られ
た不純物濃度の値は、実際の濃度の値と異なってしま
う。
濃度の分布が不均一の試料を、従来技術で測定した場
合、前記のＸ線強度の差によって、測定によって得られ
た不純物濃度の値は、実際の濃度の値と異なってしま
う。
【０００９】本発明は、上記知見に基づいて行なわれた
もので、その目的は、試料表面上のＸ線照射部全域に、
一様な強度の一次Ｘ線を入射させ、これにより一次Ｘ線
により励起される蛍光Ｘ線の強度に均一性を持たせ、例
えば不純物の濃度分布が不均一な試料であっても、その
分布を正確に測定することを可能にする全反射蛍光Ｘ線
分析装置を提供することである。
もので、その目的は、試料表面上のＸ線照射部全域に、
一様な強度の一次Ｘ線を入射させ、これにより一次Ｘ線
により励起される蛍光Ｘ線の強度に均一性を持たせ、例
えば不純物の濃度分布が不均一な試料であっても、その
分布を正確に測定することを可能にする全反射蛍光Ｘ線
分析装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、試料表面に入
射するＸ線を全反射させ、この時励起される蛍光（二
次）Ｘ線を検出、分光し、試料表面の元素組成を分析す
る全反射蛍光Ｘ線分析装置において、（イ）試料表面の
Ｘ線照射部中心を通る該試料表面にたてた垂線に関して
互いに対称な同一入射面内の位置にそれぞれ配設され，
かつ互いに等しいＸ線強度のＸ線源対と、（ロ）このＸ
線源対を，前記対称位置関係を維持した状態で前記入射
面内をそれぞれ移動し、所望位置に固定するＸ線源対の
位置制御手段とを、具備することを特徴とする全反射蛍
光Ｘ線分析装置である。
射するＸ線を全反射させ、この時励起される蛍光（二
次）Ｘ線を検出、分光し、試料表面の元素組成を分析す
る全反射蛍光Ｘ線分析装置において、（イ）試料表面の
Ｘ線照射部中心を通る該試料表面にたてた垂線に関して
互いに対称な同一入射面内の位置にそれぞれ配設され，
かつ互いに等しいＸ線強度のＸ線源対と、（ロ）このＸ
線源対を，前記対称位置関係を維持した状態で前記入射
面内をそれぞれ移動し、所望位置に固定するＸ線源対の
位置制御手段とを、具備することを特徴とする全反射蛍
光Ｘ線分析装置である。
【００１１】
【作用】上記構成の本発明の全反射蛍光Ｘ線分析装置に
おいては、図１に例示するように、試料表面と入射Ｘ線
束の軸との交点であるＸ線照射部中心Ｑ点から、第１Ｘ
線源１１Ａ及び第２Ｘ線源１１Ｂまでの距離及び入射角
は互いに等しくかつ入射方向は互いに反対方向である。
Ｘ線照射部（測定領域）の各点におけるＸ線強度は、第
１Ｘ線源１１Ａ及び第２Ｘ線源１１Ｂによるそれぞれの
Ｘ線強度の和になる。したがって照射部中心Ｑより第１
Ｘ線源１１Ａに近い側（左側）の領域のＸ線強度は、第
１Ｘ線源１１Ａから受ける平均よりも強いＸ線照射と、
第２Ｘ線源１１Ｂから受ける平均よりも弱いＸ線照射と
の和となり、また中心Ｑより第２Ｘ線源１１Ｂに近い領
域においても同様であり、これにより照射部全域におけ
るＸ線強度は、大幅に平均化され、実用上は、Ｘ線照射
部全域に一様な強度の一次Ｘ線を入射させたと考えるこ
とができる。即ち上記対称のＸ線源対を一対または複数
対設けることにより、試料表面の照射部全域のＸ線強度
を均一にすることができる。
おいては、図１に例示するように、試料表面と入射Ｘ線
束の軸との交点であるＸ線照射部中心Ｑ点から、第１Ｘ
線源１１Ａ及び第２Ｘ線源１１Ｂまでの距離及び入射角
は互いに等しくかつ入射方向は互いに反対方向である。
Ｘ線照射部（測定領域）の各点におけるＸ線強度は、第
１Ｘ線源１１Ａ及び第２Ｘ線源１１Ｂによるそれぞれの
Ｘ線強度の和になる。したがって照射部中心Ｑより第１
Ｘ線源１１Ａに近い側（左側）の領域のＸ線強度は、第
１Ｘ線源１１Ａから受ける平均よりも強いＸ線照射と、
第２Ｘ線源１１Ｂから受ける平均よりも弱いＸ線照射と
の和となり、また中心Ｑより第２Ｘ線源１１Ｂに近い領
域においても同様であり、これにより照射部全域におけ
るＸ線強度は、大幅に平均化され、実用上は、Ｘ線照射
部全域に一様な強度の一次Ｘ線を入射させたと考えるこ
とができる。即ち上記対称のＸ線源対を一対または複数
対設けることにより、試料表面の照射部全域のＸ線強度
を均一にすることができる。
【００１２】上記Ｘ線源の位置制御手段は、容易にかつ
精度良くＸ線源対の前記対称位置決めを行なうために必
要であり、また所望により、比較的容易にＸ線源の対の
数を増加することもできる。これにより本発明の効果を
高め、かつ確実にすることが可能である。
精度良くＸ線源対の前記対称位置決めを行なうために必
要であり、また所望により、比較的容易にＸ線源の対の
数を増加することもできる。これにより本発明の効果を
高め、かつ確実にすることが可能である。
【００１３】
【実施例】本発明の実施例について図面を参照して以下
説明する。
説明する。
【００１４】図１は、本発明の全反射蛍光Ｘ線分析装置
の構成例を示す図である。試料台１６上に、板状試料
（シリコンウェーハ）１３を載置する。試料１３の表面
のＸ線照射部中心をＱ点とする。第１Ｘ線源１１Ａ及び
第２Ｘ線源１１Ｂは、Ｑ点で試料表面にたてた垂線Ｚ
Ｚ′に関し、互いに対称であり、かつ同一入射面（紙面
と同じ）内に設けられ、そのＸ線強度は互いに等しく、
Ｘ線源対１１を構成する。Ｘ線源１１Ａ及び１１Ｂは、
それぞれＱ点を中心とする円弧型のガイドレール２１Ａ
及び２１Ｂに固定されている。このガイドレール２１Ａ
及び２１Ｂは、パルスモータを主体とする駆動部２０ａ
及びこれを制御する制御装置１９により駆動され、入射
面内を、Ｑ点を中心とし互いに反対方向に回動する。な
おこの場合、Ｘ線源対１１Ａ及び１１Ｂは、常にＺＺ´
直線に関し対称であり、それぞれの入射Ｘ線束の軸はＱ
点を通る。本実施例では、Ｘ線源対の位置制御手段は、
ガイドレール２１Ａ，２１Ｂ，パルスモータを主体とす
る駆動部２０ａ及びこれを制御する制御装置１９等によ
り構成される。
の構成例を示す図である。試料台１６上に、板状試料
（シリコンウェーハ）１３を載置する。試料１３の表面
のＸ線照射部中心をＱ点とする。第１Ｘ線源１１Ａ及び
第２Ｘ線源１１Ｂは、Ｑ点で試料表面にたてた垂線Ｚ
Ｚ′に関し、互いに対称であり、かつ同一入射面（紙面
と同じ）内に設けられ、そのＸ線強度は互いに等しく、
Ｘ線源対１１を構成する。Ｘ線源１１Ａ及び１１Ｂは、
それぞれＱ点を中心とする円弧型のガイドレール２１Ａ
及び２１Ｂに固定されている。このガイドレール２１Ａ
及び２１Ｂは、パルスモータを主体とする駆動部２０ａ
及びこれを制御する制御装置１９により駆動され、入射
面内を、Ｑ点を中心とし互いに反対方向に回動する。な
おこの場合、Ｘ線源対１１Ａ及び１１Ｂは、常にＺＺ´
直線に関し対称であり、それぞれの入射Ｘ線束の軸はＱ
点を通る。本実施例では、Ｘ線源対の位置制御手段は、
ガイドレール２１Ａ，２１Ｂ，パルスモータを主体とす
る駆動部２０ａ及びこれを制御する制御装置１９等によ
り構成される。
【００１５】試料台１６は、パルスモータを主体とする
駆動部２０ｂにより、水平面との傾斜角度の調整ができ
る。また符号１５は固体検出器（ＳＳＤ）であり、一次
Ｘ線１２を照射することにより、試料表面から放出され
た蛍光Ｘ線１４を検出、分光し、その強さを測定する。
符号１８は鉛スリットである。
駆動部２０ｂにより、水平面との傾斜角度の調整ができ
る。また符号１５は固体検出器（ＳＳＤ）であり、一次
Ｘ線１２を照射することにより、試料表面から放出され
た蛍光Ｘ線１４を検出、分光し、その強さを測定する。
符号１８は鉛スリットである。
【００１６】次に試料に対するＸ線の入射角の制御方法
の手順について述べる。まず２本のガイドレール２１
Ａ及び２１Ｂを駆動部２０ａにより動作させ、２つのＸ
線源からの一次Ｘ線が重なる位置（０°）まで移動させ
る。次に一方のＸ線源、例えばＸ線源１１ＡよりＸ線
を試料１３に入射させ、試料台１６を動かし、計数管１
７によりＸ線の強度を検出し、試料台を一次Ｘ線と平行
位置に動かす。Ｘ線源１１Ａ、１１Ｂ及び試料表面が
一列に並んだ状態、（０°の位置）より、２本のガイド
レール２１Ａ及び２１Ｂを駆動部２０ａにより、同じ量
だけ動かすことにより、Ｘ線源１１Ａ及び１１Ｂからの
一次Ｘ線の入射角を同じにする。また計数管１７は、測
定の際は、Ｘ線の経路外に置かれる。
の手順について述べる。まず２本のガイドレール２１
Ａ及び２１Ｂを駆動部２０ａにより動作させ、２つのＸ
線源からの一次Ｘ線が重なる位置（０°）まで移動させ
る。次に一方のＸ線源、例えばＸ線源１１ＡよりＸ線
を試料１３に入射させ、試料台１６を動かし、計数管１
７によりＸ線の強度を検出し、試料台を一次Ｘ線と平行
位置に動かす。Ｘ線源１１Ａ、１１Ｂ及び試料表面が
一列に並んだ状態、（０°の位置）より、２本のガイド
レール２１Ａ及び２１Ｂを駆動部２０ａにより、同じ量
だけ動かすことにより、Ｘ線源１１Ａ及び１１Ｂからの
一次Ｘ線の入射角を同じにする。また計数管１７は、測
定の際は、Ｘ線の経路外に置かれる。
【００１７】このようにして位置決めされたＸ線源対を
有する装置においては、試料表面のＸ線照射部の入射Ｘ
線は、第１Ｘ線源１１Ａ及び第２Ｘ線源１１Ｂからの入
射Ｘ線の和となり、前述のようにＸ線照射部内のＸ線強
度分布の不均一は大幅に改善され、実用上は一様な強度
分布と考えることができる。
有する装置においては、試料表面のＸ線照射部の入射Ｘ
線は、第１Ｘ線源１１Ａ及び第２Ｘ線源１１Ｂからの入
射Ｘ線の和となり、前述のようにＸ線照射部内のＸ線強
度分布の不均一は大幅に改善され、実用上は一様な強度
分布と考えることができる。
【００１８】次に図１に示す装置を使用し、分析をした
測定例について説明する。試料には、適当に汚染させ、
かつ不均一性を持たせたＳｉウェーハを用いた。Ｘ線
源、試料、固体検出器等は１０-5ｔｏｒｒ程度の大気圧
中に置かれている。一次Ｘ線の入射角は、全反射臨界角
以下の０．０５度で入射させた。また２つのＸ線源の線
質は、いずれもＷＬβ1 を用いた。図２は、この実施例
により測定した場合の分光スペクトルである。同図の横
軸は、分光された蛍光Ｘ線の波長を光子エネルギーで表
わしたもの、縦軸はＸ線照射部全域から放出される蛍光
Ｘ線の分光波長ごとのＸ線強度（カウント数）を表わ
す。図中のＣｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕの文字を付した矢線
は、それぞれの原子の特性Ｘ線波長に対応する光子エネ
ルギーを示す。
測定例について説明する。試料には、適当に汚染させ、
かつ不均一性を持たせたＳｉウェーハを用いた。Ｘ線
源、試料、固体検出器等は１０-5ｔｏｒｒ程度の大気圧
中に置かれている。一次Ｘ線の入射角は、全反射臨界角
以下の０．０５度で入射させた。また２つのＸ線源の線
質は、いずれもＷＬβ1 を用いた。図２は、この実施例
により測定した場合の分光スペクトルである。同図の横
軸は、分光された蛍光Ｘ線の波長を光子エネルギーで表
わしたもの、縦軸はＸ線照射部全域から放出される蛍光
Ｘ線の分光波長ごとのＸ線強度（カウント数）を表わ
す。図中のＣｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕの文字を付した矢線
は、それぞれの原子の特性Ｘ線波長に対応する光子エネ
ルギーを示す。
【００１９】比較のため、図５に示す従来の装置を使用
し、一方からのみＸ線を入射して測定を行なった。この
場合、試料、Ｘ線源及びその強度、入射角、測定領域は
上記実施例と同一である。
し、一方からのみＸ線を入射して測定を行なった。この
場合、試料、Ｘ線源及びその強度、入射角、測定領域は
上記実施例と同一である。
【００２０】図３は、上記従来技術により、Ｘ線を左か
ら入射させた場合の分光スペクトルを示し、図４は、従
来技術によりＸ線を右から入射させた場合の分光スペク
トルを示す。
ら入射させた場合の分光スペクトルを示し、図４は、従
来技術によりＸ線を右から入射させた場合の分光スペク
トルを示す。
【００２１】図３及び図４では、同一試料の同一領域を
測定したにもかかわらず、分光スペクトルに違いが生じ
ている。これは測定領域内の入射Ｘ線強度分布と不純物
の濃度分布にそれぞれ不均一性があるためで、例えば図
３では、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕが図４より強い。これ
は、図３の測定のときのＸ線源に近い方（即ち左側）の
領域中のＣｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕの不純物濃度が高いた
めである。つまり一次Ｘ線が強く入射する側の領域即ち
Ｘ線源に近い方の側の領域では、不純物からの蛍光Ｘ線
の励起強度が強く、一方Ｘ線が弱く入射する側の領域の
励起強度との間に差が生じてしまう。
測定したにもかかわらず、分光スペクトルに違いが生じ
ている。これは測定領域内の入射Ｘ線強度分布と不純物
の濃度分布にそれぞれ不均一性があるためで、例えば図
３では、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕが図４より強い。これ
は、図３の測定のときのＸ線源に近い方（即ち左側）の
領域中のＣｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕの不純物濃度が高いた
めである。つまり一次Ｘ線が強く入射する側の領域即ち
Ｘ線源に近い方の側の領域では、不純物からの蛍光Ｘ線
の励起強度が強く、一方Ｘ線が弱く入射する側の領域の
励起強度との間に差が生じてしまう。
【００２２】図２に示す本発明の実施例により測定した
場合、測定領域内に一次Ｘ線が一様な強度で入射するた
め、測定領域内の不純物濃度の不均一に影響されず、不
純物濃度に不均一性が存在する試料の平均の濃度を正確
に測定することができる。
場合、測定領域内に一次Ｘ線が一様な強度で入射するた
め、測定領域内の不純物濃度の不均一に影響されず、不
純物濃度に不均一性が存在する試料の平均の濃度を正確
に測定することができる。
【００２３】今回の例では、実施例、従来例とも、測定
時間は同じてあるが、実施例では一次Ｘ線の入射Ｘ線量
は従来例の２倍であるので、従来例と同一のＳ／Ｎ（信
号対雑音比）を得るための測定時間は１／２程度です
む。
時間は同じてあるが、実施例では一次Ｘ線の入射Ｘ線量
は従来例の２倍であるので、従来例と同一のＳ／Ｎ（信
号対雑音比）を得るための測定時間は１／２程度です
む。
【００２４】上記実施例ではＸ線源を２個使用し、１対
のＸ線源対としたが、これに限定されない。他の実施例
として、等しいＸ線源を４個使用し、試料の照射部を中
心に十字型に配置し、４本のガイドレールを駆動部、制
御部により同時に制御し、上記実施例と同様な方法で測
定を行なったが、入射Ｘ線量が従来例の４倍になるた
め、従来例と同様なＳ／Ｎを得るための測定時間は、従
来例の１／４ですみ、２対のＸ線源を用いることにより
測定時間の大幅な短縮になる。
のＸ線源対としたが、これに限定されない。他の実施例
として、等しいＸ線源を４個使用し、試料の照射部を中
心に十字型に配置し、４本のガイドレールを駆動部、制
御部により同時に制御し、上記実施例と同様な方法で測
定を行なったが、入射Ｘ線量が従来例の４倍になるた
め、従来例と同様なＳ／Ｎを得るための測定時間は、従
来例の１／４ですみ、２対のＸ線源を用いることにより
測定時間の大幅な短縮になる。
【００２５】上記実施例において、Ｘ線源の位置制御手
段は、円弧状のガイドレール等を使用したものである
が、これに限定されない。位置制御手段は、互いに等し
いＸ線源が、入射Ｘ線束の軸が常に所定の照射部中心Ｑ
を通り、前記ＺＺ′軸に関し対称となる軌道を移動でき
る手段であればよい。例えばＸ線源対が前記ＺＺ′軸に
対称な鉛直軌道を、入射Ｘ線束の軸がＱ点を常に通るよ
うにして、昇降できる移動機構としても差支えない。
段は、円弧状のガイドレール等を使用したものである
が、これに限定されない。位置制御手段は、互いに等し
いＸ線源が、入射Ｘ線束の軸が常に所定の照射部中心Ｑ
を通り、前記ＺＺ′軸に関し対称となる軌道を移動でき
る手段であればよい。例えばＸ線源対が前記ＺＺ′軸に
対称な鉛直軌道を、入射Ｘ線束の軸がＱ点を常に通るよ
うにして、昇降できる移動機構としても差支えない。
【００２６】上記実施例においては、複数個のＸ線源を
同時に使用するため入射するＸ線強度が強くなり、高Ｓ
／Ｎが短時間で得られるようになった。これを半導体ウ
ェーハに適用すると、現在半導体ウェーハで問題となっ
ている表面上の微量不純物量の測定を精度よく行なうこ
とができ、ウェーハの清浄化に大きく貢献した。
同時に使用するため入射するＸ線強度が強くなり、高Ｓ
／Ｎが短時間で得られるようになった。これを半導体ウ
ェーハに適用すると、現在半導体ウェーハで問題となっ
ている表面上の微量不純物量の測定を精度よく行なうこ
とができ、ウェーハの清浄化に大きく貢献した。
【００２７】
【発明の効果】これまで述べたように、本発明により、
試料表面上のＸ線照射部全域に、一様な強度の一次Ｘ線
を入射させ、これにより一次Ｘ線により励起される蛍光
Ｘ線の強度に均一性を持たせ、例えば不純物の濃度分布
が不均一な試料であっても、その分布を正確に測定する
ことを可能にする全反射蛍光Ｘ線分析装置を提供するこ
とができた。
試料表面上のＸ線照射部全域に、一様な強度の一次Ｘ線
を入射させ、これにより一次Ｘ線により励起される蛍光
Ｘ線の強度に均一性を持たせ、例えば不純物の濃度分布
が不均一な試料であっても、その分布を正確に測定する
ことを可能にする全反射蛍光Ｘ線分析装置を提供するこ
とができた。
【図１】本発明の全反射蛍光Ｘ線分析装置の実施例の構
成図である。
成図である。
【図２】図１に示す装置を使用したときの分光スペクト
ルである。
ルである。
【図３】図５に示す従来の装置を使用し、Ｘ線を左から
入射させたときの分光スペクトルである。
入射させたときの分光スペクトルである。
【図４】図５に示す従来の装置を使用し、Ｘ線を右から
入射させたときの分光スペクトルである。
入射させたときの分光スペクトルである。
【図５】全反射蛍光Ｘ線分析装置の従来例の構成図であ
る。
る。
１１Ａ Ｘ線源対を構成する第１Ｘ線源 １１Ｂ Ｘ線源対を構成する第２Ｘ線源 １２ 一次Ｘ線 １３ 試料 １４ 蛍光Ｘ線 １５ 固体Ｘ線検出器 １９ 制御装置 ２１Ａ ガイドレール ２１Ｂ ガイドレール ２０ａ 駆動部 Ｑ Ｘ線照射部中心 ＺＺ′ Ｘ線照射部中心を通る試料表面にたてた垂線
Claims (1)
- 【請求項１】試料表面に入射するＸ線を全反射させ、こ
の時発生する蛍光Ｘ線を検出、分光し、試料表面の元素
組成を分析する全反射蛍光Ｘ線分析装置において、 （イ）試料表面のＸ線照射部中心を通る該試料表面にた
てた垂線に関して互いに対称な同一入射面内の位置にそ
れぞれ配設され，かつ互いに等しいＸ線強度のＸ線源対
と、（ロ）このＸ線源対を，前記対称位置関係を維持し
た状態で前記入射面内をそれぞれ移動し、所望位置に固
定するＸ線源対の位置制御手段とを、具備することを特
徴とする全反射蛍光Ｘ線分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8170192A JPH05249055A (ja) | 1992-03-03 | 1992-03-03 | 全反射螢光ｘ線分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8170192A JPH05249055A (ja) | 1992-03-03 | 1992-03-03 | 全反射螢光ｘ線分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05249055A true JPH05249055A (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=13753689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8170192A Pending JPH05249055A (ja) | 1992-03-03 | 1992-03-03 | 全反射螢光ｘ線分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05249055A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009097906A (ja) * | 2007-10-15 | 2009-05-07 | Rigaku Corp | 全反射蛍光ｘ線分析装置およびその装置に用いるプログラム |
| JP2009222463A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Rigaku Corp | 全反射蛍光ｘ線分析装置 |
| JP2022505390A (ja) * | 2018-10-18 | 2022-01-14 | セキュリティ マターズ リミテッド | 物質中の異物の検出及び特定のためのシステム及び方法 |
-
1992
- 1992-03-03 JP JP8170192A patent/JPH05249055A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009097906A (ja) * | 2007-10-15 | 2009-05-07 | Rigaku Corp | 全反射蛍光ｘ線分析装置およびその装置に用いるプログラム |
| JP2009222463A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Rigaku Corp | 全反射蛍光ｘ線分析装置 |
| JP2022505390A (ja) * | 2018-10-18 | 2022-01-14 | セキュリティ マターズ リミテッド | 物質中の異物の検出及び特定のためのシステム及び方法 |
| US11867645B2 (en) | 2018-10-18 | 2024-01-09 | Security Matters Ltd. | System and method for detection and identification of foreign elements in a substance by X-ray or Gamma-ray detection and emission |
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