JPH05241321A - 光学マスク及びその修正方法 - Google Patents
光学マスク及びその修正方法Info
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- JPH05241321A JPH05241321A JP4281492A JP4281492A JPH05241321A JP H05241321 A JPH05241321 A JP H05241321A JP 4281492 A JP4281492 A JP 4281492A JP 4281492 A JP4281492 A JP 4281492A JP H05241321 A JPH05241321 A JP H05241321A
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- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】位相シフトマスクの欠陥修正において、不定形
の欠陥形状に対応し、精度の高い修正を可能とする光学
マスクとその欠陥修正方法を提供する。 【構成】位相シフターと遮光パターンとの間にエッチン
グストッパ層を設けるか、エッチングストッパ層の上層
にマスク製造工程に含まれる洗浄工程に耐性を持つ保護
膜を成膜するか、欠陥部を集束イオンビームで加工す
る。この際、集束イオンビームに反応性ガスを併用する
ことでエッチングストッパ層で加工を停止するか、集束
イオンビームでの加工後、エッチングストッパ層を選択
的に除去するか、どちらかの方式を選択する。 【効果】マスク製造工程に含まれる洗浄工程によるエッ
チングストッパ層溶解を回避し、位相シフター下層にス
トッパ層を残せるため、不定形の欠陥形状に対しても平
坦な最終加工底面が得られる。
の欠陥形状に対応し、精度の高い修正を可能とする光学
マスクとその欠陥修正方法を提供する。 【構成】位相シフターと遮光パターンとの間にエッチン
グストッパ層を設けるか、エッチングストッパ層の上層
にマスク製造工程に含まれる洗浄工程に耐性を持つ保護
膜を成膜するか、欠陥部を集束イオンビームで加工す
る。この際、集束イオンビームに反応性ガスを併用する
ことでエッチングストッパ層で加工を停止するか、集束
イオンビームでの加工後、エッチングストッパ層を選択
的に除去するか、どちらかの方式を選択する。 【効果】マスク製造工程に含まれる洗浄工程によるエッ
チングストッパ層溶解を回避し、位相シフター下層にス
トッパ層を残せるため、不定形の欠陥形状に対しても平
坦な最終加工底面が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造用の光学マス
クに係り、特に透明基板上に所定のパターンの位相シフ
ターを設けた位相シフトマスクのための光学マスク及び
その欠陥修正方法に関する。
クに係り、特に透明基板上に所定のパターンの位相シフ
ターを設けた位相シフトマスクのための光学マスク及び
その欠陥修正方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のフォトマスクでは透明基板上にク
ロム等の遮光パターンを形成していた。しかし、半導体
パターンの微細化に伴い、リソグラフィー工程でのパタ
ーン解像度向上の要求に答えるため、隣接する２つの遮
光パターン間隙に露光光に位相差を与える透明パターン
を形成した図６に示す基本構造を持つ位相シフトマスク
の実用化が進められている。
ロム等の遮光パターンを形成していた。しかし、半導体
パターンの微細化に伴い、リソグラフィー工程でのパタ
ーン解像度向上の要求に答えるため、隣接する２つの遮
光パターン間隙に露光光に位相差を与える透明パターン
を形成した図６に示す基本構造を持つ位相シフトマスク
の実用化が進められている。
【０００３】マスクに欠陥があると、そのマスクで露光
する全ての半導体チップに欠陥が転写されるため、マス
クの欠陥は完全に除去せねばならない。除去すべき位相
シフトマスクの欠陥には、従来の遮光パターンの抜け、
あるいは、余分な遮光部の発生と同時にシフター部の抜
けと不要シフター部の発生がある。このうち、シフター
部の抜け以外は従来の集束イオンビームによる局所スパ
ッタエッチングと局所化学気相反応成膜を用いて修正可
能である。しかし、シフター部の抜けの修正には応用物
理学会誌 第６０巻 第１１号（１９９１）１０７６頁
「位相シフト法を用いた高解像光リソグラフィー技術」
に記載の様に通常のシフターの下にサブシフターを設け
る方式等を採用する必要がある。また、微細な局所的修
正には集束イオンビームを用いる方法が有望で従来の光
学マスクの欠陥修正に適用されている。特開昭５８−５
６３３２号公報にはこの光学マスクの欠陥修正に関する
基本概念が、記述されている。
する全ての半導体チップに欠陥が転写されるため、マス
クの欠陥は完全に除去せねばならない。除去すべき位相
シフトマスクの欠陥には、従来の遮光パターンの抜け、
あるいは、余分な遮光部の発生と同時にシフター部の抜
けと不要シフター部の発生がある。このうち、シフター
部の抜け以外は従来の集束イオンビームによる局所スパ
ッタエッチングと局所化学気相反応成膜を用いて修正可
能である。しかし、シフター部の抜けの修正には応用物
理学会誌 第６０巻 第１１号（１９９１）１０７６頁
「位相シフト法を用いた高解像光リソグラフィー技術」
に記載の様に通常のシフターの下にサブシフターを設け
る方式等を採用する必要がある。また、微細な局所的修
正には集束イオンビームを用いる方法が有望で従来の光
学マスクの欠陥修正に適用されている。特開昭５８−５
６３３２号公報にはこの光学マスクの欠陥修正に関する
基本概念が、記述されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記の記事で報告され
ている修正方法は以下の過程で行なう。位相シフトマス
クの構造は石英の基板１上にサブシフター１２として露
光光の位相を１８０°反転させる膜厚を持つ窒化シリコ
ン膜を成膜する。その上にクロムで遮光パターン２を形
成し、それらのパターンの所定の間隙にやはり１８０°
位相を反転させる酸化シリコンで図７（ａ）に示すシフ
ターパターン４を形成する。シフター４にはその形成過
程でシフター抜け５やシフター残り６の欠陥が存在して
いる。これを修正するためにこの方式では、まず、マス
ク全面にレジスト１３を塗布し、欠陥部分５、６をスポ
ット露光する。これを現像処理して図７（ｂ）に示すレ
ジストパターンを形成する。これに異方性ドライエッチ
ングを施し、図７（ｃ）の様に酸化シリコンのシフター
４を除去する。ここでのドライエッチングでは酸化シリ
コンと窒化シリコンとで選択性が得られるエッチングガ
スを使用して、サブシフター１２の表面でエッチングが
停止させている。さらには今度は逆に酸化シリコンに対
して窒化シリコンの加工速度が大きいような選択比を与
えるエッチングガスを使用した異方性ドライエッチング
を施して下層の窒化シリコンで形成されたサブシフター
１２を除去する。今、窒化シリコンの下の基板１は石
英、つまり、酸化シリコンのため基板１の上面でエッチ
ングが停止する。以上の過程の終了後、レジスト１３を
除去して図７（ｄ）の様な修正完了状態となる。欠陥修
正前にはシフター４を透過する露光光の位相が欠陥部
５、６で０°と１８０°との中間の値となり、露光時に
影を形成していたが、シフター残り６はサブシフター１
２上から除去されて、これによる影はなくなる。また、
サブシフター１２とシフター４とが重なった部分に生じ
ていたシフター抜け５はこれをサブシフター１２とシフ
ター４の両方を除去したためで位相差が０°となる。一
方、サブシフター１２とシフター４と重なった部分で位
相差が３６０°であり、これらの領域での位相差は実質
的に無くなり、シフター抜け５による影も消失する。以
上のように本方式でシフター４は修正可能である。しか
し、この方式の問題は修正過程が複雑で修正によって新
たな欠陥を発生させる危険性を孕んでいることと、複雑
なパターンではスポット露光による露光の位置決めを精
度良く行なうのが困難なことである。
ている修正方法は以下の過程で行なう。位相シフトマス
クの構造は石英の基板１上にサブシフター１２として露
光光の位相を１８０°反転させる膜厚を持つ窒化シリコ
ン膜を成膜する。その上にクロムで遮光パターン２を形
成し、それらのパターンの所定の間隙にやはり１８０°
位相を反転させる酸化シリコンで図７（ａ）に示すシフ
ターパターン４を形成する。シフター４にはその形成過
程でシフター抜け５やシフター残り６の欠陥が存在して
いる。これを修正するためにこの方式では、まず、マス
ク全面にレジスト１３を塗布し、欠陥部分５、６をスポ
ット露光する。これを現像処理して図７（ｂ）に示すレ
ジストパターンを形成する。これに異方性ドライエッチ
ングを施し、図７（ｃ）の様に酸化シリコンのシフター
４を除去する。ここでのドライエッチングでは酸化シリ
コンと窒化シリコンとで選択性が得られるエッチングガ
スを使用して、サブシフター１２の表面でエッチングが
停止させている。さらには今度は逆に酸化シリコンに対
して窒化シリコンの加工速度が大きいような選択比を与
えるエッチングガスを使用した異方性ドライエッチング
を施して下層の窒化シリコンで形成されたサブシフター
１２を除去する。今、窒化シリコンの下の基板１は石
英、つまり、酸化シリコンのため基板１の上面でエッチ
ングが停止する。以上の過程の終了後、レジスト１３を
除去して図７（ｄ）の様な修正完了状態となる。欠陥修
正前にはシフター４を透過する露光光の位相が欠陥部
５、６で０°と１８０°との中間の値となり、露光時に
影を形成していたが、シフター残り６はサブシフター１
２上から除去されて、これによる影はなくなる。また、
サブシフター１２とシフター４とが重なった部分に生じ
ていたシフター抜け５はこれをサブシフター１２とシフ
ター４の両方を除去したためで位相差が０°となる。一
方、サブシフター１２とシフター４と重なった部分で位
相差が３６０°であり、これらの領域での位相差は実質
的に無くなり、シフター抜け５による影も消失する。以
上のように本方式でシフター４は修正可能である。しか
し、この方式の問題は修正過程が複雑で修正によって新
たな欠陥を発生させる危険性を孕んでいることと、複雑
なパターンではスポット露光による露光の位置決めを精
度良く行なうのが困難なことである。
【０００５】修正プロセスを簡略化し、修正精度を向上
させるにはＦＩＢ（集束イオンビーム＝Focused Ion Be
am）による加工が適している。ＦＩＢ７による欠陥修正
は図８に示す過程となる。この過程ではシフター残り６
はＦＩＢ７によるスパッタエッチングで除去する。ま
た、シフター抜け５の部分もＦＩＢ７によるスパッタエ
ッチングで除去するが、このままではこの部分の位相シ
フトは０°となり加工されていないシフター部４の位相
シフト１８０°との間で位相の反転部があるため、そこ
で露光時に影が生じる。そこでＦＩＢ７で除去したシフ
ター部４は基板１を位相シフト１８０°分掘り込むこと
でシフター４のある領域とシフター残り６を修正した領
域との位相差を実質的に無くし、影を生じさせない修正
方法を採用している。しかし、この方式では不定形で位
置により高さの違うシフター残り６を修正する場合、シ
フター４の形状をそのまま反映した凹凸が基板１に加工
されてしまうため、その部分に位相の乱れが生じる場合
があり、完全な修正を行なうのは困難である。
させるにはＦＩＢ（集束イオンビーム＝Focused Ion Be
am）による加工が適している。ＦＩＢ７による欠陥修正
は図８に示す過程となる。この過程ではシフター残り６
はＦＩＢ７によるスパッタエッチングで除去する。ま
た、シフター抜け５の部分もＦＩＢ７によるスパッタエ
ッチングで除去するが、このままではこの部分の位相シ
フトは０°となり加工されていないシフター部４の位相
シフト１８０°との間で位相の反転部があるため、そこ
で露光時に影が生じる。そこでＦＩＢ７で除去したシフ
ター部４は基板１を位相シフト１８０°分掘り込むこと
でシフター４のある領域とシフター残り６を修正した領
域との位相差を実質的に無くし、影を生じさせない修正
方法を採用している。しかし、この方式では不定形で位
置により高さの違うシフター残り６を修正する場合、シ
フター４の形状をそのまま反映した凹凸が基板１に加工
されてしまうため、その部分に位相の乱れが生じる場合
があり、完全な修正を行なうのは困難である。
【０００６】ＦＩＢによる加工の問題を解決する方法と
して次に考えられる修正方式はＦＩＢＡＥ（ＦＩＢアシ
ストエッチング=FIB Assist Etching）を用いる方法で
ある。この方法ではシフター４とクロムパターン２との
間にＦＩＢＡＥのストッパー層３を挿入してシフター４
の凹凸をここで吸収する。例えば、基板１が石英、シフ
ター層２がＳＯＧ（＝スピンオングラス）で、ＦＩＢＡ
Ｅに使用する反応性ガス９がＸｅＦ2（フッ化キセノ
ン）の場合、ストッパー層３としてＡｌ2Ｏ3、Ｍｇ
Ｆ2、ＣｅＦ3等であれば、シフター層４に対してエッチ
ング速度が遅く、図９に示す様にストッパー層３でほぼ
加工がストップし、この段階でシフター４の凹凸はシフ
ター４よりも薄いストップ層３内の小さな凹凸に変えら
れる。この後、反応性ガス９を止め、加工選択性のほと
んど無いスパッタ加工であるＦＩＢ加工に切り替える。
これによって基板１を掘り込み、シフター抜け５を修正
した部分とシフター４のある部分との位相差を合わせ、
シフター抜け５による露光時の影をなくす。本方式によ
れば、加工底面の平坦化が可能なため、シフター欠陥の
形状によらず、深さ精度の高い欠陥修正が行なえる。ま
た、０．１μｍ以下に集束可能なＦＩＢ７を使用してい
るため、修正の平面精度も欠陥修正の要求を満足でき
る。しかし、本方式の問題点はストッパー層３の耐洗浄
性にある。一般に位相シフトマスクの製造では図１０に
示す様にパターニングを行なった後には、必ず洗浄工程
を経る。この洗浄ではマスクの汚染を完全に除去するた
めに、オゾン硫酸洗浄等の強い洗浄を行なう。この洗浄
では、例えば、一般的なコーティング材料であるＡｌ2
Ｏ3についてはこの洗浄に耐性がなく、クロムパターン
２を形成した後の洗浄過程でクロムパターン２の下のＡ
ｌ2Ｏ3以外は全て溶解してしまう。したがって、修正の
必要なシフター４の透過部分の下にはストッパー層３は
存在せず、上記の様なＦＩＢＡＥを適用した修正は不可
能となる。ただし、材料の特性として、露光光を透過
し、ＦＩＢＡＥでの選択性が大きく、洗浄にも耐え、実
用的な成膜が可能である材料をストッパー層３の材料と
して選択すれば、本方式の採用は可能である。
して次に考えられる修正方式はＦＩＢＡＥ（ＦＩＢアシ
ストエッチング=FIB Assist Etching）を用いる方法で
ある。この方法ではシフター４とクロムパターン２との
間にＦＩＢＡＥのストッパー層３を挿入してシフター４
の凹凸をここで吸収する。例えば、基板１が石英、シフ
ター層２がＳＯＧ（＝スピンオングラス）で、ＦＩＢＡ
Ｅに使用する反応性ガス９がＸｅＦ2（フッ化キセノ
ン）の場合、ストッパー層３としてＡｌ2Ｏ3、Ｍｇ
Ｆ2、ＣｅＦ3等であれば、シフター層４に対してエッチ
ング速度が遅く、図９に示す様にストッパー層３でほぼ
加工がストップし、この段階でシフター４の凹凸はシフ
ター４よりも薄いストップ層３内の小さな凹凸に変えら
れる。この後、反応性ガス９を止め、加工選択性のほと
んど無いスパッタ加工であるＦＩＢ加工に切り替える。
これによって基板１を掘り込み、シフター抜け５を修正
した部分とシフター４のある部分との位相差を合わせ、
シフター抜け５による露光時の影をなくす。本方式によ
れば、加工底面の平坦化が可能なため、シフター欠陥の
形状によらず、深さ精度の高い欠陥修正が行なえる。ま
た、０．１μｍ以下に集束可能なＦＩＢ７を使用してい
るため、修正の平面精度も欠陥修正の要求を満足でき
る。しかし、本方式の問題点はストッパー層３の耐洗浄
性にある。一般に位相シフトマスクの製造では図１０に
示す様にパターニングを行なった後には、必ず洗浄工程
を経る。この洗浄ではマスクの汚染を完全に除去するた
めに、オゾン硫酸洗浄等の強い洗浄を行なう。この洗浄
では、例えば、一般的なコーティング材料であるＡｌ2
Ｏ3についてはこの洗浄に耐性がなく、クロムパターン
２を形成した後の洗浄過程でクロムパターン２の下のＡ
ｌ2Ｏ3以外は全て溶解してしまう。したがって、修正の
必要なシフター４の透過部分の下にはストッパー層３は
存在せず、上記の様なＦＩＢＡＥを適用した修正は不可
能となる。ただし、材料の特性として、露光光を透過
し、ＦＩＢＡＥでの選択性が大きく、洗浄にも耐え、実
用的な成膜が可能である材料をストッパー層３の材料と
して選択すれば、本方式の採用は可能である。
【０００７】本発明の目的は位相シフトマスクの欠陥修
正を、欠陥形状によらず、高精度で修正し得る光学マス
ク及びその修正方法を提供することにある。
正を、欠陥形状によらず、高精度で修正し得る光学マス
ク及びその修正方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的は露光光の位相
を反転させる位相シフトマスクの位相シフターの下に、
位相シフターと、ＦＩＢＡＥまたはマスクの洗浄工程に
おけるエッチング耐性の異なる透明膜を設け、この透明
膜でシフター欠陥の凹凸を欠陥修正時に吸収させること
により達成される。この際、上記透明膜の成膜をクロム
パターン形成後とするか、または、上記透明膜を数層と
することでマスク洗浄への耐性を確保する。
を反転させる位相シフトマスクの位相シフターの下に、
位相シフターと、ＦＩＢＡＥまたはマスクの洗浄工程に
おけるエッチング耐性の異なる透明膜を設け、この透明
膜でシフター欠陥の凹凸を欠陥修正時に吸収させること
により達成される。この際、上記透明膜の成膜をクロム
パターン形成後とするか、または、上記透明膜を数層と
することでマスク洗浄への耐性を確保する。
【０００９】
【作用】不定形のシフター欠陥を修正する際、シフター
の下に設けたストッパー層はＦＩＢＡＥ時の反応性ガス
とＦＩＢの化学的な相互作用によるエッチング速度がシ
フターに対して遅いため、シフターの凹凸がストッパー
層には物理的なスパッタエッチ分しか反映されず、凹凸
が平坦化される。または、ＦＩＢのみの物理的なスパッ
タエッチングで加工した場合にはストップ層をシフター
欠陥の凹凸をその中に停め置く層として機能させ、耐洗
浄性の無いストップ層を洗浄工程で溶解させ、欠陥部を
平坦化する。これらの作用により、シフター欠陥の凹凸
がマスク上から除去できる。
の下に設けたストッパー層はＦＩＢＡＥ時の反応性ガス
とＦＩＢの化学的な相互作用によるエッチング速度がシ
フターに対して遅いため、シフターの凹凸がストッパー
層には物理的なスパッタエッチ分しか反映されず、凹凸
が平坦化される。または、ＦＩＢのみの物理的なスパッ
タエッチングで加工した場合にはストップ層をシフター
欠陥の凹凸をその中に停め置く層として機能させ、耐洗
浄性の無いストップ層を洗浄工程で溶解させ、欠陥部を
平坦化する。これらの作用により、シフター欠陥の凹凸
がマスク上から除去できる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。
る。
【００１１】第１の実施例：図１は本発明の第１の実施
例のマスク構造とシフター４の修正工程を示すものであ
る。ここで基板１には石英、遮光膜２にはクロム、ま
た、位相シフター４にはＳＯＧを使用している。今、ス
トッパー層３としては光学レンズのコーティング材とし
て一般に使用されているＡｌ2Ｏ3を採用している。この
材料ではＦＩＢＡＥにおいて反応性ガス９にＸｅＦ2を
使用した場合、加工速度の比、つまり、加工選択比がＳ
ＯＧ／Ａｌ2Ｏ3で４０以上であることを確認している。
例のマスク構造とシフター４の修正工程を示すものであ
る。ここで基板１には石英、遮光膜２にはクロム、ま
た、位相シフター４にはＳＯＧを使用している。今、ス
トッパー層３としては光学レンズのコーティング材とし
て一般に使用されているＡｌ2Ｏ3を採用している。この
材料ではＦＩＢＡＥにおいて反応性ガス９にＸｅＦ2を
使用した場合、加工速度の比、つまり、加工選択比がＳ
ＯＧ／Ａｌ2Ｏ3で４０以上であることを確認している。
【００１２】従来マスク自体の製造工程はクロムパター
ン２の下にＦＩＢＡＥ用のストッパー層３を形成してい
た。しかし、図１０のマスク製造工程の流れに示した様
にクロムパターン２の形成後には洗浄工程が必要であ
る。するとストッパー層３の透過部分はＳＯＧ成膜前に
洗浄液（例えば、オゾン硫酸）にさらされ、Ａｌ2Ｏ3の
場合にはオゾン硫酸に耐性が無いため、この段階でスト
ッパー膜３が溶解してしまう。これではＦＩＢＡＥによ
る欠陥修正は不可能である。そこでクロムパターン２を
形成し、それを洗浄し、欠陥検査、欠陥修正した後にＡ
ｌ2Ｏ3を成膜する。これが図１（ａ）の状態である。そ
の上にＳＯＧを成膜し、パターニングを施し、位相シフ
ター４とする。次の洗浄工程で露出しているＡｌ2Ｏ3は
オゾン硫酸で溶解する。しかし、シフター４の下のＡｌ
2Ｏ3はシフター材料のＳＯＧがオゾン硫酸に耐性を持
ち、マスクとして機能するために残留する。これがスト
ッパー層３となる。この段階の状態を図１（ｂ）に示
す。この後の欠陥検査工程でシフター残り６、または、
シフター抜け５を検出した場合にはこれらの位置座標を
欠陥修正装置に送り、図１（ｃ）に示す欠陥修正工程に
進む。本実施例では欠陥修正の第１段階にはＦＩＢＡＥ
を適用する。反応性ガス９としてＸｅＦ2を作用させつ
つＦＩＢ７を照射すると上記の様にＳＯＧの方がＡｌ2
Ｏ3の４０倍早く加工されるため、不定形のシフター欠
陥に対してもＡｌ2Ｏ3がストッパーとなる。今、シフタ
ー４は露光光の位相を１８０°反転させる膜厚に設定さ
れている。シフター４の材質がＳＯＧの場合にはこの膜
厚は４１５ｎｍであり、位相シフター４の修正を位相差
１８０°の１０％以内で行なう修正の要求仕様は加工深
さ精度への要求に換言すると加工底面の位置が平坦度を
含め±４０ｎｍ以内に入っている必要がある。実際の欠
陥修正を考えると、シフター欠陥の最大高さが４１５ｎ
ｍのシフター膜厚を越えることはまれである。また、シ
フター欠陥修正時にはシフター４のある領域での位相シ
フト量をそろえるため、必ず欠陥部５の周りの膜厚４１
５ｎｍのシフター部をＦＩＢ７の照射領域に含んだ加工
を行なう。したがって、４１５ｎｍのシフター４とほと
んどシフター４が抜けてしまった部分と同一のイオン照
射領域に含んだ加工する間にストッパー層３を貫通しな
い様にストッパー層３の厚さを設定すればよい。つま
り、加工速度が４０倍であるから、ストッパー層３の膜
厚が余裕をみて２０ｎｍあれば、図２の様に４１５ｎｍ
の正常シフター４をストッパー層３まで加工した時点で
シフター４がほとんど抜けていた部分のストッパー層３
への掘り込みはほぼ１０ｎｍ（〜４１５ｎｍ／４０）に
なり、ストッパー層３の中間で停まる。したがって、４
１５ｎｍの凹凸が１０ｎｍ程の凹凸に平坦化できる。こ
れは加工の仕様±４０ｎｍを満足する。次の修正工程は
図１（ｄ）に示すＦＩＢ加工工程である。今、基板１は
石英でできており、石英はＸｅＦ2を用いたＦＩＢＡＥ
ではストッパー層３のＡｌ2Ｏ3よりも３０倍程早く加工
される。したがって、この工程ではストッパー層３を貫
通した場合にＦＩＢＡＥによって基板加工部の凹凸が逆
に拡大されない様に反応性ガスは作用させない。この段
階でストッパー層にはわずかの凹凸が残留している。し
かし、物理的なスパッタ加工では、入射イオン１個あた
りにたたきだされるターゲット原子の個数を表すスパッ
タ率が入射角が垂直からずれるほど大きくなるため、残
ったわずかの凹凸も基板を位相差１８０°分掘り込む間
にさらに平坦化され、露光時の影は完全に除去できる。
以上の方式でシフター抜け欠陥５の修正が可能である。
シフター残り欠陥６については図１（ｃ）のＦＩＢＡＥ
工程で欠陥形状に合わせてＦＩＢ７を走査することで除
去できる。
ン２の下にＦＩＢＡＥ用のストッパー層３を形成してい
た。しかし、図１０のマスク製造工程の流れに示した様
にクロムパターン２の形成後には洗浄工程が必要であ
る。するとストッパー層３の透過部分はＳＯＧ成膜前に
洗浄液（例えば、オゾン硫酸）にさらされ、Ａｌ2Ｏ3の
場合にはオゾン硫酸に耐性が無いため、この段階でスト
ッパー膜３が溶解してしまう。これではＦＩＢＡＥによ
る欠陥修正は不可能である。そこでクロムパターン２を
形成し、それを洗浄し、欠陥検査、欠陥修正した後にＡ
ｌ2Ｏ3を成膜する。これが図１（ａ）の状態である。そ
の上にＳＯＧを成膜し、パターニングを施し、位相シフ
ター４とする。次の洗浄工程で露出しているＡｌ2Ｏ3は
オゾン硫酸で溶解する。しかし、シフター４の下のＡｌ
2Ｏ3はシフター材料のＳＯＧがオゾン硫酸に耐性を持
ち、マスクとして機能するために残留する。これがスト
ッパー層３となる。この段階の状態を図１（ｂ）に示
す。この後の欠陥検査工程でシフター残り６、または、
シフター抜け５を検出した場合にはこれらの位置座標を
欠陥修正装置に送り、図１（ｃ）に示す欠陥修正工程に
進む。本実施例では欠陥修正の第１段階にはＦＩＢＡＥ
を適用する。反応性ガス９としてＸｅＦ2を作用させつ
つＦＩＢ７を照射すると上記の様にＳＯＧの方がＡｌ2
Ｏ3の４０倍早く加工されるため、不定形のシフター欠
陥に対してもＡｌ2Ｏ3がストッパーとなる。今、シフタ
ー４は露光光の位相を１８０°反転させる膜厚に設定さ
れている。シフター４の材質がＳＯＧの場合にはこの膜
厚は４１５ｎｍであり、位相シフター４の修正を位相差
１８０°の１０％以内で行なう修正の要求仕様は加工深
さ精度への要求に換言すると加工底面の位置が平坦度を
含め±４０ｎｍ以内に入っている必要がある。実際の欠
陥修正を考えると、シフター欠陥の最大高さが４１５ｎ
ｍのシフター膜厚を越えることはまれである。また、シ
フター欠陥修正時にはシフター４のある領域での位相シ
フト量をそろえるため、必ず欠陥部５の周りの膜厚４１
５ｎｍのシフター部をＦＩＢ７の照射領域に含んだ加工
を行なう。したがって、４１５ｎｍのシフター４とほと
んどシフター４が抜けてしまった部分と同一のイオン照
射領域に含んだ加工する間にストッパー層３を貫通しな
い様にストッパー層３の厚さを設定すればよい。つま
り、加工速度が４０倍であるから、ストッパー層３の膜
厚が余裕をみて２０ｎｍあれば、図２の様に４１５ｎｍ
の正常シフター４をストッパー層３まで加工した時点で
シフター４がほとんど抜けていた部分のストッパー層３
への掘り込みはほぼ１０ｎｍ（〜４１５ｎｍ／４０）に
なり、ストッパー層３の中間で停まる。したがって、４
１５ｎｍの凹凸が１０ｎｍ程の凹凸に平坦化できる。こ
れは加工の仕様±４０ｎｍを満足する。次の修正工程は
図１（ｄ）に示すＦＩＢ加工工程である。今、基板１は
石英でできており、石英はＸｅＦ2を用いたＦＩＢＡＥ
ではストッパー層３のＡｌ2Ｏ3よりも３０倍程早く加工
される。したがって、この工程ではストッパー層３を貫
通した場合にＦＩＢＡＥによって基板加工部の凹凸が逆
に拡大されない様に反応性ガスは作用させない。この段
階でストッパー層にはわずかの凹凸が残留している。し
かし、物理的なスパッタ加工では、入射イオン１個あた
りにたたきだされるターゲット原子の個数を表すスパッ
タ率が入射角が垂直からずれるほど大きくなるため、残
ったわずかの凹凸も基板を位相差１８０°分掘り込む間
にさらに平坦化され、露光時の影は完全に除去できる。
以上の方式でシフター抜け欠陥５の修正が可能である。
シフター残り欠陥６については図１（ｃ）のＦＩＢＡＥ
工程で欠陥形状に合わせてＦＩＢ７を走査することで除
去できる。
【００１３】第２の実施例：図３は第２の実施例のマス
ク構造とシフター４の修正工程を示すものである。本実
施例でのマスクは基本的に第１の実施例と同等の構造を
持ち、相違はストッパー層３の膜厚のみである。したが
って、本実施例の場合、ストッパー層３を、むしろ欠陥
の凹凸を吸収して、溶解する層として機能させる。各層
の材質は第１の実施例と同様に基板が石英、遮光膜２が
クロム、シフター４がＳＯＧ、ストッパー層３がＡｌ2
Ｏ3とする。第１の実施例とのマスクの構造での相違は
ストッパー層３の膜厚である。
ク構造とシフター４の修正工程を示すものである。本実
施例でのマスクは基本的に第１の実施例と同等の構造を
持ち、相違はストッパー層３の膜厚のみである。したが
って、本実施例の場合、ストッパー層３を、むしろ欠陥
の凹凸を吸収して、溶解する層として機能させる。各層
の材質は第１の実施例と同様に基板が石英、遮光膜２が
クロム、シフター４がＳＯＧ、ストッパー層３がＡｌ2
Ｏ3とする。第１の実施例とのマスクの構造での相違は
ストッパー層３の膜厚である。
【００１４】クロムパターン２を形成後にストッパー層
３を成膜して、図３（ａ）の状態となる。これにＳＯＧ
を重ねて成膜し、パターニングを施し、シフター４とす
る。この時のＳＯＧ膜厚は下層のＡｌ2Ｏ3と合わせて露
光光の位相を１８０°ずらす膜厚に設定する。次に洗浄
工程に入る。今、ストッパー層３としてＡｌ2Ｏ3を採用
しているため、この段階で露出しているストッパー層３
は溶解して、図３（ｂ）に示す状態となる。この後、シ
フター４の欠陥検査を行なうと図３（ｂ）の様なシフタ
ー抜け欠陥５やシフター残り欠陥６が検出される。これ
らを次の欠陥修正工程に送る。本実施例での欠陥修正で
はＦＩＢＡＥは使用せず、ＦＩＢ加工のみを使用する。
これが図３（ｃ）に示す様にＦＩＢ７のみで加工すると
ＦＩＢＡＥと違いＳＯＧとＡｌ2Ｏ3とでほとんど加工速
度に差が無いため、シフター欠陥の凹凸はストッパー層
３の内に大部分保存される。本実施例では、この凹凸を
除去するため、ストッパー層３までの加工が終了したマ
スクをこの段階で１度洗浄する。この洗浄により、図３
（ｄ）の様にシフター欠陥の凹凸を含んだストッパー層
３は溶解するが、基板１は溶解しないため、シフター欠
陥のあった部分が平坦化される。この洗浄工程は本実施
例ではウェットエッチングとしたが、これはドライエッ
チング工程に替えても同等の結果が得られる。また、こ
の工程でシフター残り欠陥部分６も、前工程でシフター
部分４をＦＩＢ加工で除去してあるため、溶解して完全
にマスク上から除去されている。次に再度マスクをＦＩ
Ｂ加工工程に戻し、ここでシフター抜け欠陥部５の石英
基板１を露光光の位相を１８０°ずらす分だけ掘り込
み、ＳＯＧとＡｌ2Ｏ3とで位相を１８０°ずらしている
正常シフター部４に位相を合わせ、修正を完了する。な
お、本実施例では修正工程にＦＩＢ加工のみを使用して
いるため、修正装置を単純化できる。
３を成膜して、図３（ａ）の状態となる。これにＳＯＧ
を重ねて成膜し、パターニングを施し、シフター４とす
る。この時のＳＯＧ膜厚は下層のＡｌ2Ｏ3と合わせて露
光光の位相を１８０°ずらす膜厚に設定する。次に洗浄
工程に入る。今、ストッパー層３としてＡｌ2Ｏ3を採用
しているため、この段階で露出しているストッパー層３
は溶解して、図３（ｂ）に示す状態となる。この後、シ
フター４の欠陥検査を行なうと図３（ｂ）の様なシフタ
ー抜け欠陥５やシフター残り欠陥６が検出される。これ
らを次の欠陥修正工程に送る。本実施例での欠陥修正で
はＦＩＢＡＥは使用せず、ＦＩＢ加工のみを使用する。
これが図３（ｃ）に示す様にＦＩＢ７のみで加工すると
ＦＩＢＡＥと違いＳＯＧとＡｌ2Ｏ3とでほとんど加工速
度に差が無いため、シフター欠陥の凹凸はストッパー層
３の内に大部分保存される。本実施例では、この凹凸を
除去するため、ストッパー層３までの加工が終了したマ
スクをこの段階で１度洗浄する。この洗浄により、図３
（ｄ）の様にシフター欠陥の凹凸を含んだストッパー層
３は溶解するが、基板１は溶解しないため、シフター欠
陥のあった部分が平坦化される。この洗浄工程は本実施
例ではウェットエッチングとしたが、これはドライエッ
チング工程に替えても同等の結果が得られる。また、こ
の工程でシフター残り欠陥部分６も、前工程でシフター
部分４をＦＩＢ加工で除去してあるため、溶解して完全
にマスク上から除去されている。次に再度マスクをＦＩ
Ｂ加工工程に戻し、ここでシフター抜け欠陥部５の石英
基板１を露光光の位相を１８０°ずらす分だけ掘り込
み、ＳＯＧとＡｌ2Ｏ3とで位相を１８０°ずらしている
正常シフター部４に位相を合わせ、修正を完了する。な
お、本実施例では修正工程にＦＩＢ加工のみを使用して
いるため、修正装置を単純化できる。
【００１５】第３の実施例：第１、第２の実施例ではク
ロムパターン２の形成とその洗浄後にストッパー層３を
成膜し、シフター層４をマスクとすることで、シフター
４下のストッパー層３を残した。第３の実施例では図４
に示す様にストッパー層３の上に洗浄に耐性を持つ保護
膜１１を成膜する方式を採用する。
ロムパターン２の形成とその洗浄後にストッパー層３を
成膜し、シフター層４をマスクとすることで、シフター
４下のストッパー層３を残した。第３の実施例では図４
に示す様にストッパー層３の上に洗浄に耐性を持つ保護
膜１１を成膜する方式を採用する。
【００１６】本実施例では石英基板１の上にまずストッ
パー層３としてＡｌ2Ｏ3を成膜する。次に洗浄用の保護
膜１１としてＩＴＯ（酸化インジウム錫）膜を成膜す
る。その上に遮光膜２のクロムを成膜し、パターニング
する。その後、洗浄工程を経るが、ストッパー層３の上
のＩＴＯ膜は洗浄に対して耐性を持っているため、保護
層１１として機能し、洗浄によってストッパー層３は溶
解されることはない。その後、クロムパターン２の欠陥
検査、欠陥修正の上、ＳＯＧを成膜、パターニングを行
ない、再度洗浄を施す。ここでもストッパー層３は保護
膜１１に守られ、溶解せずに残る。これが図４（ａ）に
示す状態である。このマスクを欠陥検査すると、シフタ
ー抜け欠陥５やシフター残り欠陥６が検出される。これ
らの欠陥修正は第１の実施例と同様に行なえ、第１段階
はＸｅＦ2を用いたＦＩＢＡＥによって欠陥部５、６を
加工する。この時、シフター４下の保護膜１１はシフタ
ー４と加工速度が同等だが、第１の実施例で述べた様に
ストッパー層３はシフター４に比べ加工速度が遅いた
め、シフター欠陥の凹凸はこのストッパー層３で平坦化
される。第２段階として反応性ガス９を使用しないＦＩ
Ｂ加工で石英基板１を位相シフト１８０°分掘り込み正
常シフター部４との位相をそろえ、欠陥修正を完了す
る。
パー層３としてＡｌ2Ｏ3を成膜する。次に洗浄用の保護
膜１１としてＩＴＯ（酸化インジウム錫）膜を成膜す
る。その上に遮光膜２のクロムを成膜し、パターニング
する。その後、洗浄工程を経るが、ストッパー層３の上
のＩＴＯ膜は洗浄に対して耐性を持っているため、保護
層１１として機能し、洗浄によってストッパー層３は溶
解されることはない。その後、クロムパターン２の欠陥
検査、欠陥修正の上、ＳＯＧを成膜、パターニングを行
ない、再度洗浄を施す。ここでもストッパー層３は保護
膜１１に守られ、溶解せずに残る。これが図４（ａ）に
示す状態である。このマスクを欠陥検査すると、シフタ
ー抜け欠陥５やシフター残り欠陥６が検出される。これ
らの欠陥修正は第１の実施例と同様に行なえ、第１段階
はＸｅＦ2を用いたＦＩＢＡＥによって欠陥部５、６を
加工する。この時、シフター４下の保護膜１１はシフタ
ー４と加工速度が同等だが、第１の実施例で述べた様に
ストッパー層３はシフター４に比べ加工速度が遅いた
め、シフター欠陥の凹凸はこのストッパー層３で平坦化
される。第２段階として反応性ガス９を使用しないＦＩ
Ｂ加工で石英基板１を位相シフト１８０°分掘り込み正
常シフター部４との位相をそろえ、欠陥修正を完了す
る。
【００１７】第４の実施例：図５は第４の実施例のマス
ク構造とシフター４の修正工程を示すものである。ここ
で各層の材質は第３の実施例と同じとしている。ただ
し、本実施例ではストッパー層３の厚さに露光光の位相
を１８０°シフトさせる厚さを採用する。
ク構造とシフター４の修正工程を示すものである。ここ
で各層の材質は第３の実施例と同じとしている。ただ
し、本実施例ではストッパー層３の厚さに露光光の位相
を１８０°シフトさせる厚さを採用する。
【００１８】マスクは石英基板１の上にＡｌ2Ｏ3とＩＴ
Ｏとを成膜した後、クロムを成膜、パターニングする。
第３の実施例と同様に、次の洗浄工程でストッパー層３
はＩＴＯ膜１１に保護されて溶解しない。さらにＳＯＧ
を成膜、パターニングして、洗浄する。やはり、ストッ
パー層３は溶解しない。ここでＳＯＧの膜厚は露光光の
位相を１８０°シフトさせる厚さに瀬っていする。この
マスクの欠陥検査を行ない、図５（ａ）の様なシフター
抜け欠陥５やシフター残り欠陥６を修正する。これに本
実施例ではＦＩＢ加工のみを使用する。ＦＩＢ加工では
全層ほぼ同等の加工速度を持つ。したがって、ＦＩＢＡ
Ｅを使用した時の様に、ストッパー層３でシフター欠陥
の凹凸が平坦化されることはなく、ＦＩＢ加工をする
と、シフター欠陥の凹凸はほとんどストッパー層３の中
に残留し、加工底面は凸凹である。これが図５（ｂ）の
状態である。本実施例ではこの後、洗浄工程を通すこと
で、凹凸の残ったストッパー層３を溶解する。すると、
図５（ｃ）に示す様に石英基板１の上までウェットエッ
チングが進行し、そこでエッチングが停止するため、平
坦な面が得られる。この段階で各部分での位相シフトは
正常シフター部４で３６０°、シフター抜け欠陥５を修
正した部分で０°、シフター４の存在しない部分で１８
０°、シフター残り欠陥６を修正した部分で０°となっ
ている。したがって、シフター抜け部５では実質的に位
相差はなく、欠陥修正できている。しかし、シフター残
り部６では正常部と修正部との位相差が１８０°あるた
め、位相の変化部分で露光時に影が生じる。そこでこの
部分での位相差をそろえるため、図５（ｄ）に示す様に
シフター残り欠陥６を修正した部分の基板１を位相１８
０°分だけＦＩＢ加工を用いて掘り込む。これによりこ
の部分でも位相差が実質的になくなり、欠陥修正が完了
する。本実施例ではストッパー層３の膜厚を位相１８０
°シフト分としたが、これを位相３６０°分とすれば、
基板１の掘り込みをシフター残り欠陥部６では行なわ
ず、シフター抜け欠陥部５で行なう。これにより、上記
と同等の結果が得られる。また、本実施例では修正の第
１段階後の洗浄でストッパー層３を溶解したが、これを
ドライエッチング工程に置き換えれば、ウェットエッチ
ングによるエッチングされる層のアンダーカット等の無
い良好な加工が可能となる。なお、本実施例でも第２の
実施例と同様に修正工程にＦＩＢ加工のみを使用してい
るため、修正装置を単純化できる。
Ｏとを成膜した後、クロムを成膜、パターニングする。
第３の実施例と同様に、次の洗浄工程でストッパー層３
はＩＴＯ膜１１に保護されて溶解しない。さらにＳＯＧ
を成膜、パターニングして、洗浄する。やはり、ストッ
パー層３は溶解しない。ここでＳＯＧの膜厚は露光光の
位相を１８０°シフトさせる厚さに瀬っていする。この
マスクの欠陥検査を行ない、図５（ａ）の様なシフター
抜け欠陥５やシフター残り欠陥６を修正する。これに本
実施例ではＦＩＢ加工のみを使用する。ＦＩＢ加工では
全層ほぼ同等の加工速度を持つ。したがって、ＦＩＢＡ
Ｅを使用した時の様に、ストッパー層３でシフター欠陥
の凹凸が平坦化されることはなく、ＦＩＢ加工をする
と、シフター欠陥の凹凸はほとんどストッパー層３の中
に残留し、加工底面は凸凹である。これが図５（ｂ）の
状態である。本実施例ではこの後、洗浄工程を通すこと
で、凹凸の残ったストッパー層３を溶解する。すると、
図５（ｃ）に示す様に石英基板１の上までウェットエッ
チングが進行し、そこでエッチングが停止するため、平
坦な面が得られる。この段階で各部分での位相シフトは
正常シフター部４で３６０°、シフター抜け欠陥５を修
正した部分で０°、シフター４の存在しない部分で１８
０°、シフター残り欠陥６を修正した部分で０°となっ
ている。したがって、シフター抜け部５では実質的に位
相差はなく、欠陥修正できている。しかし、シフター残
り部６では正常部と修正部との位相差が１８０°あるた
め、位相の変化部分で露光時に影が生じる。そこでこの
部分での位相差をそろえるため、図５（ｄ）に示す様に
シフター残り欠陥６を修正した部分の基板１を位相１８
０°分だけＦＩＢ加工を用いて掘り込む。これによりこ
の部分でも位相差が実質的になくなり、欠陥修正が完了
する。本実施例ではストッパー層３の膜厚を位相１８０
°シフト分としたが、これを位相３６０°分とすれば、
基板１の掘り込みをシフター残り欠陥部６では行なわ
ず、シフター抜け欠陥部５で行なう。これにより、上記
と同等の結果が得られる。また、本実施例では修正の第
１段階後の洗浄でストッパー層３を溶解したが、これを
ドライエッチング工程に置き換えれば、ウェットエッチ
ングによるエッチングされる層のアンダーカット等の無
い良好な加工が可能となる。なお、本実施例でも第２の
実施例と同様に修正工程にＦＩＢ加工のみを使用してい
るため、修正装置を単純化できる。
【００１９】ここで第３、第４の実施例ではストッパー
層３と保護層１１とを遮光パターン２の下に成膜してい
るが、これは第１、第２の実施例と同様に遮光パターン
２の上に成膜しても同等の効果が得られる。
層３と保護層１１とを遮光パターン２の下に成膜してい
るが、これは第１、第２の実施例と同様に遮光パターン
２の上に成膜しても同等の効果が得られる。
【００２０】以上の実施例でストッパー層３にはＡｌ2
Ｏ3を採用したが、これは、露光光に対して充分な透過
率が得られることと、ＦＩＢＡＥにおいてシフター材料
よりも加工速度が遅くなることを満足する材料であれば
採用可能で、この候補としてはＡｌ2Ｏ3以外にＭｇ
Ｆ2、ＣｅＦ3等の金属フッ化物が挙げられる。また、保
護膜１１としての機能は、露光光に対して充分な透過率
が得られることと、マスク製造工程での洗浄工程で溶解
しないこと、および、シフターパターニング時のエッチ
ングに耐性を有することであり、上記実施例で採用した
ＩＴＯ膜以外の材料でも上記条件を満足する材料であれ
ば採用可能である。
Ｏ3を採用したが、これは、露光光に対して充分な透過
率が得られることと、ＦＩＢＡＥにおいてシフター材料
よりも加工速度が遅くなることを満足する材料であれば
採用可能で、この候補としてはＡｌ2Ｏ3以外にＭｇ
Ｆ2、ＣｅＦ3等の金属フッ化物が挙げられる。また、保
護膜１１としての機能は、露光光に対して充分な透過率
が得られることと、マスク製造工程での洗浄工程で溶解
しないこと、および、シフターパターニング時のエッチ
ングに耐性を有することであり、上記実施例で採用した
ＩＴＯ膜以外の材料でも上記条件を満足する材料であれ
ば採用可能である。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、位相シフトマスクのシ
フター欠陥を形状によらず、再現性良く、高精度に修正
できるため、欠陥修正の実用的な歩留りを確保できる。
フター欠陥を形状によらず、再現性良く、高精度に修正
できるため、欠陥修正の実用的な歩留りを確保できる。
【図１】本発明の第１の実施例の位相シフタ修正方式の
説明図である。
説明図である。
【図２】位相シフタ修正時の加工進行状況の説明図であ
る。
る。
【図３】本発明の第２の実施例の位相シフタ修正方式の
説明図である。
説明図である。
【図４】本発明の第３の実施例の位相シフタ修正方式の
説明図である。
説明図である。
【図５】本発明の第４の実施例の位相シフタ修正方式の
説明図である。
説明図である。
【図６】基本的な位相シフトマスクの断面図である。
【図７】位相シフト欠陥修正の第１の従来技術の説明図
である。
である。
【図８】位相シフト欠陥修正の第２の従来技術の説明図
である。
である。
【図９】位相シフト欠陥修正の第３の従来技術の説明図
である。
である。
【図１０】位相シフトマスク製造工程のフローチャート
である。
である。
１…基板（石英）、 ２…遮光パターン（クロム）、 ３…ストッパー層（Ａｌ2Ｏ3）、 ４…位相シフター（ＳＯＧ）、 ５…シフター抜け欠陥、 ６…シフター残り欠陥、 ７…集束イオンビーム、 ８…ガスノズル、 ９…反応性ガス（ＸｅＦ2）、 １０…イオンビーム走査範囲、 １１…保護層（ＩＴＯ）、 １２…サブシフター（Ｓｉ3Ｎ4）、 １３…レジスト。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 文和 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 古泉 裕弘 東京都小平市上水本町五丁目20番１号株式 会社日立製作所武蔵工場内
Claims (13)
- 【請求項１】透明基板上に遮光パターンを形成し、特定
の開口部に露光光の位相を変える位相シフターを設けた
投影光学系用マスクにおいて、上記位相シフターと遮光
パターンとの間に露光光を透過するエッチングストッパ
ー膜を設けたことを特徴とする光学マスク。 - 【請求項２】上記エッチングストッパー層において、該
層が位相シフターのエッチングに耐性を有することを特
徴とする請求項１に記載の光学マスク。 - 【請求項３】透明基板上に遮光パターンを形成し、特定
の開口部に露光光の位相を変える位相シフターを設けた
投影光学系用マスクにおいて、上記位相シフターの下層
に位相シフトマスク製造工程における洗浄に耐性を有
し、露光光を透過する保護膜と、露光光を透過するエッ
チングストッパー膜とを設けたことを特徴とする光学マ
スク。 - 【請求項４】上記エッチングストッパー層において、該
層が位相シフターのエッチングに耐性を有することを特
徴とする請求項３に記載の光学マスク。 - 【請求項５】上記保護膜と上記エッチングストッパー層
とを遮光パターンの下層に設置したことを特徴とする請
求項３に記載の光学マスク。 - 【請求項６】上記保護膜と上記エッチングストッパー層
とを遮光パターンの上層に設置したことを特徴とする請
求項３に記載の光学マスク。 - 【請求項７】上記エッチングストッパー層としてＡｌ2
Ｏ3等の金属酸化物、または、ＭｇＦ2、ＣｅＦ3等の金
属フッ化物を使用したことを特徴とする請求項１、また
は、請求項３に記載の光学マスク。 - 【請求項８】上記保護膜としてＩＴＯ膜等の透明膜を使
用したことを特徴とする請求項３に記載の光学マスク。 - 【請求項９】透明基板上に遮光パターンを形成し、特定
の開口部に露光光の位相を変える位相シフターを設けた
投影光学系用マスクの欠陥修正方法において、上記シフ
ター下層に設けた透明膜まで加工する工程と、上記マス
クの基板を上記位相シフターによる位相シフト量と等し
いかその整数倍の位相シフト量を与える基板厚さだけ精
度良く加工する工程を含むことを特徴とする光学マスク
の修正方法。 - 【請求項１０】上記透明膜の加工工程において、上記位
相シフターを上記透明膜に対して、選択性良く加工する
ことを特徴とする請求項９に記載の光学マスクの修正方
法。 - 【請求項１１】上記加工の方法として、集束したイオン
ビームを使用することを特徴とする請求項９に記載の光
学マスクの修正方法。 - 【請求項１２】上記選択性良く加工する方法として、集
束したイオンビームと反応性ガスとを併用することを特
徴とする請求項１０に記載の光学マスクの修正方法。 - 【請求項１３】透明基板上に遮光パターンを形成し、特
定の開口部に露光光の位相を変える位相シフターを設け
た投影光学系用マスクの欠陥修正方法において、上記シ
フター下層に設けた透明膜まで加工する工程と、上記透
明膜を選択的に加工する工程と、上記マスクの基板を上
記位相シフターによる位相シフト量と等しいかその整数
倍の位相シフト量を与える基板厚さだけ精度良く加工す
る工程を含むことを特徴とする光学マスクの修正方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4281492A JPH05241321A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 光学マスク及びその修正方法 |
| KR1019930002477A KR960001685B1 (ko) | 1992-02-28 | 1993-02-23 | 광학 마스크 및 그의 수정 방법 |
| US08/022,909 US5439763A (en) | 1991-03-19 | 1993-02-26 | Optical mask and method of correcting the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4281492A JPH05241321A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 光学マスク及びその修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05241321A true JPH05241321A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=12646420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4281492A Pending JPH05241321A (ja) | 1991-03-19 | 1992-02-28 | 光学マスク及びその修正方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05241321A (ja) |
| KR (1) | KR960001685B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100456760B1 (ko) * | 2001-04-18 | 2004-11-10 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 포토마스크의 세정 방법 |
| JP2006500231A (ja) * | 2002-09-20 | 2006-01-05 | イリディグム ディスプレイ コーポレイション | マイクロ電気機械システムデバイス内の構造の電気機械的挙動の制御 |
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1992
- 1992-02-28 JP JP4281492A patent/JPH05241321A/ja active Pending
-
1993
- 1993-02-23 KR KR1019930002477A patent/KR960001685B1/ko not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR930018652A (ko) | 1993-09-22 |
| KR960001685B1 (ko) | 1996-02-03 |
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