JPH0521918A - セラミツクス回路基板用導電パターン形成用粉末組成物 - Google Patents
セラミツクス回路基板用導電パターン形成用粉末組成物Info
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- JPH0521918A JPH0521918A JP19701591A JP19701591A JPH0521918A JP H0521918 A JPH0521918 A JP H0521918A JP 19701591 A JP19701591 A JP 19701591A JP 19701591 A JP19701591 A JP 19701591A JP H0521918 A JPH0521918 A JP H0521918A
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- conductive pattern
- pdo
- circuit board
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 セラミックス回路基板用導電パタ−ン形成用
粉末組成物を提供すること。 【構成】 導電パタ−ン形成用粉末として、Ag粉末と
PdO粉末の混合粉末を用いること。 【効果】 セラミックス基板と導電パタ−ン(導電体)
とが焼成後に剥離しない効果が生じ、良好なセラミック
ス回路基板を得ることができる。
粉末組成物を提供すること。 【構成】 導電パタ−ン形成用粉末として、Ag粉末と
PdO粉末の混合粉末を用いること。 【効果】 セラミックス基板と導電パタ−ン(導電体)
とが焼成後に剥離しない効果が生じ、良好なセラミック
ス回路基板を得ることができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミックス回路基板
用導電パタ−ン形成用粉末組成物に関し、詳細には、低
温焼成によってセラミックス回路基板を製造するにあた
り、セラミックグリ−ンシ−ト上に導電パタ−ンを形成
するためのペ−スト製造用粉末組成物に係るセラミック
ス回路基板用導電パタ−ン形成用粉末組成物に関する。
用導電パタ−ン形成用粉末組成物に関し、詳細には、低
温焼成によってセラミックス回路基板を製造するにあた
り、セラミックグリ−ンシ−ト上に導電パタ−ンを形成
するためのペ−スト製造用粉末組成物に係るセラミック
ス回路基板用導電パタ−ン形成用粉末組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、低温焼成により製造されるセラミ
ックス回路基板において、その表面配線及びスル−ホ−
ルを形成するために、電気抵抗の低いAgを主成分とす
る導電粉末が用いられている。例えば、特開昭63−1
6697号公報には、導電粉末として「Ag85〜80
重量%とPd15〜20重量%の粉末混合物」又は「A
g50〜90重量%とPd50〜10重量%の合金粉
末」を用いることについて記載されている。そして、該
導電粉末を有機ビヒクルに混合して導電体ペ−ストを調
製し、予め作製されたセラミックグリ−ンシ−トの表面
に、該導電体ペ−ストを所定の導電パタ−ンになるよう
に印刷し、焼成(800〜1000℃)する方法が開示
されている。なお、上記有機ビヒクルとしては、一般的
には、エチルセルロ−スをα−テルピネオ−ルに溶解し
たものが使用されている。
ックス回路基板において、その表面配線及びスル−ホ−
ルを形成するために、電気抵抗の低いAgを主成分とす
る導電粉末が用いられている。例えば、特開昭63−1
6697号公報には、導電粉末として「Ag85〜80
重量%とPd15〜20重量%の粉末混合物」又は「A
g50〜90重量%とPd50〜10重量%の合金粉
末」を用いることについて記載されている。そして、該
導電粉末を有機ビヒクルに混合して導電体ペ−ストを調
製し、予め作製されたセラミックグリ−ンシ−トの表面
に、該導電体ペ−ストを所定の導電パタ−ンになるよう
に印刷し、焼成(800〜1000℃)する方法が開示
されている。なお、上記有機ビヒクルとしては、一般的
には、エチルセルロ−スをα−テルピネオ−ルに溶解し
たものが使用されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来法によって、導電パタ−ンを形成して得たセラミック
グリ−ンシ−トは、これを焼成すると、導電パタ−ン形
成用導電体とセラミックグリ−ンシ−トとは、後に詳記
するとおり、焼成収縮過程が異なることから、導電体の
一部が基板から剥離しやすいという問題点があった。
来法によって、導電パタ−ンを形成して得たセラミック
グリ−ンシ−トは、これを焼成すると、導電パタ−ン形
成用導電体とセラミックグリ−ンシ−トとは、後に詳記
するとおり、焼成収縮過程が異なることから、導電体の
一部が基板から剥離しやすいという問題点があった。
【0004】そこで、本発明者等は、上記問題点を解消
する導電パタ−ン形成用導電体(導電体組成物)につい
て鋭意研究した結果、本発明を完成したものであって、
本発明は、セラミックス基板と導電パタ−ン(導電体)
とが焼成後に剥離しない導電体組成物に係るセラミック
ス回路基板用導電パタ−ン形成用粉末組成物を提供する
ことを目的とする。
する導電パタ−ン形成用導電体(導電体組成物)につい
て鋭意研究した結果、本発明を完成したものであって、
本発明は、セラミックス基板と導電パタ−ン(導電体)
とが焼成後に剥離しない導電体組成物に係るセラミック
ス回路基板用導電パタ−ン形成用粉末組成物を提供する
ことを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】そして、本発明は、上記
目的を達成するため、導電体粉末として、所定割合のA
g−PdO混合粉末を使用する点にある。即ち、本発明
は、Ag粉末65〜95重量部及びPdO粉末5〜35
重量部を混合してなることを特徴とするセラミックス回
路基板用導電パタ−ン形成用粉末組成物である。
目的を達成するため、導電体粉末として、所定割合のA
g−PdO混合粉末を使用する点にある。即ち、本発明
は、Ag粉末65〜95重量部及びPdO粉末5〜35
重量部を混合してなることを特徴とするセラミックス回
路基板用導電パタ−ン形成用粉末組成物である。
【0006】
【作用】従来から用いられているAg−Pd導電性粉末
は、セラミックス回路基板焼成時に、導電体として含有
されているPdが酸化され、体積膨張を起こし、その後
の熱処理により還元され、Ag−Pdからなる導電層を
形成する。その結果、導電層は、焼成に伴い一度膨張
し、その後収縮するという焼成収縮過程を示す。これに
対して、セラミックグリ−ンシ−トは、焼成に伴い収縮
し、焼結が完了するという焼成収縮過程を示す。この両
者の焼成収縮過程の違いが導電パタ−ン(導電体)の剥
離現象の原因であると考えられる。
は、セラミックス回路基板焼成時に、導電体として含有
されているPdが酸化され、体積膨張を起こし、その後
の熱処理により還元され、Ag−Pdからなる導電層を
形成する。その結果、導電層は、焼成に伴い一度膨張
し、その後収縮するという焼成収縮過程を示す。これに
対して、セラミックグリ−ンシ−トは、焼成に伴い収縮
し、焼結が完了するという焼成収縮過程を示す。この両
者の焼成収縮過程の違いが導電パタ−ン(導電体)の剥
離現象の原因であると考えられる。
【0007】そこで、本発明は、上記導電パタ−ンの収
縮焼結過程を制御するため、Pd源としてPdOを用い
るものであり、これによって、セラミックス基板と導電
パタ−ン(導電体)とが焼成後に剥離しない作用が生
じ、優れたセラミックス回路基板が得られるものであ
る。
縮焼結過程を制御するため、Pd源としてPdOを用い
るものであり、これによって、セラミックス基板と導電
パタ−ン(導電体)とが焼成後に剥離しない作用が生
じ、優れたセラミックス回路基板が得られるものであ
る。
【0008】以下、本発明を詳細に説明すると、本発明
において、セラミックス回路基板製造用原料粉末として
は、アルミナ、ムライト又はコ−デュライトなどにSi
O2−B2O3系ガラス、PbO−SiO2−AI2O3−B
2O3系ガラス又はCaO−SiO2−AI2O3−B2O3
系ガラス等を複合したものが好ましく、このような原料
粉末を使用することによって、セラミックス回路基板を
低温焼成により製造することができる。また、セラミッ
クグリ−ンシ−トとしては、上記記原料粉末に有機バイ
ンダ−及び溶剤を加えてスラリ−とし、通常のドクタ−
プレイド法等により作製することができる。
において、セラミックス回路基板製造用原料粉末として
は、アルミナ、ムライト又はコ−デュライトなどにSi
O2−B2O3系ガラス、PbO−SiO2−AI2O3−B
2O3系ガラス又はCaO−SiO2−AI2O3−B2O3
系ガラス等を複合したものが好ましく、このような原料
粉末を使用することによって、セラミックス回路基板を
低温焼成により製造することができる。また、セラミッ
クグリ−ンシ−トとしては、上記記原料粉末に有機バイ
ンダ−及び溶剤を加えてスラリ−とし、通常のドクタ−
プレイド法等により作製することができる。
【0009】本発明において、原料粉末であるAg粉末
及びPdO粉末としては、導電体材料として通常使用さ
れる平均粒径0.3〜10μm程度のものを用いること
ができる。特に、2μm以下のAg粉末及びPdO粉末
の使用は、得られたAg−PdO粉末の混合が均一とな
り、導電パタ−ンの収縮が均一となることから、好まし
い。また、本発明で使用するPdOは、Pdを酸化雰囲
気中で200〜800℃の加熱処理により得ることがで
きるが、市販のPdOを用いることもできる。このAg
粉末とPdO粉末とを慣用手段で混合することにより、
目的とする導電パタ−ン形成用粉末組成物を製造する。
及びPdO粉末としては、導電体材料として通常使用さ
れる平均粒径0.3〜10μm程度のものを用いること
ができる。特に、2μm以下のAg粉末及びPdO粉末
の使用は、得られたAg−PdO粉末の混合が均一とな
り、導電パタ−ンの収縮が均一となることから、好まし
い。また、本発明で使用するPdOは、Pdを酸化雰囲
気中で200〜800℃の加熱処理により得ることがで
きるが、市販のPdOを用いることもできる。このAg
粉末とPdO粉末とを慣用手段で混合することにより、
目的とする導電パタ−ン形成用粉末組成物を製造する。
【0010】なお、本発明において、得られた導電パタ
−ンのハンダ濡れ性を改善するため、Crの酸化物又は
Mnの酸化物を添加することもできる。添加するCrの
酸化物は、Cr2O3換算で5重量部以下であり、Mnの
酸化物の場合は、MnO2換算で3重量部以下が好まし
く、これを越える量を添加すると導電体の抵抗値が高く
なる傾向があり、好ましくない。
−ンのハンダ濡れ性を改善するため、Crの酸化物又は
Mnの酸化物を添加することもできる。添加するCrの
酸化物は、Cr2O3換算で5重量部以下であり、Mnの
酸化物の場合は、MnO2換算で3重量部以下が好まし
く、これを越える量を添加すると導電体の抵抗値が高く
なる傾向があり、好ましくない。
【0011】このようにして得られた導電パタ−ン形成
用粉末にビヒクルを加え、また、セラミックス基板との
密着性向上を目的として、少量のガラス成分を添加し、
例えば、3本ロ−ルミルなどの慣用の方法で混合し、セ
ラミックスグリ−ンシ−ト用導電性ペ−ストを調製す
る。このビヒクルとしては、種々の有機ビヒクルを使用
することができるが、エチルセルロ−スをα−テルピネ
オ−ルに溶解したものを使用するのが好ましい。そし
て、この導電性ペ−ストをセラミックスグリ−ンシ−ト
に所定形状で印刷した後、焼成してセラミックス回路基
板を作製する。
用粉末にビヒクルを加え、また、セラミックス基板との
密着性向上を目的として、少量のガラス成分を添加し、
例えば、3本ロ−ルミルなどの慣用の方法で混合し、セ
ラミックスグリ−ンシ−ト用導電性ペ−ストを調製す
る。このビヒクルとしては、種々の有機ビヒクルを使用
することができるが、エチルセルロ−スをα−テルピネ
オ−ルに溶解したものを使用するのが好ましい。そし
て、この導電性ペ−ストをセラミックスグリ−ンシ−ト
に所定形状で印刷した後、焼成してセラミックス回路基
板を作製する。
【0012】
【実施例】以下、本発明の実施例を比較例と共に挙げ、
本発明をより詳細に説明する。 (実施例1〜6)平均粒径1μmのアルミナ粉末50重
量%とSiO2−B2O3−PbO系ガラス50重量%を
混合し、この混合粉末にアクリル樹脂及び溶剤を加えて
スラリ−を作製した。このスラリ−をドクタ−ブレイド
装置で塗工し、厚さ0.5mmの低温焼成セラミックス
回路基板用セラミックスグリ−ンシ−トを得た。
本発明をより詳細に説明する。 (実施例1〜6)平均粒径1μmのアルミナ粉末50重
量%とSiO2−B2O3−PbO系ガラス50重量%を
混合し、この混合粉末にアクリル樹脂及び溶剤を加えて
スラリ−を作製した。このスラリ−をドクタ−ブレイド
装置で塗工し、厚さ0.5mmの低温焼成セラミックス
回路基板用セラミックスグリ−ンシ−トを得た。
【0013】一方、市販の平均粒径0.5μmのPd粉
末を350℃で2時間空気中で加熱し、PdO粉末を製
造した。そして、このPdO粉末と市販の平均粒径1.
0μmのAg粉末とを乳鉢を用いて混合し、導電パタ−
ン形成用粉末を調製した(実施例1〜4)。また、この
混合粉末に、更に、Cr2O3を2重量部添加したもの
(実施例5)及びMnO2を3重量部添加したもの(実
施例6)も導電パタ−ン形成用粉末として使用した。そ
れらの混合量を表1に示した。次に、エチルセルロ−ス
をα−テルピネオ−ルに溶解してビヒクルを調製し、こ
のビヒクル中に上記混合粉末を3本ロ−ルミルで混合
し、導電性ペ−ストを調製した。この導電性ペ−ストを
前記したセラミックスグリ−ンシ−ト上に、幅150μ
mのパタ−ンをスクリ−ン印刷し、400℃で4時間脱
バインダ−した後、850℃で焼成してセラミックス回
路基板を作製した。得られた基板上の導電パタ−ンの剥
離を目視により観察し、その結果を同じく表1に示し
た。
末を350℃で2時間空気中で加熱し、PdO粉末を製
造した。そして、このPdO粉末と市販の平均粒径1.
0μmのAg粉末とを乳鉢を用いて混合し、導電パタ−
ン形成用粉末を調製した(実施例1〜4)。また、この
混合粉末に、更に、Cr2O3を2重量部添加したもの
(実施例5)及びMnO2を3重量部添加したもの(実
施例6)も導電パタ−ン形成用粉末として使用した。そ
れらの混合量を表1に示した。次に、エチルセルロ−ス
をα−テルピネオ−ルに溶解してビヒクルを調製し、こ
のビヒクル中に上記混合粉末を3本ロ−ルミルで混合
し、導電性ペ−ストを調製した。この導電性ペ−ストを
前記したセラミックスグリ−ンシ−ト上に、幅150μ
mのパタ−ンをスクリ−ン印刷し、400℃で4時間脱
バインダ−した後、850℃で焼成してセラミックス回
路基板を作製した。得られた基板上の導電パタ−ンの剥
離を目視により観察し、その結果を同じく表1に示し
た。
【0014】(比較例)また、比較のために、導電パタ
−ン形成用粉末として、Ag粉末とPd粉末の混合粉末
を用い、上記実施例と同様に導電ペ−ストを調製し、セ
ラミックス回路基板を作製した。 得られた基板上の導
電パタ−ンの剥離を目視により観察し、その結果を同じ
く表1に示した。
−ン形成用粉末として、Ag粉末とPd粉末の混合粉末
を用い、上記実施例と同様に導電ペ−ストを調製し、セ
ラミックス回路基板を作製した。 得られた基板上の導
電パタ−ンの剥離を目視により観察し、その結果を同じ
く表1に示した。
【0015】
【表1】
【0016】表1から明らかなように、導電パタ−ン形
成用粉末として、Ag粉末とPdO粉末との混合粉末を
用いた実施例1〜6は、いずれも剥離しないことが理解
できる。これに対して、Ag粉末とPd粉末の混合粉末
を用いた比較例では、目視観察の結果、明らかに剥離が
認められた。
成用粉末として、Ag粉末とPdO粉末との混合粉末を
用いた実施例1〜6は、いずれも剥離しないことが理解
できる。これに対して、Ag粉末とPd粉末の混合粉末
を用いた比較例では、目視観察の結果、明らかに剥離が
認められた。
【0017】
【発明の効果】本発明は、以上詳記したとおり、導電パ
タ−ン形成用粉末として、Ag粉末とPdO粉末の混合
粉末を用いるものであり、これによって、セラミックス
基板と導電パタ−ン(導電体)とが焼成後に剥離しない
セラミックス回路基板が得られる効果が生ずる。
タ−ン形成用粉末として、Ag粉末とPdO粉末の混合
粉末を用いるものであり、これによって、セラミックス
基板と導電パタ−ン(導電体)とが焼成後に剥離しない
セラミックス回路基板が得られる効果が生ずる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項1】 Ag粉末65〜95重量部及びPdO粉
末5〜35重量部を混合してなることを特徴とするセラ
ミックス回路基板用導電パタ−ン形成用粉末組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19701591A JPH0521918A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | セラミツクス回路基板用導電パターン形成用粉末組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19701591A JPH0521918A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | セラミツクス回路基板用導電パターン形成用粉末組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0521918A true JPH0521918A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=16367363
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19701591A Pending JPH0521918A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | セラミツクス回路基板用導電パターン形成用粉末組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0521918A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02502916A (ja) * | 1987-12-31 | 1990-09-13 | トロピックス・インコーポレイテッド | 1,2‐ジオキセタン類およびその中間体の合成 |
US5534423A (en) * | 1993-10-08 | 1996-07-09 | Regents Of The University Of Michigan | Methods of increasing rates of infection by directing motion of vectors |
US5811274A (en) * | 1994-12-09 | 1998-09-22 | The Regents Of The University Of Michigan | Methods, compositions and apparatus for cell transfection |
-
1991
- 1991-07-11 JP JP19701591A patent/JPH0521918A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02502916A (ja) * | 1987-12-31 | 1990-09-13 | トロピックス・インコーポレイテッド | 1,2‐ジオキセタン類およびその中間体の合成 |
US5534423A (en) * | 1993-10-08 | 1996-07-09 | Regents Of The University Of Michigan | Methods of increasing rates of infection by directing motion of vectors |
US5811274A (en) * | 1994-12-09 | 1998-09-22 | The Regents Of The University Of Michigan | Methods, compositions and apparatus for cell transfection |
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