JPH05218814A - Flip-flop circuit - Google Patents
Flip-flop circuitInfo
- Publication number
- JPH05218814A JPH05218814A JP4041922A JP4192292A JPH05218814A JP H05218814 A JPH05218814 A JP H05218814A JP 4041922 A JP4041922 A JP 4041922A JP 4192292 A JP4192292 A JP 4192292A JP H05218814 A JPH05218814 A JP H05218814A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- flip
- flop circuit
- field effect
- master
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
Description
【0001】[0001]
【目次】以下の順序で本発明を説明する。 産業上の利用分野 従来の技術(図6及び図7) 発明が解決しようとする課題(図8〜図12) 課題を解決するための手段(図1) 作用(図5) 実施例(図1〜図5) 発明の効果[Table of Contents] The present invention will be described in the following order. Industrial Application Conventional Technology (FIGS. 6 and 7) Problem to be Solved by the Invention (FIGS. 8 to 12) Means for Solving the Problem (FIG. 1) Action (FIG. 5) Example (FIG. 1) ~ Fig. 5) Effect of the invention
【0002】[0002]
【産業上の利用分野】本発明はフリツプフロツプ回路に
関し、例えば集積回路内に内蔵され、高速動作するマス
タ・スレーブ型のフリツプフロツプ回路に適用して好適
なものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flip-flop circuit, and is suitable for application to, for example, a master / slave flip-flop circuit incorporated in an integrated circuit and operating at high speed.
【0003】[0003]
【従来の技術】従来、半導体集積回路は一段と大規模か
つ高速化し、そのチツプ面積の縮小と低消費電力化が重
要な課題となつている。例えば携帯電話等の移動体通信
機器においては、携帯電話本体の小型化と乾電池で駆動
できる低消費電力化のため信号変調回路用IC(integr
ated circuit)を小型かつ低消費電力化することが要望
されている(図6)。2. Description of the Related Art Conventionally, semiconductor integrated circuits have been further increased in size and speed, and reduction of the chip area and reduction of power consumption have been important issues. For example, in mobile communication devices such as mobile phones, signal modulation circuit ICs (integr
There is a demand for miniaturization and low power consumption of the ated circuit (Fig. 6).
【0004】携帯電話の場合、通常2〔GHz〕の搬送波
周波数に対して約 300〔KHz〕のバンド幅で伝送される
デイジタル信号を送受信するため、当該デイジタル信号
を送受信するπ/4位相シフト変調回路1を一段と小型
化かつ低消費電力にすることが望まれる。In the case of a mobile phone, since a digital signal normally transmitted with a bandwidth of about 300 [KHz] with respect to a carrier frequency of 2 [GHz] is transmitted and received, π / 4 phase shift modulation for transmitting and receiving the digital signal is performed. It is desired to further reduce the size of the circuit 1 and reduce the power consumption.
【0005】因みにπ/4位相シフト変調回路1は、周
波数2倍逓倍用ミキサ2に搬送波信号S1を入力すると
位相が 180°異なる2倍逓倍搬送信号S2及びS3に変
換すると共に、当該2倍逓倍搬送信号S2及びS3の周
波数を搬送周波数fに対して2倍に変調して出力するよ
うになされている。When the carrier signal S1 is input to the frequency doubling mixer 2, the π / 4 phase shift modulating circuit 1 converts the carrier signal S1 into the doubling carrier signals S2 and S3 which are different in phase by 180 °, and at the same time the doubling frequency is multiplied. The frequencies of the carrier signals S2 and S3 are doubled with respect to the carrier frequency f and output.
【0006】かかる後、1/2分周回路3及び4は、当
該2倍逓倍搬送信号S2及びS3の位相を1/2に分周
すると共に、位相変調された中間周波数信号S4(0°
位相)、S5( 180°位相)、S6(90°位相)及びS
7( 270°位相)をミキサ5及び6に供給し、高周波信
号S8及びS9に重畳して中間周波出力として出力する
ようになされている。After that, the 1/2 divider circuits 3 and 4 divide the phase of the double-multiplied carrier signals S2 and S3 into 1/2, and at the same time, the phase-modulated intermediate frequency signal S4 (0 °).
Phase), S5 (180 ° phase), S6 (90 ° phase) and S
7 (270 ° phase) is supplied to the mixers 5 and 6, superposed on the high frequency signals S8 and S9, and output as an intermediate frequency output.
【0007】また一般に信号処理回路に広く用いられる
位相同期PLL(phase locked loop )回路の場合に
も、π/4位相シフト変調回路1と同様、小型かつ低消
費電力であることが望ましい(図7)。Also in the case of a phase locked loop (PLL) circuit which is generally widely used in signal processing circuits, it is desirable that it is small and has low power consumption, like the π / 4 phase shift modulation circuit 1 (FIG. 7). ).
【0008】因みにPLL回路10は、局部発振信号S
10を位相比較器11に入力すると、ループフイルタ1
2を介して入力される電圧制御発振回路13の発振出力
S11の位相と当該局部発振信号S10の位相とを比較
し、比較出力をM進のプログラマブルカウンタ14及び
1/N分周回路15を順次介して局部発振信号S10の
整数倍(N×M倍)に分周した分周出力S12を出力す
るようになされている。Incidentally, the PLL circuit 10 uses the local oscillation signal S
When 10 is input to the phase comparator 11, the loop filter 1
2 compares the phase of the oscillation output S11 of the voltage controlled oscillation circuit 13 and the phase of the local oscillation signal S10, and outputs the comparison output to the M-ary programmable counter 14 and the 1 / N frequency dividing circuit 15 sequentially. The frequency-divided output S12 obtained by frequency-dividing the local oscillation signal S10 into an integral multiple (N × M multiples) is output via the local oscillation signal S10.
【0009】[0009]
【発明が解決しようとする課題】ところでπ/4位相シ
フト変調回路1やPLL回路10で周波数の変調やデー
タのクロツクへの同期に用いられる1/2分周回路3及
び4や1/N分周回路15として、従来は図8に示すよ
うなマスタ・スレーブ型フリツプフロツプ回路が一般に
用いられている。By the way, the 1/2 divider circuits 3 and 4 and 1 / N components used for frequency modulation and synchronization of data with the clock in the π / 4 phase shift modulator circuit 1 and the PLL circuit 10, respectively. As the circuit 15, conventionally, a master / slave flip-flop circuit as shown in FIG. 8 is generally used.
【0010】ここでマスタ・スレーブ型のフリツプフロ
ツプ回路20は、2入力ノアゲートN1〜N4で構成さ
れるマスタ・フリツプフロツプ回路21及び2入力ノア
ゲートN5〜N8で構成されるスレーブ・フリツプフロ
ツプ回路22で構成されている。因みに各2入力ノアゲ
ートN1〜N8は、図9に示すように、並列接続された
電界効果トランジスタQ1及びQ2のドレインに負荷抵
抗R1が接続されて構成されている。The master-slave flip-flop circuit 20 is composed of a master flip-flop circuit 21 composed of 2-input NOR gates N1 to N4 and a slave flip-flop circuit 22 composed of 2-input NOR gates N5 to N8. There is. Incidentally, each of the two-input NOR gates N1 to N8 is configured by connecting a load resistor R1 to the drains of the field effect transistors Q1 and Q2 connected in parallel, as shown in FIG.
【0011】ところがこのマスタ・スレーブ型のフリツ
プフロツプ回路20の場合、最高動作周波数はノアゲー
ト一段当たりの信号伝搬遅延時間〔tpd〕に対して4
段分(すなわちノアゲートN1−N3−N5−N7及び
ノアゲートN2−N4−N6−N8分)の遅延時間4
〔tpd〕の逆数となるため高速化を図る上で支障とな
つていた。However, in the master / slave flip-flop circuit 20, the maximum operating frequency is 4 with respect to the signal propagation delay time [tpd] per NOR gate.
Delay time of four stages (that is, NOR gates N1-N3-N5-N7 and NOR gates N2-N4-N6-N8) 4
Since it is the reciprocal of [tpd], it has been an obstacle to speeding up.
【0012】そこでさらに高速動作し得るフリツプフロ
ツプ回路として、図10に示すようなメモリ・セル型の
マスタ・スレーブ型フリツプフロツプ回路25が提案さ
れている。Therefore, as a flip-flop circuit which can operate at a higher speed, a memory cell type master-slave flip-flop circuit 25 as shown in FIG. 10 has been proposed.
【0013】ここで各フリツプフロツプ回路26及び2
7は、ゲートにクロツク信号CK及び反転クロツク信号
ICKを入力することにより電界効果トランジスタQ
5、Q6及びQ7、Q8をオン・オフ制御し、DCFL
(Direct Coupled Field effect transistor Logic)回
路のインバータI1、I2及びI3、I4で構成される
ラツチ回路でラツチされたデータをインバータI5、I
6及びI7、I8を介して後段にそれぞれ転送するよう
になされている。Here, each flip-flop circuit 26 and 2 is provided.
7 is a field effect transistor Q by inputting the clock signal CK and the inverted clock signal ICK to the gate.
ON / OFF control of 5, Q6 and Q7, Q8, DCFL
(Direct Coupled Field Effect Transistor Logic) circuit inverters I1, I2 and I3, I4, the latched data is latched by the inverter circuit I5, I
6 and I7 and I8 are transferred to the subsequent stages, respectively.
【0014】因みに各インバータI1〜I8は、図11
に示すように、電界効果トランジスタQ3のドレインに
負荷抵抗R2を接続することにより構成されている。こ
のフリツプフロツプ回路25の場合、最高動作周波数は
2段分(すなわちI5−I7及びI6−I8分)の遅延
時間2〔tpd〕の逆数となるため、フリツプフロツプ
回路20の場合に比して2倍で動作させることができる
が、インバータを8個接続しなければならないために消
費電力を十分小さくすることはできなかつた。Incidentally, each of the inverters I1 to I8 is shown in FIG.
As shown in, the load resistance R2 is connected to the drain of the field effect transistor Q3. In the case of the flip-flop circuit 25, the maximum operating frequency is the reciprocal of the delay time 2 [tpd] of two stages (that is, I5-I7 and I6-I8 minutes), and therefore is twice as large as that of the flip-flop circuit 20. Although it can be operated, the power consumption could not be sufficiently reduced because eight inverters had to be connected.
【0015】そこでさらに消費電力を小さくできるフリ
ツプフロツプ回路として、図12に示すような抵抗帰還
型のマスタ・スレーブ型フリツプフロツプ回路30が提
案されている。Therefore, as a flip-flop circuit capable of further reducing power consumption, a resistance feedback type master / slave flip-flop circuit 30 as shown in FIG. 12 has been proposed.
【0016】ここで各フリツプフロツプ回路31及び3
2は、ゲートにクロツク信号CK及び反転クロツク信号
ICKを入力することにより電界効果トランジスタQ
5、Q6及びQ7、Q8をオン・オフ制御し、DCFL
回路のインバータI5、I6及びI7、I8を介して後
段に転送される出力信号を抵抗R3、R4及びR5、R
6を介してインバータI6、I5及びI8、I7の入力
側に帰還するようになされている。Here, each flip-flop circuit 31 and 3 is provided.
2 receives the clock signal CK and the inverted clock signal ICK at its gate to input the field effect transistor Q.
ON / OFF control of 5, Q6 and Q7, Q8, DCFL
The output signal transferred to the subsequent stage via the inverters I5, I6 and I7, I8 of the circuit is transferred to the resistors R3, R4 and R5, R.
It is configured to feed back to the input side of the inverters I6, I5 and I8, I7 via 6.
【0017】このフリツプフロツプ回路30の場合、イ
ンバータが4個で済むためフリツプフロツプ回路20及
び25の場合に比して消費電力を1/2にすることがで
きる。ところが高速かつ低消費電力で小型の集積回路を
開発するためには、さらに低消費電力で使用素子数が少
なく、かつ回路規模の小さいフリツプフロツプ回路が望
まれている。In the flip-flop circuit 30, since the number of inverters required is four, the power consumption can be halved as compared with the flip-flop circuits 20 and 25. However, in order to develop a small-sized integrated circuit with high speed and low power consumption, a flip-flop circuit with lower power consumption, a smaller number of elements used, and a smaller circuit scale is desired.
【0018】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、従来に比して一段と小型かつ低消費電力のフリツプ
フロツプ回路を提案しようとするものである。The present invention has been made in consideration of the above points, and it is an object of the present invention to propose a flip-flop circuit which is much smaller and consumes less power than conventional ones.
【0019】[0019]
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、クロツクパルスCKが立ち上がる
タイミングで入力情報Dを第1のフリツプフロツプ回路
41に読み込み、続くクロツクパルスCKが立ち下がる
タイミングで第1のフリツプフロツプ回路41に蓄積さ
れた入力情報Dを後段の第2のフリツプフロツプ回路4
2に転送するマスタ・スレーブ型のフリツプフロツプ回
路40において、第1及び第2のフリツプフロツプ回路
41及び42は、電界効果トランジスタでなる第1及び
第2の転送ゲートQ41、Q42と、転送ゲートQ4
1、Q42を介して読み込まれた入力情報Dを蓄積する
第1及び第2のキヤパシタC1及びC2と、直結形電界
効果トランジスタ論理回路(DCFL:Direct Coupled
Field effect transistor Logic)で構成され、第1及
び第2のキヤパシタC1及びC2に蓄積された入力情報
Dを後段に反転して出力する第1及び第2のインバータ
I41、I42とを備えるようにする。In order to solve such a problem, in the present invention, the input information D is read into the first flip-flop circuit 41 at the timing when the clock pulse CK rises, and the first information is read at the timing when the following clock pulse CK falls. The input information D stored in the flip-flop circuit 41 is transferred to the second flip-flop circuit 4 in the subsequent stage.
In the master-slave flip-flop circuit 40 for transferring data to the first and second flip-flop circuits 40 and 41, the first and second flip-flop circuits 41 and 42 are the first and second transfer gates Q41 and Q42, which are field effect transistors, and the transfer gate Q4.
1, the first and second capacitors C1 and C2 for accumulating the input information D read via Q42, and a direct-coupled field effect transistor logic circuit (DCFL: Direct Coupled).
Field effect transistor Logic), and is provided with first and second inverters I41 and I42 for inverting and outputting the input information D stored in the first and second capacitors C1 and C2 in the subsequent stage. ..
【0020】[0020]
【作用】電界効果トランジスタでなる第1及び第2の転
送ゲートQ41、Q42と第1及び第2のキヤパシタC
1及びC2によつて第1及び第2のフリツプフロツプ回
路のラツチ部をダイナミツクランダムメモリセルで構成
し、当該ラツチ部に蓄積された入力情報Dを直結形電界
効果トランジスタ論理回路(DCFL:Direct Coupled
Field effect transistor Logic)で構成される第1及
び第2のインバータI41、I42を介して出力するこ
とにより、フリツプフロツプ回路を従来に比して一段と
小型かつ低消費電力で高周波動作させることができる。The first and second transfer gates Q41 and Q42 and the first and second capacitors C which are field effect transistors.
1 and C2, the latch portions of the first and second flip-flop circuits are composed of dynamic random memory cells, and the input information D stored in the latch portions is used for the direct connection field effect transistor logic circuit (DCFL: Direct Coupled).
By outputting through the first and second inverters I41 and I42 formed of field effect transistor logic, the flip-flop circuit can be operated in a high frequency with a further smaller size and lower power consumption than the conventional one.
【0021】[0021]
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
【0022】図1においてマスタ・スレーブ型フリツプ
フロツプ回路40は、電界効果トランジスタQ41、コ
ンデンサC1及びDCFL回路のインバータI41で構
成されるマスタ・フリツプフロツプ回路41及び電界効
果トランジスタQ42、コンデンサC2及びDCFL回
路のインバータI42で構成されるスレーブ・フリツプ
フロツプ回路42により構成されるようになされてい
る。In FIG. 1, a master-slave flip-flop circuit 40 is composed of a field-effect transistor Q41, a capacitor C1 and an inverter I41 of a DCFL circuit, and a master-flip-flop circuit 41 and a field-effect transistor Q42, a capacitor C2 and an inverter of the DCFL circuit. It is configured by a slave flip-flop circuit 42 configured by I42.
【0023】ここで転送ゲート用の電界効果トランジス
タQ41及びQ42はそれぞれコンデンサC1及びC2
によりDRAM(Dynamic randam access memory)のメ
モリセルを構成するようになされており、各ゲートに供
給されるクロツク信号CK及び反転クロツク信号ICK
によつてコンデンサC1及びC2にデータD1及びD2
をラツチするようになされている。The field effect transistors Q41 and Q42 for the transfer gates are capacitors C1 and C2, respectively.
In this way, a memory cell of a DRAM (Dynamic Random Access Memory) is configured, and a clock signal CK and an inverted clock signal ICK supplied to each gate.
The data D1 and D2 to the capacitors C1 and C2.
It is designed to latch.
【0024】すなわちマスタ・フリツプフロツプ回路4
1は、クロツク信号CKが立ち上がるタイミングで、新
たな入力データD1を電界効果トランジスタQ41を介
してコンデンサC1に転送すると共に、新たに格納され
たラツチデータD2をインバータI41を介してスレー
ブに新たにラツチされたラツチデータD2を出力する。
またマスタ・フリツプフロツプ回路41は、クロツク信
号CKが立ち下がるタイミングで、電界効果トランジス
タQ41をオフ動作し、コンデンサC1に保持されてい
るラツチデータD2をスレーブ側に転送するようになさ
れている。That is, the master flip-flop circuit 4
1 transfers new input data D1 to the capacitor C1 via the field effect transistor Q41 at the timing of rising of the clock signal CK, and newly stored latch data D2 is newly latched by the slave via the inverter I41. Output latch data D2.
Further, the master flip-flop circuit 41 is adapted to turn off the field effect transistor Q41 at the timing when the clock signal CK falls to transfer the latch data D2 held in the capacitor C1 to the slave side.
【0025】同様にスレーブ・フリツプフロツプ回路4
2は、クロツク信号ICKが立ち上がるタイミングで、
マスタ・フリツプフロツプ回路41から入力されるラツ
チデータD2をコンデンサC2に転送すると共に、当該
ラツチデータD2をインバータI42を介してラツチデ
ータD3として出力するようになされている。またスレ
ーブ・フリツプフロツプ回路42は、クロツク信号IC
Kが立ち下がるタイミングで、電界効果トランジスタQ
42をオフ動作し、コンデンサC2に保持されているラ
ツチデータD3を後段に転送するようになされている。Similarly, the slave flip-flop circuit 4
2 is the timing when the clock signal ICK rises,
The latch data D2 input from the master flip-flop circuit 41 is transferred to the capacitor C2, and the latch data D2 is output as the latch data D3 via the inverter I42. Further, the slave flip-flop circuit 42 uses a clock signal IC
At the timing when K falls, the field effect transistor Q
42 is turned off, and the latch data D3 held in the capacitor C2 is transferred to the subsequent stage.
【0026】以上の構成において、フリツプ・フロツプ
回路40のデータ出力D3をインバータI43を介して
マスタ・フリツプフロツプ41の入力側に帰還すること
により(図2)、1/2分周回路として動作するフリツ
プ・フロツプ回路40の論理動作をシユミレーシヨンす
る。In the above construction, the data output D3 of the flip-flop circuit 40 is fed back to the input side of the master flip-flop 41 via the inverter I43 (FIG. 2), so that the flip-flop circuit operates as a 1/2 divider circuit. -Simulating the logical operation of the flopping circuit 40.
【0027】ここで電界効果トランジスタQ41及びQ
42は、それぞれエンハンストメント型ガリウムひ素の
接合形電界効果トランジスタ(J−FET)とすると共
に、ゲート幅を8〔μm〕、しきい値電圧VTHを0.26
〔V〕及び相互インダクタンスgm を 400〔mS/mm〕と
する。Here, the field effect transistors Q41 and Q
42 are enhancement type gallium arsenide junction type field effect transistors (J-FETs), and have a gate width of 8 [μm] and a threshold voltage V TH of 0.26.
[V] and mutual inductance g m are set to 400 [mS / mm].
【0028】またコンデンサC1及びC2の容量は20
〔pF〕とし、各インバータI41及びI42はそれぞれ
図3(A)に示すように、ゲート幅が40〔μm〕のエン
ハンストメント型ガリウムひ素のJ−FETと抵抗値が
40〔Ω〕の負荷抵抗R41で構成する。The capacitors C1 and C2 have a capacitance of 20.
As shown in FIG. 3 (A), each of the inverters I41 and I42 has an enhancement type gallium arsenide J-FET with a gate width of 40 [μm] and a resistance value of
The load resistance R41 is 40 [Ω].
【0029】さらにクロツク信号CKをマスタ・フリツ
プフロツプ41に供給するインバータI44、I45及
び反転クロツク信号ICKをスレーブ・フリツプフロツ
プ42に供給するインバータI46、I47、またスレ
ーブ側の出力をマスタ側に帰還するインバータI43は
それぞれ図3(B)に示すように、ゲート幅が8〔μ
m〕のエンハンストメント型ガリウムひ素のJ−FET
と抵抗値が1〔kΩ〕の負荷抵抗R42で構成する。Further, inverters I44 and I45 for supplying the clock signal CK to the master flip-flop 41, inverters I46 and I47 for supplying the inverted clock signal ICK to the slave flip-flop 42, and an inverter I43 for feeding back the output of the slave side to the master side. As shown in FIG. 3B, each has a gate width of 8 [μ
[m] enhancement type gallium arsenide J-FET
And a load resistor R42 having a resistance value of 1 [kΩ].
【0030】ここでフリツプフロツプ回路40に2〔G
Hz〕のクロツク信号CK及び 180°位相のずれた反転ク
ロツク信号ICKを入力すると(図4(A))、出力端
からは図4(B)に示すように、クロツク信号CKを1
/2に分周した分周出力が出力され、2〔GHz〕という
高周波数帯域で1/2分周回路として動作することが分
かる。Here, the flip-flop circuit 40 is set to 2 [G
Hz] and the inverted clock signal ICK with a phase difference of 180 ° (FIG. 4 (A)), the clock signal CK is set to 1 from the output end as shown in FIG. 4 (B).
It can be seen that the frequency-divided output divided by / 2 is output and operates as a 1/2 frequency-dividing circuit in a high frequency band of 2 [GHz].
【0031】またフリツプフロツプ回路40の消費電力
は、DCFL回路のインバータI41及びI42の2個
分で済むため、従来のフリツプフロツプ回路20(図
8)の消費電力の約1/4にすることができ、さらにフ
リツプフロツプ回路30(図12)の消費電力と比べて
も約1/2に低減することができる。Further, the power consumption of the flip-flop circuit 40 can be reduced to about 1/4 of the power consumption of the conventional flip-flop circuit 20 (FIG. 8) because it requires only two inverters I41 and I42 of the DCFL circuit. Further, the power consumption of the flip-flop circuit 30 (FIG. 12) can be reduced to about 1/2.
【0032】因みにインバータI41及びI42の消費
電力を小さく設定しても当該フリツプフロツプ回路40
は正常に動作し、フリツプフロツプ回路40全体の消費
電力は約 0.3〔mW〕と従来に比して約一桁小さくする
ことができる。By the way, even if the power consumption of the inverters I41 and I42 is set small, the flip-flop circuit 40 is concerned.
Operates normally, and the total power consumption of the flip-flop circuit 40 is about 0.3 [mW], which can be reduced by about one digit compared with the conventional one.
【0033】またマスタ及びスレーブ・フリツプフロツ
プ回路による消費電力は、図5において黒丸で示すよう
に、同程度の動作周波数を有する従来のマスタ・フリツ
プフロツプ回路の消費電力(図5において白丸で示す)
に比して格段的に小さくなる。As for the power consumption by the master and slave flip-flop circuits, as shown by the black circles in FIG. 5, the power consumption of the conventional master flip-flop circuit having the same operating frequency (shown by white circles in FIG. 5).
It is much smaller than.
【0034】以上の構成によれば、マスタ・フリツプフ
ロツプ回路41とスレーブ・フリツプフロツプ回路42
をそれぞれDRAMのメモリセルとDCFL回路のイン
バータで構成し、各電界効果トランジスタのゲートをク
ロツク信号CK及び反転クロツク信号ICKでオン・オ
フ制御することにより、従来に比して素子数が少ないた
め小型で、かつ一段と低消費電力のフリツプフロツプ回
路を得ることができる。According to the above configuration, the master flip-flop circuit 41 and the slave flip-flop circuit 42.
Each is composed of a DRAM memory cell and a DCFL circuit inverter, and the gate of each field effect transistor is controlled to be turned on / off by a clock signal CK and an inverted clock signal ICK, so that the number of elements is smaller than in the past, and thus the size is small. Thus, it is possible to obtain a flip-flop circuit with much lower power consumption.
【0035】なお上述の実施例においては、マスタ及び
スレーブ・フリツプフロツプ回路41及び42の転送ゲ
ート用のトランジスタQ41及びQ42のソースに接続
されたコンデンサC1及びC2に入力信号をラツチする
場合について述べたが、本発明はこれに限らず、伝送線
路に寄生する容量を用いて入力信号をラツチするように
しても良い。このようにすれば一段と素子数を削減する
ことができる。In the above embodiment, the case where the input signal is latched to the capacitors C1 and C2 connected to the sources of the transistors Q41 and Q42 for the transfer gates of the master and slave flip-flop circuits 41 and 42 has been described. However, the present invention is not limited to this, and the input signal may be latched using the capacitance parasitic on the transmission line. By doing so, the number of elements can be further reduced.
【0036】また上述の実施例においては、マスタ・ス
レーブ型フリツプフロツプ回路40を1/2分周回路4
3として使用する場合について述べたが、本発明はこれ
に限らず、他の分周回路や同期回路等にも広く適用し得
る。Further, in the above embodiment, the master / slave flip-flop circuit 40 is divided into 1/2 frequency dividing circuit 4.
However, the present invention is not limited to this and can be widely applied to other frequency dividing circuits, synchronizing circuits, and the like.
【0037】[0037]
【発明の効果】上述のように本発明によれば、第1及び
第2のフリツプフロツプ回路のラツチ部を電界効果トラ
ンジスタでなる転送ゲートとキヤパシタで構成し、当該
キヤパシタに蓄積された入力情報を直結形電界効果トラ
ンジスタ論理回路でなるインバータを介して転送するこ
とにより、低消費電力で高速動作するフリツプフロツプ
回路を従来に比して一段と少ない素子数で実現すること
ができる。As described above, according to the present invention, the latch sections of the first and second flip-flop circuits are composed of transfer gates and capacitors which are field effect transistors, and the input information stored in the capacitors is directly connected. A flip-flop circuit that operates at high speed with low power consumption can be realized with a much smaller number of elements than in the conventional case by transferring data through an inverter formed of a field effect transistor logic circuit.
【図1】本発明によるフリツプフロツプ回路により構成
されるマスタ・スレーブ型フリツプフロツプ回路の一実
施例を示す接続図である。FIG. 1 is a connection diagram showing an embodiment of a master / slave type flip-flop circuit configured by a flip-flop circuit according to the present invention.
【図2】本発明によるフリツプフロツプ回路により構成
される1/2分周回路を示す接続図である。FIG. 2 is a connection diagram showing a 1/2 frequency dividing circuit configured by a flip-flop circuit according to the present invention.
【図3】本発明によるフリツプフロツプ回路を構成する
インバータの説明に供する接続図である。FIG. 3 is a connection diagram for explaining an inverter that constitutes a flip-flop circuit according to the present invention.
【図4】1/2分周回路の動作特性の説明に供する入出
力特性曲線図である。FIG. 4 is an input / output characteristic curve diagram for explaining the operation characteristic of the 1/2 frequency dividing circuit.
【図5】本発明によるフリツプフロツプ回路の動作特性
の説明に供する特性曲線図である。FIG. 5 is a characteristic curve diagram for explaining operating characteristics of the flip-flop circuit according to the present invention.
【図6】π/4移相シフト変調回路の構成を示す接続図
である。FIG. 6 is a connection diagram showing a configuration of a π / 4 phase shift shift modulation circuit.
【図7】PLL回路の構成を示す接続図である。FIG. 7 is a connection diagram showing a configuration of a PLL circuit.
【図8】従来のマスタ・スレーブ型フリツプフロツプ回
路を示す接続図である。FIG. 8 is a connection diagram showing a conventional master-slave flip-flop circuit.
【図9】ノアゲートの構成を示す接続図である。FIG. 9 is a connection diagram showing a configuration of a NOR gate.
【図10】従来の高速動作用マスタ・スレーブ型フリツ
プフロツプ回路を示す接続図である。FIG. 10 is a connection diagram showing a conventional master / slave flip-flop circuit for high-speed operation.
【図11】そのインバータ回路の構成を示す接続図であ
る。FIG. 11 is a connection diagram showing a configuration of the inverter circuit.
【図12】従来の低消費電力用マスタ・スレーブ型フリ
ツプフロツプ回路を示す接続図である。FIG. 12 is a connection diagram showing a conventional master / slave type flip-flop circuit for low power consumption.
【符号の説明】 40……マスタ・スレーブ型フリツプフロツプ回路、4
1、42……フリツプフロツプ回路、43……1/2分
周回路、Q41、Q42……電界効果トランジスタ、C
1、C2……コンデンサ、I41、I42……インバー
タ。[Explanation of reference numerals] 40 ... Master / slave flip-flop circuit, 4
1, 42 ... Flip-flop circuit, 43 ... 1/2 divider circuit, Q41, Q42 ... Field-effect transistor, C
1, C2 ... Capacitor, I41, I42 ... Inverter.
─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成4年4月17日[Submission date] April 17, 1992
【手続補正1】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】請求項1[Name of item to be corrected] Claim 1
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【手続補正2】[Procedure Amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0010[Correction target item name] 0010
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0010】ここでマスタ・スレーブ型のフリツプフロ
ツプ回路20は、2入力ノアゲートN1〜N4で構成さ
れるマスタ・ラツチ回路21及び2入力ノアゲートN5
〜N8で構成されるスレーブ・ラツチ回路22で構成さ
れている。因みに各2入力ノアゲートN1〜N8は、図
9に示すように、並列接続された電界効果トランジスタ
Q1及びQ2のドレインに負荷抵抗R1が接続されて構
成されている。The master-slave flip-flop circuit 20 comprises a master latch circuit 21 composed of 2-input NOR gates N1 to N4 and a 2-input NOR gate N5.
.About.N8 in the slave latch circuit 22. Incidentally, each of the two-input NOR gates N1 to N8 is configured by connecting a load resistor R1 to the drains of the field effect transistors Q1 and Q2 connected in parallel, as shown in FIG.
【手続補正3】[Procedure 3]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0016[Correction target item name] 0016
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0016】ここで各ラツチ回路31及び32は、ゲー
トにクロツク信号CK及び反転クロツク信号ICKを入
力することにより電界効果トランジスタQ5、Q6及び
Q7、Q8をオン・オフ制御し、DCFL回路のインバ
ータI5、I6及びI7、I8を介して後段に転送され
る出力信号を抵抗R3、R4及びR5、R6を介してイ
ンバータI6、I5及びI8、I7の入力側に帰還する
ようになされている。Here, each latch circuit 31 and 32 controls ON / OFF of the field effect transistors Q5, Q6 and Q7, Q8 by inputting the clock signal CK and the inverted clock signal ICK to the gates thereof, and the inverter I5 of the DCFL circuit. , I6 and I7 and I8, the output signal transferred to the subsequent stage is fed back to the input side of the inverters I6, I5 and I8 and I7 via the resistors R3, R4 and R5 and R6.
【手続補正4】[Procedure amendment 4]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0019[Name of item to be corrected] 0019
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0019】[0019]
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、クロツクパルスCKが立ち上がる
タイミングで入力情報Dを第1のラツチ回路41に読み
込み、続くクロツクパルスCKが立ち下がるタイミング
で第1のラツチ回路41に蓄積された入力情報Dを後段
の第2のラツチ回路42に転送するマスタ・スレーブ型
のフリツプフロツプ回路40において、第1及び第2の
ラツチ回路41及び42は、電界効果トランジスタでな
る第1及び第2の転送ゲートQ41、Q42と、転送ゲ
ートQ41、Q42を介して読み込まれた入力情報Dを
蓄積する第1及び第2のキヤパシタC1及びC2と、直
結形電界効果トランジスタ論理回路(DCFL:Dir
ectCoupled Field effect t
ransistor Logc)で構成され、第1及び
第2のキヤパシタC1及びC2に蓄積された入力情報D
を後段に反転して出力する第1及び第2のインバータI
41、I42とを備えるようにする。In order to solve such a problem, according to the present invention, the input information D is read into the first latch circuit 41 at the timing when the clock pulse CK rises, and the first information is read at the timing when the following clock pulse CK falls. In the master-slave flip-flop circuit 40 that transfers the input information D stored in the latch circuit 41 to the second latch circuit 42 in the subsequent stage, the first and second latch circuits 41 and 42 are field effect transistors. First and second transfer gates Q41 and Q42, first and second capacitors C1 and C2 for accumulating the input information D read through the transfer gates Q41 and Q42, and a direct connection field effect transistor logic circuit ( DCFL: Dir
ectCoupled Field effect t
input information D stored in the first and second capacitors C1 and C2.
And a second inverter I for inverting and outputting
41 and I42.
【手続補正5】[Procedure Amendment 5]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0020[Correction target item name] 0020
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0020】[0020]
【作用】電界効果トランジスタでなる第1及び第2の転
送ゲートQ41、Q42と第1及び第2のキヤパシタC
1及びC2によつてフリツプフロツプ回路の第1及び第
2のラツチ部をダイナミツクランダムアクセスメモリの
メモリセルで構成し、当該ラツチ部に蓄積された入力情
報Dを直結形電界効果トランジスタ論理回路(DCF
L:Direct Coupled Field ef
fect transistor Logc)で構成さ
れる第1及び第2のインバータI41、I42を介して
出力することにより、フリツプフロツプ回路を従来に比
して一段と小型かつ低消費電力で高周波動作させること
ができる。The first and second transfer gates Q41 and Q42 and the first and second capacitors C which are field effect transistors.
1 and C2 provide the first and second flip-flop circuits.
The latch section of No. 2 is composed of a memory cell of a dynamic random access memory, and the input information D stored in the latch section is used as a direct connection field effect transistor logic circuit (DCF).
L: Direct Coupled Field ef
By outputting through the first and second inverters I41 and I42 composed of a correct transistor Logc), the flip-flop circuit can be operated in a higher frequency with a smaller size and lower power consumption than the conventional flip-flop circuit.
【手続補正6】[Procedure correction 6]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0022[Name of item to be corrected] 0022
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0022】図1においてマスタ・スレーブ型フリツプ
フロツプ回路40は、電界効果トランジスタQ41、コ
ンデンサC1及びDCFL回路のインバータI41で構
成されるマスタ・ラツチ回路41及び電界効果トランジ
スタQ42、コンデンサC2及びDCFL回路のインバ
ータI42で構成されるスレーブ・ラツチ回路42によ
り構成されるようになされている。In FIG. 1, a master-slave flip-flop circuit 40 comprises a master latch circuit 41 composed of a field effect transistor Q41, a capacitor C1 and an inverter I41 of a DCFL circuit and a field effect transistor Q42, a capacitor C2 and an inverter of a DCFL circuit. It is configured by a slave latch circuit 42 configured by I42.
【手続補正7】[Procedure Amendment 7]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0024[Correction target item name] 0024
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0024】すなわちマスタ・ラツチ回路41は、クロ
ツク信号CKが立ち上がるタイミングで、新たな入力デ
ータD1を電界効果トランジスタQ41を介してコンデ
ンサC1に転送すると共に、新たに格納されたラツチデ
ータD2をインバータI41を介してスレーブに新たに
ラツチされたラツチデータD2を出力する。またマスタ
・ラツチ回路41は、クロツク信号CKが立ち下がるタ
イミングで、電界効果トランジスタQ41をオフ動作
し、コンデンサC1に保持されているラツチデータD2
をスレーブ側に転送するようになされている。That is, the master latch circuit 41 transfers new input data D1 to the capacitor C1 via the field effect transistor Q41 at the timing when the clock signal CK rises, and at the same time stores the newly stored latch data D2 in the inverter I41. The latched latch data D2 is newly output to the slave via the slave. Further, the master latch circuit 41 turns off the field effect transistor Q41 at the timing when the clock signal CK falls, and the latch data D2 held in the capacitor C1.
Is transferred to the slave side.
【手続補正8】[Procedure Amendment 8]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0025[Name of item to be corrected] 0025
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0025】同様にスレーブ・ラツチ回路42は、クロ
ツク信号ICKが立ち上がるタイミングで、マスタ・ラ
ツチ回路41から入力されるラツチデータD2をコンデ
ンサC2に転送すると共に、当該ラツチデータD2をイ
ンバータI42を介してラツチデータD3として出力す
るようになされている。またスレーブ・ラツチ回路42
は、クロツク信号ICKが立ち下がるタイミングで、電
界効果トランジスタQ42をオフ動作し、コンデンサC
2に保持されているラツチデータD3を後段に転送する
ようになされている。[0025] Similarly slave latch circuit 42 at the timing when the clock signal ICK rises, the master-La
The latch data D2 input from the latch circuit 41 is transferred to the capacitor C2, and the latch data D2 is output as the latch data D3 via the inverter I42. The slave latch circuit 42
Turns off the field effect transistor Q42 at the timing when the clock signal ICK falls, and the capacitor C
The latch data D3 held in No. 2 is transferred to the subsequent stage.
【手続補正9】[Procedure Amendment 9]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0026[Correction target item name] 0026
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0026】以上の構成において、フリツプ・フロツプ
回路40のデータ出力D3をインバータI43を介して
マスタ・ラツチ41の入力側に帰還することにより(図
2)、1/2分周回路として動作するフリツプ・フロツ
プ回路40の論理動作をシユミレーシヨンする。In the above construction, the data output D3 of the flip-flop circuit 40 is fed back to the input side of the master latch 41 via the inverter I43 (FIG. 2), thereby operating as a 1/2 frequency divider circuit. -Simulating the logical operation of the flopping circuit 40.
【手続補正10】[Procedure Amendment 10]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0028[Correction target item name] 0028
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0028】またコンデンサC1及びC2の容量は20
〔pF〕とし、各インバータI41及びI42はそれぞ
れ図3(A)に示すように、ゲート幅が40〔μm〕の
エンハンストメント型ガリウムひ素のJ−FETと抵抗
値が4〔kΩ〕の負荷抵抗R41で構成する。The capacitors C1 and C2 have a capacitance of 20.
As shown in FIG. 3A, each of the inverters I41 and I42 has an enhancement type gallium arsenide J-FET having a gate width of 40 [μm] and a load resistance of 4 [kΩ] . It consists of R41.
【手続補正11】[Procedure Amendment 11]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0033[Correction target item name] 0033
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0033】また当該フリツプフロツプ回路による消費
電力は、図5において黒丸で示すように、同程度の動作
周波数を有する従来のマスタ・スレーブ型フリツプフロ
プ回路の消費電力(図5において白丸で示す)に比して
格段的に小さくなる。Further power consumption by the flip-flop circuit, as shown by black dots in FIG. 5, in the power consumption (Figure 5 of a conventional master-slave type Furitsupufuro <br/> flop circuit having an operating frequency of comparable white circles Markedly smaller than
【手続補正12】[Procedure Amendment 12]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0034[Correction target item name] 0034
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0034】以上の構成によれば、マスタ・ラツチ回路
41とスレーブ・ラツチ回路42をそれぞれDRAMの
メモリセルとDCFL回路のインバータで構成し、各電
界効果トランジスタのゲートをクロツク信号CK及び反
転クロツク信号ICKでオン・オフ制御することによ
り、従来に比して素子数が少ないため小型で、かつ一段
と低消費電力のフリツプフロツプ回路を得ることができ
る。According to the above construction, the master latch circuit 41 and the slave latch circuit 42 are respectively constituted by the memory cell of the DRAM and the inverter of the DCFL circuit, and the gate of each field effect transistor is provided with the clock signal CK and the inverted clock signal. By performing on / off control with the ICK, the number of elements is smaller than in the conventional case, so that a flip-flop circuit that is small and consumes much less power can be obtained.
【手続補正13】[Procedure Amendment 13]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0035[Correction target item name] 0035
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0035】なお上述の実施例においては、マスタ及び
スレーブ・ラツチ回路41及び42の転送ゲート用のト
ランジスタQ41及びQ42のソースに接続されたコン
デンサC1及びC2に入力信号をラツチする場合につい
て述べたが、本発明はこれに限らず、伝送線路に寄生す
る容量を用いて入力信号をラツチするようにしても良
い。このようにすれば一段と素子数を削減することがで
きる。In the above embodiment, the case where the input signal is latched to the capacitors C1 and C2 connected to the sources of the transistors Q41 and Q42 for the transfer gates of the master and slave latch circuits 41 and 42 has been described. However, the present invention is not limited to this, and the input signal may be latched using the capacitance parasitic on the transmission line. By doing so, the number of elements can be further reduced.
【手続補正14】[Procedure Amendment 14]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0037[Name of item to be corrected] 0037
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0037】[0037]
【発明の効果】上述のように本発明によれば、マスタ・
スレーブ型フリツプフロツプ回路のラツチ部を電界効果
トランジスタでなる転送ゲートとキヤパシタで構成し、
当該キヤパシタに蓄積された入力情報を直結形電界効果
トランジスタ論理回路でなるインバータを介して転送す
ることにより、低消費電力で高速動作するフリツプフロ
ツプ回路を従来に比して一段と少ない素子数で実現する
ことができる。As described above, according to the present invention, the master
The latch part of the slave flip-flop circuit is composed of a transfer gate consisting of a field effect transistor and a capacitor.
A flip-flop circuit that operates at high speed with low power consumption can be realized with a much smaller number of elements than before by transferring the input information accumulated in the capacitor via an inverter composed of a direct-coupled field effect transistor logic circuit. You can
【手続補正15】[Procedure Amendment 15]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】図面の簡単な説明[Name of item to be corrected] Brief description of the drawing
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図1】本発明によるラツチ回路により構成されるマス
タ・スレーブ型フリツプフロツプ回路の一実施例を示す
接続図である。FIG. 1 is a connection diagram showing an embodiment of a master-slave flip-flop circuit configured by a latch circuit according to the present invention.
【図2】本発明によるフリツプフロツプ回路により構成
される1/2分周回路を示す接続図である。FIG. 2 is a connection diagram showing a 1/2 frequency dividing circuit configured by a flip-flop circuit according to the present invention.
【図3】本発明によるフリツプフロツプ回路を構成する
インバータの説明に供する接続図である。FIG. 3 is a connection diagram for explaining an inverter that constitutes a flip-flop circuit according to the present invention.
【図4】1/2分周回路の動作特性の説明に供する入出
力特性曲線図である。FIG. 4 is an input / output characteristic curve diagram for explaining the operation characteristic of the 1/2 frequency dividing circuit.
【図5】本発明によるフリツプフロツプ回路の動作特性
の説明に供する特性曲線図である。FIG. 5 is a characteristic curve diagram for explaining operating characteristics of the flip-flop circuit according to the present invention.
【図6】π/4移相シフト変調回路の構成を示す接続図
である。FIG. 6 is a connection diagram showing a configuration of a π / 4 phase shift shift modulation circuit.
【図7】PLL回路の構成を示す接続図である。FIG. 7 is a connection diagram showing a configuration of a PLL circuit.
【図8】従来のマスタ・スレーブ型フリツプフロツプ回
路を示す接続図である。FIG. 8 is a connection diagram showing a conventional master-slave flip-flop circuit.
【図9】ノアゲートの構成を示す接続図である。FIG. 9 is a connection diagram showing a configuration of a NOR gate.
【図10】従来の高速動作用マスタ・スレーブ型フリツ
プフロツプ回路を示す接続図である。FIG. 10 is a connection diagram showing a conventional master / slave flip-flop circuit for high-speed operation.
【図11】そのインバータ回路の構成を示す接続図であ
る。FIG. 11 is a connection diagram showing a configuration of the inverter circuit.
【図12】従来の低消費電力用マスタ・スレーブ型フリ
ツプフロツプ回路を示す接続図である。FIG. 12 is a connection diagram showing a conventional master / slave type flip-flop circuit for low power consumption.
【符号の説明】 40……マスタ・スレーブ型フリツプフロツプ回路、4
1、42……ラツチ回路、43……1/2分周回路、Q
41、Q42……電界効果トランジスタ、C1、C2…
…コンデンサ、I41、I42……インバータ、[Explanation of reference numerals] 40 ... Master / slave flip-flop circuit, 4
1,42 ...... latch circuit, 43 ...... 1/2 frequency divider, Q
41, Q42 ... Field effect transistor, C1, C2 ...
… Capacitors, I41, I42… Inverters,
Claims (1)
入力情報を第1のフリツプフロツプ回路に読み込み、続
くクロツクパルスが立ち下がるタイミングで上記第1の
フリツプフロツプ回路に蓄積された入力情報を後段の第
2のフリツプフロツプ回路に転送するマスタ・スレーブ
型のフリツプフロツプ回路において、 上記第1及び第2のフリツプフロツプ回路は、電界効果
トランジスタでなる第1及び第2の転送ゲートと、 上記転送ゲートを介して読み込まれた上記入力情報を蓄
積する第1及び第2のキヤパシタと、 直結形電界効果トランジスタ論理回路で構成され、上記
第1及び第2のキヤパシタに蓄積された上記入力情報を
後段に反転して出力する第1及び第2のインバータとを
具えることを特徴とするフリツプフロツプ回路。1. The input information is read into a first flip-flop circuit at the timing when a clock pulse rises, and the input information accumulated in the first flip-flop circuit is transferred to a second flip-flop circuit at a subsequent stage at the timing when a subsequent clock pulse falls. In the master-slave flip-flop circuit, the first and second flip-flop circuits store the first and second transfer gates, which are field effect transistors, and the input information read through the transfer gate. A first and a second capacitor which are connected to each other, and a direct connection type field effect transistor logic circuit, and the first and second outputs which invert the input information accumulated in the first and the second capacitors to a later stage and output the inverted information. A flip-flop circuit characterized by comprising an inverter.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4041922A JPH05218814A (en) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | Flip-flop circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4041922A JPH05218814A (en) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | Flip-flop circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05218814A true JPH05218814A (en) | 1993-08-27 |
Family
ID=12621743
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4041922A Pending JPH05218814A (en) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | Flip-flop circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05218814A (en) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11127060A (en) * | 1997-10-23 | 1999-05-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Short-period storage circuit, drive circuit for semiconductor device and its drive method |
US6717151B2 (en) | 2000-07-10 | 2004-04-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus |
US7071980B2 (en) | 2000-07-27 | 2006-07-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing apparatus |
JP2007052432A (en) * | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Samsung Sdi Co Ltd | Organic electroluminescence display device, light emission control drive device, and logical sum circuit |
KR100818071B1 (en) * | 2000-12-27 | 2008-03-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | Flip-flop circuit |
JP2012257218A (en) * | 2011-05-19 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Circuit and driving method for circuit |
JP2015065650A (en) * | 2013-08-30 | 2015-04-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Memory circuit and semiconductor device |
-
1992
- 1992-01-31 JP JP4041922A patent/JPH05218814A/en active Pending
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11127060A (en) * | 1997-10-23 | 1999-05-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Short-period storage circuit, drive circuit for semiconductor device and its drive method |
EP2278791A2 (en) | 2000-07-10 | 2011-01-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus |
US6717151B2 (en) | 2000-07-10 | 2004-04-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus |
US7920195B2 (en) | 2000-07-27 | 2011-04-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing apparatus having an effective pixel area |
US7630010B2 (en) | 2000-07-27 | 2009-12-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing apparatus having an adding circuit to provide a one-pixel signal from a plurality of photoelectric conversion sections |
US7639295B2 (en) | 2000-07-27 | 2009-12-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing apparatus |
EP2290952A2 (en) | 2000-07-27 | 2011-03-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing apparatus |
US7071980B2 (en) | 2000-07-27 | 2006-07-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing apparatus |
US8531568B2 (en) | 2000-07-27 | 2013-09-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing apparatus with shielding for unit blocks of a common processing circuit of plural pixels |
KR100818071B1 (en) * | 2000-12-27 | 2008-03-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | Flip-flop circuit |
JP2007052432A (en) * | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Samsung Sdi Co Ltd | Organic electroluminescence display device, light emission control drive device, and logical sum circuit |
JP2012257218A (en) * | 2011-05-19 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Circuit and driving method for circuit |
US9444457B2 (en) | 2011-05-19 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Circuit and method of driving the same |
JP2015065650A (en) * | 2013-08-30 | 2015-04-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Memory circuit and semiconductor device |
US10164612B2 (en) | 2013-08-30 | 2018-12-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Storage circuit and semiconductor device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4843254A (en) | Master-slave flip-flop circuit with three phase clocking | |
US6417711B2 (en) | High speed latch and flip-flop | |
US4606059A (en) | Variable frequency divider | |
US5508648A (en) | Differential latch circuit | |
US20060280278A1 (en) | Frequency divider circuit with a feedback shift register | |
US11509294B2 (en) | Reduced area, reduced power flip-flop | |
US20030080793A1 (en) | Flip-flops and clock generators that utilize differential signals to achieve reduced setup times and clock latency | |
JPH05218814A (en) | Flip-flop circuit | |
US5748018A (en) | Data transfer system for an integrated circuit, capable of shortening a data transfer cycle | |
US5212411A (en) | Flip-flop circuit having cmos hysteresis inverter | |
US6522184B2 (en) | Flip-flop circuit | |
EP1020031B1 (en) | Integrated circuit | |
EP0328339B1 (en) | Frequency-dividing circuit | |
EP0744833A2 (en) | A flip-flop | |
JP2560698B2 (en) | Latch circuit | |
JPH08195650A (en) | Master slave system flip-flop circuit | |
CN112003615A (en) | Frequency divider circuit, multimode frequency divider, phase locked loop circuit and cable | |
WO2000072443A2 (en) | Multifrequency low-power oscillator for telecommunication ic's | |
US20040051575A1 (en) | Flip flop, shift register, and operating method thereof | |
JP2936474B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
EP0899878B1 (en) | A toggle flip-flop with a reduced integration area | |
JPH1188140A (en) | Semiconductor integrated circuit low in power consumption | |
JPH06140885A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
KR100333664B1 (en) | Stable D flip flop in high speed operation | |
JP2733861B2 (en) | External synchronous programmable device |