JPH05218644A

JPH05218644A - 多層プリント配線板の製造方法

Info

Publication number: JPH05218644A
Application number: JP1810892A
Authority: JP
Inventors: Kiyoshi Hyodo; 清志兵頭; Toyomitsu Amada; 豊光天田; Hitoshi Ogawa; 小川　　均; Koichi Ishida; 浩一石田; Makoto Ishihara; 真石原
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1992-02-04
Filing date: 1992-02-04
Publication date: 1993-08-27

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は有機系樹脂から形成された層間絶縁膜
と密着性に優れた導体層を有する多層プリント配線板の
製造方法を提供することを目的とする。【構成】有機系樹脂を層間絶縁膜１４，２４として用い
る多層プリント配線板の製造方法において、各層間絶縁
膜１４，２４上に導体層を形成する際に、導体層のめっ
き下地膜１６，２６として層間絶縁膜１４，２４上に無
電解パラジウムめっき１６，２６を析出させるように構
成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は一般的に多層プリント配
線板の製造方法に関し、特に誘電率の低いポリイミド樹
脂等を層間絶縁膜として使用する多層プリント配線板の
製造方法に関する。

【０００２】プリント配線板は、半導体の発展と共に今
後大幅な伸長が期待されており、電子機器、装置類の小
型化、高性能化及び多機能化の要求に伴い、それらに用
いられるプリント配線板にも高密度化、高集積化、微細
回路化が要求され、これらの要求に対応するプリント配
線板製造技術が必要となってきている。

【０００３】具体的にプリント配線板を高密度化、高集
積化する方法としては、複数の配線層を積層し、各配線
層をスルーホール、ビアホールで接続する多層化の方向
と、外層回路を微細化し、表裏の接続に小径ビアホール
を用いる方法とがある。

【０００４】多層プリント配線板のうち誘電率の低いポ
リイミド樹脂等を層間絶縁膜として使用する多層プリン
ト配線板の製造方法においては、高速回路実装パッケー
ジの要求から、銅ポリイミド配線技術、特に導体層形成
技術や層間接続用ビアホールの形成技術が重要な課題と
なっている。

【０００５】

【従来の技術】ポリイミド樹脂等の有機系樹脂を層間絶
縁膜として用いる従来の多層プリント配線板の製造方法
においては、無電解めっき法、又は蒸着法、スパッタリ
ング法を用いて導体層のめっき下地膜を形成していた。

【０００６】無電解めっき法においては、セラミック基
板上に第１層目のポリイミド層を形成し、ポリイミド層
上にめっき下地膜としての無電解銅めっき膜を０．２〜
０．３μｍの厚さで析出させる。次いで、無電解銅めっ
き膜上に電解銅めっき膜を一様に形成し、パターニング
をして不要部分の銅めっきを除去する。

【０００７】次いで、第２層目のポリイミド層を一様に
形成した後、パターニングをして銅めっき膜上の第２層
目のポリイミド層を除去する。さらに、第２層目の無電
解銅めっき膜を一様に析出させた後、第２層目の電解銅
めっき膜を形成することにより、第１層目の電解銅めっ
き膜と第２層目の電解銅めっき膜とをビアホール部分で
接続する。

【０００８】無電解銅めっき法により製造された多層プ
リント配線板が図４（Ａ）に示されている。２はセラミ
ック基板、３は第１層目のポリイミド層、４は第１層目
の電解銅めっき膜、５は第２層目のポリイミド層、６は
第２層目の電解銅めっき膜、７は層間接続用ビアホール
である。

【０００９】蒸着法を用いた従来の多層プリント配線板
の製造方法では、クロム又はニッケルのめっき下地膜を
ポリイミド層上に蒸着する。蒸着法により製造された多
層プリント配線板が図４（Ｂ）に示されており、図４
（Ａ）と実質的に同一構成部分については同一符号が付
されている。７′は層間接続用ビアホールである。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】無電解銅めっき法を用
いた従来の多層プリント配線板の製造方法においては、
無電解銅めっきのめっき応力が大きいため、特に導体を
ビアホール部分で積層したときに、図４（Ａ）に示すよ
うに、導体とポリイミド層３との間で密着不良８が発生
するという問題があった。

【００１１】また、蒸着法を用いた多層プリント配線板
の製造方法においては、図４（Ｂ）に示すように層間接
続用のビアホール部分７′でクロム又はニッケルの蒸着
膜の付き回りが不十分となり、接続不良部９が発生する
という問題があった。

【００１２】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、有機系樹脂から形
成された層間絶縁膜と密着性に優れた導体層を有する多
層プリント配線板の製造方法を提供することである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、上述した目的
を達成するために、有機系樹脂を層間絶縁膜として用い
る多層プリント配線板の製造方法において、各層間絶縁
膜上に導体層を形成する際に、導体層のめっき下地膜と
して層間絶縁膜上に無電解パラジウムめっきを析出させ
ることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法を提
供する。

【００１４】

【作用】無電解パラジウムめっきは、従来法の無電解銅
めっきに比較してめっき応力が非常に小さいため、有機
系樹脂と強い密着力が得られる。その結果、従来の無電
解銅めっき法のように導体形成時に有機系樹脂との密着
不良が生じることがない。

【００１５】また、有機系樹脂は化学的にアルカリに対
して弱いが、無電解パラジウムめっき浴は弱酸性のた
め、従来の強アルカリ無電解銅めっき浴に比べ有機系樹
脂への耐薬品性が向上する。

【００１６】

【実施例】以下、本発明の実施例に係る多層プリント配
線板の製造プロセスを図１を参照して詳細に説明する。

【００１７】まず、図１（ａ）に示すように、セラミッ
ク基板１２上にスピンクオータを使用して第１ポリイミ
ド層１４を塗布し、約４００℃に加熱して第１ポリイミ
ド層１４を硬化させる。

【００１８】次いで、第１ポリイミド層１４の表面粗化
をした後、無電解パラジウムめっき１６を約２μｍの厚
さで一様に析出させ、その上にフォトレジスト１８を塗
布する。フォトレジスト１８として、ドライフィルムを
ラミネートするようにしてもよい。次いで、マスクを用
いてパターニングを行うと、図１（ｂ）に示す状態が得
られる。

【００１９】次いで、フォトレジスト１８を除去した部
分に電解銅めっき膜２０を約２５μｍの厚さで析出さ
せ、その上に電解ニッケルめっき膜２２を薄く形成す
る。電解ニッケルめっき膜２２を形成した状態が、図１
（ｃ）に示されている。

【００２０】銅めっき膜２０上にニッケルめっき膜２２
を形成するのは、後述するステップで塗布する第２ポリ
イミド層の剥離をこの部分で向上させるためである。次
いで、フォトレジスト１８を剥離し、さらに無電解パラ
ジウムめっき膜１６をエッチングにより除去する。この
状態が図１（ｄ）に示されている。

【００２１】次いで、スピンクオータを使用して第２ポ
リイミド層２４を一様に塗布し、約１６０℃で第２ポリ
イミド層２４を半硬化させた状態で第２ポリイミド層２
４のパターニングを行うと、図１（ｅ）に示す状態が得
られる。

【００２２】第２ポリイミド層２４の表面粗化をした
後、第２の無電解パラジウムめっき膜２６を約２μｍの
厚さで一様に析出させ、その上にフォトレジスト２８を
一様に塗布する。マスクを用いてフォトレジスト２８の
パターニングを行うと、図１（ｆ）の状態が得られる。

【００２３】この状態で、フォトレジスト２８の除去さ
れた部分に電解銅めっき膜３０を約２５μｍの厚さで析
出させ、フォトレジスト２８を剥離する。この状態が図
１（ｇ）に示されている。

【００２４】最後に、無電解パラジウムめっき膜２６を
エッチングにより除去することにより、図１（ｈ）に示
すようなビアホール３２部分で導体層が互いに接続され
た二層プリント配線板を製造することができる。図１
（ｈ）の拡大図が図２に示されている。

【００２５】三層以上のプリント配線板は、以上のステ
ップを繰り返すことにより容易に製造することができ
る。尚三層以上の導体層の接続は同一ビアホール部分で
行うのではなく、層間接続用ビアホールを段階的に離れ
た場所に形成し、各ビアホールでは二層の導体層を接続
するようにするのが望ましい。

【００２６】上述した実施例では、図１（ｃ）のステッ
プで、電解銅めっき膜２０及び電解ニッケル膜２２を形
成しているが、本発明はこれに限定されるものではな
く、それぞれ無電解銅めっき膜及び無電解ニッケルめっ
き膜を析出させるようにしてもよい。同様に、図１
（ｇ）のステップで析出させる電解銅めっき膜３０に代
えて、無電解銅めっき膜を析出させるようにしてもよ
い。

【００２７】次に図３を参照して、本発明の他の実施例
による多層プリント配線板の製造方法について説明す
る。この実施例では、まずセラミック基板４２上に第１
ポリイミド層４４を形成し、アディティブ法を用いて第
１の無電解パラジウムめっき膜４６を第１ポリイミド層
４４上に形成する。

【００２８】さらに、第２ポリイミド層４８を一様に塗
布してパターニングをした後、第２の無電解パラジウム
めっき膜５０を同じくアディティブ法で形成して、第１
の無電解パラジウムめっき膜４６と第２の無電解パラジ
ウムめっき膜５０とを接続する。

【００２９】無電解パラジウムめっき浴は弱酸性のた
め、ポリイミド樹脂に対し化学的に安定している。従っ
て、本実施例のようにポリイミド樹脂上に厚付めっきす
ることが可能となり、無電解パラジウムめっきのみで導
体層を形成することができる。

【００３０】本実施例によれば、アディティブ法で導体
層を形成しているため、エッチング工程が不要となると
いう利点がある。上述した実施例では、層間絶縁膜とし
てポリイミド樹脂を採用した実施例について説明した
が、本発明の層間絶縁膜はこれに限定されるものではな
く、テフロン樹脂等の他の有機系樹脂を採用することも
できる。

【００３１】

【発明の効果】本発明は導体層のめっき下地膜としてめ
っき応力が非常に小さい無電解パラジウムめっきを利用
しているため、ポリイミド樹脂との密着力が優れ、導体
層の剥離を防止できるという効果を奏する。

【００３２】また、無電解パラジウムめっきは弱酸性の
ため、ポリイミド樹脂に対し化学的に安定している。従
って、ポリイミド樹脂に厚付めっきすることが可能とな
り、無電解パラジウムめっきのみで導体層を形成するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明実施例の製造プロセスを示す図である。

【図２】図１（ｈ）の拡大図である。

【図３】他の実施例を示す図である。

【図４】従来例の問題点説明図である。

【符号の説明】

１２セラミック基板１４第１ポリイミド層１６，２６無電解パラジウムめっき膜２０銅めっき膜２２ニッケルめっき膜２４第２ポリイミド層３０銅めっき膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者石田浩一神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内 (72)発明者石原真神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】有機系樹脂を層間絶縁膜(14,24) として
用いる多層プリント配線板の製造方法において、各層間絶縁膜(14,24) 上に導体層を形成する際に、導体
層のめっき下地膜(16,26) として層間絶縁膜(14,24) 上
に無電解パラジウムめっき(16,26) を析出させることを
特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
【請求項２】導体層が無電解パラジウムめっき(16,2
6) 上に銅めっき(20,30) を施した二層構成であること
を特徴とする請求項１記載の多層プリント配線板の製造
方法。
【請求項３】導体層が銅めっき(20)上にさらにニッケ
ルめっき(22)を施した三層構成であることを特徴とする
請求項２記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項４】有機系樹脂がポリイミド樹脂であること
を特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の多層プリ
ント配線板の製造方法。
【請求項５】無電解パラジウムめっき浴が酸性である
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の多層
プリント配線板の製造方法。