JPH05217376A - Amplifier - Google Patents
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- JPH05217376A JPH05217376A JP4019146A JP1914692A JPH05217376A JP H05217376 A JPH05217376 A JP H05217376A JP 4019146 A JP4019146 A JP 4019146A JP 1914692 A JP1914692 A JP 1914692A JP H05217376 A JPH05217376 A JP H05217376A
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 27
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- 101100365491 Drosophila melanogaster Sp7 gene Proteins 0.000 description 9
- 101150008764 PAE1 gene Proteins 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
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- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、例えばカレントミラ
ー型センスアンプとして用いられる増幅器の改良に関
し、特に動作開始点からLレベルの出力信号固定点まで
の時間を短くして高速化を実現した増幅器に関するもの
である。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to improvement of an amplifier used as, for example, a current mirror type sense amplifier, and particularly to an amplifier which realizes high speed by shortening the time from the operation start point to the L level output signal fixed point. It is about.
【0002】[0002]
【従来の技術】図6は従来のカレントミラー型センスア
ンプ(増幅器)を示す回路図である。この種の増幅器は、
例えばDRAMにおける一対のビット線の電位を差動増
幅して一対ののI/O線に伝達するためのセンスアンプ
として用いられている。図において、Tr1及びTr2はP
型のトランジスタ(第1及び第2のトランジスタ)であ
り、各々のソースが電源電圧Vcが印加される電源ノー
ドVccに接続されている。又、各トランジスタTr1及び
Tr2の制御電極(ゲート)は互いに接続され、この接続ノ
ードはトランジスタTr2のドレインに接続されている。2. Description of the Related Art FIG. 6 is a circuit diagram showing a conventional current mirror type sense amplifier (amplifier). This kind of amplifier
For example, it is used as a sense amplifier for differentially amplifying the potentials of a pair of bit lines in a DRAM and transmitting it to a pair of I / O lines. In the figure, Tr1 and Tr2 are P
Type transistors (first and second transistors), and their sources are connected to the power supply node Vcc to which the power supply voltage Vc is applied. The control electrodes (gates) of the transistors Tr1 and Tr2 are connected to each other, and the connection node is connected to the drain of the transistor Tr2.
【0003】Tr3及びTr4はN型のトランジスタ(第1
及び第2の入力トランジスタ)であり、各々のドレイン
がトランジスタTr1及びTr2のドレインに接続されてい
る。Tr5はN型のトランジスタであり、ドレインがトラ
ンジスタTr3及びTr4のソースに接続され、ソースがグ
ランドGNDに接続されている。Tr3 and Tr4 are N-type transistors (first
And a second input transistor), the drains of which are connected to the drains of the transistors Tr1 and Tr2. Tr5 is an N-type transistor, the drain is connected to the sources of the transistors Tr3 and Tr4, and the source is connected to the ground GND.
【0004】Tr6はトランジスタTr1及びTr2の各ドレ
イン間に挿入されたN型のトランジスタ、Tr7はTr6と
同様にトランジスタTr1及びTr2の各ドレイン間に挿入
されP型のトランジスタである。これらのトランジスタ
Tr6及びTr7は、増幅器の非動作時にトランジスタTr3
及びTr4のドレイン電位をイコライズする。Tr6 is an N-type transistor inserted between the drains of the transistors Tr1 and Tr2, and Tr7 is a P-type transistor inserted between the drains of the transistors Tr1 and Tr2 like Tr6. These transistors Tr6 and Tr7 serve as a transistor Tr3 when the amplifier is not operating.
And the drain potentials of Tr4 are equalized.
【0005】1は増幅器を動作状態にするためのプリア
ンプイネーブル信号(以下、PAEと記す)であり、トラ
ンジスタTr5及びTr7のゲートに印加される。2はトラ
ンジスタTr6のゲートに印加されるPAE反転信号、3
はトランジスタTr4のゲートに印加される入力信号(以
下、INと記す)、4はトランジスタTr3のゲートに印
加されるIN反転信号、5はトランジスタTr1及びTr3
の接続ノード(第1の接続ノード)C1から引き出される
出力信号(以下、OUTと記す)である。IN反転信号
4は第1の入力トランジスタTr3を制御する第1の入力
信号となり、IN3は第2の入力トランジスタTr4を制
御する第2の入力信号となっている。Reference numeral 1 is a preamplifier enable signal (hereinafter referred to as PAE) for putting the amplifier into an operating state, which is applied to the gates of the transistors Tr5 and Tr7. 2 is a PAE inversion signal applied to the gate of the transistor Tr6, 3
Is an input signal applied to the gate of the transistor Tr4 (hereinafter referred to as IN), 4 is an IN inverted signal applied to the gate of the transistor Tr3, and 5 is the transistors Tr1 and Tr3.
Is an output signal (hereinafter, referred to as OUT) drawn from a connection node (first connection node) C1 of. The IN inverted signal 4 serves as a first input signal for controlling the first input transistor Tr3, and IN3 serves as a second input signal for controlling the second input transistor Tr4.
【0006】ここでは、第1の接続ノードC1からOUT
5を引き出す場合を示したが、トランジスタTr2及びT
r4の接続ノード即ち第2の接続ノードC2からOUT5を
引き出すこともできる。E1は第1及び第2のトランジス
タTr1及びTr2の各ソースを接続するノードであり、電
源ノードVccに関連した第1の電位ノードとなってい
る。E2は第1及び第2の入力トランジスタTr3及びTr4
の各ソースを接続するノードであり、グランドGNDに
関連した第2の電位ノードとなっている。Here, from the first connection node C1 to OUT
Although the case of pulling out 5 is shown, the transistors Tr2 and T2
OUT5 can also be derived from the connection node of r4, the second connection node C2. E1 is a node that connects the sources of the first and second transistors Tr1 and Tr2, and is a first potential node related to the power supply node Vcc. E2 is the first and second input transistors Tr3 and Tr4
And a second potential node related to the ground GND.
【0007】図7は図6に示した増幅器の動作をPAE
及びINの波形と共に説明するためのタイミングチャー
トであり、横軸は時間t、縦軸はOUT5の出力電圧V
である。又、実線は動作時のIN3がHレベル(Hレベ
ル読出し)の場合、一点鎖線は動作時のIN3がLレベ
ル(Lレベル読出し)の場合をそれぞれ示す。通常、IN
3(IN反転信号4)がPAE1(PAE反転信号2)の出
力タイミングより遅れることは望ましくないので、IN
3(IN反転信号4)の出力タイミングは、図示したよう
にPAE1(PAE反転信号2)より早く設定されてい
る。FIG. 7 shows a PAE operation of the amplifier shown in FIG.
3 is a timing chart for explaining together with the waveforms of IN and IN, the horizontal axis represents time t, and the vertical axis represents the output voltage V of OUT5.
Is. Also, the solid line shows the case where IN3 is H level (H level read) during operation, and the alternate long and short dash line shows the case where IN3 is L level (L level read) during operation. Usually IN
3 (IN inversion signal 4) is not desirable to be delayed from the output timing of PAE1 (PAE inversion signal 2).
The output timing of 3 (IN inversion signal 4) is set earlier than PAE1 (PAE inversion signal 2) as shown in the figure.
【0008】図7において、時刻t0からt1までの期間T
oは増幅器の非動作期間、t1は動作開始時刻、P1は動作
開始時刻t1に対応する動作開始点、P2はHレベルの出力
信号5の固定点、t2は固定点P2に対応する固定時刻、P3
はLレベルの出力信号5の固定点、t3は固定点P3に対応
する固定時刻、Vcは電源電圧、Vthnは各トランジスタ
Tr1及びTr2のソース及びゲート間のNチャネル閾値電
圧である。In FIG. 7, a period T from time t0 to t1
o is a non-operation period of the amplifier, t1 is an operation start time, P1 is an operation start point corresponding to the operation start time t1, P2 is a fixed point of the H level output signal 5, t2 is a fixed time corresponding to the fixed point P2, P3
Is a fixed point of the L level output signal 5, t3 is a fixed time corresponding to the fixed point P3, Vc is a power supply voltage, and Vthn is an N-channel threshold voltage between the sources and gates of the transistors Tr1 and Tr2.
【0009】次に、図7を参照しながら、図6に示した
従来の増幅器の動作について説明する。まず、非動作時
においては、PAE1がLレベル、PAE反転信号2が
Hレベルであるため、トランジスタTr5がオフ状態、T
r6及びTr7がオン状態になっている。従って、IN3及
びIN反転信号4のレベルに基づくトランジスタTr3及
びTr4のオンオフ状態にかかわらず、増幅器のOUT5
はグランドGNDから切り離されている。Next, the operation of the conventional amplifier shown in FIG. 6 will be described with reference to FIG. First, when the PAE1 is at the L level and the PAE inversion signal 2 is at the H level during non-operation, the transistor Tr5 is in the off state, and
r6 and Tr7 are on. Therefore, regardless of the ON / OFF state of the transistors Tr3 and Tr4 based on the levels of IN3 and IN inverted signal 4, OUT5 of the amplifier
Is separated from the ground GND.
【0010】このとき、OUT5の出力電圧Vとして、
トランジスタTr1のドレイン電位が現れるが、トランジ
スタTr2がダイオード接続されているため、Tr2のドレ
イン及びゲートの電位が(Vc−Vthp)となる。ここ
で、VthpはトランジスタTr1及びTr2のソース及びゲ
ート間のPチャネル閾値電圧である。又、トランジスタ
Tr1及びTr2の各ゲートが互いに接続されているため、
トランジスタTr1のドレイン電位も(Vc−Vthp)とな
る。At this time, as the output voltage V of OUT5,
Although the drain potential of the transistor Tr1 appears, the potential of the drain and gate of Tr2 becomes (Vc-Vthp) because the transistor Tr2 is diode-connected. Here, Vthp is a P-channel threshold voltage between the sources and gates of the transistors Tr1 and Tr2. Also, since the gates of the transistors Tr1 and Tr2 are connected to each other,
The drain potential of the transistor Tr1 also becomes (Vc-Vthp).
【0011】このとき、トランジスタTr1及びTr2の各
ドレイン電位は、トランジスタTr6及びTr7によりイコ
ライズされる。従って、図7のように、非動作期間To
における出力電圧Vは、電源電圧Vcからトランジスタ
Tr1及びTr2の各閾値電圧Vthpを減算した値(Vc−V
thp)となる。At this time, the drain potentials of the transistors Tr1 and Tr2 are equalized by the transistors Tr6 and Tr7. Therefore, as shown in FIG. 7, the non-operation period To
Is a value (Vc-V) obtained by subtracting the threshold voltages Vthp of the transistors Tr1 and Tr2 from the power supply voltage Vc.
thp).
【0012】次に、時刻t1において動作が開始されてP
AE1がHレベルになると、PAE反転信号2がLレベ
ルとなり、トランジスタTr5がオン状態、Tr6及びTr7
がオフ状態となる。ここで、図7内の実線で示すよう
に、IN3がHレベル、IN反転信号4がLレベルであ
れば、トランジスタTr3がオフ状態、Tr4がオン状態と
なるので、トランジスタTr2のゲート電位が(Vc−Vt
hp)からグランドGNDに引かれてトランジスタTr1が
オン状態になる。従って、トランジスタTr1のドレイン
電位即ち出力電圧Vが(Vc−Vthp)から電源電圧Vcに
なる。このときの出力電圧VのHレベルへの変化に要す
る時間は、動作開始点P1から固定点P2までの時間(t2−t
1)となる。Next, at time t1, the operation is started and P
When AE1 becomes H level, PAE inversion signal 2 becomes L level, transistor Tr5 is turned on, and Tr6 and Tr7 are turned on.
Turns off. Here, as indicated by the solid line in FIG. 7, when IN3 is at H level and IN inverted signal 4 is at L level, the transistor Tr3 is turned off and Tr4 is turned on, so that the gate potential of the transistor Tr2 becomes ( Vc-Vt
hp) is pulled to the ground GND, and the transistor Tr1 is turned on. Therefore, the drain potential of the transistor Tr1, that is, the output voltage V changes from (Vc-Vthp) to the power supply voltage Vc. At this time, the time required to change the output voltage V to the H level is the time from the operation start point P1 to the fixed point P2 (t2-t
It becomes 1).
【0013】一方、動作開始時刻t1において、IN3が
Lレベル、IN反転信号4がHレベルの場合には、トラ
ンジスタTr4がオフ状態、Tr3がオン状態となる。この
とき、トランジスタTr4がオフ状態となることにより、
トランジスタTr1のゲート電位がTr2のゲート電位(Vc
−Vthp)に固定され、トランジスタTr1はオフ状態のま
まである。従って、オン状態にあるトランジスタTr3に
より、OUT5の出力電圧Vは、(Vc−Vthp)からGN
Dレベルに引かれて0Vになる。このときの出力電圧V
のLレベルへの変化に要する時間は、動作開始点P1から
固定点P3までの時間(t3−t1)であり、Hレベルへの変化
の要する時間(t2−t1)より長くなる。On the other hand, at the operation start time t1, when IN3 is at L level and IN inverted signal 4 is at H level, the transistor Tr4 is off and Tr3 is on. At this time, since the transistor Tr4 is turned off,
The gate potential of the transistor Tr1 is the gate potential of Tr2 (Vc
-Vthp), the transistor Tr1 remains in the off state. Therefore, the output voltage V of OUT5 changes from (Vc-Vthp) to GN by the transistor Tr3 in the ON state.
It is pulled to D level and becomes 0V. Output voltage V at this time
Takes a time (t3-t1) from the operation start point P1 to the fixed point P3, and is longer than the time (t2-t1) required to change to the H level.
【0014】[0014]
【発明が解決しようとする課題】従来の増幅器は以上の
ように、非動作期間Toでの出力電圧Vが電源電圧Vc
及び閾値電圧Vthpに基づく電圧(Vc−Vthp)に設定さ
れているので、動作開始時刻t1にIN1がLレベルであ
って出力電圧VがGNDレベルに引かれる場合には、動
作開始から出力電圧Vが固定されるまでに長い時間がか
かる。従って、Lレベル読出動作の高速化を実現するこ
とができないという問題点があった。As described above, in the conventional amplifier, the output voltage V during the non-operating period To is the power supply voltage Vc.
And the voltage (Vc-Vthp) based on the threshold voltage Vthp is set. Therefore, when IN1 is at L level and the output voltage V is pulled to GND level at the operation start time t1, the output voltage V It takes a long time to be fixed. Therefore, there is a problem in that the L-level read operation cannot be speeded up.
【0015】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、入力信号がLレベルの場合の動
作時間を短くしてLレベル動作の高速化を実現した増幅
器を得ることを目的とする。The present invention has been made in order to solve the above problems, and it is an object of the present invention to obtain an amplifier which realizes high speed L level operation by shortening the operation time when the input signal is at L level. To aim.
【0016】[0016]
【課題を解決するための手段】この発明に係る増幅器
は、少なくとも一方から出力信号が引き出される第1及
び第2の接続ノードと、第1の電位ノードと第1の接続
ノードとの間に挿入された第1のトランジスタと、第1
の電位ノードと第2の接続ノードとの間に挿入されて制
御電極が第1のトランジスタの制御電極に接続された第
2のトランジスタと、第2の電位ノードと第1の接続ノ
ードとの間に挿入されて制御電極に第1の入力信号が印
加される第1の入力トランジスタと、第2の電位ノード
と第2の接続ノードとの間に挿入されて制御電極に第2
の入力信号が印加される第2の入力トランジスタと、非
動作時における第1及び第2の接続ノードの電位を動作
時に第1及び第2の電位ノードに現れる各電位の中間に
設定するための中間電位設定手段とを備えたものであ
る。An amplifier according to the present invention is inserted between first and second connection nodes from which an output signal is drawn from at least one side, and a first potential node and a first connection node. The first transistor and the first transistor
Between the second potential node and the first connection node inserted between the second potential node and the second connection node, the control electrode being connected to the control electrode of the first transistor. A first input transistor that is inserted into the control electrode to which the first input signal is applied and a second potential node that is inserted between the second potential node and the second connection node.
Second input transistor to which the input signal is applied, and the potentials of the first and second connection nodes in non-operation are set to be intermediate between the respective potentials appearing in the first and second potential nodes in operation. And an intermediate potential setting means.
【0017】[0017]
【作用】この発明においては、非動作時即ち動作開始点
の出力電圧を動作時の各出力電圧の中間電位に設定する
ことにより、出力電圧の電源電圧(Hレベル)への変化及
びグランド電位(Lレベル)への変化に要する動作時間を
ほぼ等しくし、Lレベルに固定されるまでの動作時間を
短くする。In the present invention, when the output voltage at the time of non-operation, that is, the operation start point is set to the intermediate potential of each output voltage during operation, the change of the output voltage to the power supply voltage (H level) and the ground potential ( The operation time required to change to the L level) is made substantially equal, and the operation time until the L level is fixed is shortened.
【0018】[0018]
実施例1.以下、この発明の実施例1を図について説明
する。図1はこの発明の実施例1を示す回路図であり、
Vcc、GND、C1、C2、E1、E2、Tr1〜Tr7及び1〜5
は前述と同様のものである。Example 1. Embodiment 1 of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention,
Vcc, GND, C1, C2, E1, E2, Tr1 to Tr7 and 1 to 5
Is the same as described above.
【0019】Vcc′は中間電源に接続された中間電源ノ
ードであり、例えば電源電圧Vcを抵抗器等で1/2に
分圧した中間電位(Vc/2)が印加されている。Tr8は
中間電源ノードVcc′と接続ノードC1(OUT5の出力
ノード)との間に挿入されたN型のトランジスタであ
り、ドレインが中間電源ノードVcc′に接続され、ソー
スがトランジスタTr1のドレインに接続されている。ト
ランジスタTr8は、PAE反転信号2がゲートに印加さ
れており、増幅器の非動作時にオン状態となり且つ動作
時にオフ状態となる第1のスイッチング手段を構成して
いる。Vcc 'is an intermediate power supply node connected to the intermediate power supply, and an intermediate potential (Vc / 2) obtained by dividing the power supply voltage Vc into 1/2 by a resistor or the like is applied. Tr8 is an N-type transistor inserted between the intermediate power supply node Vcc 'and the connection node C1 (OUT5 output node), the drain is connected to the intermediate power supply node Vcc', and the source is connected to the drain of the transistor Tr1. Has been done. The transistor Tr8 has a gate to which the PAE inversion signal 2 is applied, and constitutes a first switching means which is turned on when the amplifier is not operating and is turned off when the amplifier is operating.
【0020】中間電源ノードVcc′に接続された中間電
源並びにトランジスタTr8、Tr6及びTr7は、増幅器の
非動作時における第1及び第2の接続ノードC1及びC2の
電位を、動作時に第1及び第2の電位ノードE1及びE2に
現れる各電位Vc及び0の中間に設定するための中間電
位設定手段を構成している。The intermediate power supply connected to the intermediate power supply node Vcc 'and the transistors Tr8, Tr6, and Tr7 control the potentials of the first and second connection nodes C1 and C2 when the amplifier is not operating and the first and second connection nodes C1 and C2 when operating. It constitutes an intermediate potential setting means for setting the potential Vc appearing at the two potential nodes E1 and E2 to the middle of each potential Vc and 0.
【0021】Tr9は電源ノードVccとトランジスタTr1
及びTr2との間に挿入されたP型のトランジスタであ
り、ソースが電源ノードVccに接続され、ドレインがト
ランジスタTr1及びTr2のソースに接続されている。ト
ランジスタTr9は、PAE反転信号2がゲートに印加さ
れており、非動作時にオフ状態となり且つ動作時にオン
状態となる第2のスイッチング手段を構成している。Tr9 is a power supply node Vcc and a transistor Tr1.
, And Tr2, the source is connected to the power supply node Vcc, and the drain is connected to the sources of the transistors Tr1 and Tr2. The PAE inversion signal 2 is applied to the gate of the transistor Tr9, and constitutes the second switching means which is turned off when not operating and is turned on when operating.
【0022】図2は図1に示したこの発明の実施例1の
動作を説明するためのタイミングチャートであり、t0、
t1、To、P1及びVcは前述と同様のものである。又、
図2では特に示さないが、PAE及びINの各波形は図
7に示した通りである。Vc/2は非動作時の出力電圧
V、P4は出力電圧Vが電源電圧Vc(Hレベル)に変化し
た場合の固定点、P4′は出力電圧VがGNDレベル(L
レベル)に変化した場合の固定点、t4は各固定点P4及びP
4′に対応した固定時刻である。FIG. 2 is a timing chart for explaining the operation of the first embodiment of the present invention shown in FIG.
t1, To, P1 and Vc are the same as described above. or,
Although not particularly shown in FIG. 2, each waveform of PAE and IN is as shown in FIG. Vc / 2 is the output voltage V when not operating, P4 is a fixed point when the output voltage V changes to the power supply voltage Vc (H level), and P4 'is the output voltage V at the GND level (L level).
Fixed point when changing to (Level), t4 is each fixed point P4 and P
It is a fixed time corresponding to 4 '.
【0023】次に、図2を参照しながら、図1に示した
この発明の実施例1の動作について説明する。まず、非
動作時においては、前述と同様にPAE1がLレベル
(接地電位)であり、トランジスタTr5がオフ状態、Tr7
がオン状態となる。又、PAE反転信号2がHレベル
(電源電圧Vc)であるため、トランジスタTr6及びTr8
がオン状態、Tr9がオフ状態となる。Next, the operation of the first embodiment of the present invention shown in FIG. 1 will be described with reference to FIG. First, when not operating, PAE1 is at L level as described above.
(Ground potential), the transistor Tr5 is off, and Tr7
Turns on. Also, the PAE inversion signal 2 is at H level
Since it is (power supply voltage Vc), the transistors Tr6 and Tr8 are
Turns on and Tr9 turns off.
【0024】従って、トランジスタTr1及びTr2は、電
源ノードVccから切り離されて中間電源ノードVcc′に
接続され、出力ノード即ち第1の接続ノードC1に現れる
出力電圧Vは、トランジスタTr8を介した中間電位(V
c/2)となる。この出力電圧V(=Vc/2)は、トラン
ジスタTr6及びTr7並びに第2の接続ノードC2を介して
トランジスタTr1のゲートにも印加される。Therefore, the transistors Tr1 and Tr2 are separated from the power supply node Vcc and connected to the intermediate power supply node Vcc ', and the output voltage V appearing at the output node, that is, the first connection node C1 is at the intermediate potential via the transistor Tr8. (V
c / 2). This output voltage V (= Vc / 2) is also applied to the gate of the transistor Tr1 via the transistors Tr6 and Tr7 and the second connection node C2.
【0025】次に、時刻t1において動作が開始すると、
PAE1がHレベル、PAE反転信号2がLレベルにな
るため、トランジスタTr5がオン状態、Tr6及びTr7が
オフ状態となり、又、トランジスタTr8がオフ状態、T
r9がオン状態となる。従って、中間電源ノードVcc′
は、出力ノードとなる第1の接続ノードC1から切り離さ
れ、又、電源ノードVccに印加された電源電圧Vcは、
第1の電位ノードE1即ちトランジスタTr1及びTr2の各
ソースに現れる。Next, when the operation starts at time t1,
Since the PAE1 is at the H level and the PAE inversion signal 2 is at the L level, the transistor Tr5 is in the on state, Tr6 and Tr7 are in the off state, and the transistor Tr8 is in the off state, T
r9 turns on. Therefore, the intermediate power supply node Vcc '
Is disconnected from the first connection node C1 serving as an output node, and the power supply voltage Vc applied to the power supply node Vcc is
The first potential node E1 appears at the sources of the transistors Tr1 and Tr2.
【0026】このとき、IN3がHレベルであれば、ト
ランジスタTr4がオン状態となり、トランジスタTr1の
ゲート電位をGNDレベルに引いてトランジスタTr1を
オン状態にするため、第1の接続ノードC1に現れる電位
即ち出力電圧Vは、中間電位Vc/2から電源電圧Vcに
なる。このときの出力電圧VのHレベルへの変化に要す
る動作時間は、動作開始点P1から固定点P4までの時間(t
4−t1)である。At this time, if IN3 is at the H level, the transistor Tr4 is turned on, the gate potential of the transistor Tr1 is pulled to the GND level and the transistor Tr1 is turned on, so that the potential appearing at the first connection node C1. That is, the output voltage V changes from the intermediate potential Vc / 2 to the power supply voltage Vc. At this time, the operation time required to change the output voltage V to the H level is the time from the operation start point P1 to the fixed point P4 (t
4-t1).
【0027】一方、動作開始点P1においてIN3がLレ
ベルであれば、IN反転信号4がHレベルであるため、
トランジスタTr3がオン状態、Tr4がオフ状態となる。
従って、第2の接続ノードC2の電位は、(Vc−Vthp)に
達するまでトランジスタTr2を介して充電されるため、
トランジスタTr1のゲート電位は動作前のVc/2から
(Vc−Vthp)になり、Tr1はオフ状態となる。又、トラ
ンジスタTr3がオン状態であるため、出力電圧VはVc
/2からGNDレベルになる。On the other hand, if IN3 is L level at the operation starting point P1, the IN inversion signal 4 is H level,
The transistor Tr3 is turned on and Tr4 is turned off.
Therefore, the potential of the second connection node C2 is charged through the transistor Tr2 until it reaches (Vc-Vthp).
The gate potential of the transistor Tr1 is from Vc / 2 before operation.
(Vc-Vthp), and Tr1 is turned off. Further, since the transistor Tr3 is on, the output voltage V is Vc
It becomes GND level from / 2.
【0028】このときの出力電圧VのLレベルへの変化
に要する動作時間は、動作開始点P1から固定点P4′まで
の時間(t4′−t1)で表わされ、固定時刻t4′がt4と等し
いことからHレベルへの変化の場合と同一となり、Lレ
ベルへの動作時間が従来よりも短くなる。The operating time required to change the output voltage V to the L level at this time is represented by the time (t4'-t1) from the operation starting point P1 to the fixed point P4 ', and the fixed time t4' is t4. Is the same as the case of changing to the H level, and the operation time to the L level is shorter than in the conventional case.
【0029】一般に、Hレベルへの充電時間よりLレベ
ルへの放電時間の方が早いので、動作時間(t4′−t1)が
(t4−t1)より短くなる可能性があるが、動作時間は各ト
ランジスタTr1〜Tr9の動作特性にも依存するため、条
件設定を考慮すれば動作時間(t4−t1)及び(t4′−t1)を
ほぼ等しいと見なすことができる。Generally, since the discharge time to the L level is faster than the charge time to the H level, the operating time (t4'-t1) is
Although it may be shorter than (t4-t1), the operating time depends on the operating characteristics of each of the transistors Tr1 to Tr9. ) Can be considered approximately equal.
【0030】実施例2.尚、上記実施例1では、非動作
時の出力電圧VをVc/2に設定するための第1のスイッ
チング手段としてN型のトランジスタTr8を用い、ゲー
トにPAE反転信号2を印加したが、図3のように、P
型のトランジスタTr8′を用いて、そのゲートにPAE
1を印加してもよい。Example 2. In the first embodiment, the N-type transistor Tr8 is used as the first switching means for setting the output voltage V at the time of non-operation to Vc / 2, and the PAE inversion signal 2 is applied to the gate. Like 3, P
-Type transistor Tr8 'is used with its gate
1 may be applied.
【0031】実施例3.又、非動作時の電源電圧Vcに
よる貫通電流を遮断するための第2のスイッチング手段
としてP型のトランジスタTr9を用い、ゲートにPAE
反転信号2を印加したが、図4のように、N型のトラン
ジスタTr9′を用いて、そのゲートにPAE1を印加し
てもよい。Example 3. Further, a P-type transistor Tr9 is used as the second switching means for cutting off the through current due to the power supply voltage Vc when it is not operating, and the PAE is used for the gate.
Although the inverted signal 2 is applied, the PAE1 may be applied to its gate by using an N-type transistor Tr9 'as shown in FIG.
【0032】実施例4.更に、単一の増幅器の場合を示
したが、同様の増幅器を複数段使用した場合も同等の効
果を奏することは言うまでもない。図5は3個のカレン
トミラー型センスアンプ(増幅器)10〜12を用いた場合を
示すブロック図であり、並列配置された1段目の増幅器
10及び11の各出力信号を2段目の増幅器12のIN3′及
びIN反転信号4′としている。通常、センスアンプと
しては図5のような多段構成を用いることが多く、この
場合、動作時間が重畳されるので、Lレベル動作の高速
化の効果は更に顕著となる。Example 4. Furthermore, although the case of a single amplifier is shown, it is needless to say that the same effect can be obtained when a plurality of similar amplifiers are used. FIG. 5 is a block diagram showing a case where three current mirror type sense amplifiers (amplifiers) 10 to 12 are used, and the first stage amplifiers arranged in parallel.
The output signals 10 and 11 are the IN3 'and IN inverted signal 4'of the second-stage amplifier 12, respectively. Usually, a multi-stage configuration as shown in FIG. 5 is often used as the sense amplifier. In this case, the operation time is overlapped, so that the effect of speeding up the L level operation becomes more remarkable.
【0033】即ち、1段目の増幅器10及び11が動作開始
してから各出力電圧がLレベルに固定されるまでの時間
が短くなるため、出力電圧をIN3′及びIN反転信号
4′とする2段目の増幅器12の最終的なOUT5のLレ
ベル動作時間も短くなる。このように、IN3のレベル
に応じたHレベル及びLレベルへの動作時間が等しくな
るため、従来のような動作時間の不均衡は生じず、Lレ
ベル動作の高速化が実現する。That is, since the time from the start of operation of the first-stage amplifiers 10 and 11 until each output voltage is fixed at the L level becomes short, the output voltage is set to IN3 'and IN inverted signal 4'. The final L-level operation time of OUT5 of the second-stage amplifier 12 is also shortened. In this way, since the operation time to the H level and the L level according to the level of IN3 becomes equal, the imbalance of the operation time as in the conventional case does not occur, and the speedup of the L level operation is realized.
【0034】又、上記実施例1〜3においては、中間電
位をVc/2に設定したが、厳密にVc/2に限定され
るものではなく、ほぼVc/2に設定されていればよ
い。更に、この発明に係る増幅器の用途は、DRAM情
報伝達用のカレントミラー型センスアンプに限らず、種
々の用途に適用し得る。Although the intermediate potential is set to Vc / 2 in the first to third embodiments, it is not strictly limited to Vc / 2 and may be set to about Vc / 2. Furthermore, the application of the amplifier according to the present invention is not limited to the current mirror type sense amplifier for transmitting DRAM information, but can be applied to various applications.
【0035】[0035]
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、少なく
とも一方から出力信号が引き出される第1及び第2の接
続ノードと、第1の電位ノードと第1の接続ノードとの
間に挿入された第1のトランジスタと、第1の電位ノー
ドと第2の接続ノードとの間に挿入されて制御電極が第
1のトランジスタの制御電極に接続された第2のトラン
ジスタと、第2の電位ノードと第1の接続ノードとの間
に挿入されて制御電極に第1の入力信号が印加される第
1の入力トランジスタと、第2の電位ノードと第2の接
続ノードとの間に挿入されて制御電極に第2の入力信号
が印加される第2の入力トランジスタと、非動作時にお
ける第1及び第2の接続ノードの電位を動作時に第1及
び第2の電位ノードに現れる各電位の中間に設定するた
めの中間電位設定手段とを備え、出力電圧のHレベル及
びLレベルへの変化に要する動作時間をほぼ等しくした
ので、Lレベルに固定されるまでの動作時間を短くして
Lレベル動作の高速化を実現した増幅器が得られる効果
がある。As described above, according to the present invention, it is inserted between the first and second connection nodes from which an output signal is derived from at least one, and the first potential node and the first connection node. A first transistor, a second transistor inserted between the first potential node and the second connection node and having a control electrode connected to the control electrode of the first transistor, and a second potential node And a first connection node between the first connection node and a first input signal to which a first input signal is applied to the control electrode, and a second potential node and a second connection node. The second input transistor to which the second input signal is applied to the control electrode, and the potentials of the first and second connection nodes in the non-operating state are intermediate between the potentials appearing in the first and second potential nodes in the operating state. Intermediate potential setting for setting Since the operating time required to change the output voltage to the H level and the L level is made substantially equal to each other, the operating time until the output voltage is fixed to the L level is shortened to realize the high speed operation of the L level. There is an effect that can be obtained.
【図1】この発明の実施例1を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention.
【図2】この発明の実施例1の動作を説明するためのタ
イミングチャートである。FIG. 2 is a timing chart for explaining the operation of the first embodiment of the present invention.
【図3】この発明の実施例2を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention.
【図4】この発明の実施例3を示す回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram showing a third embodiment of the present invention.
【図5】この発明の実施例4を示すブロック図である。FIG. 5 is a block diagram showing a fourth embodiment of the present invention.
【図6】従来の増幅器を示す回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram showing a conventional amplifier.
【図7】従来の増幅器の動作を説明するためのタイミン
グチャートである。FIG. 7 is a timing chart for explaining the operation of the conventional amplifier.
3 第2の入力信号 4 第1の入力信号 5 出力信号 10〜12 カレントミラー型センスアンプ C1 第1の接続ノード C2 第2の接続ノード E1 第1の電位ノード E2 第2の電位ノード GND グランド P1 動作開始点 P4、P4′ 固定点 Tr1 第1のトランジスタ Tr2 第2のトランジスタ Tr3 第1の入力トランジスタ Tr4 第2の入力トランジスタ Tr8 第1のスイッチング手段 Tr9 第2のスイッチング手段 To 非動作期間 Vcc 電源ノード Vcc′ 中間電源ノード Vc 電源電圧 Vc/2 中間電位 V 出力電圧 3 2nd input signal 4 1st input signal 5 Output signal 10-12 Current mirror type sense amplifier C1 1st connection node C2 2nd connection node E1 1st electric potential node E2 2nd electric potential node GND ground P1 Operation start point P4, P4 'Fixed point Tr1 First transistor Tr2 Second transistor Tr3 First input transistor Tr4 Second input transistor Tr8 First switching means Tr9 Second switching means To Non-operation period Vcc Power supply node Vcc 'Intermediate power supply node Vc Power supply voltage Vc / 2 Intermediate potential V Output voltage
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成5年4月19日[Submission date] April 19, 1993
【手続補正1】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0002[Name of item to be corrected] 0002
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0002】[0002]
【従来の技術】図5は従来のカレントミラー型センスア
ンプ(増幅器)を示す回路図である。この種の増幅器は、
例えばDRAMにおける一対のビット線の電位を差動増
幅して一対ののI/O線に伝達するためのセンスアンプ
として用いられている。図において、Tr1及びTr2はP
型のトランジスタ(第1及び第2のトランジスタ)であ
り、各々のソースが電源電圧Vcが印加される電源ノー
ドVccに接続されている。又、各トランジスタTr1及び
Tr2の制御電極(ゲート)は互いに接続され、この接続ノ
ードはトランジスタTr2のドレインに接続されている。2. Description of the Related Art FIG . 5 is a circuit diagram showing a conventional current mirror type sense amplifier (amplifier). This kind of amplifier
For example, it is used as a sense amplifier for differentially amplifying the potentials of a pair of bit lines in a DRAM and transmitting it to a pair of I / O lines. In the figure, Tr1 and Tr2 are P
Type transistors (first and second transistors), and their sources are connected to the power supply node Vcc to which the power supply voltage Vc is applied. The control electrodes (gates) of the transistors Tr1 and Tr2 are connected to each other, and the connection node is connected to the drain of the transistor Tr2.
【手続補正2】[Procedure Amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0007[Correction target item name] 0007
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0007】図6は図5に示した増幅器の動作をPAE
及びINの波形と共に説明するためのタイミングチャー
トであり、横軸は時間t、縦軸はOUT5の出力電圧V
である。又、実線は動作時のIN3がHレベル(Hレベ
ル読出し)の場合、一点鎖線は動作時のIN3がLレベ
ル(Lレベル読出し)の場合をそれぞれ示す。通常、IN
3(IN反転信号4)がPAE1(PAE反転信号2)の出
力タイミングより遅れることは望ましくないので、IN
3(IN反転信号4)の出力タイミングは、図示したよう
にPAE1(PAE反転信号2)より早く設定されてい
る。FIG . 6 shows a PAE operation of the amplifier shown in FIG.
3 is a timing chart for explaining together with the waveforms of IN and IN, the horizontal axis represents time t, and the vertical axis represents the output voltage V of OUT5.
Is. Also, the solid line shows the case where IN3 is H level (H level read) during operation, and the alternate long and short dash line shows the case where IN3 is L level (L level read) during operation. Usually IN
3 (IN inversion signal 4) is not desirable to be delayed from the output timing of PAE1 (PAE inversion signal 2).
The output timing of 3 (IN inversion signal 4) is set earlier than PAE1 (PAE inversion signal 2) as shown in the figure.
【手続補正3】[Procedure 3]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0008[Correction target item name] 0008
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0008】図6において、時刻t0からt1までの期間T
oは増幅器の非動作期間、t1は動作開始時刻、P1は動作
開始時刻t1に対応する動作開始点、P2はHレベルの出力
信号5の固定点、t2は固定点P2に対応する固定時刻、P3
はLレベルの出力信号5の固定点、t3は固定点P3に対応
する固定時刻、Vcは電源電圧、Vthpは各トランジスタ
Tr1及びTr2のソース及びゲート間のPチャネル閾値電
圧である。In FIG . 6 , a period T from time t0 to t1
o is a non-operation period of the amplifier, t1 is an operation start time, P1 is an operation start point corresponding to the operation start time t1, P2 is a fixed point of the H level output signal 5, t2 is a fixed time corresponding to the fixed point P2, P3
Is a fixed point of the L level output signal 5, t3 is a fixed time corresponding to the fixed point P3, Vc is a power supply voltage, and Vthp is a P-channel threshold voltage between the sources and gates of the transistors Tr1 and Tr2.
【手続補正4】[Procedure amendment 4]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0009[Correction target item name] 0009
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0009】次に、図6を参照しながら、図5に示した
従来の増幅器の動作について説明する。まず、非動作時
においては、PAE1がLレベル、PAE反転信号2が
Hレベルであるため、トランジスタTr5がオフ状態、T
r6及びTr7がオン状態になっている。従って、IN3及
びIN反転信号4のレベルに基づくトランジスタTr3及
びTr4のオンオフ状態にかかわらず、増幅器のOUT5
はグランドGNDから切り離されている。[0009] Next, referring to FIG. 6, the operation of the conventional amplifier is described as shown in FIG. First, when the PAE1 is at the L level and the PAE inversion signal 2 is at the H level during non-operation, the transistor Tr5 is in the off state, and
r6 and Tr7 are on. Therefore, regardless of the ON / OFF state of the transistors Tr3 and Tr4 based on the levels of IN3 and IN inverted signal 4, OUT5 of the amplifier
Is separated from the ground GND.
【手続補正5】[Procedure Amendment 5]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0011[Correction target item name] 0011
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0011】このとき、トランジスタTr1及びTr2の各
ドレイン電位は、トランジスタTr6及びTr7によりイコ
ライズされる。従って、図6のように、非動作期間To
における出力電圧Vは、電源電圧Vcからトランジスタ
Tr1及びTr2の各閾値電圧Vthpを減算した値(Vc−V
thp)となる。At this time, the drain potentials of the transistors Tr1 and Tr2 are equalized by the transistors Tr6 and Tr7. Therefore, as shown in FIG. 6 , the non-operation period To
Is a value (Vc-V) obtained by subtracting the threshold voltages Vthp of the transistors Tr1 and Tr2 from the power supply voltage Vc.
thp).
【手続補正6】[Procedure correction 6]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0012[Correction target item name] 0012
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0012】次に、時刻t1において動作が開始されてP
AE1がHレベルになると、PAE反転信号2がLレベ
ルとなり、トランジスタTr5がオン状態、Tr6及びTr7
がオフ状態となる。ここで、図6内の実線で示すよう
に、IN3がHレベル、IN反転信号4がLレベルであ
れば、トランジスタTr3がオフ状態、Tr4がオン状態と
なるので、トランジスタTr2のゲート電位が(Vc−Vt
hp)からグランドGNDに引かれてトランジスタTr1が
オン状態になる。従って、トランジスタTr1のドレイン
電位即ち出力電圧Vが(Vc−Vthp)から電源電圧Vcに
なる。このときの出力電圧VのHレベルへの変化に要す
る時間は、動作開始点P1から固定点P2までの時間(t2−t
1)となる。Next, at time t1, the operation is started and P
When AE1 becomes H level, PAE inversion signal 2 becomes L level, transistor Tr5 is turned on, and Tr6 and Tr7 are turned on.
Turns off. Here, as indicated by the solid line in FIG. 6 , when IN3 is at the H level and IN inverted signal 4 is at the L level, the transistor Tr3 is in the OFF state and Tr4 is in the ON state, so that the gate potential of the transistor Tr2 is ( Vc-Vt
hp) is pulled to the ground GND, and the transistor Tr1 is turned on. Therefore, the drain potential of the transistor Tr1, that is, the output voltage V changes from (Vc-Vthp) to the power supply voltage Vc. At this time, the time required to change the output voltage V to the H level is the time from the operation start point P1 to the fixed point P2 (t2-t
It becomes 1).
【手続補正7】[Procedure Amendment 7]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0022[Name of item to be corrected] 0022
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0022】図2は図1に示したこの発明の実施例1の
動作を説明するためのタイミングチャートであり、t0、
t1、To、P1及びVcは前述と同様のものである。又、
図2では特に示さないが、PAE及びINの各波形は図
6に示した通りである。Vc/2は非動作時の出力電圧
V、P4は出力電圧Vが電源電圧Vc(Hレベル)に変化し
た場合の固定点、P4′は出力電圧VがGNDレベル(L
レベル)に変化した場合の固定点、t4は各固定点P4及びP
4′に対応した固定時刻である。FIG. 2 is a timing chart for explaining the operation of the first embodiment of the present invention shown in FIG.
t1, To, P1 and Vc are the same as described above. or,
Although not shown in particular in FIG. 2, each waveform of PAE and IN is shown in the figure.
As shown in FIG. Vc / 2 is the output voltage V when not operating, P4 is a fixed point when the output voltage V changes to the power supply voltage Vc (H level), and P4 'is the output voltage V at the GND level (L level).
Fixed point when changing to (Level), t4 is each fixed point P4 and P
It is a fixed time corresponding to 4 '.
【手続補正8】[Procedure Amendment 8]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0031[Correction target item name] 0031
【補正方法】削除[Correction method] Delete
【手続補正9】[Procedure Amendment 9]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0032[Name of item to be corrected] 0032
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0032】実施例3.更に、単一の増幅器の場合を示
したが、同様の増幅器を複数段使用した場合も同等の効
果を奏することは言うまでもない。図4は3個のカレン
トミラー型センスアンプ(増幅器)10〜12を用いた場合を
示すブロック図であり、並列配置された1段目の増幅器
10及び11の各出力信号を2段目の増幅器12のIN3′及
びIN反転信号4′としている。通常、センスアンプと
しては図4のような多段構成を用いることが多く、この
場合、動作時間が重畳されるので、Lレベル動作の高速
化の効果は更に顕著となる。 Example 3 Further, although the case of a single amplifier is shown, it is needless to say that the same effect can be obtained when a plurality of similar amplifiers are used. FIG. 4 is a block diagram showing a case where three current mirror type sense amplifiers (amplifiers) 10 to 12 are used, and the first stage amplifiers arranged in parallel.
The output signals 10 and 11 are the IN3 'and IN inverted signal 4'of the second-stage amplifier 12, respectively. Usually, a multi-stage configuration as shown in FIG. 4 is often used as the sense amplifier . In this case, the operation time is overlapped, so that the effect of speeding up the L level operation becomes more remarkable.
【手続補正10】[Procedure Amendment 10]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】図面の簡単な説明[Name of item to be corrected] Brief description of the drawing
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図1】この発明の実施例1を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention.
【図2】この発明の実施例1の動作を説明するためのタ
イミングチャートである。FIG. 2 is a timing chart for explaining the operation of the first embodiment of the present invention.
【図3】この発明の実施例2を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention.
【図4】この発明の実施例3を示すブロック図である。FIG. 4 is a block diagram showing a third embodiment of the present invention.
【図5】従来の増幅器を示す回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram showing a conventional amplifier .
【図6】従来の増幅器の動作を説明するためのタイミン
グチャートである。FIG. 6 is a timing diagram for explaining the operation of a conventional amplifier .
It is a chart .
【符号の説明】 3 第2の入力信号 4 第1の入力信号 5 出力信号 10〜12 カレントミラー型センスアンプ C1 第1の接続ノード C2 第2の接続ノード E1 第1の電位ノード E2 第2の電位ノード GND グランド P1 動作開始点 P4、P4′ 固定点 Tr1 第1のトランジスタ Tr2 第2のトランジスタ Tr3 第1の入力トランジスタ Tr4 第2の入力トランジスタ Tr8 第1のスイッチング手段 Tr9 第2のスイッチング手段 To 非動作期間 Vcc 電源ノード Vcc′ 中間電源ノード Vc 電源電圧 Vc/2 中間電位 V 出力電圧[Description of Reference Signs] 3 Second input signal 4 First input signal 5 Output signal 10-12 Current mirror type sense amplifier C1 First connection node C2 Second connection node E1 First potential node E2 Second Potential node GND ground P1 operation start point P4, P4 'fixed point Tr1 first transistor Tr2 second transistor Tr3 first input transistor Tr4 second input transistor Tr8 first switching means Tr9 second switching means To non Operating period Vcc power supply node Vcc 'intermediate power supply node Vc power supply voltage Vc / 2 intermediate potential V output voltage
【手続補正11】[Procedure Amendment 11]
【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing
【補正対象項目名】図4[Name of item to be corrected] Fig. 4
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【図4】 [Figure 4]
【手続補正12】[Procedure Amendment 12]
【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing
【補正対象項目名】図5[Name of item to be corrected] Figure 5
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【図5】 [Figure 5]
【手続補正13】[Procedure Amendment 13]
【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing
【補正対象項目名】図6[Name of item to be corrected] Figure 6
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【図6】 [Figure 6]
Claims (1)
れる第1及び第2の接続ノードと、 第1の電位ノードと前記第1の接続ノードとの間に挿入
された第1のトランジスタと、 前記第1の電位ノードと前記第2の接続ノードとの間に
挿入されて制御電極が前記第1のトランジスタの制御電
極に接続された第2のトランジスタと、 第2の電位ノードと前記第1の接続ノードとの間に挿入
されて制御電極に第1の入力信号が印加される第1の入
力トランジスタと、 前記第2の電位ノードと前記第2の接続ノードとの間に
挿入されて制御電極に第2の入力信号が印加される第2
の入力トランジスタと、 非動作時における前記第1及び第2の接続ノードの電位
を、動作時に前記第1及び第2の電位ノードに現れる各
電位の中間に設定するための中間電位設定手段と、 を備えた増幅器。1. A first and a second connection node from which an output signal is drawn from at least one side, a first transistor inserted between a first potential node and the first connection node, and the first and second connection nodes. A second transistor inserted between the first potential node and the second connection node and having a control electrode connected to the control electrode of the first transistor; a second potential node and the first connection; A first input transistor inserted between the control electrode and a first input signal to the control electrode; and a control electrode inserted between the second potential node and the second connection node. A second to which a second input signal is applied
An input transistor, and an intermediate potential setting means for setting the potentials of the first and second connection nodes during non-operation to an intermediate level between the potentials appearing on the first and second potential nodes during operation, With an amplifier.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4019146A JPH05217376A (en) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | Amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4019146A JPH05217376A (en) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | Amplifier |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05217376A true JPH05217376A (en) | 1993-08-27 |
Family
ID=11991307
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4019146A Pending JPH05217376A (en) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | Amplifier |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05217376A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5646892A (en) * | 1994-09-13 | 1997-07-08 | Mitsubishi Electric Engineering Co., Ltd. | Data reading circuit |
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1992
- 1992-02-04 JP JP4019146A patent/JPH05217376A/en active Pending
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US5646892A (en) * | 1994-09-13 | 1997-07-08 | Mitsubishi Electric Engineering Co., Ltd. | Data reading circuit |
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