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JPH0521489A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPH0521489A
JPH0521489A JP3173577A JP17357791A JPH0521489A JP H0521489 A JPH0521489 A JP H0521489A JP 3173577 A JP3173577 A JP 3173577A JP 17357791 A JP17357791 A JP 17357791A JP H0521489 A JPH0521489 A JP H0521489A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor chip
resin
stress
semiconductor device
thermal stress
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3173577A
Other languages
English (en)
Inventor
Kozo Tamura
耕三 田村
Yoshikazu Nishikawa
嘉一 西川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP3173577A priority Critical patent/JPH0521489A/ja
Publication of JPH0521489A publication Critical patent/JPH0521489A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1015—Shape
    • H01L2924/10155—Shape being other than a cuboid
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10D62/117—Shapes of semiconductor bodies

Landscapes

  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 熱ストレスで発生する応力によって半導体チ
ップの角部を起点として封止樹脂にクラックが入るのを
防止する。 【構成】 ダイパッド上に搭載された半導体チップと、
一端が前記半導体チップの表面に形成された接続パッド
とボンディングワイヤにより電気的に接続されるリード
を有し、樹脂封止された半導体装置において、底面を除
いた相隣る二つの面が交わる角部に丸みを形成した半導
体チップを用いることにより、熱ストレスで発生する応
力が集中する端点をなくし、応力を分散させるように
し、熱ストレスがかかっても封止樹脂にクラックが入り
にくくする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、特
に樹脂封止された半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、樹脂封止された半導体装置は樹
脂、金属、シリコンなどの熱膨張係数の違う素材で構成
されているため、外部環境の温度変化による熱ストレス
で応力が発生し、この応力により樹脂にクラックが入り
やすく、その結果半導体装置の耐湿性が低下する欠点が
あった。この欠点を解消する試みとして、特開平2-2634
59号公報ではダイパッド及びリードの端面を丸みをおび
た形状にすることが提案されている。しかし、この提案
によっても熱ストレスで発生する応力によって半導体チ
ップの角部を起点として封止樹脂にクラックが入りやす
く半導体装置の耐湿性が低下する欠点は解消していない
のが現状である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の解決しようと
する課題は、熱ストレスで発生する応力によって半導体
チップの角部を起点として封止樹脂にクラックが入り半
導体装置の耐湿性が低下する欠点を解消することであ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、ダイパッド上
に搭載された半導体チップと、一端が前記半導体チップ
の表面に形成された接続パッドとボンディングワイヤに
より電気的に接続されるリードを有し、樹脂封止された
半導体装置において、底面を除いた相隣る二つの面が交
わる角部に丸みを形成した半導体チップを用いることを
特徴とする半導体装置である。
【０００５】
【作用】樹脂封止された半導体装置を構成する半導体チ
ップとして、底面を除いた相隣る二つの面が交わる角部
に丸みを形成した半導体チップを用いることは、熱スト
レスで発生する応力が集中する端点をなくし、応力を分
散する働きをする。その結果、熱ストレスがかかっても
封止樹脂にクラックが入りにくくなる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明の一実施例の断面図である。樹脂１
は半導体チップ５の周囲を封止して半導体を保護する役
割をし、材質としては耐湿性および耐熱性の優れた樹脂
組成物例えばエポキシ樹脂組成物などが用いられる。ボ
ンディングワイヤ２は半導体チップ５の表面に形成され
た接続パッド（図示せず）とリード４とを電気的に接続
する役割をしていて、材質としては金線などが用いられ
る。本実施例のダイパッド３とリード４は金属を加工し
て作られるリードフレームの段階でその形状は形成さ
れ、さらに、このリードフレームをエッチングするかま
たはやすりなどで研磨することにより、ダイパッド３と
リード４の端面は丸み６を帯びた形状に形成されてい
る。このように、本発明においてはダイパッド３とリー
ド４の端面は丸み６を帯びた形状に形成されていること
が樹脂１のクラック防止のためには好ましい。 そし
て、本発明の特徴である半導体チップ５は底面を除いた
相隣る二つの面が交わる角部に丸み６が形成され、ダイ
パッド３の上に接着剤により接着され、樹脂１により封
止されている。この実施例では半導体チップ５は直方体
であるが、本発明で用いることのできる半導体チップ５
の形状は特に直方体に限られるものではない。また、半
導体チップ５に対する丸み６の形成法としては研磨など
の従来から知られている方法で行うことができる。
【０００７】本実施例ではこのようにダイパッド３とリ
ード４の端面及び半導体チップ５の底面を除いた相隣る
二つの面が交わる角部には丸み６が形成された構造にな
っているため熱ストレスによる応力が発生しても応力の
集中する端点がなくなり応力は分散され、従って樹脂１
にクラックが入りにくくなる。
【０００８】
【発明の効果】本発明によれば、外部環境の温度変化に
よる熱ストレスで半導体チップの角部を起点として樹脂
にクラックが発生しやすいという樹脂封止された半導体
装置の欠点を解消でき、その結果樹脂封止された半導体
装置の耐湿性を向上させるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体装置の一実施例の断面図で
ある。
【符号の説明】
１ 樹脂 ２ ボンディングワイヤ ３ ダイパッド ４ リード ５ 半導体チップ ６ 丸み

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】 ダイパッド上に搭載された半導体チップ
    と、一端が前記半導体チップの表面に形成された接続パ
    ッドとボンディングワイヤにより電気的に接続されるリ
    ードを有し、樹脂封止された半導体装置において、底面
    を除いた相隣る二つの面が交わる角部に丸みを形成した
    半導体チップを用いることを特徴とする半導体装置。
JP3173577A 1991-07-15 1991-07-15 半導体装置 Pending JPH0521489A (ja)

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JP3173577A JPH0521489A (ja) 1991-07-15 1991-07-15 半導体装置

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JP3173577A JPH0521489A (ja) 1991-07-15 1991-07-15 半導体装置

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JPH0521489A true JPH0521489A (ja) 1993-01-29

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JP3173577A Pending JPH0521489A (ja) 1991-07-15 1991-07-15 半導体装置

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