JPH05214537A - 固体昇華用の気化器 - Google Patents
固体昇華用の気化器Info
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- JPH05214537A JPH05214537A JP1489492A JP1489492A JPH05214537A JP H05214537 A JPH05214537 A JP H05214537A JP 1489492 A JP1489492 A JP 1489492A JP 1489492 A JP1489492 A JP 1489492A JP H05214537 A JPH05214537 A JP H05214537A
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Landscapes
- Vaporization, Distillation, Condensation, Sublimation, And Cold Traps (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 固体材料を加熱して昇華するガスの流量の変
動を抑制する。 【構成】 容器２内に収納された固体材料１を加熱して
昇華するガスがキャリアガスと伴い上昇する過程におい
て、冷却され凝固しようとする前記昇華ガスを捕捉する
メッシュ構成体５と、昇華ガスを再度加熱するヒータ７
を設け、凝固する昇華ガスを抑制することにより流量の
変動を抑える。
動を抑制する。 【構成】 容器２内に収納された固体材料１を加熱して
昇華するガスがキャリアガスと伴い上昇する過程におい
て、冷却され凝固しようとする前記昇華ガスを捕捉する
メッシュ構成体５と、昇華ガスを再度加熱するヒータ７
を設け、凝固する昇華ガスを抑制することにより流量の
変動を抑える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置製造設備にお
ける化学気相成長装置に用いられる固体材料を気化させ
成長ガスを生成する固体昇華用の気化器に関する。
ける化学気相成長装置に用いられる固体材料を気化させ
成長ガスを生成する固体昇華用の気化器に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に半導体装置を製造する工程におい
ては化学気相成長法が多岐にわたり用いられている。こ
の化学気相成長法に用いる成長用の材料ガスは固体材料
を昇華させ生成される。また、このような固体材料を気
化させるのに気化器が用いられている。 図４は従来の
気化器の一例を示す模式断面図である。従来、この種の
気化器は、例えば図３に示すように、固体材料１を収納
する容器２と、この容器２の周囲を加熱して固体材料１
を昇華させるヒータ６とを有していた。また装置側に昇
華ガスを送るためのアルゴン等の不活性ガスであるキャ
リアガスが導入されるキャリアガス導入口３と、昇華ガ
スとキャリアガスとの混合ガスが排出される混合ガス排
出口４が容器２に設けられていた。
ては化学気相成長法が多岐にわたり用いられている。こ
の化学気相成長法に用いる成長用の材料ガスは固体材料
を昇華させ生成される。また、このような固体材料を気
化させるのに気化器が用いられている。 図４は従来の
気化器の一例を示す模式断面図である。従来、この種の
気化器は、例えば図３に示すように、固体材料１を収納
する容器２と、この容器２の周囲を加熱して固体材料１
を昇華させるヒータ６とを有していた。また装置側に昇
華ガスを送るためのアルゴン等の不活性ガスであるキャ
リアガスが導入されるキャリアガス導入口３と、昇華ガ
スとキャリアガスとの混合ガスが排出される混合ガス排
出口４が容器２に設けられていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の気化器
においては、材料固体を充填後、昇華を続けていくうち
に固体材料を昇華に伴ない固体材料の昇華表面積が変動
するため、導出される固体材料の昇華ガスの量が変動す
るという問題があった。本発明の目的は、かかる問題を
解消すべく、導出される昇華ガスの変動のない気化器を
提供することである。
においては、材料固体を充填後、昇華を続けていくうち
に固体材料を昇華に伴ない固体材料の昇華表面積が変動
するため、導出される固体材料の昇華ガスの量が変動す
るという問題があった。本発明の目的は、かかる問題を
解消すべく、導出される昇華ガスの変動のない気化器を
提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の第２の気化器
は、固体材料を加熱し昇華によりガスを生成する固体昇
華用の気化器において、前記固体材料を充填するととも
にキャリア用ガスを導入するキャリアガス導入口とこの
キャリアガスと前記ガスとの混合ガスが導出される混合
ガス排出口とを備える容器と、このキャリアガス導入口
と混合ガス排出口との間に位置し前記容器内に取付けら
れるメッシュ状部材をもつ構造体と、前記固体材料を加
熱して昇華させるための第１のヒータと、前記構造体を
加熱する前記構造体に捕捉されるガスを加熱し再度加熱
する第２のヒータとを備えている。
は、固体材料を加熱し昇華によりガスを生成する固体昇
華用の気化器において、前記固体材料を充填するととも
にキャリア用ガスを導入するキャリアガス導入口とこの
キャリアガスと前記ガスとの混合ガスが導出される混合
ガス排出口とを備える容器と、このキャリアガス導入口
と混合ガス排出口との間に位置し前記容器内に取付けら
れるメッシュ状部材をもつ構造体と、前記固体材料を加
熱して昇華させるための第１のヒータと、前記構造体を
加熱する前記構造体に捕捉されるガスを加熱し再度加熱
する第２のヒータとを備えている。
【０００５】本発明の第２の気化器は、前記構造体がガ
ラスウールが充填される充填室と、この充填室の前記固
体材料側に配置される複数の細孔をもつガス流分散板と
を備えている。
ラスウールが充填される充填室と、この充填室の前記固
体材料側に配置される複数の細孔をもつガス流分散板と
を備えている。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００７】図１は本発明の一実施例を示す気化器の模
式断面図である。この気化器は、図１に示すように、固
体材料１が収納される容器２の内部から所定の間隔を於
いて容器２の内面を塞ぐようにメッシュ構造体５を配置
し、このメッシュ構造体５を加熱するヒータ７を容器２
の外側に配置し、キャリアガス導入口３を固体材料１と
メッシュ構造体５の間における容器２に設けたことであ
る。すなわち、この気化器におけるガスの流れは、まず
キャリアガスがキャリアガス導入口３より導入され、メ
ッシュ構造体５はヒータ７で加熱され温調される。そし
て固体材料１からの昇華ガスはメッシュ構造体５でキャ
リアガス混合され混合ガス排出口４より化学気相成長室
へと導出される。
式断面図である。この気化器は、図１に示すように、固
体材料１が収納される容器２の内部から所定の間隔を於
いて容器２の内面を塞ぐようにメッシュ構造体５を配置
し、このメッシュ構造体５を加熱するヒータ７を容器２
の外側に配置し、キャリアガス導入口３を固体材料１と
メッシュ構造体５の間における容器２に設けたことであ
る。すなわち、この気化器におけるガスの流れは、まず
キャリアガスがキャリアガス導入口３より導入され、メ
ッシュ構造体５はヒータ７で加熱され温調される。そし
て固体材料１からの昇華ガスはメッシュ構造体５でキャ
リアガス混合され混合ガス排出口４より化学気相成長室
へと導出される。
【０００８】なお、この実施例におけるメッシュ構造体
５は、例えば１〜５μｍ隙のステンレス焼結体を用い
た。次に、この実施例をこのメッシュ構造体５を用いた
この気化器により基板上にＤＲＡＭ容量用の絶縁膜形成
した例で説明する。なお、この場合、気化ガスは五塩化
タンタル気化ガスを使用する。まず、固体材料である２
００ｇの五塩化タンタルを容器２に充填する。続いて、
ヒータ６により五塩化タンタルの昇華温度である１６０
℃に設定し、メッシュ構造５をヒータ７により温度を１
５８℃に設定しそれぞれ加熱する。次に、キャリアガス
用不活性ガスとしてアルゴンを２０ｓｃｃｍの流量でキ
ャリアガス導入口３より導入し、混合ガス排出溝４より
１Ｔｏｒｒの真空度空間（減圧化学気相成長条件を想
定）に排出した。
５は、例えば１〜５μｍ隙のステンレス焼結体を用い
た。次に、この実施例をこのメッシュ構造体５を用いた
この気化器により基板上にＤＲＡＭ容量用の絶縁膜形成
した例で説明する。なお、この場合、気化ガスは五塩化
タンタル気化ガスを使用する。まず、固体材料である２
００ｇの五塩化タンタルを容器２に充填する。続いて、
ヒータ６により五塩化タンタルの昇華温度である１６０
℃に設定し、メッシュ構造５をヒータ７により温度を１
５８℃に設定しそれぞれ加熱する。次に、キャリアガス
用不活性ガスとしてアルゴンを２０ｓｃｃｍの流量でキ
ャリアガス導入口３より導入し、混合ガス排出溝４より
１Ｔｏｒｒの真空度空間（減圧化学気相成長条件を想
定）に排出した。
【０００９】図２は本発明の気化器と従来技術による気
化器による時間経過に伴う材料ガス量の変動を示すグラ
フである。本発明の気化器と従来の気化器と比較するた
めに上述した五塩化タンタルのガスで実験を行ったとこ
ろ、図２に示すように、本発明の気化器は変動が少く、
安定して材料ガスが供給出来ることが判明した。このよ
うなガスの流量が安定している理由は、従来の気化器で
は容器内で昇華されたガスが容器内で再度冷却され固形
化されるのに対し、本発明の気化器によれば、固形化し
ようとする昇華ガスを容器内で捕捉し、捕捉された固形
材料を再度加熱し昇華させる作用があるからである。
化器による時間経過に伴う材料ガス量の変動を示すグラ
フである。本発明の気化器と従来の気化器と比較するた
めに上述した五塩化タンタルのガスで実験を行ったとこ
ろ、図２に示すように、本発明の気化器は変動が少く、
安定して材料ガスが供給出来ることが判明した。このよ
うなガスの流量が安定している理由は、従来の気化器で
は容器内で昇華されたガスが容器内で再度冷却され固形
化されるのに対し、本発明の気化器によれば、固形化し
ようとする昇華ガスを容器内で捕捉し、捕捉された固形
材料を再度加熱し昇華させる作用があるからである。
【００１０】図３は本発明の他の実施例を示す気化器の
模式断面図である。また、この気化器は、図３に示すよ
うに、ガラスウール９を埋め込んだ充填室８と、ガラス
ウール９に均一に昇華ガスが行き届くように、ガス流分
散板１０とを設けたことである。この実施例の場合は、
前述の実施例と比べ、凝固しようとする昇華ガスを捕獲
する効率が高くより変動が少くなる利点がある。
模式断面図である。また、この気化器は、図３に示すよ
うに、ガラスウール９を埋め込んだ充填室８と、ガラス
ウール９に均一に昇華ガスが行き届くように、ガス流分
散板１０とを設けたことである。この実施例の場合は、
前述の実施例と比べ、凝固しようとする昇華ガスを捕獲
する効率が高くより変動が少くなる利点がある。
【００１１】なお上述したガス流分散板１０には、多数
の細穴を設け、昇華ガスの分散を促進させると更にその
効果があがる。
の細穴を設け、昇華ガスの分散を促進させると更にその
効果があがる。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、凝固しよ
うとする昇華ガスを捕捉するメッシュ構造体と、捕捉さ
れた昇華ガスを再び加熱して昇華させるヒータを設ける
ことによって、使用時間とともに固体材料のガスを放出
する表面積が変化しても固体材料から排出される固体材
料ガスの量が常に一定に保たれる、という効果を有す
る。
うとする昇華ガスを捕捉するメッシュ構造体と、捕捉さ
れた昇華ガスを再び加熱して昇華させるヒータを設ける
ことによって、使用時間とともに固体材料のガスを放出
する表面積が変化しても固体材料から排出される固体材
料ガスの量が常に一定に保たれる、という効果を有す
る。
【図１】本発明の一実施例を示す気化器の模式断面図で
ある。
ある。
【図２】本発明の気化器と従来の気化器とによる使用時
間にともなう材料ガスの変動を示すグラフである。
間にともなう材料ガスの変動を示すグラフである。
【図３】本発明の他の実施例を示す気化器の模式断面図
である。
である。
【図４】従来の一例を示す気化器の模式断面図である。
１ 固体材料 ２ 容器 ３ キャリアガス導入口 ４ 混合ガス排出溝 ５ メッシュ構成体 ６，７ ヒータ ８ 充填室 ９ ガラスウール １０ ガス流分散板
Claims (2)
- 【請求項１】 固体材料を加熱し昇華によりガスを生成
する固体昇華用の気化器において、前記固体材料を充填
するとともにキャリア用ガスを導入するキャリアガス導
入口とこのキャリアガスと前記ガスとの混合ガスが導出
される混合ガス排出口とを備える容器と、このキャリア
ガス導入口と混合ガス排出口との間に位置し前記容器内
に取付けられるメッシュ状部材をもつ構造体と、前記固
体材料を加熱して昇華させるための第１のヒータと、前
記構造体を加熱する前記構造体に捕捉されるガスを加熱
し再度加熱する第２のヒータとを備えることを特徴とす
る固体昇華用の気化器。 - 【請求項２】 前記構造体がガラスウールが充填される
充填室と、この充填室の前記固体材料側に配置される複
数の細孔をもつガス流分散板とを備えていることを特徴
とする請求項１記載の固体昇華用の気化器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1489492A JPH05214537A (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | 固体昇華用の気化器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1489492A JPH05214537A (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | 固体昇華用の気化器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05214537A true JPH05214537A (ja) | 1993-08-24 |
Family
ID=11873708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1489492A Withdrawn JPH05214537A (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | 固体昇華用の気化器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05214537A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07321040A (ja) * | 1994-05-24 | 1995-12-08 | Nec Corp | 金属化合物収納容器 |
| JP2006144049A (ja) * | 2004-11-17 | 2006-06-08 | Nec Electronics Corp | 固体原料気化装置および固体原料気化方法 |
| JP2006161162A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-06-22 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 供給装置 |
| DE102006023046A1 (de) * | 2006-05-17 | 2007-11-22 | Infineon Technologies Ag | Verfahren, Vorrichtung und Ausgangsmaterial zum Bereitstellen eines gasförmigen Precursors |
| JP2008263244A (ja) * | 2003-05-12 | 2008-10-30 | Tokyo Electron Ltd | 原料気化器及び反応処理装置 |
| US20090202415A1 (en) * | 2002-09-12 | 2009-08-13 | Takayuki Shimamune | Process for producing high-purity silicon and apparatus |
| WO2010104150A1 (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化器 |
| JP2015158015A (ja) * | 2002-07-23 | 2015-09-03 | インテグリス・インコーポレーテッド | 蒸発器配送アンプル |
| JP2016000866A (ja) * | 2004-06-01 | 2016-01-07 | インテグリス・インコーポレーテッド | ガスと蒸発材料との接触を促進するのを助ける方法及び装置 |
| CN115772658A (zh) * | 2021-09-07 | 2023-03-10 | 皮考逊公司 | 前驱体容器 |
-
1992
- 1992-01-30 JP JP1489492A patent/JPH05214537A/ja not_active Withdrawn
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07321040A (ja) * | 1994-05-24 | 1995-12-08 | Nec Corp | 金属化合物収納容器 |
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| JP2006161162A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-06-22 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 供給装置 |
| DE102006023046A1 (de) * | 2006-05-17 | 2007-11-22 | Infineon Technologies Ag | Verfahren, Vorrichtung und Ausgangsmaterial zum Bereitstellen eines gasförmigen Precursors |
| DE102006023046B4 (de) * | 2006-05-17 | 2009-02-05 | Qimonda Ag | Verfahren und Ausgangsmaterial zum Bereitstellen eines gasförmigen Precursors |
| JP2010219146A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Tokyo Electron Ltd | 気化器 |
| WO2010104150A1 (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化器 |
| CN115772658A (zh) * | 2021-09-07 | 2023-03-10 | 皮考逊公司 | 前驱体容器 |
| US11873558B2 (en) | 2021-09-07 | 2024-01-16 | Picosun Oy | Precursor container |
| CN115772658B (zh) * | 2021-09-07 | 2024-06-07 | 皮考逊公司 | 前驱体容器 |
| US12146218B2 (en) | 2021-09-07 | 2024-11-19 | Picosun Oy | Precursor container |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990408 |