JPH05206022A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH05206022A JPH05206022A JP1308292A JP1308292A JPH05206022A JP H05206022 A JPH05206022 A JP H05206022A JP 1308292 A JP1308292 A JP 1308292A JP 1308292 A JP1308292 A JP 1308292A JP H05206022 A JPH05206022 A JP H05206022A
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- semiconductor wafer
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- photoresist
- wafer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウエハの裏面の周辺部に付着したフォ
トレジストが光アッシング装置のプレート板に接着する
のを防止する。 【構成】 本発明の光アッシング装置１は、半導体ウエ
ハ２の裏面の周辺部に付着したフォトレジスト６がプレ
ート板３の上面に接触するのを防止するため、プレート
板３の上面に段差部９が設けてある。また、段差部９の
一部には、光反射部１０が設けてある。光反射部１０
は、その表面で反射した紫外光が半導体ウエハ２の裏面
の周辺部に集光するような曲率を有する曲面体で構成さ
れている。
トレジストが光アッシング装置のプレート板に接着する
のを防止する。 【構成】 本発明の光アッシング装置１は、半導体ウエ
ハ２の裏面の周辺部に付着したフォトレジスト６がプレ
ート板３の上面に接触するのを防止するため、プレート
板３の上面に段差部９が設けてある。また、段差部９の
一部には、光反射部１０が設けてある。光反射部１０
は、その表面で反射した紫外光が半導体ウエハ２の裏面
の周辺部に集光するような曲率を有する曲面体で構成さ
れている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置に関
し、特に、フォトレジストを塗布した半導体ウエハを保
持する機構を備えた半導体製造装置に適用して有効な技
術に関する。
し、特に、フォトレジストを塗布した半導体ウエハを保
持する機構を備えた半導体製造装置に適用して有効な技
術に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程では、スピン塗布装置を
用いて半導体ウエハの表面にフォトレジストを塗布して
いる。
用いて半導体ウエハの表面にフォトレジストを塗布して
いる。
【０００３】スピン塗布装置は、水平面内で高速回転す
るウエハの中心に上方からフォトレジストを供給し、こ
れを遠心力によってウエハの表面全体に均一に拡散させ
る方式になっていることから、ウエハの周辺部まで拡散
したフォトレジストの一部がウエハの裏面側に付着する
ことが避けられない。
るウエハの中心に上方からフォトレジストを供給し、こ
れを遠心力によってウエハの表面全体に均一に拡散させ
る方式になっていることから、ウエハの周辺部まで拡散
したフォトレジストの一部がウエハの裏面側に付着する
ことが避けられない。
【０００４】裏面にフォトレジストが付着したウエハを
そのまま露光装置の真空チャックに吸着保持すると、ウ
エハ裏面のフォトレジストの膜厚分だけ焦点位置が変動
するため、パターン転写精度の低下を引き起こす要因と
なる。また、ウエハの裏面に付着したフォトレジスト
は、ウエハハンドリング時の異物発生要因ともなる。
そのまま露光装置の真空チャックに吸着保持すると、ウ
エハ裏面のフォトレジストの膜厚分だけ焦点位置が変動
するため、パターン転写精度の低下を引き起こす要因と
なる。また、ウエハの裏面に付着したフォトレジスト
は、ウエハハンドリング時の異物発生要因ともなる。
【０００５】また、不要となったフォトレジストを紫外
光とオゾンとを用いて分解除去する光アッシング装置の
場合、ウエハを吸着保持するプレート板の表面は、温度
均一性の保持を目的として平坦に加工されているため、
裏面にフォトレジストが付着したウエハをアッシング処
理すると、プレート板の熱によってウエハ裏面のフォト
レジストが溶解してプレート板の表面に接着してしま
い、処理済みのウエハを移送する際にプレート板の表面
に傷が付いたり、ウエハが割れたりすることがある。
光とオゾンとを用いて分解除去する光アッシング装置の
場合、ウエハを吸着保持するプレート板の表面は、温度
均一性の保持を目的として平坦に加工されているため、
裏面にフォトレジストが付着したウエハをアッシング処
理すると、プレート板の熱によってウエハ裏面のフォト
レジストが溶解してプレート板の表面に接着してしま
い、処理済みのウエハを移送する際にプレート板の表面
に傷が付いたり、ウエハが割れたりすることがある。
【０００６】そこで、従来は、ウエハの表面にフォトレ
ジストをスピン塗布した後、高速回転しているウエハの
裏面周辺部に下方から有機溶剤を塗布する、いわゆる縁
取り塗布方法によってウエハの裏面や周辺部に付着した
フォトレジストを溶解除去していた。
ジストをスピン塗布した後、高速回転しているウエハの
裏面周辺部に下方から有機溶剤を塗布する、いわゆる縁
取り塗布方法によってウエハの裏面や周辺部に付着した
フォトレジストを溶解除去していた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、半導体製造
工程の中には、上記した縁取り塗布方法によってウエハ
の裏面や周辺部のフォトレジストを溶解除去することが
できない場合がある。
工程の中には、上記した縁取り塗布方法によってウエハ
の裏面や周辺部のフォトレジストを溶解除去することが
できない場合がある。
【０００８】例えばフォトレジストをマスクにしてアル
ミニウム合金などの配線用導電膜をエッチングする場合
は、ウエハの周辺部をフォトレジストで保護しておく必
要がある。これは、上記のエッチングによってウエハ周
辺部のシリコン基板が露出すると、シリコン基板と配線
用導電膜との間に電池作用が生じ、導電膜に腐食が発生
し易くなるためである。
ミニウム合金などの配線用導電膜をエッチングする場合
は、ウエハの周辺部をフォトレジストで保護しておく必
要がある。これは、上記のエッチングによってウエハ周
辺部のシリコン基板が露出すると、シリコン基板と配線
用導電膜との間に電池作用が生じ、導電膜に腐食が発生
し易くなるためである。
【０００９】従って、このような工程では、裏面にフォ
トレジストが付着したウエハをそのまま露光装置や光ア
ッシング装置に搬送せざるを得ないため、前述したよう
な不具合が避けられない。
トレジストが付着したウエハをそのまま露光装置や光ア
ッシング装置に搬送せざるを得ないため、前述したよう
な不具合が避けられない。
【００１０】そこで、本発明の目的は、裏面にフォトレ
ジストが付着したウエハを露光装置の真空チャックに保
持した場合に生じる前記の不具合を回避することのでき
る技術を提供することにある。
ジストが付着したウエハを露光装置の真空チャックに保
持した場合に生じる前記の不具合を回避することのでき
る技術を提供することにある。
【００１１】本発明の他の目的は、裏面にフォトレジス
トが付着したウエハを光アッシング装置のプレート板に
保持した場合に生じる前記の不具合を回避することので
きる技術を提供することにある。
トが付着したウエハを光アッシング装置のプレート板に
保持した場合に生じる前記の不具合を回避することので
きる技術を提供することにある。
【００１２】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
【００１４】(1) 本発明の光アッシング装置は、ウエハ
を支持するプレート板に段差部を設け、ウエハの周辺部
とプレート板とが非接触となるように構成すると共に、
ウエハの裏面の周辺部に紫外光を集光する光反射部を設
けたものである。
を支持するプレート板に段差部を設け、ウエハの周辺部
とプレート板とが非接触となるように構成すると共に、
ウエハの裏面の周辺部に紫外光を集光する光反射部を設
けたものである。
【００１５】(2) 本発明の露光装置は、ウエハを支持す
る真空チャックに段差部を設け、ウエハの周辺部と真空
チャックとが非接触となるように構成すると共に、ウエ
ハの裏面の周辺部に露光光を集光する光反射部を設けた
ものである。
る真空チャックに段差部を設け、ウエハの周辺部と真空
チャックとが非接触となるように構成すると共に、ウエ
ハの裏面の周辺部に露光光を集光する光反射部を設けた
ものである。
【００１６】
【作用】上記した手段(1) によれば、ウエハの周辺部と
プレート板とが非接触となることにより、ウエハの裏面
に付着したフォトレジストがアッシング処理時の熱によ
ってプレート板の表面に接着することがない。また、ウ
エハの裏面の周辺部に紫外光を集光する光反射部を設け
ることにより、ウエハの裏面に付着したフォトレジスト
を酸化分解することができる。
プレート板とが非接触となることにより、ウエハの裏面
に付着したフォトレジストがアッシング処理時の熱によ
ってプレート板の表面に接着することがない。また、ウ
エハの裏面の周辺部に紫外光を集光する光反射部を設け
ることにより、ウエハの裏面に付着したフォトレジスト
を酸化分解することができる。
【００１７】上記した手段(2) によれば、ウエハの周辺
部と真空チャックとが非接触となることにより、ウエハ
裏面のフォトレジストによる焦点位置の変動やウエハハ
ンドリング時の異物発生を回避することができる。ま
た、ウエハの裏面の周辺部に露光光を集光する光反射部
を設けることにより、ウエハの裏面に付着したフォトレ
ジストを現像工程で除去することができる。
部と真空チャックとが非接触となることにより、ウエハ
裏面のフォトレジストによる焦点位置の変動やウエハハ
ンドリング時の異物発生を回避することができる。ま
た、ウエハの裏面の周辺部に露光光を集光する光反射部
を設けることにより、ウエハの裏面に付着したフォトレ
ジストを現像工程で除去することができる。
【００１８】
【実施例１】本発明の一実施例である半導体製造装置
は、オゾンを含む雰囲気中で半導体ウエハの表面に紫外
光を照射することにより、半導体ウエハの表面に残った
不要のフォトレジストを酸化分解する光アッシング装置
である。
は、オゾンを含む雰囲気中で半導体ウエハの表面に紫外
光を照射することにより、半導体ウエハの表面に残った
不要のフォトレジストを酸化分解する光アッシング装置
である。
【００１９】図１に示すように、この光アッシング装置
１は、半導体ウエハ２を保持するプレート板３を備えて
いる。プレート板３は、例えば透明な石英ガラスで構成
されており、半導体ウエハ２は、図示しない真空吸着機
構により、このプレート板３の上面に水平に吸着保持さ
れる。
１は、半導体ウエハ２を保持するプレート板３を備えて
いる。プレート板３は、例えば透明な石英ガラスで構成
されており、半導体ウエハ２は、図示しない真空吸着機
構により、このプレート板３の上面に水平に吸着保持さ
れる。
【００２０】プレート板３の下部には、ヒータ４を内蔵
したホットプレート５が設けられており、半導体ウエハ
２は、このホットプレート５により、例えば１５０〜３
００℃の温度範囲で加熱される。
したホットプレート５が設けられており、半導体ウエハ
２は、このホットプレート５により、例えば１５０〜３
００℃の温度範囲で加熱される。
【００２１】半導体ウエハ２の表面には、フォトレジス
ト６が塗布されている。フォトレジスト６は、例えばノ
ボラック系の樹脂をベースとするポジ型のフォトレジス
トで構成されている。このフォトレジスト６は、スピン
塗布装置を用いて半導体ウエハ２の表面に塗布されたも
のである。
ト６が塗布されている。フォトレジスト６は、例えばノ
ボラック系の樹脂をベースとするポジ型のフォトレジス
トで構成されている。このフォトレジスト６は、スピン
塗布装置を用いて半導体ウエハ２の表面に塗布されたも
のである。
【００２２】この半導体ウエハ２は、その表面のみなら
ず、周辺部さらには裏面の一部にもフォトレジスト６が
付着している。これは、フォトレジスト６をマスクにし
てアルミニウム合金などの配線用導電膜をエッチングす
る際に、半導体ウエハ２の周辺部のシリコン基板が露出
すると、シリコン基板と配線用導電膜との間に電池作用
が生じ、導電膜に腐食が発生するため、半導体ウエハ２
の周辺部をフォトレジスト６で保護しておく必要がある
からである。
ず、周辺部さらには裏面の一部にもフォトレジスト６が
付着している。これは、フォトレジスト６をマスクにし
てアルミニウム合金などの配線用導電膜をエッチングす
る際に、半導体ウエハ２の周辺部のシリコン基板が露出
すると、シリコン基板と配線用導電膜との間に電池作用
が生じ、導電膜に腐食が発生するため、半導体ウエハ２
の周辺部をフォトレジスト６で保護しておく必要がある
からである。
【００２３】プレート板３の上方には、例えば波長１８
５nmおよび２５４nmの紫外線を放射する紫外線ランプ７
が設けられている。同じくプレート板３の上方には、プ
レート板３の上面にオゾンガスを供給するガス供給管８
が設けられている。
５nmおよび２５４nmの紫外線を放射する紫外線ランプ７
が設けられている。同じくプレート板３の上方には、プ
レート板３の上面にオゾンガスを供給するガス供給管８
が設けられている。
【００２４】本実施例１の光アッシング装置１は、半導
体ウエハ２の裏面の周辺部とプレート板３の上面との接
触を防止するため、プレート板３の上面に段差部９が設
けてある。
体ウエハ２の裏面の周辺部とプレート板３の上面との接
触を防止するため、プレート板３の上面に段差部９が設
けてある。
【００２５】また、段差部９の一部には、プレート板３
の表面に金属の薄膜を蒸着して形成した光反射部１０が
設けてある。光反射部１０は、その表面で反射した紫外
光が半導体ウエハ２の裏面の周辺部に集光するような曲
率を有する曲面体で構成されている。
の表面に金属の薄膜を蒸着して形成した光反射部１０が
設けてある。光反射部１０は、その表面で反射した紫外
光が半導体ウエハ２の裏面の周辺部に集光するような曲
率を有する曲面体で構成されている。
【００２６】本実施例１の光アッシング装置１を用いて
フォトレジスト６を除去するには、図示しないロボット
アームを使って半導体ウエハ２をプレート板３の上面に
吸着保持し、半導体ウエハ２を２５０℃程度に加熱した
後、ガス供給管８を通じてプレート板３の上方にオゾン
ガスを供給すると共に、半導体ウエハ２の表面に紫外光
を照射する。
フォトレジスト６を除去するには、図示しないロボット
アームを使って半導体ウエハ２をプレート板３の上面に
吸着保持し、半導体ウエハ２を２５０℃程度に加熱した
後、ガス供給管８を通じてプレート板３の上方にオゾン
ガスを供給すると共に、半導体ウエハ２の表面に紫外光
を照射する。
【００２７】上記の操作により、フォトレジスト６を構
成する樹脂の炭素−炭素結合が紫外光によって切断さ
れ、次いで、紫外光によって励起されたオゾンから生成
するラジカル酸素によって、低分子の炭素化合物が酸化
分解される。
成する樹脂の炭素−炭素結合が紫外光によって切断さ
れ、次いで、紫外光によって励起されたオゾンから生成
するラジカル酸素によって、低分子の炭素化合物が酸化
分解される。
【００２８】このとき、紫外光の一部はプレート板３の
光反射部１０で反射し、半導体ウエハ２の裏面の周辺部
に集光するため、半導体ウエハ２の裏面の周辺部に付着
しているフォトレジスト６も同時に酸化分解される。
光反射部１０で反射し、半導体ウエハ２の裏面の周辺部
に集光するため、半導体ウエハ２の裏面の周辺部に付着
しているフォトレジスト６も同時に酸化分解される。
【００２９】このように、本実施例１の光アッシング装
置１によれば、下記の効果を得ることができる。
置１によれば、下記の効果を得ることができる。
【００３０】(1) プレート板３の上面に段差部９を設
け、半導体ウエハ２の裏面の周辺部とプレート板３の上
面とを非接触にしたので、半導体ウエハ２の裏面の周辺
部に付着したフォトレジスト６がアッシング処理時の熱
によってプレート板３の上面に接着するのを防止するこ
とができる。
け、半導体ウエハ２の裏面の周辺部とプレート板３の上
面とを非接触にしたので、半導体ウエハ２の裏面の周辺
部に付着したフォトレジスト６がアッシング処理時の熱
によってプレート板３の上面に接着するのを防止するこ
とができる。
【００３１】(2) 上記(1) により、アッシング処理済み
の半導体ウエハ２を移送する際にプレート板３の上面に
傷が付いたり、半導体ウエハ２が割れたりする不具合を
回避することができる。
の半導体ウエハ２を移送する際にプレート板３の上面に
傷が付いたり、半導体ウエハ２が割れたりする不具合を
回避することができる。
【００３２】(3) 段差部９の一部に光反射部１０を設
け、その表面で反射した紫外光を半導体ウエハ２の裏面
の周辺部に集光させるようにしたので、半導体ウエハ２
の裏面の周辺部に付着しているフォトレジスト６を、半
導体ウエハ２の表面のフォトレジスト６と同時に酸化分
解することができる。
け、その表面で反射した紫外光を半導体ウエハ２の裏面
の周辺部に集光させるようにしたので、半導体ウエハ２
の裏面の周辺部に付着しているフォトレジスト６を、半
導体ウエハ２の表面のフォトレジスト６と同時に酸化分
解することができる。
【００３３】(4) 上記(3) により、半導体ウエハ２の裏
面の周辺部に付着しているフォトレジスト６を除去する
ための特別の工程が不要となる。
面の周辺部に付着しているフォトレジスト６を除去する
ための特別の工程が不要となる。
【００３４】
【実施例２】前記実施例１の光アッシング装置１は、プ
レート板３の上面に設けた段差部９の一部に光反射部１
０を設けた構成になっていたが、本実施例２の光アッシ
ング装置１は、図２に示すように、プレート板３の上面
に段差部９を設けると共に、このプレート板３の下方の
ホットプレート５の上面に光反射部１０を設け、その表
面で反射した紫外光を半導体ウエハ２の裏面の周辺部に
集光させる構成になっている。
レート板３の上面に設けた段差部９の一部に光反射部１
０を設けた構成になっていたが、本実施例２の光アッシ
ング装置１は、図２に示すように、プレート板３の上面
に段差部９を設けると共に、このプレート板３の下方の
ホットプレート５の上面に光反射部１０を設け、その表
面で反射した紫外光を半導体ウエハ２の裏面の周辺部に
集光させる構成になっている。
【００３５】本実施例２の光アッシング装置１によれ
ば、前記実施例１の光アッシング装置１と同様の効果を
得ることができる。
ば、前記実施例１の光アッシング装置１と同様の効果を
得ることができる。
【００３６】
【実施例３】本発明の一実施例である半導体製造装置
は、半導体ウエハの表面に露光光を照射してその表面に
塗布されたフォトレジストに所定の潜像を形成する露光
装置である。
は、半導体ウエハの表面に露光光を照射してその表面に
塗布されたフォトレジストに所定の潜像を形成する露光
装置である。
【００３７】図３に示すように、この露光装置１１は、
半導体ウエハ２を保持する真空チャック１２を備えてい
る。半導体ウエハ２は、図示しない真空吸着機構によ
り、この真空チャック１２の上面に水平に吸着保持され
る。
半導体ウエハ２を保持する真空チャック１２を備えてい
る。半導体ウエハ２は、図示しない真空吸着機構によ
り、この真空チャック１２の上面に水平に吸着保持され
る。
【００３８】半導体ウエハ２の表面には、フォトレジス
ト６がスピン塗布されている。また、半導体ウエハ２の
周辺部および裏面の一部にもフォトレジスト６が付着し
ている。フォトレジスト６は、例えばノボラック系の樹
脂をベースとするポジ型のフォトレジストで構成されて
いる。
ト６がスピン塗布されている。また、半導体ウエハ２の
周辺部および裏面の一部にもフォトレジスト６が付着し
ている。フォトレジスト６は、例えばノボラック系の樹
脂をベースとするポジ型のフォトレジストで構成されて
いる。
【００３９】本実施例３の露光装置１は、半導体ウエハ
２の裏面の周辺部と真空チャック１２の上面との接触を
防止するため、真空チャック１２の上面に段差部９が設
けてある。
２の裏面の周辺部と真空チャック１２の上面との接触を
防止するため、真空チャック１２の上面に段差部９が設
けてある。
【００４０】また、段差部９の一部には、光反射部１０
が設けてある。光反射部１０は、その表面で反射した紫
外光が半導体ウエハ２の裏面の周辺部に集光するような
曲率を有する曲面体で構成されている。
が設けてある。光反射部１０は、その表面で反射した紫
外光が半導体ウエハ２の裏面の周辺部に集光するような
曲率を有する曲面体で構成されている。
【００４１】本実施例３の露光装置１１によれば、下記
の効果を得ることができる。
の効果を得ることができる。
【００４２】(1) 真空チャック１２の上面に段差部９を
設け、半導体ウエハ２の裏面の周辺部と真空チャック１
２とを非接触にしたので、半導体ウエハ２の裏面の周辺
部に付着したフォトレジスト６による焦点位置の変動を
防止することができる。
設け、半導体ウエハ２の裏面の周辺部と真空チャック１
２とを非接触にしたので、半導体ウエハ２の裏面の周辺
部に付着したフォトレジスト６による焦点位置の変動を
防止することができる。
【００４３】(2) 真空チャック１２の上面に段差部９を
設け、半導体ウエハ２の裏面の周辺部と真空チャック１
２とを非接触にしたので、ウエハハンドリング時の異物
発生を防止することができる。
設け、半導体ウエハ２の裏面の周辺部と真空チャック１
２とを非接触にしたので、ウエハハンドリング時の異物
発生を防止することができる。
【００４４】(3) 段差部９の一部に光反射部１０を設
け、その表面で反射した露光光を半導体ウエハ２の裏面
の周辺部に集光させるようにしたので、半導体ウエハ２
の裏面の周辺部に付着しているフォトレジスト６を現像
工程で除去することができる。
け、その表面で反射した露光光を半導体ウエハ２の裏面
の周辺部に集光させるようにしたので、半導体ウエハ２
の裏面の周辺部に付着しているフォトレジスト６を現像
工程で除去することができる。
【００４５】(4) 上記(3) により、半導体ウエハ２の裏
面の周辺部に付着しているフォトレジスト６を除去する
ための特別の工程が不要となる。
面の周辺部に付着しているフォトレジスト６を除去する
ための特別の工程が不要となる。
【００４６】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００４７】本発明の光アッシング装置は、例えば図４
に示すように、プレート板３の上面に段差部９を設ける
だけの構成であってもよい。すなわち、フォトレジスト
６の酸化分解反応は、オゾンガスと熱とがあれば進行す
るため、光反射部は必ずしも設ける必要はない。
に示すように、プレート板３の上面に段差部９を設ける
だけの構成であってもよい。すなわち、フォトレジスト
６の酸化分解反応は、オゾンガスと熱とがあれば進行す
るため、光反射部は必ずしも設ける必要はない。
【００４８】図４に示す光アッシング装置１は、半導体
ウエハ２の裏面の周辺部とプレート板３とを非接触にし
たことにより、半導体ウエハ２の裏面の周辺部に付着し
たフォトレジスト６の表面にオゾンガスが供給されるの
で、紫外光の照射がなくともこのフォトレジスト６を酸
化分解することができる。ただし、この場合は、紫外光
の照射がある場合に比べて酸化分解時間が長くなるとい
う不利益がある。
ウエハ２の裏面の周辺部とプレート板３とを非接触にし
たことにより、半導体ウエハ２の裏面の周辺部に付着し
たフォトレジスト６の表面にオゾンガスが供給されるの
で、紫外光の照射がなくともこのフォトレジスト６を酸
化分解することができる。ただし、この場合は、紫外光
の照射がある場合に比べて酸化分解時間が長くなるとい
う不利益がある。
【００４９】また、本発明の露光装置は、真空チャック
の上面に段差部を設けるだけの構成であってもよく、光
反射部は、必ずしも必要ではない。ただし、この場合
は、半導体ウエハの裏面の周辺部に付着したフォトレジ
ストを除去する特別の工程が必要になる。
の上面に段差部を設けるだけの構成であってもよく、光
反射部は、必ずしも必要ではない。ただし、この場合
は、半導体ウエハの裏面の周辺部に付着したフォトレジ
ストを除去する特別の工程が必要になる。
【００５０】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【００５１】(1) 本発明の光アッシング装置によれば、
半導体ウエハの裏面の周辺部に付着したフォトレジスト
がアッシング処理時の熱によってプレート板の上面に接
着するのを防止することができるので、アッシング処理
済みの半導体ウエハを移送する際にプレート板の上面に
傷が付いたり、半導体ウエハが割れたりする不具合を回
避することができる。
半導体ウエハの裏面の周辺部に付着したフォトレジスト
がアッシング処理時の熱によってプレート板の上面に接
着するのを防止することができるので、アッシング処理
済みの半導体ウエハを移送する際にプレート板の上面に
傷が付いたり、半導体ウエハが割れたりする不具合を回
避することができる。
【００５２】(2) 本発明の光アッシング装置によれば、
半導体ウエハの裏面の周辺部に付着したフォトレジスト
を、半導体ウエハの表面のフォトレジストと同時に酸化
分解することができる。
半導体ウエハの裏面の周辺部に付着したフォトレジスト
を、半導体ウエハの表面のフォトレジストと同時に酸化
分解することができる。
【００５３】(3) 本発明の露光装置によれば、半導体ウ
エハの裏面の周辺部に付着したフォトレジストによる焦
点位置の変動を防止することができる。また、ウエハハ
ンドリング時の異物発生を防止することができる。
エハの裏面の周辺部に付着したフォトレジストによる焦
点位置の変動を防止することができる。また、ウエハハ
ンドリング時の異物発生を防止することができる。
【００５４】(4) 本発明の露光装置によれば、半導体ウ
エハの裏面の周辺部に付着したフォトレジストを現像工
程で除去することができる。
エハの裏面の周辺部に付着したフォトレジストを現像工
程で除去することができる。
【図１】本発明の一実施例である光アッシング装置の要
部断面図である。
部断面図である。
【図２】本発明の他の実施例である光アッシング装置の
要部断面図である。
要部断面図である。
【図３】本発明の一実施例である露光装置の要部断面図
である。
である。
【図４】本発明の他の実施例である光アッシング装置の
要部断面図である。
要部断面図である。
１ 光アッシング装置 ２ 半導体ウエハ ３ プレート板 ４ ヒータ ５ ホットプレート ６ フォトレジスト ７ 紫外線ランプ ８ ガス供給管 ９ 段差部 １０ 光反射部 １１ 露光装置 １２ 真空チャック
Claims (4)
- 【請求項１】 オゾンを含む雰囲気中で半導体ウエハの
表面に紫外光を照射して前記半導体ウエハの表面に塗布
されたフォトレジストを酸化分解する半導体製造装置で
あって、前記半導体ウエハを保持するプレート板のウエ
ハ保持面に段差部を設け、前記半導体ウエハの周辺部と
前記プレート板とが非接触となるように構成したことを
特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 前記半導体ウエハの裏面の周辺部に紫外
光を集光する光反射部を設けたことを特徴とする請求項
１記載の半導体製造装置。 - 【請求項３】 半導体ウエハの表面に露光光を照射して
前記半導体ウエハの表面に塗布されたフォトレジストに
所定の潜像を形成する半導体製造装置であって、前記半
導体ウエハを保持する真空チャックのウエハ保持面に段
差部を設け、前記半導体ウエハの周辺部と前記真空チャ
ックとが非接触となるように構成したことを特徴とする
半導体製造装置。 - 【請求項４】 前記半導体ウエハの裏面の周辺部に露光
光を集光する光反射部を設けたことを特徴とする請求項
３記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1308292A JPH05206022A (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1308292A JPH05206022A (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05206022A true JPH05206022A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=11823250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1308292A Pending JPH05206022A (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05206022A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002190511A (ja) * | 2000-12-04 | 2002-07-05 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体装置のアッシング設備のチャックプレート及びこれを用いたチャック組立体 |
| JP2007317983A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Nec Lcd Technologies Ltd | 基板処理装置、基板処理方法及び同方法に用いる薬液 |
| JP2008053560A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Meidensha Corp | 基板の表面処理方法とその装置 |
| JP2016181654A (ja) * | 2015-03-25 | 2016-10-13 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| WO2024101144A1 (ja) * | 2022-11-07 | 2024-05-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
-
1992
- 1992-01-28 JP JP1308292A patent/JPH05206022A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002190511A (ja) * | 2000-12-04 | 2002-07-05 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体装置のアッシング設備のチャックプレート及びこれを用いたチャック組立体 |
| JP2007317983A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Nec Lcd Technologies Ltd | 基板処理装置、基板処理方法及び同方法に用いる薬液 |
| JP2008053560A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Meidensha Corp | 基板の表面処理方法とその装置 |
| JP2016181654A (ja) * | 2015-03-25 | 2016-10-13 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| WO2024101144A1 (ja) * | 2022-11-07 | 2024-05-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
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