JPH05205316A - 書き換え可能な光情報記録媒体 - Google Patents
書き換え可能な光情報記録媒体Info
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- JPH05205316A JPH05205316A JP4225220A JP22522092A JPH05205316A JP H05205316 A JPH05205316 A JP H05205316A JP 4225220 A JP4225220 A JP 4225220A JP 22522092 A JP22522092 A JP 22522092A JP H05205316 A JPH05205316 A JP H05205316A
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高反射率で小さな光エネルギーにより記録・
消去及び再生を可能とすること。 【構成】 書き換え可能な光情報記録媒体１０は、基板
１上に透明な屈折率の異なる２つの下層保護膜(I) ２
ａ、下層保護膜(II)２ｂを積層した多層下層保護膜２、
記録膜３、上層保護膜４及び反射膜５が順次形成されて
いる。多層下層保護膜２における各膜厚は、波長の異な
る２つの光のうち記録・消去のための光の波長のとき記
録膜の結晶質部分及び非晶質部分に対応する両部分の反
射率が低く、再生のための光の波長のとき記録膜の両部
分のうち何れか一方で反射率が高く、他方で反射率が低
くなるように設定される。これにより、本発明の書き換
え可能な光情報記録媒体は、記録・消去のときの光吸収
率を大きく、再生のときの反射率を充分高くできるの
で、その際の必要な光エネルギーは小さなもので済む。
消去及び再生を可能とすること。 【構成】 書き換え可能な光情報記録媒体１０は、基板
１上に透明な屈折率の異なる２つの下層保護膜(I) ２
ａ、下層保護膜(II)２ｂを積層した多層下層保護膜２、
記録膜３、上層保護膜４及び反射膜５が順次形成されて
いる。多層下層保護膜２における各膜厚は、波長の異な
る２つの光のうち記録・消去のための光の波長のとき記
録膜の結晶質部分及び非晶質部分に対応する両部分の反
射率が低く、再生のための光の波長のとき記録膜の両部
分のうち何れか一方で反射率が高く、他方で反射率が低
くなるように設定される。これにより、本発明の書き換
え可能な光情報記録媒体は、記録・消去のときの光吸収
率を大きく、再生のときの反射率を充分高くできるの
で、その際の必要な光エネルギーは小さなもので済む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、記録・消去及び再生を
行うことができる書き換え可能な光情報記録媒体に関す
る。
行うことができる書き換え可能な光情報記録媒体に関す
る。
【０００２】
【従来技術】従来、再生専用の光情報記録媒体である光
ディスクとしてコンパクトディスク（以下、ＣＤとい
う）が広く普及し、車載用としても使用されている。こ
こで、車載用の光ディスクに要求される性能の一つとし
て耐振動性がある。この耐振動性を向上するためには、
光ディスク側では高反射率にすることが要求される。書
き換え可能な光情報記録媒体として、特開平２−１６５
４４４号公報「書換え可能型光ディスク」にて開示され
たものが知られている。このものは、光照射により結晶
状態を可逆的変化、つまり、非晶質−結晶質間で相転移
させ、それに伴って生じる反射率の変化を利用する相変
化型の光ディスクである。非晶質部分（例えば、記録状
態部分）を得るには、記録膜（光記録層）に大きな光エ
ネルギー（高レーザパワー）を短い時間照射し高温溶融
状態から急冷することにより達成される。又、結晶質部
分（例えば、消去状態部分）を得るには、記録膜（光記
録層）に中程度の光エネルギー（中程度のレーザパワ
ー）を照射し非晶質状態を加熱徐冷することにより達成
される。
ディスクとしてコンパクトディスク（以下、ＣＤとい
う）が広く普及し、車載用としても使用されている。こ
こで、車載用の光ディスクに要求される性能の一つとし
て耐振動性がある。この耐振動性を向上するためには、
光ディスク側では高反射率にすることが要求される。書
き換え可能な光情報記録媒体として、特開平２−１６５
４４４号公報「書換え可能型光ディスク」にて開示され
たものが知られている。このものは、光照射により結晶
状態を可逆的変化、つまり、非晶質−結晶質間で相転移
させ、それに伴って生じる反射率の変化を利用する相変
化型の光ディスクである。非晶質部分（例えば、記録状
態部分）を得るには、記録膜（光記録層）に大きな光エ
ネルギー（高レーザパワー）を短い時間照射し高温溶融
状態から急冷することにより達成される。又、結晶質部
分（例えば、消去状態部分）を得るには、記録膜（光記
録層）に中程度の光エネルギー（中程度のレーザパワ
ー）を照射し非晶質状態を加熱徐冷することにより達成
される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、相変化型書
き換え可能な光情報記録媒体の記録膜の結晶質部分（例
えば、消去状態部分）に対応した部分の反射率は高くて
も50％程度で、ＣＤ規格の65％と比べると低い。又、高
反射率状態では、当然、光吸収率が小さいため記録・消
去のときの光エネルギーは非常に大きなものとなってし
まうという問題があった。又、結晶質部分と非晶質部分
との光吸収率の差が大きい状態では、記録又は消去に必
要な光エネルギーが結晶質部分と非晶質部分とで大きく
異なることから、上記記録状態を一旦消去状態としない
でその上から再記録する所謂オーバライトが困難になる
という問題があった。
き換え可能な光情報記録媒体の記録膜の結晶質部分（例
えば、消去状態部分）に対応した部分の反射率は高くて
も50％程度で、ＣＤ規格の65％と比べると低い。又、高
反射率状態では、当然、光吸収率が小さいため記録・消
去のときの光エネルギーは非常に大きなものとなってし
まうという問題があった。又、結晶質部分と非晶質部分
との光吸収率の差が大きい状態では、記録又は消去に必
要な光エネルギーが結晶質部分と非晶質部分とで大きく
異なることから、上記記録状態を一旦消去状態としない
でその上から再記録する所謂オーバライトが困難になる
という問題があった。
【０００４】本発明は、上記の課題を解決するために成
されたものであり、その目的とするところは、書き換え
可能な光情報記録媒体において、高反射率が実現できる
と共に小さな光エネルギーにより記録・消去及び再生を
可能とすることである。
されたものであり、その目的とするところは、書き換え
可能な光情報記録媒体において、高反射率が実現できる
と共に小さな光エネルギーにより記録・消去及び再生を
可能とすることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の発明の構成は、基板上に下層保護膜、記録膜、上層保
護膜及び反射膜を順次形成した書き換え可能な光情報記
録媒体であって、前記下層保護膜は波長の異なる２つの
光に対して透明で屈折率の異なる複数の膜から成り、屈
折率の大きい方を入射光側とし交互に配設した多層構造
とし、前記２つの光のうち記録・消去のための光の波長
のとき前記記録膜の結晶質部分及び非晶質部分に対応す
る両部分の反射率が共に低く、前記２つの光のうち再生
のための光の波長のとき前記記録膜の結晶質部分及び非
晶質部分に対応する両部分のうち何れか一方で反射率が
高く、他方で反射率が低くなるようにそれらの膜厚を設
定することを特徴とする。
の発明の構成は、基板上に下層保護膜、記録膜、上層保
護膜及び反射膜を順次形成した書き換え可能な光情報記
録媒体であって、前記下層保護膜は波長の異なる２つの
光に対して透明で屈折率の異なる複数の膜から成り、屈
折率の大きい方を入射光側とし交互に配設した多層構造
とし、前記２つの光のうち記録・消去のための光の波長
のとき前記記録膜の結晶質部分及び非晶質部分に対応す
る両部分の反射率が共に低く、前記２つの光のうち再生
のための光の波長のとき前記記録膜の結晶質部分及び非
晶質部分に対応する両部分のうち何れか一方で反射率が
高く、他方で反射率が低くなるようにそれらの膜厚を設
定することを特徴とする。
【０００６】
【作用及び効果】本発明の書き換え可能な光情報記録媒
体は、基板上に下層保護膜、記録膜、上層保護膜及び反
射膜が順次形成されている。上記下層保護膜は波長の異
なる２つの光に対して透明で屈折率の異なる複数の膜か
ら成り、屈折率の大きい方を入射光側とし交互に配設し
た多層構造である。多層構造から成る上記下層保護膜の
各膜厚は、上記２つの光のうち記録・消去のための光の
波長のとき上記記録膜の結晶質部分及び非晶質部分に対
応する両部分の反射率が共に低くなるように設定され
る。又、多層構造から成る上記下層保護膜の各膜厚は、
上記２つの光のうち再生のための光の波長のとき上記記
録膜の結晶質部分及び非晶質部分に対応する両部分のう
ち何れか一方で反射率が高く、他方で反射率が低くなる
ように設定される。そして、上記光情報記録媒体は、上
記２つの光を用いて記録・消去及び再生される。これに
より、本発明の書き換え可能な光情報記録媒体は、記録
・消去のときの光吸収率が大きくなりその必要な光エネ
ルギーは小さなもので済むことになる。又、このもの
は、記録膜の非晶質部分及び結晶質部分に対応する両部
分の反射率が共に低くく、光吸収率の差が小さいためオ
ーバライトが容易である。更に、このものは、再生のと
き記録膜の結晶質部分に対応する部分が対振動性に強い
高反射率状態となるため、光エネルギーが小さくても再
生可能となる。
体は、基板上に下層保護膜、記録膜、上層保護膜及び反
射膜が順次形成されている。上記下層保護膜は波長の異
なる２つの光に対して透明で屈折率の異なる複数の膜か
ら成り、屈折率の大きい方を入射光側とし交互に配設し
た多層構造である。多層構造から成る上記下層保護膜の
各膜厚は、上記２つの光のうち記録・消去のための光の
波長のとき上記記録膜の結晶質部分及び非晶質部分に対
応する両部分の反射率が共に低くなるように設定され
る。又、多層構造から成る上記下層保護膜の各膜厚は、
上記２つの光のうち再生のための光の波長のとき上記記
録膜の結晶質部分及び非晶質部分に対応する両部分のう
ち何れか一方で反射率が高く、他方で反射率が低くなる
ように設定される。そして、上記光情報記録媒体は、上
記２つの光を用いて記録・消去及び再生される。これに
より、本発明の書き換え可能な光情報記録媒体は、記録
・消去のときの光吸収率が大きくなりその必要な光エネ
ルギーは小さなもので済むことになる。又、このもの
は、記録膜の非晶質部分及び結晶質部分に対応する両部
分の反射率が共に低くく、光吸収率の差が小さいためオ
ーバライトが容易である。更に、このものは、再生のと
き記録膜の結晶質部分に対応する部分が対振動性に強い
高反射率状態となるため、光エネルギーが小さくても再
生可能となる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明する。図１は本発明に係る書き換え可能な光情報記録
媒体の断面構造を示した模式図である。書き換え可能な
光情報記録媒体１０は、例えば、円盤状の透明なガラス
又はプラスチックから成る基板１上に順次、以下の膜が
積層され形成されている。ポリカーボネイト（屈折率1.
58）から成る基板１上に、下層保護膜として多層下層保
護膜２を形成した。この多層下層保護膜２は、波長(685
nm,780nm) の異なる２つの光に対して透明で屈折率の異
なる２層の膜である下層保護膜(I) ２ａと下層保護膜(I
I)２ｂとで多層構造となるように積層した。上記下層保
護膜(I) ２ａはＴiＯ2（屈折率2.5)にて厚さ 240nm、上
記下層保護膜(II)２ｂはＺnＳ-ＳiＯ2（屈折率2.0)にて
厚さ 100nmにそれぞれ成膜した。次に、上記下層保護膜
(II)２ｂ上に ＧeＳbＴeから成る記録膜３を成膜した。
その上に、ＺnＳ-ＳiＯ2（屈折率2.0)から成る上層保護
膜４を厚さ 140nmにて成膜した。更に、Ａu から成る反
射膜５を厚さ 100nmにて成膜した。尚、上述の各膜はス
パッタリングにより形成した。又、この上にオーバコー
トとして更に、無機物や有機物の膜を形成しても良い。
又、下層保護膜(I) と下層保護膜(II)とは波長の異なる
２つの光に対して透明で屈折率に差のある（屈折率の異
なる）膜であれば良い。
明する。図１は本発明に係る書き換え可能な光情報記録
媒体の断面構造を示した模式図である。書き換え可能な
光情報記録媒体１０は、例えば、円盤状の透明なガラス
又はプラスチックから成る基板１上に順次、以下の膜が
積層され形成されている。ポリカーボネイト（屈折率1.
58）から成る基板１上に、下層保護膜として多層下層保
護膜２を形成した。この多層下層保護膜２は、波長(685
nm,780nm) の異なる２つの光に対して透明で屈折率の異
なる２層の膜である下層保護膜(I) ２ａと下層保護膜(I
I)２ｂとで多層構造となるように積層した。上記下層保
護膜(I) ２ａはＴiＯ2（屈折率2.5)にて厚さ 240nm、上
記下層保護膜(II)２ｂはＺnＳ-ＳiＯ2（屈折率2.0)にて
厚さ 100nmにそれぞれ成膜した。次に、上記下層保護膜
(II)２ｂ上に ＧeＳbＴeから成る記録膜３を成膜した。
その上に、ＺnＳ-ＳiＯ2（屈折率2.0)から成る上層保護
膜４を厚さ 140nmにて成膜した。更に、Ａu から成る反
射膜５を厚さ 100nmにて成膜した。尚、上述の各膜はス
パッタリングにより形成した。又、この上にオーバコー
トとして更に、無機物や有機物の膜を形成しても良い。
又、下層保護膜(I) と下層保護膜(II)とは波長の異なる
２つの光に対して透明で屈折率に差のある（屈折率の異
なる）膜であれば良い。
【０００８】図２は、上述の構造から成る光情報記録媒
体１０における結晶質部分と非晶質部分との記録膜膜厚
(nm)に対する反射率(％)の依存性のシミュレーション結
果を示した特性図である。尚、図２(a) は光の波長λが
記録・消去のための 685nmのときであり、図２(b) は光
の波長λが再生のための 780nmのときである。光の波長
685nmのとき、記録膜３の膜厚が70nmで結晶質部分の反
射率が42％となり、非晶質部分の反射率が29％となっ
た。又、光の波長 780nmのとき、記録膜３の膜厚が70nm
で結晶質部分の反射率が63％となり、非晶質部分の反射
率が25％となった。以上のような反射率変化となり、光
の波長が 685nmにおける光吸収率は結晶質部分が58％、
非晶質部分が71％である。即ち、本実施例の光情報記録
媒体１０は結晶質部分及び非晶質部分の光吸収率が共に
大きいので、記録・消去が小さな光エネルギーにより容
易にできる。又、オーバライトも可能となる。光の波長
を 780nmにすると結晶質部分の反射率が大きくなり、再
生用の光エネルギーが小さくても、容易にフォーカスサ
ーボ又はトラッキングサーボなどが可能となる。尚、上
記フォーカスサーボとは、光情報記録媒体に対するピッ
クアップ光学系において、焦点が光情報記録媒体の上下
動に対し正確に位置するように対物レンズを上下させる
制御である。又、上記トラッキングサーボとは、光情報
記録媒体に対するピックアップ光学系において、光情報
記録媒体が回転する際に半径方向に生じるトラック振れ
にビームを追従させる制御である。これにより、光情報
記録媒体１０は録再などをする際の振動に対して強くな
るという効果がある。
体１０における結晶質部分と非晶質部分との記録膜膜厚
(nm)に対する反射率(％)の依存性のシミュレーション結
果を示した特性図である。尚、図２(a) は光の波長λが
記録・消去のための 685nmのときであり、図２(b) は光
の波長λが再生のための 780nmのときである。光の波長
685nmのとき、記録膜３の膜厚が70nmで結晶質部分の反
射率が42％となり、非晶質部分の反射率が29％となっ
た。又、光の波長 780nmのとき、記録膜３の膜厚が70nm
で結晶質部分の反射率が63％となり、非晶質部分の反射
率が25％となった。以上のような反射率変化となり、光
の波長が 685nmにおける光吸収率は結晶質部分が58％、
非晶質部分が71％である。即ち、本実施例の光情報記録
媒体１０は結晶質部分及び非晶質部分の光吸収率が共に
大きいので、記録・消去が小さな光エネルギーにより容
易にできる。又、オーバライトも可能となる。光の波長
を 780nmにすると結晶質部分の反射率が大きくなり、再
生用の光エネルギーが小さくても、容易にフォーカスサ
ーボ又はトラッキングサーボなどが可能となる。尚、上
記フォーカスサーボとは、光情報記録媒体に対するピッ
クアップ光学系において、焦点が光情報記録媒体の上下
動に対し正確に位置するように対物レンズを上下させる
制御である。又、上記トラッキングサーボとは、光情報
記録媒体に対するピックアップ光学系において、光情報
記録媒体が回転する際に半径方向に生じるトラック振れ
にビームを追従させる制御である。これにより、光情報
記録媒体１０は録再などをする際の振動に対して強くな
るという効果がある。
【０００９】図３は本発明に係る書き換え可能な光情報
記録媒体の第２実施例の断面構造を示した模式図であ
る。書き換え可能な光情報記録媒体３０は、基板３１と
記録膜３３との間の下層保護膜を多層下層保護膜３２と
した。この多層下層保護膜３２は、波長(685nm,780nm)
の異なる２つの光に対して透明で屈折率の異なる２層の
膜である下層保護膜(I) ３２ａ及び下層保護膜(II)３２
ｂを単位とする多層構造となるように交互に４層積層し
た。上記下層保護膜(I) ３２ａはＴiＯ2（屈折率 2.5）
にて厚さ87nm、上記下層保護膜(II)３２ｂはＺnＳ-Ｓi
Ｏ2（屈折率 2.0）にて厚さ 100nmにそれぞれ成膜し
た。尚、上記基板３１、記録膜３３及び上層保護膜３
４、反射膜３５の材質などは上述の実施例におけるもの
と同様であり説明を省略する。
記録媒体の第２実施例の断面構造を示した模式図であ
る。書き換え可能な光情報記録媒体３０は、基板３１と
記録膜３３との間の下層保護膜を多層下層保護膜３２と
した。この多層下層保護膜３２は、波長(685nm,780nm)
の異なる２つの光に対して透明で屈折率の異なる２層の
膜である下層保護膜(I) ３２ａ及び下層保護膜(II)３２
ｂを単位とする多層構造となるように交互に４層積層し
た。上記下層保護膜(I) ３２ａはＴiＯ2（屈折率 2.5）
にて厚さ87nm、上記下層保護膜(II)３２ｂはＺnＳ-Ｓi
Ｏ2（屈折率 2.0）にて厚さ 100nmにそれぞれ成膜し
た。尚、上記基板３１、記録膜３３及び上層保護膜３
４、反射膜３５の材質などは上述の実施例におけるもの
と同様であり説明を省略する。
【００１０】図４は、上述の構造から成る光情報記録媒
体３０における結晶質部分と非晶質部分との記録膜膜厚
(nm)に対する反射率(％)の依存性のシミュレーション結
果を示した特性図である。尚、図４(a) は光の波長λが
記録・消去のための 685nmのときであり、図４(b) は光
の波長λが再生のための 780nmのときである。光の波長
685nmのとき、記録膜３３の膜厚が65nmで結晶質部分の
反射率が42％となり、非晶質部分の反射率が28％となっ
た。又、光の波長 780nmのとき、記録膜３３の膜厚が65
nmで結晶質部分の反射率が70％となり、非晶質部分の反
射率が33％となった。以上のような反射率変化となるた
め、光の波長が 780nmでは結晶質部分の反射率がＣＤ規
格である反射率65％以上を満足する。従って、録再ＣＤ
用の基板上に本発明構造の膜を形成すると、市販のＣＤ
再生機で再生可能となる。
体３０における結晶質部分と非晶質部分との記録膜膜厚
(nm)に対する反射率(％)の依存性のシミュレーション結
果を示した特性図である。尚、図４(a) は光の波長λが
記録・消去のための 685nmのときであり、図４(b) は光
の波長λが再生のための 780nmのときである。光の波長
685nmのとき、記録膜３３の膜厚が65nmで結晶質部分の
反射率が42％となり、非晶質部分の反射率が28％となっ
た。又、光の波長 780nmのとき、記録膜３３の膜厚が65
nmで結晶質部分の反射率が70％となり、非晶質部分の反
射率が33％となった。以上のような反射率変化となるた
め、光の波長が 780nmでは結晶質部分の反射率がＣＤ規
格である反射率65％以上を満足する。従って、録再ＣＤ
用の基板上に本発明構造の膜を形成すると、市販のＣＤ
再生機で再生可能となる。
【００１１】次に、本発明に係る書き換え可能な光情報
記録媒体の第３実施例について述べる。この光情報記録
媒体５０の断面構造は上述の第２実施例と同様であり、
図３において、基板５１、多層下層保護膜５２（下層保
護膜(I) ５２ａ、下層保護膜(II)５２ｂ）、記録膜５
３、上層保護膜５４、反射膜５５とそれぞれ符号を読み
替えたものとする。尚、光情報記録媒体３０，５０で
は、ＴiＯ2から成る下層保護膜(I) ３２ａ，５２ａの膜
厚が異なる。書き換え可能な光情報記録媒体５０は、基
板５１と記録膜５３との間の下層保護膜を多層下層保護
膜５２とした。この多層下層保護膜５２は、波長(685n
m,780nm) の異なる２つの光に対して透明で屈折率の異
なる２層の膜である下層保護膜(I) ５２ａ及び下層保護
膜(II)５２ｂを単位とする多層構造となるように交互に
４層積層した。即ち、下層保護膜(I) ５２ａはＴiＯ
2（屈折率 2.5）にて厚さ 240nm、下層保護膜(II)５２
ｂはＺnＳ-ＳiＯ2（屈折率 2.0）にて第２実施例と同じ
厚さ 100nmにそれぞれ成膜した。
記録媒体の第３実施例について述べる。この光情報記録
媒体５０の断面構造は上述の第２実施例と同様であり、
図３において、基板５１、多層下層保護膜５２（下層保
護膜(I) ５２ａ、下層保護膜(II)５２ｂ）、記録膜５
３、上層保護膜５４、反射膜５５とそれぞれ符号を読み
替えたものとする。尚、光情報記録媒体３０，５０で
は、ＴiＯ2から成る下層保護膜(I) ３２ａ，５２ａの膜
厚が異なる。書き換え可能な光情報記録媒体５０は、基
板５１と記録膜５３との間の下層保護膜を多層下層保護
膜５２とした。この多層下層保護膜５２は、波長(685n
m,780nm) の異なる２つの光に対して透明で屈折率の異
なる２層の膜である下層保護膜(I) ５２ａ及び下層保護
膜(II)５２ｂを単位とする多層構造となるように交互に
４層積層した。即ち、下層保護膜(I) ５２ａはＴiＯ
2（屈折率 2.5）にて厚さ 240nm、下層保護膜(II)５２
ｂはＺnＳ-ＳiＯ2（屈折率 2.0）にて第２実施例と同じ
厚さ 100nmにそれぞれ成膜した。
【００１２】図５は、上述の構造から成る光情報記録媒
体５０における結晶質部分と非晶質部分との記録膜膜厚
(nm)に対する反射率(％)の依存性のシミュレーション結
果を示した特性図である。尚、図５(a) は光の波長λが
記録・消去のための 685nmのときであり、図５(b) は光
の波長λが再生のための 780nmのときである。光の波長
685nmのとき、記録膜５３の膜厚が65nmで結晶質部分の
反射率が31％となり、非晶質部分の反射率が10％となっ
た。又、光の波長 780nmのとき、記録膜５３の膜厚が65
nmで結晶質部分の反射率が72％となり、非晶質部分の反
射率が35％となった。以上のような反射率変化となり、
光の波長が 685nmにおける光吸収率は結晶質部分が69
％、非晶質部分が90％である。このように、本発明の光
情報記録媒体５０では、再生時の非晶質部分及び結晶質
部分の感度が向上し、例えば、ビデオディスクのような
高速回転（10m/sec)の記録媒体として使用できる。つま
り、上記光情報記録媒体５０は、結晶質部分の反射率が
高いので市販のビデオディスク再生機で再生可能とな
る。
体５０における結晶質部分と非晶質部分との記録膜膜厚
(nm)に対する反射率(％)の依存性のシミュレーション結
果を示した特性図である。尚、図５(a) は光の波長λが
記録・消去のための 685nmのときであり、図５(b) は光
の波長λが再生のための 780nmのときである。光の波長
685nmのとき、記録膜５３の膜厚が65nmで結晶質部分の
反射率が31％となり、非晶質部分の反射率が10％となっ
た。又、光の波長 780nmのとき、記録膜５３の膜厚が65
nmで結晶質部分の反射率が72％となり、非晶質部分の反
射率が35％となった。以上のような反射率変化となり、
光の波長が 685nmにおける光吸収率は結晶質部分が69
％、非晶質部分が90％である。このように、本発明の光
情報記録媒体５０では、再生時の非晶質部分及び結晶質
部分の感度が向上し、例えば、ビデオディスクのような
高速回転（10m/sec)の記録媒体として使用できる。つま
り、上記光情報記録媒体５０は、結晶質部分の反射率が
高いので市販のビデオディスク再生機で再生可能とな
る。
【００１３】図６は本発明に係る書き換え可能な光情報
記録媒体の第４実施例の断面構造を示した模式図であ
る。書き換え可能な光情報記録媒体６０は、基板６１と
記録膜６３との下層保護膜を４層積層し多層下層保護膜
６２とした。上記多層下層保護膜６２は、ポリカーボネ
イトから成る基板６１上に、ＴiＯ2（屈折率2.5)から成
る下層保護膜(I) ６２ａを厚さ 200nm、ＳiＯ2（屈折率
1.46）から成る下層保護膜(II)６２ｂを厚さ 150nm、Ｔ
iＯ2から成る下層保護膜(III) ６２ｃを厚さ 200nmにて
それぞれ成膜した。これらの膜はスパッタリング法によ
り成膜し、材料ソースであるターゲットにはそれぞれＴ
iＯ2，ＳiＯ2を用いた。更に、ＺnＳ-ＳiＯ2（屈折率2.
0)から成る下層保護膜(IV)６２ｄを厚さ90nmにて成膜し
た。この膜も同じくスパッタリング法により成膜する
が、材料ソースであるターゲットにはＺnＳ とＳiＯ2と
を混合焼結したものを用いた。次に、ＧeＳbＴe から成
る記録膜６３を成膜した。この膜もスパッタリング法に
より成膜し、材料ソースであるターゲットには、Ｇe,Ｓ
b,Ｔe を適当に混合焼結したもの（ＧeＳb2Ｔe4,Ｇe2Ｓ
b2Ｔe5等）を用いた。上記記録膜６３上に、ＺnＳ-Ｓi
Ｏ2から成る上層保護膜６４を厚さ 135nmにて成膜し
た。この膜の成膜方法は、下層保護膜(IV)６２ｄと同じ
とした。更に、Ａu から成る反射膜６５を厚さ 100nmに
て成膜した。この膜は、スパッタリング法又は真空蒸着
法にて成膜した。
記録媒体の第４実施例の断面構造を示した模式図であ
る。書き換え可能な光情報記録媒体６０は、基板６１と
記録膜６３との下層保護膜を４層積層し多層下層保護膜
６２とした。上記多層下層保護膜６２は、ポリカーボネ
イトから成る基板６１上に、ＴiＯ2（屈折率2.5)から成
る下層保護膜(I) ６２ａを厚さ 200nm、ＳiＯ2（屈折率
1.46）から成る下層保護膜(II)６２ｂを厚さ 150nm、Ｔ
iＯ2から成る下層保護膜(III) ６２ｃを厚さ 200nmにて
それぞれ成膜した。これらの膜はスパッタリング法によ
り成膜し、材料ソースであるターゲットにはそれぞれＴ
iＯ2，ＳiＯ2を用いた。更に、ＺnＳ-ＳiＯ2（屈折率2.
0)から成る下層保護膜(IV)６２ｄを厚さ90nmにて成膜し
た。この膜も同じくスパッタリング法により成膜する
が、材料ソースであるターゲットにはＺnＳ とＳiＯ2と
を混合焼結したものを用いた。次に、ＧeＳbＴe から成
る記録膜６３を成膜した。この膜もスパッタリング法に
より成膜し、材料ソースであるターゲットには、Ｇe,Ｓ
b,Ｔe を適当に混合焼結したもの（ＧeＳb2Ｔe4,Ｇe2Ｓ
b2Ｔe5等）を用いた。上記記録膜６３上に、ＺnＳ-Ｓi
Ｏ2から成る上層保護膜６４を厚さ 135nmにて成膜し
た。この膜の成膜方法は、下層保護膜(IV)６２ｄと同じ
とした。更に、Ａu から成る反射膜６５を厚さ 100nmに
て成膜した。この膜は、スパッタリング法又は真空蒸着
法にて成膜した。
【００１４】図７は、上述の構造から成る光情報記録媒
体６０における結晶質部分と非晶質部分との記録膜膜厚
(nm)に対する反射率(％)の依存性のシミュレーション結
果を示した特性図である。尚、図７(a) は光の波長λが
再生のための 780nmのときであり、図７(b) は光の波長
λが記録・消去のための 850nmのときである。光の波長
780nmのとき、記録膜６３膜厚が65nmで結晶質部分の反
射率が72％となり、非晶質部分の反射率が31％となっ
た。又、光の波長 850nmのとき、記録膜６３の膜厚が65
nmで結晶質部分及び非晶質部分共に反射率が30％となっ
た。以上のような反射率変化となるため、光の波長が 7
80nmでは結晶質部分の反射率がＣＤ規格である反射率65
％以上を満足する。又、光の波長が 850nmでは光吸収が
大きいため記録・消去が容易となる。
体６０における結晶質部分と非晶質部分との記録膜膜厚
(nm)に対する反射率(％)の依存性のシミュレーション結
果を示した特性図である。尚、図７(a) は光の波長λが
再生のための 780nmのときであり、図７(b) は光の波長
λが記録・消去のための 850nmのときである。光の波長
780nmのとき、記録膜６３膜厚が65nmで結晶質部分の反
射率が72％となり、非晶質部分の反射率が31％となっ
た。又、光の波長 850nmのとき、記録膜６３の膜厚が65
nmで結晶質部分及び非晶質部分共に反射率が30％となっ
た。以上のような反射率変化となるため、光の波長が 7
80nmでは結晶質部分の反射率がＣＤ規格である反射率65
％以上を満足する。又、光の波長が 850nmでは光吸収が
大きいため記録・消去が容易となる。
【００１５】次に、本発明に係る書き換え可能な光情報
記録媒体の第５実施例について述べる。この光情報記録
媒体８０の断面構造は上述の第４実施例と同様であり、
図６において、基板８１、多層下層保護膜８２（下層保
護膜(I) ８２ａ、下層保護膜(II)８２ｂ、下層保護膜(I
II) ８２ｃ、下層保護膜(IV)８２ｄ）、記録膜８３、上
層保護膜８４、反射膜８５とそれぞれ符号を読み替えた
ものとする。尚、下層保護膜(II)８２ｂを上記ＳiＯ
2（屈折率1.46）より屈折率の低い ＭgＦ2(屈折率1.3
8）にて膜厚 160nmとし、その膜に上下隣接するＴiＯ2
膜との屈折率差をより大きくする。
記録媒体の第５実施例について述べる。この光情報記録
媒体８０の断面構造は上述の第４実施例と同様であり、
図６において、基板８１、多層下層保護膜８２（下層保
護膜(I) ８２ａ、下層保護膜(II)８２ｂ、下層保護膜(I
II) ８２ｃ、下層保護膜(IV)８２ｄ）、記録膜８３、上
層保護膜８４、反射膜８５とそれぞれ符号を読み替えた
ものとする。尚、下層保護膜(II)８２ｂを上記ＳiＯ
2（屈折率1.46）より屈折率の低い ＭgＦ2(屈折率1.3
8）にて膜厚 160nmとし、その膜に上下隣接するＴiＯ2
膜との屈折率差をより大きくする。
【００１６】図８は、上述の構造から成る光情報記録媒
体８０における結晶質部分と非晶質部分との記録膜膜厚
(nm)に対する反射率(％)の依存性のシミュレーション結
果を示した特性図である。尚、図８(a) は光の波長λが
再生のための 780nmのときであり、図８(b) は光の波長
λが記録・消去のための 850nmのときである。光の波長
780nmのとき、記録膜８３の膜厚が65nmで結晶質部分の
反射率が75％となり、非晶質部分の反射率が36％となっ
た。又、光の波長 850nmのとき、記録膜８３の膜厚が65
nmで結晶質部分及び非晶質部分共に反射率が34％となっ
た。上述の第４実施例と比べると下層保護膜の屈折率差
を大きくしたことにより反射率を４％程度向上すること
ができた。以上のような膜構造及び記録・消去の方法を
行うことにより、光情報記録媒体８０は従来に比べ極め
て高速な記録・消去を行うことができる。
体８０における結晶質部分と非晶質部分との記録膜膜厚
(nm)に対する反射率(％)の依存性のシミュレーション結
果を示した特性図である。尚、図８(a) は光の波長λが
再生のための 780nmのときであり、図８(b) は光の波長
λが記録・消去のための 850nmのときである。光の波長
780nmのとき、記録膜８３の膜厚が65nmで結晶質部分の
反射率が75％となり、非晶質部分の反射率が36％となっ
た。又、光の波長 850nmのとき、記録膜８３の膜厚が65
nmで結晶質部分及び非晶質部分共に反射率が34％となっ
た。上述の第４実施例と比べると下層保護膜の屈折率差
を大きくしたことにより反射率を４％程度向上すること
ができた。以上のような膜構造及び記録・消去の方法を
行うことにより、光情報記録媒体８０は従来に比べ極め
て高速な記録・消去を行うことができる。
【００１７】以上説明したように、本発明に係る書き換
え可能な光情報記録媒体においては、多層下層保護膜の
うち下層保護膜(I) と下層保護膜(III) とは透明で屈折
率の高い材料が良く、下層保護膜(II)は透明で屈折率の
低い材料が良い。更に、下層保護膜(IV)と上層保護膜と
に用いる材料の条件は以下の通りとすると良いことが分
かった。 上述の波長の光に対して透明であること。 記録膜よりも融点が高いこと。 記録膜と反応しないこと。
え可能な光情報記録媒体においては、多層下層保護膜の
うち下層保護膜(I) と下層保護膜(III) とは透明で屈折
率の高い材料が良く、下層保護膜(II)は透明で屈折率の
低い材料が良い。更に、下層保護膜(IV)と上層保護膜と
に用いる材料の条件は以下の通りとすると良いことが分
かった。 上述の波長の光に対して透明であること。 記録膜よりも融点が高いこと。 記録膜と反応しないこと。
【００１８】又、本発明に係る書き換え可能な光情報記
録媒体における記録膜の材質としては、上述の ＧeＳb
Ｔe系以外に ＩnＳbＴe系やＩnＳe系などの相変化膜で
も良い。更に、本発明に係る書き換え可能な光情報記録
媒体にオーバコートを施した上に保護板又はもう１つの
同様の光情報記録媒体を接着剤などで張り合わせても良
い。
録媒体における記録膜の材質としては、上述の ＧeＳb
Ｔe系以外に ＩnＳbＴe系やＩnＳe系などの相変化膜で
も良い。更に、本発明に係る書き換え可能な光情報記録
媒体にオーバコートを施した上に保護板又はもう１つの
同様の光情報記録媒体を接着剤などで張り合わせても良
い。
【図１】本発明の具体的な一実施例に係る書き換え可能
な光情報記録媒体の断面構造を示した模式図である。
な光情報記録媒体の断面構造を示した模式図である。
【図２】同実施例に係る書き換え可能な光情報記録媒体
における結晶質部分と非晶質部分との記録膜膜厚に対す
る反射率の依存性のシミュレーション結果を示した特性
図である。
における結晶質部分と非晶質部分との記録膜膜厚に対す
る反射率の依存性のシミュレーション結果を示した特性
図である。
【図３】本発明に係る書き換え可能な光情報記録媒体の
第２実施例の断面構造を示した模式図である。
第２実施例の断面構造を示した模式図である。
【図４】本発明に係る書き換え可能な光情報記録媒体の
第２実施例における結晶質部分と非晶質部分との記録膜
膜厚に対する反射率の依存性のシミュレーション結果を
示した特性図である。
第２実施例における結晶質部分と非晶質部分との記録膜
膜厚に対する反射率の依存性のシミュレーション結果を
示した特性図である。
【図５】本発明に係る書き換え可能な光情報記録媒体の
第３実施例における結晶質部分と非晶質部分との記録膜
膜厚に対する反射率の依存性のシミュレーション結果を
示した特性図である。
第３実施例における結晶質部分と非晶質部分との記録膜
膜厚に対する反射率の依存性のシミュレーション結果を
示した特性図である。
【図６】本発明に係る書き換え可能な光情報記録媒体の
第４実施例の断面構造を示した模式図である。
第４実施例の断面構造を示した模式図である。
【図７】本発明に係る書き換え可能な光情報記録媒体の
第４実施例における結晶質部分と非晶質部分との記録膜
膜厚に対する反射率の依存性のシミュレーション結果を
示した特性図である。
第４実施例における結晶質部分と非晶質部分との記録膜
膜厚に対する反射率の依存性のシミュレーション結果を
示した特性図である。
【図８】本発明に係る書き換え可能な光情報記録媒体の
第５実施例における結晶質部分と非晶質部分との記録膜
膜厚に対する反射率の依存性のシミュレーション結果を
示した特性図である。
第５実施例における結晶質部分と非晶質部分との記録膜
膜厚に対する反射率の依存性のシミュレーション結果を
示した特性図である。
１…基板 ２…多層下層保護膜 ２ａ…下層保護膜(I) ２ｂ…下層保護膜(II) ３…記録膜 ４…上層保護膜 ５…反射膜 １０…書き換え可能な光情報記録媒体
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に下層保護膜、記録膜、上層保護
膜及び反射膜を順次形成した書き換え可能な光情報記録
媒体であって、 前記下層保護膜は波長の異なる２つの光に対して透明で
屈折率の異なる複数の膜から成り、屈折率の大きい方を
入射光側とし交互に配設した多層構造とし、前記２つの
光のうち記録・消去のための光の波長のとき前記記録膜
の結晶質部分及び非晶質部分に対応する両部分の反射率
が共に低く、前記２つの光のうち再生のための光の波長
のとき前記記録膜の結晶質部分及び非晶質部分に対応す
る両部分のうち何れか一方で反射率が高く、他方で反射
率が低くなるようにそれらの膜厚を設定することを特徴
とする光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4225220A JPH05205316A (ja) | 1991-11-29 | 1992-07-31 | 書き換え可能な光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-341874 | 1991-11-29 | ||
| JP34187491 | 1991-11-29 | ||
| JP4225220A JPH05205316A (ja) | 1991-11-29 | 1992-07-31 | 書き換え可能な光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05205316A true JPH05205316A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=26526506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4225220A Pending JPH05205316A (ja) | 1991-11-29 | 1992-07-31 | 書き換え可能な光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05205316A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5812182A (en) * | 1995-06-07 | 1998-09-22 | Nippondenso Co., Ltd. | Optical information recording medium for recording erasing and play back of compact disc signals |
| EP0883116A3 (en) * | 1997-06-03 | 1999-02-10 | Nec Corporation | Optical recording media |
| US5962100A (en) * | 1996-07-29 | 1999-10-05 | Denso Corporation | Optical information recording medium |
| KR100425084B1 (ko) * | 1997-06-18 | 2004-07-21 | 엘지전자 주식회사 | 광디스크 기록매체와 그 재생장치 |
-
1992
- 1992-07-31 JP JP4225220A patent/JPH05205316A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5812182A (en) * | 1995-06-07 | 1998-09-22 | Nippondenso Co., Ltd. | Optical information recording medium for recording erasing and play back of compact disc signals |
| US5962100A (en) * | 1996-07-29 | 1999-10-05 | Denso Corporation | Optical information recording medium |
| EP0883116A3 (en) * | 1997-06-03 | 1999-02-10 | Nec Corporation | Optical recording media |
| KR100425084B1 (ko) * | 1997-06-18 | 2004-07-21 | 엘지전자 주식회사 | 광디스크 기록매체와 그 재생장치 |
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