JPH05199024A - マイクロ波共振器 - Google Patents
マイクロ波共振器Info
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- JPH05199024A JPH05199024A JP4155880A JP15588092A JPH05199024A JP H05199024 A JPH05199024 A JP H05199024A JP 4155880 A JP4155880 A JP 4155880A JP 15588092 A JP15588092 A JP 15588092A JP H05199024 A JPH05199024 A JP H05199024A
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Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｑ値が高く、且つ、共振周波数ｆ0 が容易に
調節可能なマイクロ波共振器を提供する。また、共振周
波数ｆ0 を変化させてもＱ値の安定したマイクロ波共振
器を提供する。 【構成】 超電導共振導体10および超電導接地導体30に
より形成された共振回路を流れるマイクロ波が発生する
電磁界内へ侵入可能に配置され、且つ、その侵入量を調
節可能な導体片、誘電体片または磁性体片60を備える。
調節可能なマイクロ波共振器を提供する。また、共振周
波数ｆ0 を変化させてもＱ値の安定したマイクロ波共振
器を提供する。 【構成】 超電導共振導体10および超電導接地導体30に
より形成された共振回路を流れるマイクロ波が発生する
電磁界内へ侵入可能に配置され、且つ、その侵入量を調
節可能な導体片、誘電体片または磁性体片60を備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波共振器に関
する。より詳細には、本発明は、複合酸化物超電導体薄
膜により形成された導体線路を含むマイクロ波共振器の
新規な構成に関する。
する。より詳細には、本発明は、複合酸化物超電導体薄
膜により形成された導体線路を含むマイクロ波共振器の
新規な構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】数十cmから数mmまでの波長を有し、マイ
クロ波あるいはミリ波等と呼ばれる電磁波は、理論的に
は電磁波スペクトルの一部の範囲に過ぎないが、工学的
にはこれを取り扱うための独特の手法やデバイスが開発
されていることから独立して検討される場合が多い。
クロ波あるいはミリ波等と呼ばれる電磁波は、理論的に
は電磁波スペクトルの一部の範囲に過ぎないが、工学的
にはこれを取り扱うための独特の手法やデバイスが開発
されていることから独立して検討される場合が多い。
【０００３】一方、1986年に[La,Ba]2CuＯ4 が30Ｋで超
電導状態を示すことがベドノーツ、ミューラー等によっ
て報告されて以来、1987年にはチュー等によって90Ｋ台
の超電導臨界温度Ｔc を有するＹBa2Cu3Ｏy が報告さ
れ、更に、1988年には前田等によって 100Ｋ以上の臨界
温度を示すいわゆるBi系の複合酸化物系超電導材料が報
告された。これらの一連の複合酸化物系超電導材料は、
廉価な液体窒素による冷却で超電導現象を実現すること
ができるので、超電導技術のより広範な実用化の可能性
がにわかに検討されるようになった。
電導状態を示すことがベドノーツ、ミューラー等によっ
て報告されて以来、1987年にはチュー等によって90Ｋ台
の超電導臨界温度Ｔc を有するＹBa2Cu3Ｏy が報告さ
れ、更に、1988年には前田等によって 100Ｋ以上の臨界
温度を示すいわゆるBi系の複合酸化物系超電導材料が報
告された。これらの一連の複合酸化物系超電導材料は、
廉価な液体窒素による冷却で超電導現象を実現すること
ができるので、超電導技術のより広範な実用化の可能性
がにわかに検討されるようになった。
【０００４】超電導特有の現象が有利に作用するという
点ではマイクロ波デバイスも例外ではない。即ち、例え
ばストリップ線路では、周波数の平方根に比例して、導
体の抵抗による減衰定数が増大する。また、周波数の増
大に比例して誘電体損も増加するが、近年のストリップ
線路では、誘電体材料の改良により、特に10ＧHz以下の
領域では、ストリップ線路の損失は専ら導体層の抵抗に
起因するものが大部分を占めている。従って、ストリッ
プ線路における導体層の抵抗を低減することはマイクロ
波線路の性能を著しく向上させることになる。
点ではマイクロ波デバイスも例外ではない。即ち、例え
ばストリップ線路では、周波数の平方根に比例して、導
体の抵抗による減衰定数が増大する。また、周波数の増
大に比例して誘電体損も増加するが、近年のストリップ
線路では、誘電体材料の改良により、特に10ＧHz以下の
領域では、ストリップ線路の損失は専ら導体層の抵抗に
起因するものが大部分を占めている。従って、ストリッ
プ線路における導体層の抵抗を低減することはマイクロ
波線路の性能を著しく向上させることになる。
【０００５】また、ストリップ線路は、単純な伝送路と
しての用途の他に、適切なパターニングを行うことによ
ってインダクタンス素子、フィルタ、共振器、遅延線等
のマイクロ波デバイスを構成することができる。従っ
て、ストリップ線路の改良はそのままこれらのマイクロ
波デバイスの特性改善につながる。そこで、導体線路を
酸化物超電導体により形成した種々のマイクロ波デバイ
スが提案されている。
しての用途の他に、適切なパターニングを行うことによ
ってインダクタンス素子、フィルタ、共振器、遅延線等
のマイクロ波デバイスを構成することができる。従っ
て、ストリップ線路の改良はそのままこれらのマイクロ
波デバイスの特性改善につながる。そこで、導体線路を
酸化物超電導体により形成した種々のマイクロ波デバイ
スが提案されている。
【０００６】図２は、上述のような酸化物超電導体を使
用したマイクロ波共振器の構成例を示す図である。
用したマイクロ波共振器の構成例を示す図である。
【０００７】図２(a) に示すように、このマイクロ波共
振器は、所定のパターンの酸化物超電導体薄膜により形
成された超電導共振導体10を搭載した第１基板20と、や
はり酸化物超電導体薄膜により形成された超電導接地導
体30を全面に搭載した第２基板40とを、パッケージ50ａ
内に重ねて収容した後、カバー50ｂおよび50ｃによって
パッケージ50ａを封止して構成されている。
振器は、所定のパターンの酸化物超電導体薄膜により形
成された超電導共振導体10を搭載した第１基板20と、や
はり酸化物超電導体薄膜により形成された超電導接地導
体30を全面に搭載した第２基板40とを、パッケージ50ａ
内に重ねて収容した後、カバー50ｂおよび50ｃによって
パッケージ50ａを封止して構成されている。
【０００８】このマイクロ波共振器では、第１基板20と
第２基板40との寸法が互いに異なっており、これに対応
してパッケージ50ａの内面に段差51が形成されている。
又、第２基板40は第１基板20よりも寸法が大きくなって
いる。従って、第２基板40上に搭載された超電導接地導
体30は、その周縁部でパッケージ50ａの段差と接触して
いる。
第２基板40との寸法が互いに異なっており、これに対応
してパッケージ50ａの内面に段差51が形成されている。
又、第２基板40は第１基板20よりも寸法が大きくなって
いる。従って、第２基板40上に搭載された超電導接地導
体30は、その周縁部でパッケージ50ａの段差と接触して
いる。
【０００９】尚、図示されていないが、実際には、共振
導体10に対してマイクロ波を導入するためのリード線等
がパッケージ50ａまたはカバー50ｂを貫通して設けられ
ている。
導体10に対してマイクロ波を導入するためのリード線等
がパッケージ50ａまたはカバー50ｂを貫通して設けられ
ている。
【００１０】図２(b) は、図２(a) に示したマイクロ波
共振器において使用されている第１基板20上に形成され
た超電導共振導体10のパターンを示す図である。
共振器において使用されている第１基板20上に形成され
た超電導共振導体10のパターンを示す図である。
【００１１】同図に示すように、第１基板20上には、共
振器となる直径12mmの円形の超電導導体11と、この超電
導導体11に対してマイクロ波を導入あるいは導出するた
めの１対の超電導導体線路12、13とが形成されている。
これらの超電導共振導体11および超電導導体線路12、13
および第２基板40上の超電導接地導体30は、Ｙ−Ba−Cu
等の複合酸化物である酸化物超電導体薄膜により形成す
ることができる。
振器となる直径12mmの円形の超電導導体11と、この超電
導導体11に対してマイクロ波を導入あるいは導出するた
めの１対の超電導導体線路12、13とが形成されている。
これらの超電導共振導体11および超電導導体線路12、13
および第２基板40上の超電導接地導体30は、Ｙ−Ba−Cu
等の複合酸化物である酸化物超電導体薄膜により形成す
ることができる。
【００１２】上述のような構成のマイクロ波共振器は、
その超電導共振導体11の特性により特定の共振周波数ｆ
0 を有し、マイクロ波通信器の局部発振器の周波数制御
等に用いることができる。
その超電導共振導体11の特性により特定の共振周波数ｆ
0 を有し、マイクロ波通信器の局部発振器の周波数制御
等に用いることができる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実際に
作製されたマイクロ波共振器の共振周波数ｆ0 は、必ず
しも設計仕様通りにはならないという問題がある。すな
わち、酸化物超電導体薄膜を使用して作製したマイクロ
波共振器は、酸化物超電導体薄膜の僅かな特性の変化や
組立時の僅かな誤差が相互に影響し合って不可避に特性
にばらつきが生じる。
作製されたマイクロ波共振器の共振周波数ｆ0 は、必ず
しも設計仕様通りにはならないという問題がある。すな
わち、酸化物超電導体薄膜を使用して作製したマイクロ
波共振器は、酸化物超電導体薄膜の僅かな特性の変化や
組立時の僅かな誤差が相互に影響し合って不可避に特性
にばらつきが生じる。
【００１４】そこで、本発明は、上記従来技術の問題点
を解決し、上述のような特性のばらつきを補正するため
に、共振周波数を容易に調整することができる新規なマ
イクロ波共振器を提供することをその目的としている。
を解決し、上述のような特性のばらつきを補正するため
に、共振周波数を容易に調整することができる新規なマ
イクロ波共振器を提供することをその目的としている。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明に従うと、酸化物
超電導体薄膜により形成された超電導共振導体および超
電導接地導体により構成されたマイクロ波共振器におい
て、更に、該共振導体を流れるマイクロ波が形成する電
磁界内へ侵入可能に配置され、且つ、その侵入量を調節
可能な導体片、誘電体片または磁性体片を備えることを
特徴とするマイクロ波共振器が提供される。
超電導体薄膜により形成された超電導共振導体および超
電導接地導体により構成されたマイクロ波共振器におい
て、更に、該共振導体を流れるマイクロ波が形成する電
磁界内へ侵入可能に配置され、且つ、その侵入量を調節
可能な導体片、誘電体片または磁性体片を備えることを
特徴とするマイクロ波共振器が提供される。
【００１６】
【作用】本発明に係るマイクロ波共振器は、その共振周
波数ｆ0 を変化させることができる機能を有しているこ
とをその主要な特徴としている。
波数ｆ0 を変化させることができる機能を有しているこ
とをその主要な特徴としている。
【００１７】即ち、マイクロストリップ線路をマイクロ
波が伝播する場合、接地導体と導体線路との間には電界
が形成され、同時に導体線路の周囲には磁界が形成され
る。この電磁界中に導体、誘電体または磁性体が挿入さ
れると、共振器の電磁気的な特性が変化する。
波が伝播する場合、接地導体と導体線路との間には電界
が形成され、同時に導体線路の周囲には磁界が形成され
る。この電磁界中に導体、誘電体または磁性体が挿入さ
れると、共振器の電磁気的な特性が変化する。
【００１８】このような、共振周波数を変化させるため
の導体片、誘電体片または磁性体片は、導体、誘電体ま
たは磁性体であれば形状や材質は特に限定されないの
で、マイクロ波共振器のパッケージやカバー等を利用し
て容易に装着することができる。但し、共振器としての
Ｑ値を低下させないためには、超電導体による導体片を
使用することが有利である。
の導体片、誘電体片または磁性体片は、導体、誘電体ま
たは磁性体であれば形状や材質は特に限定されないの
で、マイクロ波共振器のパッケージやカバー等を利用し
て容易に装着することができる。但し、共振器としての
Ｑ値を低下させないためには、超電導体による導体片を
使用することが有利である。
【００１９】尚、このマイクロ波共振器における超電導
導体層および超電導接地導体層は、Ｙ系、Bi系、Tl系等
の複合酸化物超電導薄膜により形成することができる。
また、その成膜方法としては、スパッタリング法、レー
ザ蒸着法等の公知の成膜法をいずれも利用することがで
きる。
導体層および超電導接地導体層は、Ｙ系、Bi系、Tl系等
の複合酸化物超電導薄膜により形成することができる。
また、その成膜方法としては、スパッタリング法、レー
ザ蒸着法等の公知の成膜法をいずれも利用することがで
きる。
【００２０】以下、実施例を挙げて本発明をより具体的
に説明するが、以下の開示は本発明の一実施例に過ぎ
ず、本発明の技術的範囲を何ら限定するものではない。
に説明するが、以下の開示は本発明の一実施例に過ぎ
ず、本発明の技術的範囲を何ら限定するものではない。
【００２１】
【実施例】〔実施例１〕図１は、本発明に係るマイクロ
波共振器の具体的な構成例を示す図である。なお、図２
(a) に示した従来のマイクロ波共振器と共通の構成要素
には共通の参照番号を付している。
波共振器の具体的な構成例を示す図である。なお、図２
(a) に示した従来のマイクロ波共振器と共通の構成要素
には共通の参照番号を付している。
【００２２】同図に示すように、このマイクロ波共振器
は、図２(a) に示した従来のマイクロ波共振器と基本的
に同じ構成のマイクロ波共振器に、更に、カバー59ｂを
貫通して螺着されたネジ60を付加したものである。
は、図２(a) に示した従来のマイクロ波共振器と基本的
に同じ構成のマイクロ波共振器に、更に、カバー59ｂを
貫通して螺着されたネジ60を付加したものである。
【００２３】ここで、ネジ60は、真鍮により形成されて
おり、その先端は、超電導共振導体10の近傍まで侵入し
ている。また、このネジ60は、ネジ頭を回転させること
により、超電導共振導体10に対してその先端を近づけた
り遠ざけたりすることができるように構成されている。
おり、その先端は、超電導共振導体10の近傍まで侵入し
ている。また、このネジ60は、ネジ頭を回転させること
により、超電導共振導体10に対してその先端を近づけた
り遠ざけたりすることができるように構成されている。
【００２４】上述のようなネジ60の操作により、超電導
共振導体10と超電導接地導体30とパッケージ50ｂとによ
って構成される共振回路の電磁界特性が変化し、このマ
イクロ波共振器の共振周波数ｆ0 を変化させることがで
きる。
共振導体10と超電導接地導体30とパッケージ50ｂとによ
って構成される共振回路の電磁界特性が変化し、このマ
イクロ波共振器の共振周波数ｆ0 を変化させることがで
きる。
【００２５】〔作製例１〕図１に示した構造のマイクロ
波共振器を実際に作製した。
波共振器を実際に作製した。
【００２６】第１基板20としては、１辺が18mmの正方形
で厚さが１mmのMgＯ基板を使用し、共振導体10は、厚さ
5000ÅのＹ−Ba−Cu複合酸化物薄膜により形成した。
で厚さが１mmのMgＯ基板を使用し、共振導体10は、厚さ
5000ÅのＹ−Ba−Cu複合酸化物薄膜により形成した。
【００２７】また、共振器となる超電導共振導体10は、
直径12mmの円形の超電導導体円板11とし、１対の超電導
導体線路12、13は、幅1.0 mm、長さ1.5 mmとした。尚、
各導波路12、13と共振器11との間隔は、最も近いところ
で1.5 mmとした。
直径12mmの円形の超電導導体円板11とし、１対の超電導
導体線路12、13は、幅1.0 mm、長さ1.5 mmとした。尚、
各導波路12、13と共振器11との間隔は、最も近いところ
で1.5 mmとした。
【００２８】一方、第２基板40としては、１辺が20mmの
正方形でやはり厚さが１mmのMgＯ基板を使用し、厚さ50
00ÅのＹ−Ba−Cuの複合酸化物薄膜により接地導体30を
形成した。
正方形でやはり厚さが１mmのMgＯ基板を使用し、厚さ50
00ÅのＹ−Ba−Cuの複合酸化物薄膜により接地導体30を
形成した。
【００２９】以上のような２枚の基板20、40を、真鍮製
のパッケージ50ａに収容し、やはり真鍮製のカバー50
ｂ、50ｃによってパッケージ50ａを封止した。
のパッケージ50ａに収容し、やはり真鍮製のカバー50
ｂ、50ｃによってパッケージ50ａを封止した。
【００３０】更に、カバー50ａの中央にはネジ60を挿通
するためのネジ穴を形成し、ここにＭ４（ＩＳＯ）の真
鍮製のネジ60を装着した。
するためのネジ穴を形成し、ここにＭ４（ＩＳＯ）の真
鍮製のネジ60を装着した。
【００３１】以上のように作製した超電導マイクロ波共
振器の77Ｋにおける共振周波数を測定した。測定結果を
図３に示す。
振器の77Ｋにおける共振周波数を測定した。測定結果を
図３に示す。
【００３２】〔実施例２〕図４は、本発明に係る超電導
マイクロ波共振器の、他の好ましい態様を示す図であ
る。尚、同図において、実施例１と共通の構成要素には
共通の参照番号を付している。
マイクロ波共振器の、他の好ましい態様を示す図であ
る。尚、同図において、実施例１と共通の構成要素には
共通の参照番号を付している。
【００３３】同図に示すように、このマイクロ波共振器
は、図１に示したマイクロ波共振器と基本的に同じ構成
のマイクロ波共振器において、更に、ネジ60の先端に、
超電導導体片（図１では見えない）と、これを保持する
ためのカバー62とを装着した構成となっている。
は、図１に示したマイクロ波共振器と基本的に同じ構成
のマイクロ波共振器において、更に、ネジ60の先端に、
超電導導体片（図１では見えない）と、これを保持する
ためのカバー62とを装着した構成となっている。
【００３４】図５は、図４に示した超電導マイクロ波共
振器におけるネジ60を拡大して示す図である。
振器におけるネジ60を拡大して示す図である。
【００３５】同図に示すように、超電導導体片61は、マ
イクロ波線路10または30を構成しているものと同じ酸化
物超電導薄膜61ａを装荷した基板61ｂを用いている。ま
た、カバー62は、ネジ60と同じ真鍮で構成されており、
超電導導体片61をネジ60の先端に固定すると同時に、超
電導薄膜61ａをネジ60に対して電気的に結合して接地を
とる機能を有している。
イクロ波線路10または30を構成しているものと同じ酸化
物超電導薄膜61ａを装荷した基板61ｂを用いている。ま
た、カバー62は、ネジ60と同じ真鍮で構成されており、
超電導導体片61をネジ60の先端に固定すると同時に、超
電導薄膜61ａをネジ60に対して電気的に結合して接地を
とる機能を有している。
【００３６】以上のような構成により、マイクロ波共振
器の外部からネジ60を操作して超電導導体片61の侵入量
を変化させることにより、超電導共振導体10と超電導接
地導体30とパッケージ50ｂとによって構成される共振回
路の電磁界特性が変化し、このマイクロ波共振器の共振
周波数ｆ0 を変化させることができる。
器の外部からネジ60を操作して超電導導体片61の侵入量
を変化させることにより、超電導共振導体10と超電導接
地導体30とパッケージ50ｂとによって構成される共振回
路の電磁界特性が変化し、このマイクロ波共振器の共振
周波数ｆ0 を変化させることができる。
【００３７】〔作製例２〕図４および図５に示した構造
のマイクロ波共振器を実際に作製して、その特性を測定
した。
のマイクロ波共振器を実際に作製して、その特性を測定
した。
【００３８】超電導導体片61としては、Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-x
薄膜61ａを装荷したMgＯ基板61ｂを直径８mmの円板状に
加工したものを使用した。尚、Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-x薄膜61ａ
の成膜方法、成膜条件および膜厚等は、マイクロ波線路
10を構成する酸化物超電導薄膜と同じにした。
薄膜61ａを装荷したMgＯ基板61ｂを直径８mmの円板状に
加工したものを使用した。尚、Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-x薄膜61ａ
の成膜方法、成膜条件および膜厚等は、マイクロ波線路
10を構成する酸化物超電導薄膜と同じにした。
【００３９】また、カバー62としては、真鍮の丸棒を材
料として、ねじを切った部分の内径が10mm、MgＯ基板61
ｂを収容する先端部の内径が８mm、MgＯ基板６１ｂが脱
落しないように下端に形成されたフランジ部の内径が
7.5mmとなるように加工したものを使用した。
料として、ねじを切った部分の内径が10mm、MgＯ基板61
ｂを収容する先端部の内径が８mm、MgＯ基板６１ｂが脱
落しないように下端に形成されたフランジ部の内径が
7.5mmとなるように加工したものを使用した。
【００４０】更に、上記本発明に係るマイクロ波共振器
の性能を評価するための比較対象として、Ｙ1Ba2Cu3Ｏ
7-x薄膜61ａの代わりにAu薄膜を使用したマイクロ波共
振器を作製し、上記作製例と同じ条件でその特性を測定
した。基板61ｂ上に装荷したAu薄膜の膜厚は10μｍとし
た。
の性能を評価するための比較対象として、Ｙ1Ba2Cu3Ｏ
7-x薄膜61ａの代わりにAu薄膜を使用したマイクロ波共
振器を作製し、上記作製例と同じ条件でその特性を測定
した。基板61ｂ上に装荷したAu薄膜の膜厚は10μｍとし
た。
【００４１】上記のようにして作製した１対のマイクロ
波共振器において、カバー62の先端とマイクロ波共振導
体10との間の間隔が８mmのときのＱ値および共振周波数
と２mmのときのＱ値および共振周波数とをそれぞれ測定
した。測定結果を表１に併せて示す。
波共振器において、カバー62の先端とマイクロ波共振導
体10との間の間隔が８mmのときのＱ値および共振周波数
と２mmのときのＱ値および共振周波数とをそれぞれ測定
した。測定結果を表１に併せて示す。
【００４２】
【表１】
【００４３】表１に示す測定結果から判るように、マイ
クロ波共振器内に侵入させる導体片として超電導導体片
を使用すると、共振周波数の変化にかかわらずＱ値が安
定している。
クロ波共振器内に侵入させる導体片として超電導導体片
を使用すると、共振周波数の変化にかかわらずＱ値が安
定している。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るマイ
クロ波共振器は、その共振周波数ｆ0 を容易に調整する
ことができるように構成されている。また、適切な導体
片を使用することにより、共振周波数を変化させてもＱ
値が安定している。
クロ波共振器は、その共振周波数ｆ0 を容易に調整する
ことができるように構成されている。また、適切な導体
片を使用することにより、共振周波数を変化させてもＱ
値が安定している。
【００４５】従って、例えば、マイクロ波通信機の局部
発振器等に極めて有利に使用することができる。
発振器等に極めて有利に使用することができる。
【図１】本発明に係るマイクロ波共振器の具体的な構成
例を示す図である。
例を示す図である。
【図２】酸化物超電導体薄膜を使用した従来のマイクロ
波共振器の典型的な構成を示す図である。
波共振器の典型的な構成を示す図である。
【図３】本発明に係るマイクロ波共振器の、77Ｋにおけ
る共振周波数の測定結果を示すグラフである。
る共振周波数の測定結果を示すグラフである。
【図４】本発明に係る超電導マイクロ波共振器の他の好
ましい態様を示す図である。
ましい態様を示す図である。
【図５】図４に示した超電導マイクロ波共振器における
ネジ60の構成を拡大して示す図である。
ネジ60の構成を拡大して示す図である。
10 超電導共振導体、 20 第１基板、30 超
電導接地導体、 40 第２基板、50ａ パッケー
ジ、 60 ネジ
電導接地導体、 40 第２基板、50ａ パッケー
ジ、 60 ネジ
Claims (2)
- 【請求項１】酸化物超電導体薄膜により形成された超電
導共振導体および超電導接地導体により構成されたマイ
クロ波共振器において、更に、該共振導体を流れるマイ
クロ波が形成する電磁界内へ侵入可能に配置され、且
つ、その侵入量を調節可能な導体片、誘電体片または磁
性体片を備えることを特徴とするマイクロ波共振器。 - 【請求項２】請求項１に記載されたマイクロ波共振器に
おいて、前記侵入量を調整可能な導体片が、接地に接続
された超電導導体片であることを特徴とするマイクロ波
共振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4155880A JPH05199024A (ja) | 1991-07-08 | 1992-05-22 | マイクロ波共振器 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19342791 | 1991-07-08 | ||
| JP3-193427 | 1991-07-08 | ||
| JP4155880A JPH05199024A (ja) | 1991-07-08 | 1992-05-22 | マイクロ波共振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05199024A true JPH05199024A (ja) | 1993-08-06 |
Family
ID=26483782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4155880A Pending JPH05199024A (ja) | 1991-07-08 | 1992-05-22 | マイクロ波共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05199024A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0774521A (ja) * | 1993-09-01 | 1995-03-17 | Mitsubishi Electric Corp | 平面共振装置 |
| WO1995035584A1 (fr) * | 1994-06-17 | 1995-12-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Element de circuit h.f. |
| JP2002064312A (ja) * | 2000-08-23 | 2002-02-28 | Japan Science & Technology Corp | 電磁波素子 |
| US6778042B2 (en) | 2000-10-30 | 2004-08-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High-frequency device |
| KR100445705B1 (ko) * | 1997-02-21 | 2004-10-28 | 삼성탈레스 주식회사 | 유전체공진발진기및유전체공진발진기케이스 |
| JP2015100082A (ja) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | 株式会社東芝 | チューナブルフィルタ装置 |
-
1992
- 1992-05-22 JP JP4155880A patent/JPH05199024A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6016434A (en) * | 1994-06-17 | 2000-01-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency circuit element in which a resonator and input/ouputs are relatively movable |
| US6360112B1 (en) | 1994-06-17 | 2002-03-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency circuit element having a superconductive resonator tuned by another movable resonator |
| US6360111B1 (en) | 1994-06-17 | 2002-03-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency circuit element having a superconductive resonator with an electroconductive film about the periphery |
| KR100445705B1 (ko) * | 1997-02-21 | 2004-10-28 | 삼성탈레스 주식회사 | 유전체공진발진기및유전체공진발진기케이스 |
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| US6937117B2 (en) | 2000-10-30 | 2005-08-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High-frequency device |
| JP2015100082A (ja) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | 株式会社東芝 | チューナブルフィルタ装置 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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