JPH05190526A - 半導体ウエハの洗浄方法および洗浄装置 - Google Patents
半導体ウエハの洗浄方法および洗浄装置Info
- Publication number
- JPH05190526A JPH05190526A JP4164967A JP16496792A JPH05190526A JP H05190526 A JPH05190526 A JP H05190526A JP 4164967 A JP4164967 A JP 4164967A JP 16496792 A JP16496792 A JP 16496792A JP H05190526 A JPH05190526 A JP H05190526A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- tank
- wafer
- pure water
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウエハの表面から不要な金属不純物お
よびパ−ティクルを除去する半導体ウエハの洗浄方法お
よび洗浄装置を提供する。 【構成】 純水を供給ライン151 を通して洗浄槽に供給
して半導体ウエハ11を該洗浄槽12に収容した後、上記純
水がオ−バ−フロ−して順次置換されるように、第１の
洗浄液を供給ライン152 を通して上記洗浄槽12に供給し
て第１の洗浄処理を行い、次いで、上記第１の洗浄液が
オ−バ−フロ−して順次置換され、上記第１の洗浄液を
含む混合液が生成されるように、第２の洗浄液を供給ラ
イン153 を通して上記洗浄槽12に供給して第２の洗浄処
理を行い、半導体ウエハの表面から不要な金属不純物お
よびパ−ティクルを除去する。
よびパ−ティクルを除去する半導体ウエハの洗浄方法お
よび洗浄装置を提供する。 【構成】 純水を供給ライン151 を通して洗浄槽に供給
して半導体ウエハ11を該洗浄槽12に収容した後、上記純
水がオ−バ−フロ−して順次置換されるように、第１の
洗浄液を供給ライン152 を通して上記洗浄槽12に供給し
て第１の洗浄処理を行い、次いで、上記第１の洗浄液が
オ−バ−フロ−して順次置換され、上記第１の洗浄液を
含む混合液が生成されるように、第２の洗浄液を供給ラ
イン153 を通して上記洗浄槽12に供給して第２の洗浄処
理を行い、半導体ウエハの表面から不要な金属不純物お
よびパ−ティクルを除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハの洗浄方
法およびその洗浄装置に関し、特に、半導体ウェハの表
面から不要な金属不純物、パ−ティクルを効果的に除去
する洗浄方法およびその洗浄装置に関する。
法およびその洗浄装置に関し、特に、半導体ウェハの表
面から不要な金属不純物、パ−ティクルを効果的に除去
する洗浄方法およびその洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウエハの洗浄は、従来より、Ｒ
ＣＡ洗浄を基本として行なわれている。例えばＲＣＡ洗
浄のうち、ＳＣ−２処理と呼ばれるものがある。このＳ
Ｃ−２処理は、ウエハ表面上から、鉄（Ｆｅ）、アルミ
ニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）等の重金属を除去するため
の処理である。この処理のシ−ケンスは、次の通りであ
る。 （ａ） シリコンウエハを、希弗酸に所定時間浸す。 （ｂ） ウエハを純水にて洗浄する。
ＣＡ洗浄を基本として行なわれている。例えばＲＣＡ洗
浄のうち、ＳＣ−２処理と呼ばれるものがある。このＳ
Ｃ−２処理は、ウエハ表面上から、鉄（Ｆｅ）、アルミ
ニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）等の重金属を除去するため
の処理である。この処理のシ−ケンスは、次の通りであ
る。 （ａ） シリコンウエハを、希弗酸に所定時間浸す。 （ｂ） ウエハを純水にて洗浄する。
【０００３】（ｃ） ウエハをＳＣ−２溶液（ＨＣｌ：
Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：６，体積比）に所定時間浸
す。この処理の具体的な例は、約８０℃の温度下で１０
分間である。 （ｄ） ウエハを純水にて洗浄する。 （ｅ） ウエハを遠心乾燥、またはＩＰＡ乾燥により、
乾燥させる。尚、ＲＣＡ洗浄についての参考文献として
は、Cleaning Solutions Based onHydrogen Peroxide f
or use in Silicon Semicomductor Technology:W Kern,
David A Puotinen. ＲＣＡ Review June 1970 p187
〜p206がある。
Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：６，体積比）に所定時間浸
す。この処理の具体的な例は、約８０℃の温度下で１０
分間である。 （ｄ） ウエハを純水にて洗浄する。 （ｅ） ウエハを遠心乾燥、またはＩＰＡ乾燥により、
乾燥させる。尚、ＲＣＡ洗浄についての参考文献として
は、Cleaning Solutions Based onHydrogen Peroxide f
or use in Silicon Semicomductor Technology:W Kern,
David A Puotinen. ＲＣＡ Review June 1970 p187
〜p206がある。
【０００４】また、上記のような洗浄を行う従来の洗浄
装置のシステム50を図７に示す。また、図８はその処理
状態を示す図である。なお、図７において必要な制御バ
ルブは省略されている。
装置のシステム50を図７に示す。また、図８はその処理
状態を示す図である。なお、図７において必要な制御バ
ルブは省略されている。
【０００５】図７に示すように、タンク511 に蓄えられ
た弗酸（ＨＦ）と、タンク512 に蓄えられた純水とを、
混合槽521 で混合して希弗酸液を形成する。この希弗酸
液は第１の処理槽531 に溜められる。そして、ウエハ54
を第１の処理槽531 に浸し、上記（ａ）の工程を行う。
た弗酸（ＨＦ）と、タンク512 に蓄えられた純水とを、
混合槽521 で混合して希弗酸液を形成する。この希弗酸
液は第１の処理槽531 に溜められる。そして、ウエハ54
を第１の処理槽531 に浸し、上記（ａ）の工程を行う。
【０００６】また、第２の処理槽532 には純水が溜めら
れており、第１ステップを終えたウエハ54は、図８の矢
印Ａに示されるように、第２の処理槽532 へと移され、
ここでウエハ54に上記（ｂ）の工程が施される。
れており、第１ステップを終えたウエハ54は、図８の矢
印Ａに示されるように、第２の処理槽532 へと移され、
ここでウエハ54に上記（ｂ）の工程が施される。
【０００７】第３の処理槽533 には、ＳＣ−２溶液が溜
められている。ＳＣ−２溶液は、タンク513 に蓄えられ
た塩酸（ＨＣｌ）と、タンク514 に蓄えられた過酸化水
素水（Ｈ2 Ｏ2 ）と、タンク515 に蓄えられた純水と
を、混合槽522 で混合して得られる。そして、ウエハ54
を、図８の矢印Ｂに示されるように、第３の処理槽533
へと移し、上記（ｃ）の工程、すなわち、ＳＣ−２溶液
による処理を行う。この後、ウエハ54を、図８の矢印Ｃ
に示されるように、純水が溜められた第４の処理槽534
へと移し、ウエハに上記（ｄ）の工程を施す。次いで、
ウエハ54を、図８の矢印Ｄに示されるように、第４の処
理槽534 から取り出し、上記（ｅ）の工程として、ウエ
ハを乾燥させる。
められている。ＳＣ−２溶液は、タンク513 に蓄えられ
た塩酸（ＨＣｌ）と、タンク514 に蓄えられた過酸化水
素水（Ｈ2 Ｏ2 ）と、タンク515 に蓄えられた純水と
を、混合槽522 で混合して得られる。そして、ウエハ54
を、図８の矢印Ｂに示されるように、第３の処理槽533
へと移し、上記（ｃ）の工程、すなわち、ＳＣ−２溶液
による処理を行う。この後、ウエハ54を、図８の矢印Ｃ
に示されるように、純水が溜められた第４の処理槽534
へと移し、ウエハに上記（ｄ）の工程を施す。次いで、
ウエハ54を、図８の矢印Ｄに示されるように、第４の処
理槽534 から取り出し、上記（ｅ）の工程として、ウエ
ハを乾燥させる。
【０００８】しかし、上記構成の洗浄システム50である
と、上記（ａ）希弗酸液、（ｂ）純水、（ｃ）ＳＣ−２
溶液、（ｄ）純水の洗浄シ−ケンスを実行するために、
４つの処理槽531 〜534 を並べることが必要となる。こ
のため、装置が大型化する。さらに、（ａ）希弗酸液お
よび（ｃ）ＳＣ−２溶液においては、タンク511 〜515
および混合槽521 〜522 が必要となることも、装置の大
型化を加速している。このような装置の大型化は、クリ
−ンル−ム等の設計、配置に多大な影響を及ぼす。
と、上記（ａ）希弗酸液、（ｂ）純水、（ｃ）ＳＣ−２
溶液、（ｄ）純水の洗浄シ−ケンスを実行するために、
４つの処理槽531 〜534 を並べることが必要となる。こ
のため、装置が大型化する。さらに、（ａ）希弗酸液お
よび（ｃ）ＳＣ−２溶液においては、タンク511 〜515
および混合槽521 〜522 が必要となることも、装置の大
型化を加速している。このような装置の大型化は、クリ
−ンル−ム等の設計、配置に多大な影響を及ぼす。
【０００９】また、上記（ａ）〜（ｄ）の洗浄シ−ケン
ス中、ウエハを、処理槽から取り出しては、別の処理槽
へ入れる、というように処理が行なわれる。このため、
ウエハが大気に接する機会が多く、ウエハの洗浄効果が
落ちてしまう。さらに、従来から、ＲＣＡ洗浄における
ＳＣ−２処理では、重金属の中でも、特に銅を除去する
効果が弱い。
ス中、ウエハを、処理槽から取り出しては、別の処理槽
へ入れる、というように処理が行なわれる。このため、
ウエハが大気に接する機会が多く、ウエハの洗浄効果が
落ちてしまう。さらに、従来から、ＲＣＡ洗浄における
ＳＣ−２処理では、重金属の中でも、特に銅を除去する
効果が弱い。
【００１０】また、ＳＣ−１処理と呼ばれる、ウエハ表
面上に付着しているパ−ティクルを除去する処理では、
シリコンから成るウエハの表面をエッチングして、パ−
ティクルを、リフトオフにより除去する。しかし、ウエ
ハ表面をエッチングするので、ウエハを傷めやすい。さ
らに、ウエハのエッチングには、結晶方向依存性があ
る。例えばシリコンを＜１００＞方向にエッチングする
場合と＜１１１＞方向にエッチングする場合とでは、＜
１００＞方向にエッチングするほうが、＜１１１＞方向
にエッチングするよりも、エッチング量が大きい。この
ため、ウエハ表面の近くに結晶の乱れ、例えば結晶欠陥
等があると、ウエハが異常にエッチングされてしまう。
面上に付着しているパ−ティクルを除去する処理では、
シリコンから成るウエハの表面をエッチングして、パ−
ティクルを、リフトオフにより除去する。しかし、ウエ
ハ表面をエッチングするので、ウエハを傷めやすい。さ
らに、ウエハのエッチングには、結晶方向依存性があ
る。例えばシリコンを＜１００＞方向にエッチングする
場合と＜１１１＞方向にエッチングする場合とでは、＜
１００＞方向にエッチングするほうが、＜１１１＞方向
にエッチングするよりも、エッチング量が大きい。この
ため、ウエハ表面の近くに結晶の乱れ、例えば結晶欠陥
等があると、ウエハが異常にエッチングされてしまう。
【００１１】以上のように、従来の洗浄装置では、処理
槽が複数あることにより、装置が大型化したり、ウエハ
を処理槽から出し入れする毎に大気と接するので洗浄効
果が落ちる。さらに、従来のＲＣＡ洗浄におけるＳＣ−
２処理では、銅を除去する効果が弱く、また、ＳＣ−１
処理では、ウエハを傷めてしまう。
槽が複数あることにより、装置が大型化したり、ウエハ
を処理槽から出し入れする毎に大気と接するので洗浄効
果が落ちる。さらに、従来のＲＣＡ洗浄におけるＳＣ−
２処理では、銅を除去する効果が弱く、また、ＳＣ−１
処理では、ウエハを傷めてしまう。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記した諸
問題を解決し、不要な金属不純物およびパ−ティクルを
除去する新規な半導体ウエハの洗浄方法および洗浄装置
を提供することを目的とする。
問題を解決し、不要な金属不純物およびパ−ティクルを
除去する新規な半導体ウエハの洗浄方法および洗浄装置
を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】純水を供給ラインを通し
て洗浄槽に供給して半導体ウエハを該洗浄槽に収容した
後、上記純水がオ−バ−フロ−して順次置換されるよう
に、第１の洗浄液を供給ラインを通して上記洗浄槽に供
給して第１の洗浄処理を行い、次いで、上記第１の洗浄
液がオ−バ−フロ−して順次置換され、上記第１の洗浄
液を含む混合液が生成されるように、第２の洗浄液を供
給ラインを通して上記洗浄槽に供給して第２の洗浄処理
を行い、半導体ウエハの表面から不要な金属不純物およ
びパーティクルを除去する。
て洗浄槽に供給して半導体ウエハを該洗浄槽に収容した
後、上記純水がオ−バ−フロ−して順次置換されるよう
に、第１の洗浄液を供給ラインを通して上記洗浄槽に供
給して第１の洗浄処理を行い、次いで、上記第１の洗浄
液がオ−バ−フロ−して順次置換され、上記第１の洗浄
液を含む混合液が生成されるように、第２の洗浄液を供
給ラインを通して上記洗浄槽に供給して第２の洗浄処理
を行い、半導体ウエハの表面から不要な金属不純物およ
びパーティクルを除去する。
【００１４】そのための本発明の洗浄装置は、各洗浄液
を溜める貯蔵槽と、上記貯蔵槽と連通し、半導体ウエハ
を洗浄する洗浄槽と、上記洗浄槽からオ−バ−フロ−す
る上記洗浄液を排出する手段と、上記貯蔵槽の各々と上
記洗浄槽との間に設けられた制御バルブと、二種類の上
記洗浄液からなる混合液を上記洗浄槽において形成する
ため、上記制御バルブを時間差をもって制御する制御手
段とを具備している。
を溜める貯蔵槽と、上記貯蔵槽と連通し、半導体ウエハ
を洗浄する洗浄槽と、上記洗浄槽からオ−バ−フロ−す
る上記洗浄液を排出する手段と、上記貯蔵槽の各々と上
記洗浄槽との間に設けられた制御バルブと、二種類の上
記洗浄液からなる混合液を上記洗浄槽において形成する
ため、上記制御バルブを時間差をもって制御する制御手
段とを具備している。
【００１５】
【作用】純水を供給ラインを通して洗浄槽に供給して半
導体ウエハを該洗浄槽に収容した後、上記純水がオ−バ
−フロ−して順次置換されるように、第１の洗浄液を供
給ラインを通して上記洗浄槽に供給して第１の洗浄処理
を行い、次いで、上記第１の洗浄液がオ−バ−フロ−し
て順次置換され、上記第１の洗浄液を含む混合液が生成
されるように、第２の洗浄液を供給ラインを通して上記
洗浄槽に供給して第２の洗浄処理を行っているので、半
導体ウエハの表面から不要な金属不純物およびパ−ティ
クルが効果的に除去される。また、一連の洗浄処理が同
一の洗浄槽内で行われるので、半導体ウエハは大気に露
出されず、外気からの汚染が防止される。
導体ウエハを該洗浄槽に収容した後、上記純水がオ−バ
−フロ−して順次置換されるように、第１の洗浄液を供
給ラインを通して上記洗浄槽に供給して第１の洗浄処理
を行い、次いで、上記第１の洗浄液がオ−バ−フロ−し
て順次置換され、上記第１の洗浄液を含む混合液が生成
されるように、第２の洗浄液を供給ラインを通して上記
洗浄槽に供給して第２の洗浄処理を行っているので、半
導体ウエハの表面から不要な金属不純物およびパ−ティ
クルが効果的に除去される。また、一連の洗浄処理が同
一の洗浄槽内で行われるので、半導体ウエハは大気に露
出されず、外気からの汚染が防止される。
【００１６】
【実施例】以下、図面を参照して本発明を実施例により
説明する。なお、以下の説明において、全図に亘り共通
部分には共通の参照符号を付している。図１は、本発明
の第１の実施例による半導体ウェハを表面処理するため
の装置10を示す。
説明する。なお、以下の説明において、全図に亘り共通
部分には共通の参照符号を付している。図１は、本発明
の第１の実施例による半導体ウェハを表面処理するため
の装置10を示す。
【００１７】図１に示すように、装置10は半導体ウエハ
11を処理する処理槽12を有している。該処理槽12の側面
には、溢れた純水或いは処理液を排出する排出部材13お
よび該排出部材13に接続されたドレイン14が設けられて
いる。また、上記処理槽12には、供給ライン151-153 を
介して純水供給部16、第１処理液供給部17および第２処
理液供給部18に接続されており、純水、第１処理液およ
び第２処理液が制御バルブ191-193 を通して順次供給さ
れる。これらの制御バルブを下記のような態様で制御装
置20により制御することにより、処理槽12に収容された
半導体ウエハ11は表面処理される。第１処理液および第
２処理液として、希弗酸液およびオゾン水を用いてシリ
コンウエハ11の表面処理を行う例１について説明する。
11を処理する処理槽12を有している。該処理槽12の側面
には、溢れた純水或いは処理液を排出する排出部材13お
よび該排出部材13に接続されたドレイン14が設けられて
いる。また、上記処理槽12には、供給ライン151-153 を
介して純水供給部16、第１処理液供給部17および第２処
理液供給部18に接続されており、純水、第１処理液およ
び第２処理液が制御バルブ191-193 を通して順次供給さ
れる。これらの制御バルブを下記のような態様で制御装
置20により制御することにより、処理槽12に収容された
半導体ウエハ11は表面処理される。第１処理液および第
２処理液として、希弗酸液およびオゾン水を用いてシリ
コンウエハ11の表面処理を行う例１について説明する。
【００１８】図２は、制御装置20により制御バルブ191-
193 を制御し、純水、希弗酸液およびオゾン水を処理槽
12に供給してウエハ11の表面処理する際、時間に対する
その供給タイミングと処理液濃度との関係を示してい
る。
193 を制御し、純水、希弗酸液およびオゾン水を処理槽
12に供給してウエハ11の表面処理する際、時間に対する
その供給タイミングと処理液濃度との関係を示してい
る。
【００１９】即ち、供給ライン151 の制御バルブ191 を
オンして、純水供給部16から純水を毎分ほぼ２０リット
ルの流量で処理槽12に時間Ｔ1 の間供給する。この間の
純水の供給により、処理槽12は純水で満たされ、オ−バ
−フロ−によって常に清浄な状態に保持されている。
オンして、純水供給部16から純水を毎分ほぼ２０リット
ルの流量で処理槽12に時間Ｔ1 の間供給する。この間の
純水の供給により、処理槽12は純水で満たされ、オ−バ
−フロ−によって常に清浄な状態に保持されている。
【００２０】処理槽12にウエハ11を収容した後、上記制
御バルブ191 をオフすると同時に、供給ライン153 の制
御バルブ193 をオンして、第２処理液供給部18から５ｐ
ｐｍのオゾン水を毎分１リットルの流量で時間Ｔ2 の間
処理槽12に供給する。オゾン水の供給により、処理槽12
内の純水はオ−バ−フロ−すると共に、オゾン水と順次
置換され、処理槽12内のオゾン水濃度は徐々に高くな
る。例えば、オゾン水濃度が４ｐｐｍ（濃度レベルＬ2
）に達した後、制御バルブ193 をオフし、オゾン水の
供給を止める。この状態が時間Ｔ3 、例えば、３分間の
間保持される。時間Ｔ2 およびＴ3 の期間でウエハ11は
オゾン水処理される。即ち、上記ウエハ11の表面に吸着
している有機物はオゾン水によって分解され、ウエハ表
面から除去される。
御バルブ191 をオフすると同時に、供給ライン153 の制
御バルブ193 をオンして、第２処理液供給部18から５ｐ
ｐｍのオゾン水を毎分１リットルの流量で時間Ｔ2 の間
処理槽12に供給する。オゾン水の供給により、処理槽12
内の純水はオ−バ−フロ−すると共に、オゾン水と順次
置換され、処理槽12内のオゾン水濃度は徐々に高くな
る。例えば、オゾン水濃度が４ｐｐｍ（濃度レベルＬ2
）に達した後、制御バルブ193 をオフし、オゾン水の
供給を止める。この状態が時間Ｔ3 、例えば、３分間の
間保持される。時間Ｔ2 およびＴ3 の期間でウエハ11は
オゾン水処理される。即ち、上記ウエハ11の表面に吸着
している有機物はオゾン水によって分解され、ウエハ表
面から除去される。
【００２１】この場合、ウエハ表面が露出している際に
は、シリコン表面が酸化され１０〜２０オングストロ−
ムの厚さを有する酸化膜が形成される。時間Ｔ2 、Ｔ3
およびオゾン水の濃度レベルＬ2 はウエハ表面に吸着し
ている有機物のレベルにより決定される。したがって、
ウエハ表面に吸着している有機物が時間Ｔ2 で除去でき
る際には、時間Ｔ3 は省略できる。
は、シリコン表面が酸化され１０〜２０オングストロ−
ムの厚さを有する酸化膜が形成される。時間Ｔ2 、Ｔ3
およびオゾン水の濃度レベルＬ2 はウエハ表面に吸着し
ている有機物のレベルにより決定される。したがって、
ウエハ表面に吸着している有機物が時間Ｔ2 で除去でき
る際には、時間Ｔ3 は省略できる。
【００２２】しかる後、供給ライン152 の制御バルブ19
2 をオンし、０．２％の希弗酸液を毎分約０．５リット
ルの流量で時間Ｔ4 の間処理槽12に供給する。希弗酸液
の供給により、処理槽12内のオゾン水はオ−バ−フロ−
し、オゾン水の濃度は濃度レベルＬ1 まで徐々に低下す
ると共に、処理槽12内の希弗酸液の濃度は濃度レベルＬ
3 まで徐々に高くなり、希弗酸液とオゾン水との混合液
が形成される。例えば、希弗酸液の濃度が約０．１％
（濃度レベルＬ3 ）およびオゾン水の濃度が約１ｐｐｍ
（濃度レベルＬ1 ）に達した時点で、制御バルブ192 を
オフし、希弗酸液の供給を止める。この状態が時間Ｔ5
、例えば、５分間の間保持される。
2 をオンし、０．２％の希弗酸液を毎分約０．５リット
ルの流量で時間Ｔ4 の間処理槽12に供給する。希弗酸液
の供給により、処理槽12内のオゾン水はオ−バ−フロ−
し、オゾン水の濃度は濃度レベルＬ1 まで徐々に低下す
ると共に、処理槽12内の希弗酸液の濃度は濃度レベルＬ
3 まで徐々に高くなり、希弗酸液とオゾン水との混合液
が形成される。例えば、希弗酸液の濃度が約０．１％
（濃度レベルＬ3 ）およびオゾン水の濃度が約１ｐｐｍ
（濃度レベルＬ1 ）に達した時点で、制御バルブ192 を
オフし、希弗酸液の供給を止める。この状態が時間Ｔ5
、例えば、５分間の間保持される。
【００２３】次いで、制御バルブ191 をオンし、処理槽
12内の希弗酸液とオゾン水との混合液を時間Ｔ6 の間で
純水と置換し、時間Ｔ7 の間で上記ウエハをリンスす
る。この後、ウエハを処理槽12から取り出し、乾燥す
る。
12内の希弗酸液とオゾン水との混合液を時間Ｔ6 の間で
純水と置換し、時間Ｔ7 の間で上記ウエハをリンスす
る。この後、ウエハを処理槽12から取り出し、乾燥す
る。
【００２４】このように、本発明においては、処理槽12
に希弗酸液を供給し始めた時点（制御バルブ192 がオン
する。）、即ち、希弗酸液とオゾン水との混合液が形成
された時点から純水に置換されるまでの時間Ｔ4 〜Ｔ6
の間では、時間Ｔ2 〜Ｔ3 の間にオゾン水によって形成
された酸化膜は希弗酸により除去される。同時に、ウエ
ハ表面に吸着している鉄（Ｆｅ）、アルミニウム（Ａ
ｌ）などの金属不純物が除去される。さらに、時間Ｔ4
〜Ｔ6 の間では、希弗酸液とオゾン水との混合液が存在
するので、希弗酸成分だけでは除去できない銅（Ｃｕ）
が除去される。
に希弗酸液を供給し始めた時点（制御バルブ192 がオン
する。）、即ち、希弗酸液とオゾン水との混合液が形成
された時点から純水に置換されるまでの時間Ｔ4 〜Ｔ6
の間では、時間Ｔ2 〜Ｔ3 の間にオゾン水によって形成
された酸化膜は希弗酸により除去される。同時に、ウエ
ハ表面に吸着している鉄（Ｆｅ）、アルミニウム（Ａ
ｌ）などの金属不純物が除去される。さらに、時間Ｔ4
〜Ｔ6 の間では、希弗酸液とオゾン水との混合液が存在
するので、希弗酸成分だけでは除去できない銅（Ｃｕ）
が除去される。
【００２５】上記の例においては、オゾン水によって形
成された酸化膜は希弗酸により除去されるが、ウエハプ
ロセスで生じる異物微粒子（パ−ティクル）が付着して
いる際には、ウエハ表面からリフトオフ効果によって除
去される。
成された酸化膜は希弗酸により除去されるが、ウエハプ
ロセスで生じる異物微粒子（パ−ティクル）が付着して
いる際には、ウエハ表面からリフトオフ効果によって除
去される。
【００２６】また、Ｔ5 の時間はＡｕ、Ｃｕなどの金属
汚染のレベルにより最適化される。それ故、Ｔ4 の時間
だけで除去できれば、Ｔ5 の時間は不要となり、希弗酸
液の濃度がレベルＬ3 に達した直後に純水を供給しても
よい。さらに、オゾン水の代わりに約１％の過酸化水素
水を用いてもよい。
汚染のレベルにより最適化される。それ故、Ｔ4 の時間
だけで除去できれば、Ｔ5 の時間は不要となり、希弗酸
液の濃度がレベルＬ3 に達した直後に純水を供給しても
よい。さらに、オゾン水の代わりに約１％の過酸化水素
水を用いてもよい。
【００２７】図３は、第１処理液および第２処理液とし
て、希弗酸液および過酸化水素水を用いて、特にウエハ
表面から鉄（Ｆｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅 （Ｃ
ｕ）などの金属不純物を除去する例２を示し、時間に対
する処理液の供給タイミングと処理液濃度との関係を現
わしている。
て、希弗酸液および過酸化水素水を用いて、特にウエハ
表面から鉄（Ｆｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅 （Ｃ
ｕ）などの金属不純物を除去する例２を示し、時間に対
する処理液の供給タイミングと処理液濃度との関係を現
わしている。
【００２８】即ち、供給ライン151 の制御バルブ191 を
オンして、純水供給部16から純水を処理槽12に時間Ｔ11
の間供給する。この間の純水の供給により、処理槽12は
純水で満たされ、オ−バ−フロ−によって常に清浄な状
態に保持されている。
オンして、純水供給部16から純水を処理槽12に時間Ｔ11
の間供給する。この間の純水の供給により、処理槽12は
純水で満たされ、オ−バ−フロ−によって常に清浄な状
態に保持されている。
【００２９】処理槽12にウエハ11を収容した後、上記制
御バルブ191 をオフすると同時に、供給ライン152 の制
御バルブ192 をオンして、第１処理液供給部17から０．
２％の希弗酸液を時間Ｔ12の間処理槽12に供給する。希
弗酸液の供給により、処理槽12内の純水はオ−バ−フロ
−すると共に、希弗酸液と順次置換され、処理槽12内の
希弗酸液濃度は徐々に高くなる。例えば、希弗酸液濃度
が０．１％（濃度レベルＬ13）に達した後、制御バルブ
192 をオフし、希弗酸液の供給を止める。この状態が時
間Ｔ13の間保持される。
御バルブ191 をオフすると同時に、供給ライン152 の制
御バルブ192 をオンして、第１処理液供給部17から０．
２％の希弗酸液を時間Ｔ12の間処理槽12に供給する。希
弗酸液の供給により、処理槽12内の純水はオ−バ−フロ
−すると共に、希弗酸液と順次置換され、処理槽12内の
希弗酸液濃度は徐々に高くなる。例えば、希弗酸液濃度
が０．１％（濃度レベルＬ13）に達した後、制御バルブ
192 をオフし、希弗酸液の供給を止める。この状態が時
間Ｔ13の間保持される。
【００３０】しかる後、供給ライン153 の制御バルブ19
3 をオンし、第２処理液供給部18から５％の過酸化水素
水を時間Ｔ14の間処理槽12に供給する。過酸化水素水の
供給により、処理槽12内の希弗酸液はオ−バ−フロ−
し、希弗酸液の濃度は０．０５％（濃度レベルＬ11）ま
で徐々に低下すると共に、処理槽12内の過酸化水素水の
濃度は２％（濃度レベルＬ12）まで徐々に高くなり、過
酸化水素水と希弗酸液との混合液が形成される。過酸化
水素水の濃度が濃度レベルＬ12および希弗酸液の濃度が
濃度レベルＬ11に達した時点で、制御バルブ193 をオフ
し、過酸化水素水の供給を止める。この状態が時間Ｔ15
の間保持される。
3 をオンし、第２処理液供給部18から５％の過酸化水素
水を時間Ｔ14の間処理槽12に供給する。過酸化水素水の
供給により、処理槽12内の希弗酸液はオ−バ−フロ−
し、希弗酸液の濃度は０．０５％（濃度レベルＬ11）ま
で徐々に低下すると共に、処理槽12内の過酸化水素水の
濃度は２％（濃度レベルＬ12）まで徐々に高くなり、過
酸化水素水と希弗酸液との混合液が形成される。過酸化
水素水の濃度が濃度レベルＬ12および希弗酸液の濃度が
濃度レベルＬ11に達した時点で、制御バルブ193 をオフ
し、過酸化水素水の供給を止める。この状態が時間Ｔ15
の間保持される。
【００３１】次いで、制御バルブ191 をオンし、処理槽
12内の過酸化水素水と希弗酸液との混合液を時間Ｔ16の
間で純水と置換し、時間Ｔ17の間で上記ウエハをリンス
する。この後、ウエハを処理槽12から取り出し、乾燥す
る。希弗酸および過酸化水素水からなる混合液の濃度を
同一処理槽12内で連続的に変化させてウエハを洗浄する
ことの利点は以下のとおりである。
12内の過酸化水素水と希弗酸液との混合液を時間Ｔ16の
間で純水と置換し、時間Ｔ17の間で上記ウエハをリンス
する。この後、ウエハを処理槽12から取り出し、乾燥す
る。希弗酸および過酸化水素水からなる混合液の濃度を
同一処理槽12内で連続的に変化させてウエハを洗浄する
ことの利点は以下のとおりである。
【００３２】例えば、最初から０．０５％の希弗酸液お
よび２％の過酸化水素水からなる混合液を用意してウエ
ハを浸した場合、混合液中にシリコンを酸化する作用の
ある過酸化水素水が存在するため、希弗酸による酸化膜
のエッチングに影響を与える。即ち、シリコンの自然酸
化膜が完全に除去されない現象が生じる。それ故、例え
ば、自然酸化膜中に不純物が含まれている際には、その
除去効果が低下することになる。この除去効果を高める
ためには、ウエハ表面を希弗酸液のみで処理し、自然酸
化膜をすべて除去すれば良いが、銅（Ｃｕ）のような金
属不純物が除去できない。これは、銅は希弗酸液から逆
にウエハ表面に吸着するためである。したがって、この
ような銅を除去するためには、自然酸化膜を除去した後
に希弗酸液と過酸化水素水（或いはオゾン水）とからな
る混合液で処理することが必要である。
よび２％の過酸化水素水からなる混合液を用意してウエ
ハを浸した場合、混合液中にシリコンを酸化する作用の
ある過酸化水素水が存在するため、希弗酸による酸化膜
のエッチングに影響を与える。即ち、シリコンの自然酸
化膜が完全に除去されない現象が生じる。それ故、例え
ば、自然酸化膜中に不純物が含まれている際には、その
除去効果が低下することになる。この除去効果を高める
ためには、ウエハ表面を希弗酸液のみで処理し、自然酸
化膜をすべて除去すれば良いが、銅（Ｃｕ）のような金
属不純物が除去できない。これは、銅は希弗酸液から逆
にウエハ表面に吸着するためである。したがって、この
ような銅を除去するためには、自然酸化膜を除去した後
に希弗酸液と過酸化水素水（或いはオゾン水）とからな
る混合液で処理することが必要である。
【００３３】一方、本発明における例２においては、予
め用意された希弗酸液と過酸化水素水との混合液にウエ
ハを浸して洗浄する方法と異なり、図３に示されるよう
に、ウエハに対して、希弗酸液による処理（時間Ｔ12お
よび時間Ｔ13との合計時間）および希弗酸液と過酸化水
素水との混合液による処理（時間Ｔ14、時間Ｔ15および
時間Ｔ16との合計時間）とを同一の処理槽12内で連続的
に行われる。したがって、希弗酸液による処理により主
として自然酸化膜が除去されると共に、希弗酸液と過酸
化水素水との混合液による処理により銅のような金属不
純物が完全にウエハ表面より除去できる。次ぎに、上記
例１の洗浄効果について説明する。図４は、銅の除去効
果を示し、縦軸は、ウエハ表面上における銅の吸着量を
示している。
め用意された希弗酸液と過酸化水素水との混合液にウエ
ハを浸して洗浄する方法と異なり、図３に示されるよう
に、ウエハに対して、希弗酸液による処理（時間Ｔ12お
よび時間Ｔ13との合計時間）および希弗酸液と過酸化水
素水との混合液による処理（時間Ｔ14、時間Ｔ15および
時間Ｔ16との合計時間）とを同一の処理槽12内で連続的
に行われる。したがって、希弗酸液による処理により主
として自然酸化膜が除去されると共に、希弗酸液と過酸
化水素水との混合液による処理により銅のような金属不
純物が完全にウエハ表面より除去できる。次ぎに、上記
例１の洗浄効果について説明する。図４は、銅の除去効
果を示し、縦軸は、ウエハ表面上における銅の吸着量を
示している。
【００３４】上記例１による効果を調べるためのサンプ
ルのウエハには、図４中の線Ｉに示すように、２×１０
13atoms/cm2 の銅（Ｃｕ）が、処理前、その表面上に吸
着されているものを使用した。同図中、線IIは、そのよ
うなサンプルを、ＳＣ−２処理によって処理した結果
を、線III は、上記の例で説明した方法で、処理した結
果をそれぞれ示している。
ルのウエハには、図４中の線Ｉに示すように、２×１０
13atoms/cm2 の銅（Ｃｕ）が、処理前、その表面上に吸
着されているものを使用した。同図中、線IIは、そのよ
うなサンプルを、ＳＣ−２処理によって処理した結果
を、線III は、上記の例で説明した方法で、処理した結
果をそれぞれ示している。
【００３５】同図に示すように、ＳＣ−２処理では、８
×１０12atoms/cm2 までしか、表面上に吸着されている
銅を除去できなかったのに対し、上記の例では、１×１
０11atoms/cm2 以下と、ほぼ検出限界以下となるような
結果が得られた。なお、この測定には、全反射螢光Ｘ線
を用いた。
×１０12atoms/cm2 までしか、表面上に吸着されている
銅を除去できなかったのに対し、上記の例では、１×１
０11atoms/cm2 以下と、ほぼ検出限界以下となるような
結果が得られた。なお、この測定には、全反射螢光Ｘ線
を用いた。
【００３６】図５は、パ−ティクルの除去効果を示し、
縦軸は、パ−ティクルの除去率を示し、横軸は、上記例
１の洗浄サイクルの繰り返し回数を示している。また、
同図には、ＳＣ−１処理によるパ−ティクルの除去率も
示す。
縦軸は、パ−ティクルの除去率を示し、横軸は、上記例
１の洗浄サイクルの繰り返し回数を示している。また、
同図には、ＳＣ−１処理によるパ−ティクルの除去率も
示す。
【００３７】図５に示すように、ウエハの表面上からパ
−ティクルを除去できる。即ち、上記洗浄サイクルを繰
り返す毎に、パ−ティクルの除去率が上昇し、一層改善
された洗浄効果が得られる。この例では、パ−ティクル
の除去率が、上記洗浄サイクルを４回繰り返した時点
で、ＳＣ−１処理による除去率以上となることがわか
る。 以上述べたように、同一の処理槽中において処理
液を連続的に置換することによってパ−ティクルの逆吸
着を防止することができる。例えば、オゾン水から希弗
酸液とオゾン水との混合液への処理工程において、従来
方法のようにウエハを大気に露出する際には、パ−ティ
クルは逆に増加する。即ち、６インチウエハにおいて、
従来方法では０．２ミクロン以上のパ−ティクルは約５
０ケであるのに対して、本発明のように処理液を連続的
に置換する方法では１０ケ以下となる。図６は、本発明
の第２の実施例による半導体ウェハを表面処理するため
の装置10を示す。
−ティクルを除去できる。即ち、上記洗浄サイクルを繰
り返す毎に、パ−ティクルの除去率が上昇し、一層改善
された洗浄効果が得られる。この例では、パ−ティクル
の除去率が、上記洗浄サイクルを４回繰り返した時点
で、ＳＣ−１処理による除去率以上となることがわか
る。 以上述べたように、同一の処理槽中において処理
液を連続的に置換することによってパ−ティクルの逆吸
着を防止することができる。例えば、オゾン水から希弗
酸液とオゾン水との混合液への処理工程において、従来
方法のようにウエハを大気に露出する際には、パ−ティ
クルは逆に増加する。即ち、６インチウエハにおいて、
従来方法では０．２ミクロン以上のパ−ティクルは約５
０ケであるのに対して、本発明のように処理液を連続的
に置換する方法では１０ケ以下となる。図６は、本発明
の第２の実施例による半導体ウェハを表面処理するため
の装置10を示す。
【００３８】本実施例では、希釈した処理液を直接処理
槽に供給する第１実施例と異なり、高濃度の薬液を第１
処理液供給部17および／または第２処理液供給部18から
制御バルブ192 ／193 を通じて混合槽21に供給し、希釈
された処理液を供給ライン22を介して処理槽12に供給し
て、ウエハ11の処理を行う。
槽に供給する第１実施例と異なり、高濃度の薬液を第１
処理液供給部17および／または第２処理液供給部18から
制御バルブ192 ／193 を通じて混合槽21に供給し、希釈
された処理液を供給ライン22を介して処理槽12に供給し
て、ウエハ11の処理を行う。
【００３９】例えば、上記例と同様に第１処理液および
第２処理液として、０．２％の希弗酸液およびオゾン水
を用いてシリコンウエハ11の表面処理を行う際には、純
水供給部16より純水を制御バルブ191 を通じて混合槽21
に供給すると共に、４９％の弗酸を制御バルブ192 を通
じて供給して、０．２％の希弗酸液を形成する。この希
弗酸液を処理槽12に供給する。また、第２処理液供給部
18から約５ｐｐｍのオゾン水を混合槽21を通じて処理槽
12に供給する。上記実施例においても、図２および図３
における時間に対する処理液濃度特性が得られるように
制御バルブ191 〜193 は制御される。
第２処理液として、０．２％の希弗酸液およびオゾン水
を用いてシリコンウエハ11の表面処理を行う際には、純
水供給部16より純水を制御バルブ191 を通じて混合槽21
に供給すると共に、４９％の弗酸を制御バルブ192 を通
じて供給して、０．２％の希弗酸液を形成する。この希
弗酸液を処理槽12に供給する。また、第２処理液供給部
18から約５ｐｐｍのオゾン水を混合槽21を通じて処理槽
12に供給する。上記実施例においても、図２および図３
における時間に対する処理液濃度特性が得られるように
制御バルブ191 〜193 は制御される。
【００４０】また、上記実施例の場合、高濃度の薬液を
第１処理液供給部17および／または第２処理液供給部18
から混合槽21に供給するので、処理液供給部として、小
さなタンクを用いることができる。
第１処理液供給部17および／または第２処理液供給部18
から混合槽21に供給するので、処理液供給部として、小
さなタンクを用いることができる。
【００４１】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、純水
を供給ラインを通して洗浄槽に供給して半導体ウエハを
該洗浄槽に収容した後、上記純水がオ−バ−フロ−して
順次置換されるように、第１の洗浄液を供給ラインを通
して上記洗浄槽に供給して第１の洗浄処理を行い、次い
で、上記第１の洗浄液がオ−バ−フロ−して順次置換さ
れ、上記第１の洗浄液を含む混合液が生成されるよう
に、第２の洗浄液を供給ラインを通して上記洗浄槽に供
給して第２の洗浄処理を行っているので、半導体ウエハ
の表面から不要な金属不純物およびパ−ティクルが効果
的に除去される。また、一連の洗浄処理が同一の洗浄槽
内で行われるので、半導体ウエハは大気に露出されず、
外気からの汚染が防止される。さらに、複数個の洗浄槽
を必要としないので、装置が小型化される。
を供給ラインを通して洗浄槽に供給して半導体ウエハを
該洗浄槽に収容した後、上記純水がオ−バ−フロ−して
順次置換されるように、第１の洗浄液を供給ラインを通
して上記洗浄槽に供給して第１の洗浄処理を行い、次い
で、上記第１の洗浄液がオ−バ−フロ−して順次置換さ
れ、上記第１の洗浄液を含む混合液が生成されるよう
に、第２の洗浄液を供給ラインを通して上記洗浄槽に供
給して第２の洗浄処理を行っているので、半導体ウエハ
の表面から不要な金属不純物およびパ−ティクルが効果
的に除去される。また、一連の洗浄処理が同一の洗浄槽
内で行われるので、半導体ウエハは大気に露出されず、
外気からの汚染が防止される。さらに、複数個の洗浄槽
を必要としないので、装置が小型化される。
【図１】図１は本発明の第１実施例による半導体ウエハ
を洗浄するための装置を模式的に示す図である。
を洗浄するための装置を模式的に示す図である。
【図２】図２はウエハを表面処理する際、時間に対する
処理液の供給タイミングと処理液濃度との関係を示した
図である。
処理液の供給タイミングと処理液濃度との関係を示した
図である。
【図３】図３はウエハの表面から金属不純物を除去する
際、時間に対する処理液の供給タイミングと処理液濃度
との関係を示した図である。
際、時間に対する処理液の供給タイミングと処理液濃度
との関係を示した図である。
【図４】図４は本発明による表面処理方法の効果を説明
するための図である。
するための図である。
【図５】図５は本発明による表面処理方法の他の効果を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図６】図６は本発明の第２実施例による半導体ウエハ
を洗浄するための装置を模式的に示す図である。
を洗浄するための装置を模式的に示す図である。
【図７】図７は従来の洗浄装置のシステムを模式的に示
す図である。
す図である。
【図８】図８は従来の洗浄装置による処理状態を示す図
である。
である。
１０…半導体ウエハを表面処理するための装置、１１…
半導体ウエハ、１２…処理槽、１３…排出部材、１４…
ドレイン、151 - 153 …供給ライン、１６…純水供給
部、１７…第１処理液供給部、１８…第２処理液供給
部、191 - 193 …制御バルブ、２０…制御装置、２１…
混合槽
半導体ウエハ、１２…処理槽、１３…排出部材、１４…
ドレイン、151 - 153 …供給ライン、１６…純水供給
部、１７…第１処理液供給部、１８…第２処理液供給
部、191 - 193 …制御バルブ、２０…制御装置、２１…
混合槽
Claims (5)
- 【請求項１】 純水を供給ラインを通して洗浄槽に供給
する工程と、 半導体ウエハを上記洗浄槽に収容する工程と、 上記純水がオ−バ−フロ−して順次置換されるように、
第１の洗浄液を供給ラインを通して上記洗浄槽に供給し
て第１の洗浄処理を行う工程と、 上記第１の洗浄液がオ−バ−フロ−して順次置換され、
上記第１の洗浄液を含む混合液が形成されるように、第
２の洗浄液を供給ラインを通して上記洗浄槽に供給して
第２の洗浄処理を行う工程とを具備することを特徴とす
る半導体ウエハの洗浄方法。 - 【請求項２】 上記第２の洗浄処理後、純水を上記洗浄
槽に供給して上記半導体ウエハをリンスすることを特徴
とする請求項１記載の半導体ウエハの洗浄方法。 - 【請求項３】 上記純水、上記第１の洗浄液および上記
第２の洗浄液の供給量を各々制御バルブにより制御する
ことを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハの洗浄方
法。 - 【請求項４】 各洗浄液を溜める貯蔵槽と、上記貯蔵槽
と連通し、半導体ウエハを洗浄する洗浄槽と、上記洗浄
槽からオ−バ−フロ−する上記洗浄液を排出する手段
と、上記貯蔵槽の各々と上記洗浄槽との間に設けられた
制御バルブと、二種類の上記洗浄液からなる混合液を上
記洗浄槽において形成するため、上記制御バルブを時間
差をもって制御する制御手段とを具備することを特徴と
する半導体ウエハの洗浄装置。 - 【請求項５】 二種類の薬液を混合して洗浄液を形成す
るミキサを有することを特徴とする請求項４記載の半導
体ウエハの洗浄装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16496792A JP3154814B2 (ja) | 1991-06-28 | 1992-06-23 | 半導体ウエハの洗浄方法および洗浄装置 |
| US08/710,400 US5810940A (en) | 1991-06-28 | 1996-09-17 | Method for cleaning semiconductor wafers |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15859891 | 1991-06-28 | ||
| JP3-158598 | 1991-06-28 | ||
| JP16496792A JP3154814B2 (ja) | 1991-06-28 | 1992-06-23 | 半導体ウエハの洗浄方法および洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190526A true JPH05190526A (ja) | 1993-07-30 |
| JP3154814B2 JP3154814B2 (ja) | 2001-04-09 |
Family
ID=26485656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16496792A Expired - Lifetime JP3154814B2 (ja) | 1991-06-28 | 1992-06-23 | 半導体ウエハの洗浄方法および洗浄装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5810940A (ja) |
| JP (1) | JP3154814B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08148457A (ja) * | 1994-11-15 | 1996-06-07 | Tadahiro Omi | ウェットステーション並びにそのウェットステーションを用いたウェット洗浄方法及びウェット洗浄装置 |
| US6132522A (en) * | 1996-07-19 | 2000-10-17 | Cfmt, Inc. | Wet processing methods for the manufacture of electronic components using sequential chemical processing |
| US6319329B1 (en) | 1997-01-24 | 2001-11-20 | Tokyo Electron Limited | Method of cleaning objects to be processed |
| JP2009543344A (ja) * | 2006-06-28 | 2009-12-03 | ラム リサーチ コーポレーション | 液体メニスカスによるポストエッチウエハ表面洗浄 |
Families Citing this family (50)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050194356A1 (en) * | 1997-05-09 | 2005-09-08 | Semitool, Inc. | Removing photoresist from a workpiece using water and ozone and a photoresist penetrating additive |
| US7416611B2 (en) * | 1997-05-09 | 2008-08-26 | Semitool, Inc. | Process and apparatus for treating a workpiece with gases |
| US20020157686A1 (en) * | 1997-05-09 | 2002-10-31 | Semitool, Inc. | Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer |
| US7163588B2 (en) * | 1997-05-09 | 2007-01-16 | Semitool, Inc. | Processing a workpiece using water, a base, and ozone |
| US20050034745A1 (en) * | 1997-05-09 | 2005-02-17 | Semitool, Inc. | Processing a workpiece with ozone and a halogenated additive |
| US7264680B2 (en) * | 1997-05-09 | 2007-09-04 | Semitool, Inc. | Process and apparatus for treating a workpiece using ozone |
| US6240933B1 (en) * | 1997-05-09 | 2001-06-05 | Semitool, Inc. | Methods for cleaning semiconductor surfaces |
| JP4001662B2 (ja) * | 1997-06-27 | 2007-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | シリコンの洗浄方法および多結晶シリコンの作製方法 |
| DE19840989A1 (de) * | 1997-09-09 | 1999-03-18 | Tokyo Electron Ltd | Reinigungsverfahren und Reinigungsgerät |
| JPH11121417A (ja) * | 1997-10-09 | 1999-04-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体基板の処理システムおよび処理方法 |
| JPH11204478A (ja) * | 1998-01-19 | 1999-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体基板の洗浄方法およびその洗浄装置 |
| JP3109471B2 (ja) * | 1998-03-31 | 2000-11-13 | 日本電気株式会社 | 洗浄・乾燥装置及び半導体装置の製造ライン |
| DE69916728T2 (de) * | 1998-08-28 | 2005-04-28 | Mitsubishi Materials Corp. | Verfahren zur Reinigung eines Halbleitersubstrats |
| TW426874B (en) * | 1998-10-14 | 2001-03-21 | United Microelectronics Corp | Method for cleaning a semiconductor wafer |
| US6162565A (en) | 1998-10-23 | 2000-12-19 | International Business Machines Corporation | Dilute acid rinse after develop for chrome etch |
| US6303500B1 (en) | 1999-02-24 | 2001-10-16 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for electroless plating a contact pad |
| US6261845B1 (en) | 1999-02-25 | 2001-07-17 | Cfmt, Inc. | Methods and systems for determining chemical concentrations and controlling the processing of semiconductor substrates |
| TW466728B (en) * | 1999-05-21 | 2001-12-01 | Cfmt Inc | Methods for wet processing electronic components having copper containing surfaces |
| US6494219B1 (en) * | 2000-03-22 | 2002-12-17 | Applied Materials, Inc. | Apparatus with etchant mixing assembly for removal of unwanted electroplating deposits |
| US6211055B1 (en) * | 1999-08-16 | 2001-04-03 | Promos Technology, Inc. | Wet-dry-wet process in wet station |
| US6537416B1 (en) | 1999-10-01 | 2003-03-25 | Novellus Systems, Inc. | Wafer chuck for use in edge bevel removal of copper from silicon wafers |
| US7780867B1 (en) | 1999-10-01 | 2010-08-24 | Novellus Systems, Inc. | Edge bevel removal of copper from silicon wafers |
| AU2001233136A1 (en) * | 2000-01-31 | 2001-08-07 | Cfmt, Inc. | Wet processing method for the electronic components using liquids of varying density |
| AU2001245664A1 (en) * | 2000-03-13 | 2001-09-24 | Cfmt, Inc. | Processes and apparatus for treating electronic components |
| DE10036691A1 (de) * | 2000-07-27 | 2002-02-14 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur chemischen Behandlung von Halbleiterscheiben |
| US6620743B2 (en) | 2001-03-26 | 2003-09-16 | Asm America, Inc. | Stable, oxide-free silicon surface preparation |
| US6584989B2 (en) | 2001-04-17 | 2003-07-01 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for wet cleaning |
| JP2003059883A (ja) * | 2001-08-17 | 2003-02-28 | Nec Corp | 裏面洗浄方法および装置、動作制御方法および装置、コンピュータプログラム |
| TW533499B (en) * | 2002-01-28 | 2003-05-21 | Winbond Electronics Corp | Method of fine-tuning mixed acid liquid supplement amount |
| KR100442869B1 (ko) * | 2002-02-02 | 2004-08-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기판 세정공정용 반도체 제조장치 및 그를 이용한반도체 기판 세정공정 |
| KR100876782B1 (ko) * | 2002-06-29 | 2009-01-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자 제조방법 |
| KR100450632B1 (ko) * | 2002-10-01 | 2004-10-01 | 주식회사 에이텍 | 반도체 웨이퍼 세정용 다층 세정장치 |
| US7699997B2 (en) * | 2003-10-03 | 2010-04-20 | Kobe Steel, Ltd. | Method of reclaiming silicon wafers |
| FR2864457B1 (fr) * | 2003-12-31 | 2006-12-08 | Commissariat Energie Atomique | Procede de nettoyage par voie humide d'une surface notamment en un materiau de type silicium germanium. |
| JP3804864B2 (ja) * | 2004-05-24 | 2006-08-02 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | 不純物の分析方法 |
| US20060011586A1 (en) * | 2004-07-14 | 2006-01-19 | Shea Kevin R | Method of etching nitrides |
| US7479460B2 (en) * | 2005-08-23 | 2009-01-20 | Asm America, Inc. | Silicon surface preparation |
| US8030182B2 (en) * | 2005-09-20 | 2011-10-04 | Tadahiro Ohmi | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus |
| US8100081B1 (en) | 2006-06-30 | 2012-01-24 | Novellus Systems, Inc. | Edge removal of films using externally generated plasma species |
| KR100762907B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2007-10-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 게이트 형성방법 |
| US9732416B1 (en) | 2007-04-18 | 2017-08-15 | Novellus Systems, Inc. | Wafer chuck with aerodynamic design for turbulence reduction |
| DE102007030957A1 (de) * | 2007-07-04 | 2009-01-08 | Siltronic Ag | Verfahren zum Reinigen einer Halbleiterscheibe mit einer Reinigungslösung |
| US8419964B2 (en) * | 2008-08-27 | 2013-04-16 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus and method for edge bevel removal of copper from silicon wafers |
| JP2010153809A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-07-08 | Sumco Corp | シリコンウェーハの表面に形成された所定の膜厚を有する層の膜厚分布を均一化する処理方法及びシリコンウェーハの厚み分布を均一化する処理方法 |
| US8172646B2 (en) * | 2009-02-27 | 2012-05-08 | Novellus Systems, Inc. | Magnetically actuated chuck for edge bevel removal |
| US20120037191A1 (en) * | 2010-08-16 | 2012-02-16 | Macronix International Co., Ltd. | Cleaning sequence for oxide quality monitoring short-loop semiconductor wafer |
| WO2013003013A1 (en) * | 2011-06-30 | 2013-01-03 | Fsi International, Inc. | Acid treatment strategies useful to fabricate microelectronic devices and precursors thereof |
| US8784572B2 (en) * | 2011-10-19 | 2014-07-22 | Intermolecular, Inc. | Method for cleaning platinum residues on a semiconductor substrate |
| TW201713751A (zh) * | 2015-10-06 | 2017-04-16 | 聯華電子股份有限公司 | 酸槽補酸系統與方法 |
| CN109841496A (zh) * | 2017-11-27 | 2019-06-04 | 东莞新科技术研究开发有限公司 | 半导体硅片的清洗方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4577650A (en) * | 1984-05-21 | 1986-03-25 | Mcconnell Christopher F | Vessel and system for treating wafers with fluids |
| US4778532A (en) * | 1985-06-24 | 1988-10-18 | Cfm Technologies Limited Partnership | Process and apparatus for treating wafers with process fluids |
| US4795497A (en) * | 1985-08-13 | 1989-01-03 | Mcconnell Christopher F | Method and system for fluid treatment of semiconductor wafers |
| US4997490A (en) * | 1990-08-02 | 1991-03-05 | Bold Plastics, Inc. | Method of cleaning and rinsing wafers |
| JP3338134B2 (ja) * | 1993-08-02 | 2002-10-28 | 株式会社東芝 | 半導体ウエハ処理方法 |
-
1992
- 1992-06-23 JP JP16496792A patent/JP3154814B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-09-17 US US08/710,400 patent/US5810940A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08148457A (ja) * | 1994-11-15 | 1996-06-07 | Tadahiro Omi | ウェットステーション並びにそのウェットステーションを用いたウェット洗浄方法及びウェット洗浄装置 |
| US6132522A (en) * | 1996-07-19 | 2000-10-17 | Cfmt, Inc. | Wet processing methods for the manufacture of electronic components using sequential chemical processing |
| US6319329B1 (en) | 1997-01-24 | 2001-11-20 | Tokyo Electron Limited | Method of cleaning objects to be processed |
| US6491045B2 (en) | 1997-01-24 | 2002-12-10 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for and method of cleaning object to be processed |
| JP2009543344A (ja) * | 2006-06-28 | 2009-12-03 | ラム リサーチ コーポレーション | 液体メニスカスによるポストエッチウエハ表面洗浄 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5810940A (en) | 1998-09-22 |
| JP3154814B2 (ja) | 2001-04-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3154814B2 (ja) | 半導体ウエハの洗浄方法および洗浄装置 | |
| JP3338134B2 (ja) | 半導体ウエハ処理方法 | |
| US5759971A (en) | Semiconductor wafer cleaning liquid | |
| JP3575859B2 (ja) | 半導体基板の表面処理方法及び表面処理装置 | |
| KR19980070977A (ko) | 메가소닉스 보조 세정의 효율 제어 방법 | |
| JP6988761B2 (ja) | 半導体シリコンウェーハの洗浄処理装置および洗浄方法 | |
| KR0185463B1 (ko) | 반도체기판의 세정방법 및 반도체장치의 제조방법 | |
| JP2000228380A (ja) | 洗浄方法 | |
| JP2003173998A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| JP2003218085A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| JPH05283389A (ja) | 半導体基板洗浄方法 | |
| JPH08264498A (ja) | シリコンウエーハの清浄化方法 | |
| JP3419758B2 (ja) | 基板の処理法 | |
| JP3473662B2 (ja) | ウェット式洗浄装置 | |
| JPS6072233A (ja) | 半導体ウエ−ハの洗浄装置 | |
| US6495099B1 (en) | Wet processing methods for the manufacture of electronic components | |
| KR970000420B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 세정방법 | |
| JPH0831781A (ja) | 洗浄薬液 | |
| KR970001344Y1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 세정장치 | |
| JPH05109683A (ja) | 半導体シリコンウエーハ洗浄液の金属不純物除去方法 | |
| JPH0750281A (ja) | シリコンウェハーの洗浄方法 | |
| JP3035451B2 (ja) | 基板の表面処理装置 | |
| JPH056884A (ja) | シリコンウエハーの洗浄方法 | |
| KR100199376B1 (ko) | 세정 장치 및 그를 이용한 웨이퍼 세정 방법 | |
| KR0172717B1 (ko) | 반도체 기판의 세정방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080202 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090202 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100202 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100202 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110202 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120202 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120202 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130202 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130202 Year of fee payment: 12 |