JPH05182514A - 導電ペースト組成物 - Google Patents
導電ペースト組成物Info
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Abstract
り、電極の半田濡れ性を向上させることが可能な導電ペ
ースト組成物を提供する。 【構成】 ガラスフリットを含有し、AgとPdの合量
中のPd濃度が5〜30重量%のAg−Pd系の下層側
電極上に塗布されて半田濡れ性に優れた上層側電極を形
成する導電ペースト組成物であり、主成分であるAg
と、該Agとの合量中の濃度が前記下層側電極のPd濃
度の25〜75%の範囲にあるPdと、有機ビヒクルと
を含有させ、ガラスフリットを含有させない。
Description
に関し、詳しくは、ガラスフリットを含有する下層側電
極上に塗布、焼付けされて、半田濡れ性に優れた上層側
電極を形成する導電ペースト組成物に関する。
ば、セラミック電子部品素体上に電極(厚膜電極)を配
設してチップ型積層セラミックコンデンサなどのセラミ
ック電子部品を製造する場合、電極の半田濡れ性を向上
させるために、厚膜電極(同一組成で2層にすることも
ある)を下層側電極として、その上に、異なる組成を有
する上層側電極を形成する場合がある。
コンデンサの場合、半田耐熱性を向上させるために、下
層側電極として固形分比で(すなわち、AgとPdの合
量に対して)10〜30重量%のPdを含むAgペース
ト(ガラスフリットを含有する)を塗布、焼付けすると
ともに、半田濡れ性を向上させるために、上層側電極と
してAgペーストを焼付けすることにより電極を形成す
る技術が、特開昭57−148331号公報、特開昭5
7−148333号公報に開示されている。
電極においては、単に、下層側電極としてAg−Pdペ
ーストを塗布、焼付けした後、その上にAgペーストを
塗布、焼付けしているので、焼成中に下層側電極と上層
側電極との間のPd濃度差により、両者の間でガラス、
Ag、Pdの相互拡散が生じ、下層側電極においては上
層側電極から拡散したAgにより焼結が促進され、下層
側電極中に含まれるガラスフリットが上層側電極の表面
にまで移動する(図3参照)。
る銀ペーストなどの導電ペーストを用いて上層側電極を
形成しても、下層側電極中のガラス成分が溶出して上層
側電極表面のガラス成分量を増加させるため、上層側電
極の半田濡れ性が低下し、実装工程における半田付けの
信頼性が低下するという問題点がある。
あり、ガラスフリットを含有する下層側電極上に塗布、
焼付けすることにより、電極の半田濡れ性を向上させる
ことが可能な導電ペースト組成物を提供することを目的
とする。
に、発明者は種々の実験、検討を行い、Pdを(例えば
5重量%)含有する導電ペースト組成物を、ガラスフリ
ットを含有するAg−Pd系の下層側電極上に塗布、焼
付けした場合、下層側電極及び上層側電極のPdの濃度
分布が、図1に示すようにステップ状になることを知っ
た。このように、下層側電極と上層側電極においてPd
の濃度差が保持されているということは、下層側電極と
上層側電極との間の相互拡散が抑制され、下層側電極か
ら上層側電極へのガラス成分の移動量も少ないことを意
味しており、上層側電極表面のガラス成分量が減少する
結果、上層側電極の半田濡れ性が向上する。発明者は上
記現象を見出し、さらに種々の実験、検討を行ってこの
発明を完成した。
は、ガラスフリットを含有し、AgとPdの合量中のP
d濃度が5〜30重量%のAg−Pd系の下層側電極上
に塗布されて半田濡れ性に優れた上層側電極を形成する
導電ペースト組成物であって、主成分であるAgと、該
Agとの合量中の濃度が前記下層側電極の前記Pd濃度
の25〜75%の範囲にあるPdと、有機ビヒクルとを
含有し、ガラスフリットを含有しないことを特徴として
いる。
側電極上に、Agと、下層側電極中のPd濃度の25〜
75%の濃度のPdと、有機ビヒクルとを含有し、ガラ
スフリットを含有しない導電ペースト組成物を塗布した
場合、下層側電極と上層側電極との間のガラス、Ag、
Pdなどの相互拡散が抑制され、上層側電極表面のガラ
ス成分量の増大を防止して半田濡れ性を向上させること
ができる。
してその特徴をさらに詳しく説明する。
上に、Ag粉末90重量部、Pd粉末10重量部、ガラ
スフリット3重量部を配合し、これに有機ビヒクルを適
量(例えば、導電ペースト組成物全量に対して10〜3
0重量%)添加したAg−Pdペーストをスクリーン印
刷法により直径10mmの円形状に塗布し、これを850
℃で焼成して下層側電極を形成した。なお、ガラスフリ
ットは、PbO(40重量%),Bi2O3(20重量
%),SiO2(20重量%),B2O3(20重量%)
からなるガラスを平均粒径5μmに粉砕したものであ
る。
上に、主成分であるAgと、前記下層側電極中のPd濃
度(Pd/(Ag+Pd))に対して、表1に示すよう
な割合のPd(例えば、表1のPdの割合が50%の場
合、Pd濃度は10×0.5=5重量%となる。)と、
エチルセルロースをα−テレピネオールで溶解した有機
ビヒクルの適量(例えば、導電ペースト組成物全量に対
して10〜30重量%)とを含有するAgペーストを塗
布し、800℃で焼成することにより上層側電極を形成
した。
のは、この発明の範囲外の比較例についてのデータを示
している。
ト組成物を用いて形成した上記試料の半田濡れ性を調べ
た。その結果を表1に示す。
IS H62Ag2A(Sn62%,Pb36%,Ag
2%)の半田を用いた230℃の半田浴に、Rタイプ
(ロジン系,無ハロゲン)フラックスを付着させて2秒
間浸漬した後の半田付着面積を測定することにより評価
した。すなわち、図2に示すように、上層側電極1の全
面積に対して、半田が付着した部分2の面積が90%以
上の場合には良好(○)、70〜90%の場合には普通
(△)、70%以下の場合には不可(×)と評価した。
ースト組成物のPd濃度が、下層側電極のPd濃度に対
して、25〜75%の範囲にある場合に良好な半田濡れ
性が得られ、上記範囲外の場合、例えば、Pdを含んで
いない場合やPdの割合が下層側電極のPd濃度と同じ
(すなわち、割合が100%)になった場合には、半田
濡れ性が低下していることがわかる。
いて、上層側電極を形成したセラミック電子部品は、下
層側電極が良好な半田耐熱性を有するとともに、上層側
電極が半田濡れ性に優れているため、実装工程における
半田付け不良が減少し、実装の信頼性が向上する。
が一層構造の場合について説明したが、この発明は、下
層側電極が2層以上の多層構造を有する電極である場合
にも適用することが可能である。
組成物は、主成分であるAgと、該Agとの合量中の濃
度が下層側電極のPd濃度の25〜75%の範囲にある
Pdと、有機ビヒクルとを含有し、ガラスフリットを含
有しない構成を有しているので、下層側電極と上層側電
極との間のガラス、Ag、Pdなどの相互拡散を抑制し
て、上層側電極表面のガラス成分量の増大を防止し、半
田濡れ性を向上させることができる。
は、焼成後の半田濡れ性に優れていることから、良好な
半田濡れ性が要求される表面実装型のセラミック電子部
品の電極形成用材料として極めて有意義である。
の、下層側電極と上層側電極のPd濃度の分布を模式的
に示す図である。
層側電極と上層側電極のPd濃度の分布を模式的に示す
図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 ガラスフリットを含有し、AgとPdの
合量中のPd濃度が5〜30重量%のAg−Pd系の下
層側電極上に塗布されて半田濡れ性に優れた上層側電極
を形成する導電ペースト組成物であって、主成分である
Agと、該Agとの合量中の濃度が前記下層側電極の前
記Pd濃度の25〜75%の範囲にあるPdと、有機ビ
ヒクルとを含有し、ガラスフリットを含有しないことを
特徴とする導電ペースト組成物。
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---|---|---|---|
JP35879991A JP2998379B2 (ja) | 1991-12-28 | 1991-12-28 | 導電ペースト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publication Number | Publication Date |
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JPH05182514A true JPH05182514A (ja) | 1993-07-23 |
JP2998379B2 JP2998379B2 (ja) | 2000-01-11 |
Family
ID=18461173
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP35879991A Expired - Lifetime JP2998379B2 (ja) | 1991-12-28 | 1991-12-28 | 導電ペースト組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2998379B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1083578A4 (en) * | 1999-03-30 | 2007-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | CONDUCTIVE PASTE, MULTI-LAYER CERAMIC SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME |
JP2014038829A (ja) * | 2012-04-17 | 2014-02-27 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | 太陽電池接点用導電性厚膜ペースト |
-
1991
- 1991-12-28 JP JP35879991A patent/JP2998379B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP1083578A4 (en) * | 1999-03-30 | 2007-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | CONDUCTIVE PASTE, MULTI-LAYER CERAMIC SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME |
JP2014038829A (ja) * | 2012-04-17 | 2014-02-27 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | 太陽電池接点用導電性厚膜ペースト |
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JP2998379B2 (ja) | 2000-01-11 |
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