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JPH05182514A - 導電ペースト組成物 - Google Patents

導電ペースト組成物

Info

Publication number
JPH05182514A
JPH05182514A JP35879991A JP35879991A JPH05182514A JP H05182514 A JPH05182514 A JP H05182514A JP 35879991 A JP35879991 A JP 35879991A JP 35879991 A JP35879991 A JP 35879991A JP H05182514 A JPH05182514 A JP H05182514A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
side electrode
layer side
conductive paste
concentration
lower layer
Prior art date
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Granted
Application number
JP35879991A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2998379B2 (ja
Inventor
Kunihiko Hamada
邦彦 浜田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP35879991A priority Critical patent/JP2998379B2/ja
Publication of JPH05182514A publication Critical patent/JPH05182514A/ja
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Publication of JP2998379B2 publication Critical patent/JP2998379B2/ja
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  • Ceramic Capacitors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 下層側電極上に塗布、焼付けすることによ
り、電極の半田濡れ性を向上させることが可能な導電ペ
ースト組成物を提供する。 【構成】 ガラスフリットを含有し、AgとPdの合量
中のPd濃度が5〜30重量%のAg−Pd系の下層側
電極上に塗布されて半田濡れ性に優れた上層側電極を形
成する導電ペースト組成物であり、主成分であるAg
と、該Agとの合量中の濃度が前記下層側電極のPd濃
度の25〜75%の範囲にあるPdと、有機ビヒクルと
を含有させ、ガラスフリットを含有させない。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、導電ペースト組成物
に関し、詳しくは、ガラスフリットを含有する下層側電
極上に塗布、焼付けされて、半田濡れ性に優れた上層側
電極を形成する導電ペースト組成物に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】例え
ば、セラミック電子部品素体上に電極(厚膜電極)を配
設してチップ型積層セラミックコンデンサなどのセラミ
ック電子部品を製造する場合、電極の半田濡れ性を向上
させるために、厚膜電極(同一組成で2層にすることも
ある)を下層側電極として、その上に、異なる組成を有
する上層側電極を形成する場合がある。
【0003】そして、例えば、チップ型積層セラミック
コンデンサの場合、半田耐熱性を向上させるために、下
層側電極として固形分比で(すなわち、AgとPdの合
量に対して)10〜30重量%のPdを含むAgペース
ト(ガラスフリットを含有する)を塗布、焼付けすると
ともに、半田濡れ性を向上させるために、上層側電極と
してAgペーストを焼付けすることにより電極を形成す
る技術が、特開昭57−148331号公報、特開昭5
7−148333号公報に開示されている。
【0004】しかし、上記従来の技術により形成された
電極においては、単に、下層側電極としてAg−Pdペ
ーストを塗布、焼付けした後、その上にAgペーストを
塗布、焼付けしているので、焼成中に下層側電極と上層
側電極との間のPd濃度差により、両者の間でガラス、
Ag、Pdの相互拡散が生じ、下層側電極においては上
層側電極から拡散したAgにより焼結が促進され、下層
側電極中に含まれるガラスフリットが上層側電極の表面
にまで移動する(図3参照)。
【0005】その結果、半田濡れ性に優れた材料からな
る銀ペーストなどの導電ペーストを用いて上層側電極を
形成しても、下層側電極中のガラス成分が溶出して上層
側電極表面のガラス成分量を増加させるため、上層側電
極の半田濡れ性が低下し、実装工程における半田付けの
信頼性が低下するという問題点がある。
【0006】この発明は、上記問題点を解決するもので
あり、ガラスフリットを含有する下層側電極上に塗布、
焼付けすることにより、電極の半田濡れ性を向上させる
ことが可能な導電ペースト組成物を提供することを目的
とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、発明者は種々の実験、検討を行い、Pdを(例えば
5重量%)含有する導電ペースト組成物を、ガラスフリ
ットを含有するAg−Pd系の下層側電極上に塗布、焼
付けした場合、下層側電極及び上層側電極のPdの濃度
分布が、図1に示すようにステップ状になることを知っ
た。このように、下層側電極と上層側電極においてPd
の濃度差が保持されているということは、下層側電極と
上層側電極との間の相互拡散が抑制され、下層側電極か
ら上層側電極へのガラス成分の移動量も少ないことを意
味しており、上層側電極表面のガラス成分量が減少する
結果、上層側電極の半田濡れ性が向上する。発明者は上
記現象を見出し、さらに種々の実験、検討を行ってこの
発明を完成した。
【0008】すなわち、この発明の導電ペースト組成物
は、ガラスフリットを含有し、AgとPdの合量中のP
d濃度が5〜30重量%のAg−Pd系の下層側電極上
に塗布されて半田濡れ性に優れた上層側電極を形成する
導電ペースト組成物であって、主成分であるAgと、該
Agとの合量中の濃度が前記下層側電極の前記Pd濃度
の25〜75%の範囲にあるPdと、有機ビヒクルとを
含有し、ガラスフリットを含有しないことを特徴として
いる。
【0009】
【作用】ガラスフリットを含有するAg−Pd系の下層
側電極上に、Agと、下層側電極中のPd濃度の25〜
75%の濃度のPdと、有機ビヒクルとを含有し、ガラ
スフリットを含有しない導電ペースト組成物を塗布した
場合、下層側電極と上層側電極との間のガラス、Ag、
Pdなどの相互拡散が抑制され、上層側電極表面のガラ
ス成分量の増大を防止して半田濡れ性を向上させること
ができる。
【0010】
【実施例】以下、この発明の実施例を比較例とともに示
してその特徴をさらに詳しく説明する。
【0011】MgTiO3−CaTiO3系セラミック板
上に、Ag粉末90重量部、Pd粉末10重量部、ガラ
スフリット3重量部を配合し、これに有機ビヒクルを適
量(例えば、導電ペースト組成物全量に対して10〜3
0重量%)添加したAg−Pdペーストをスクリーン印
刷法により直径10mmの円形状に塗布し、これを850
℃で焼成して下層側電極を形成した。なお、ガラスフリ
ットは、PbO(40重量%),Bi23(20重量
%),SiO2(20重量%),B23(20重量%)
からなるガラスを平均粒径5μmに粉砕したものであ
る。
【0012】そして、上記のように形成した下層側電極
上に、主成分であるAgと、前記下層側電極中のPd濃
度(Pd/(Ag+Pd))に対して、表1に示すよう
な割合のPd(例えば、表1のPdの割合が50%の場
合、Pd濃度は10×0.5=5重量%となる。)と、
エチルセルロースをα−テレピネオールで溶解した有機
ビヒクルの適量(例えば、導電ペースト組成物全量に対
して10〜30重量%)とを含有するAgペーストを塗
布し、800℃で焼成することにより上層側電極を形成
した。
【0013】
【表1】
【0014】表1において、実験番号に*印を付したも
のは、この発明の範囲外の比較例についてのデータを示
している。
【0015】この発明の実施例及び比較例の導電ペース
ト組成物を用いて形成した上記試料の半田濡れ性を調べ
た。その結果を表1に示す。
【0016】なお、表1における「半田濡れ性」は、J
IS H62Ag2A(Sn62%,Pb36%,Ag
2%)の半田を用いた230℃の半田浴に、Rタイプ
(ロジン系,無ハロゲン)フラックスを付着させて2秒
間浸漬した後の半田付着面積を測定することにより評価
した。すなわち、図2に示すように、上層側電極1の全
面積に対して、半田が付着した部分2の面積が90%以
上の場合には良好(○)、70〜90%の場合には普通
(△)、70%以下の場合には不可(×)と評価した。
【0017】表1に示すように、上層側電極用の導電ペ
ースト組成物のPd濃度が、下層側電極のPd濃度に対
して、25〜75%の範囲にある場合に良好な半田濡れ
性が得られ、上記範囲外の場合、例えば、Pdを含んで
いない場合やPdの割合が下層側電極のPd濃度と同じ
(すなわち、割合が100%)になった場合には、半田
濡れ性が低下していることがわかる。
【0018】なお、この発明の導電ペースト組成物を用
いて、上層側電極を形成したセラミック電子部品は、下
層側電極が良好な半田耐熱性を有するとともに、上層側
電極が半田濡れ性に優れているため、実装工程における
半田付け不良が減少し、実装の信頼性が向上する。
【0019】また、上記実施例においては、下層側電極
が一層構造の場合について説明したが、この発明は、下
層側電極が2層以上の多層構造を有する電極である場合
にも適用することが可能である。
【0020】
【発明の効果】上述のように、この発明の導電ペースト
組成物は、主成分であるAgと、該Agとの合量中の濃
度が下層側電極のPd濃度の25〜75%の範囲にある
Pdと、有機ビヒクルとを含有し、ガラスフリットを含
有しない構成を有しているので、下層側電極と上層側電
極との間のガラス、Ag、Pdなどの相互拡散を抑制し
て、上層側電極表面のガラス成分量の増大を防止し、半
田濡れ性を向上させることができる。
【0021】すなわち、この発明の導電ペースト組成物
は、焼成後の半田濡れ性に優れていることから、良好な
半田濡れ性が要求される表面実装型のセラミック電子部
品の電極形成用材料として極めて有意義である。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の導電ペースト組成物を用いた場合
の、下層側電極と上層側電極のPd濃度の分布を模式的
に示す図である。
【図2】電極の半田濡れ性を説明する図である。
【図3】従来の導電ペースト組成物を用いた場合の、下
層側電極と上層側電極のPd濃度の分布を模式的に示す
図である。
【符号の説明】
1 上層側電極 2 半田が付着した部分

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ガラスフリットを含有し、AgとPdの
    合量中のPd濃度が5〜30重量%のAg−Pd系の下
    層側電極上に塗布されて半田濡れ性に優れた上層側電極
    を形成する導電ペースト組成物であって、主成分である
    Agと、該Agとの合量中の濃度が前記下層側電極の前
    記Pd濃度の25〜75%の範囲にあるPdと、有機ビ
    ヒクルとを含有し、ガラスフリットを含有しないことを
    特徴とする導電ペースト組成物。
JP35879991A 1991-12-28 1991-12-28 導電ペースト組成物 Expired - Lifetime JP2998379B2 (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1083578A4 (en) * 1999-03-30 2007-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd CONDUCTIVE PASTE, MULTI-LAYER CERAMIC SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
JP2014038829A (ja) * 2012-04-17 2014-02-27 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc 太陽電池接点用導電性厚膜ペースト

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1083578A4 (en) * 1999-03-30 2007-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd CONDUCTIVE PASTE, MULTI-LAYER CERAMIC SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
JP2014038829A (ja) * 2012-04-17 2014-02-27 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc 太陽電池接点用導電性厚膜ペースト

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