[go: up one dir, main page]

JPH05170956A - 樹脂成形品の金属化に好適な粗面化方法 - Google Patents

樹脂成形品の金属化に好適な粗面化方法

Info

Publication number
JPH05170956A
JPH05170956A JP3168957A JP16895791A JPH05170956A JP H05170956 A JPH05170956 A JP H05170956A JP 3168957 A JP3168957 A JP 3168957A JP 16895791 A JP16895791 A JP 16895791A JP H05170956 A JPH05170956 A JP H05170956A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sulfide
polyarylene sulfide
weight
ketone
water
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3168957A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomoyoshi Koizumi
智義 小泉
Yukio Ichikawa
幸男 市川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kureha Corp
Original Assignee
Kureha Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kureha Corp filed Critical Kureha Corp
Priority to JP3168957A priority Critical patent/JPH05170956A/ja
Priority to EP92109825A priority patent/EP0518317A1/en
Priority to US07/897,057 priority patent/US5326593A/en
Priority to CA002071153A priority patent/CA2071153A1/en
Publication of JPH05170956A publication Critical patent/JPH05170956A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J7/00Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
    • C08J7/12Chemical modification
    • C08J7/14Chemical modification with acids, their salts or anhydrides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/22Roughening, e.g. by etching
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2381/00Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing sulfur with or without nitrogen, oxygen, or carbon only; Polysulfones; Derivatives of such polymers
    • C08J2381/02Polythioethers; Polythioether-ethers
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313Organic insulating material
    • H05K1/032Organic insulating material consisting of one material
    • H05K1/0333Organic insulating material consisting of one material containing S
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/381Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the substrate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
  • Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】本発明の成形品の粗面化されるべき表面部位が
ポリアリ−レンスルフィド成分ブロック100重量部と
ポリアリ−レンスルフィドケトン成分ブロック100〜
200重量部からなる。この粗面化されるべき表面を、
ポリアリ−レンスルフィドと比較してポリアリ−レンス
ルフィドケトンをより溶解させる溶剤と接触させ、粗面
化する。 【効果】粗面化された面が金属化された場合はその金属
層はポリアリ−レンスルフィド系樹脂に対し、密着性に
優れたものが得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は表面層をポリアリ−レン
スルフィド系樹脂とする成形品の表面金属化方法の前処
理として好適な粗面化方法に関する。
【0002】
【従来の技術】ポリアリ−レンスルフィド系樹脂からな
る成形物に対して表面を金属化することは近年部品の小
型化、軽量化の要求に沿って金属の代替品の分野、プリ
ント基板、コンデンサ−等の分野で重要視されている。
【0003】ポリアリ−レンスルフィド系樹脂成形品の
表面をメッキ等の金属化処理するに先立ってなされる粗
面化方法としては多くの方法が提案されている。しかし
ながら、本発明が提示しようとする技術思想とする粗面
化方法は未だ存在しない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は新たな
技術思想に基づく粗面化方法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨とするとこ
ろはポリアリ−レンスルフィド成分ブロック100重量
部とポリアリ−レンスルフィドケトン成分ブロック10
0〜200重量部からなるブロック共重合体を主とす
る、成形品の粗面化されるべき表面部位を、ポリアリ−
レンスルフィドと比較してポリアリ−レンスルフィドケ
トンをより溶解する溶剤に接触させて粗面化することを
特徴とする樹脂成形品の表面金属化に好適な粗面化方法
にある。以下、本発明につき詳細に説明する。
【0006】本発明における成形品は粗面化されるべき
表面部位がポリアリ−レンスルフィドとポリアリ−レン
スルフィドケトンとのブロック共重合体からなる樹脂又
はその組成物である。組成物の場合はポリアリ−レンス
ルフィドとポリアリ−レンスルフィドケトンとのブロッ
ク共重合体からなる樹脂を組成物中50重量%以上、よ
り好ましくは70重量%以上、更に好ましくは90重量
%以上とするものである。尚、粗面化されない部位はか
かる樹脂又はその組成物である必要はない。例えば成形
品の内部がガラスマットのような異質の物であっても差
し支えない。尚、ここで表面部位とは粗面化される面か
ら深さ1ミクロンの部位までを意味する。
【0007】本発明におけるブロック共重合体はポリア
リ−レンスルフィド成分ブロックとポリアリ−レンスル
フィドケトン成分ブロックを必須とするブロック共重合
体であり、この二つの成分ブロックのみからなるブロッ
ク共重合体が好ましいが、この他の成分ブロックを有し
ていても良い。
【0008】本発明においてポリアリ−レンスルフィド
成分ブロックとは−Ar−S−(ここで“−Ar−”は
アリ−レン基を意味する)を1基本モルとしたときにポ
リアリ−レンスルフィド成分ブロック中に50基本モル
%以上、好ましくは70基本モル%以上、より好ましく
は90基本モル%以上とするブロックを意味する。アリ
−レン基としてはフェニレン基、特にパラフェニレン基
とするものが好適である。共重合体の場合における他の
共重合単位としてはメタフェニレンスルフィド単位、ジ
フェニルエ−テルスルフィド単位、ビフェニレンスルフ
ィド単位、2,6−ナフチレンスルフィド単位等が例示
される。
【0009】また、本発明においてポリアリ−レンスル
フィドケトン成分ブロックとは−Ar−CO−Ar−S
−(ここで“−Ar−”はアリ−レン基を意味する)を
1基本モルとしたときにポリアリ−レンスルフィドケト
ン成分ブロック中に50基本モル%以上、好ましくは7
0基本モル%以上、より好ましくは90基本モル%以上
とするブロックを意味する。アリ−レン基としてはフェ
ニレン基、特にパラフェニレン基とするものが好適であ
る。共重合される異種繰り返し単位としてはポリアリ−
レンスルフィドの共重合体で用いられた繰り返し単位が
使用され得る。
【0010】ブロック共重合体の成分ブロックの構成
は、ポリアリ−レンスルフィド成分ブロックとポリアリ
−レンスルフィドケトン成分ブロックのうちの一方をA
とし、他方をBとしたときに、ABA型、AB型等、交
互に両成分ブロックを有する任意の構成であってよい。
【0011】ブロック共重合体を構成するポリアリ−レ
ンスルフィド成分ブロックとポリアリ−レンスルフィド
ケトン成分ブロックとの比率は、ポリアリ−レンスルフ
ィド成分ブロック100重量部に対し、ポリアリ−レン
スルフィドケトン成分ブロック100〜200重量部、
好ましくは120〜180重量部、より好ましくは13
0〜170重量部からなる。ポリアリ−レンスルフィド
ケトン成分ブロックの比率が100重量部より少ない
と、充分な粗面化が行なわれず、逆に200重量部より
大きくなると、それによる粗面化が不適当となり、いず
れも金属層との密着性が良くないためである。
【0012】ポリアリ−レンスルフィド成分ブロックと
ポリアリ−レンスルフィドケトン成分ブロックからなる
上記ブロック共重合体の製造方法は特に限定されるもの
ではないが、特願平2−109481号に示す方法は好
適に採用される。
【0013】この先行技術を援用して記載の一部とする
が、概略を説明すると、第一の方法は次の通りである。
即ち、所定の水分量の存在下に、ジハロベンゼンを主成
分とするジハロ芳香族化合物とアルカリ金属硫化物を含
む有機アミド溶媒を加熱して、繰り返し単位−Ar−S
−を主構成要素とし、末端にチオラ−ト基を有するポリ
アリ−レンスルフィド・オリゴマ−を合成する第一工程
と、第一工程で得られたオリゴマ−と、4,4’−ジク
ロロベンゾフェノン及び/又は4,4’−ジブロモベン
ゾフェノンからなるジハロベンゾフェノンを主成分とす
るジハロ芳香族化合物、アルカリ金属硫化物、有機アミ
ド溶媒及び所定量の水とを混合し、該混合物を加熱し
て、繰り返し単位−Ar−CO−Ar−S−を主構成要
素とするポリアリ−レンスルフィドケトン成分を生成さ
せる第二工程の少なくとも二つの工程からなる方法であ
る。
【0014】また別の方法としては、水分の共存下に、
ジハロベンゼンを主成分とするジハロ芳香族化合物とア
ルカリ金属硫化物を含む有機アミド溶媒を加熱して、繰
り返し単位−Ar−S−を主構成要素とし、末端にチオ
ラ−ト基を有するポリアリ−レンスルフィド・オリゴマ
−を合成する工程と、水分の共存下に、4,4’−ジク
ロロベンゾフェノン及び/又は4,4’−ジブロモベン
ゾフェノンからなるジハロベンゾフェノンを主成分とす
るジハロ芳香族化合物とアルカリ金属硫化物を含む有機
アミド溶媒を加熱して、繰り返し単位−Ar−CO−A
r−S−を主構成要素とするポリアリ−レンスルフィド
ケトンオリゴマ−を合成する工程及び上記各工程で得ら
れたポリアリ−レンスルフィドオリゴマ−とポリアリ−
レンスルフィドケトンオリゴマ−及び必要に応じて水を
混合して反応させる工程の少なくとも三つの工程からな
る方法である。
【0015】またポリアリ−レンスルフィド成分ブロッ
クとポリアリ−レンスルフィドケトン成分ブロックから
なる上記ブロック共重合体またはその組成物の成形方法
は特に限定されるものではなく、射出成形、押出成形、
圧縮成形、ブロ−成形等、ポリアリ−レンスルフィドで
通常用いられる方法で所望の形状に成形される。
【0016】このようにして得られた成形物は、次に述
べるポリアリ−レンスルフィドと比較してポリアリ−レ
ンスルフィドケトンをより溶解させる溶剤と接触させる
前に、脱脂することが好ましい。脱脂工程は一般にpH
10〜12のアルカリ洗浄液中に成形物を浸漬し洗浄脱
脂する。アルカリ浸漬洗浄は例えば超音波洗浄しながら
脱脂洗浄することが好ましい。
【0017】脱脂後水洗乾燥された成形物はその粗面化
されるべき表面を、ポリアリ−レンスルフィド成分ブロ
ックの繰り返し単位のみを繰り返し単位とするポリアリ
−レンスルフィドと比較して、ポリアリ−レンスルフィ
ドケトン成分ブロックの繰り返し単位のみを繰り返し単
位とするポリアリ−レンスルフィドケトンをより溶解す
る溶剤に接触させる。溶剤としては濃度が90%以上、
好ましくは95%以上の濃硫酸、メタンスルフォン酸、
トリフロロメタンスルフォン酸、トリクロロメタンスル
フォン酸等が好ましく用いられる。
【0018】溶剤と接触させる方法としては溶剤をスプ
レ−、塗布等しても良いが、溶剤中に漬浸するのが好ま
しい。漬浸は例えば超音波振動装置のような撹拌手段に
より撹拌しながら行うのが好ましい。粗面化処理の際の
温度は室温でも良いが、必要に応じて加熱しても構わな
い。又処理時間は表面部材を構成するポリアリ−レンス
ルフィド成分ブロックとポリアリ−レンスルフィドケト
ン成分ブロックとの割合、溶剤の種類、溶剤の撹拌の有
無、及び撹拌の程度等の種々の条件によって適当に選ば
れる。
【0019】本発明方法により粗面化された面は通常、
水洗乾燥し、金属化処理がなされる。金属化処理は公知
の方法が用いられ、例えば、酸化剤を含有する強酸溶液
などで処理した後、無電解メッキ処理、或いは無電解メ
ッキと電解メッキとを併用する方法、又はスパッタリン
グ、蒸着等の方法が採用される。中でも無電解メッキ或
いは無電解メッキと電解メッキとの併用において本発明
の効果は顕著である。
【0020】
【実施例】
[実施例に示す物性の測定方法] (密着性評価方法)成形物のメッキ密着性はセロハン粘
着テ−プを用いた剥離テストで評価した。その方法はJ
ISK5400に示す碁盤目テ−プ法に準じて、メッキ
化された試料にカッタ−ナイフで碁盤目状に切傷を付け
る。隙間間隔を1mm、升目の数を100とした。次に
その上に粘着部分の長さが約50mmになるようにセロ
ハン粘着テ−プを張りつけ、完全に付着させ、2分後に
テ−プの一方の端を持ち、塗面に直角に保ち、瞬間的に
引き剥がす。引き剥がした後の碁盤目状の下記に示す状
態から密着性を評価した。
【0021】
【表1】
【0022】実施例1 (ポリフェニレンスルフィド低重合物の合成)含水硫化
ソ−ダ(水分53.91重量%)170.0kg及びN
−メチルピロリドン375kgをチタン張り重合缶に仕
込み、窒素ガス雰囲気下で185℃まで昇温しながら、
水65.6kgと硫化水素29.6モルを溜出させた。
次にp−ジクロルベンゼン114.2kg及びN−メチ
ルピロリドン110kgを供給して、220℃で4時
間、次いで230℃で4時間重合を行ない、ポリフェニ
レンスルフィド低重合物を含む反応液であるスラリ−を
得た。
【0023】(ポリフェニレンスルフィドケトン低重合
物の合成)また別に4,4’−ジクロルベンゾフェノン
(イハラケミカル社製)121.4kg、含水硫化ナト
リウム(水分53.91重量%)51.2kg、水2
0.4kg及びN−メチルピロリドン532kgをチタ
ン張り重合缶に仕込み、窒素置換し、220℃で1時間
保持して反応させ、ポリフェニレンスルフィドケトン低
重合物を含む反応液であるスラリ−を得た。
【0024】(共重合体の合成)前記ポリフェニレンス
ルフィドケトン低重合物を含む反応液であるスラリ−
(スラリ−温度180℃)の全量に、前記ポリフェニレ
ンスルフィド低重合物を含む反応液スラリ−(スラリ−
温度180℃)の全量を添加、更に水109kgを添加
し、混合した。
【0025】更に274℃まで昇温後、直ちに240℃
まで降温した後、4,4’−ジクロルベンゾフェノン1
2.7kgとN−メチルピロリドン30kgを添加後、
240℃で30分間反応させることにより反応末端基処
理を行なった。
【0026】得られた反応液であるスラリ−は、目開き
150μm(100メッシュ)のスクリ−ンで粒状ポリ
マ−を篩別し、均等量のN−メチルピロリドンで洗浄
し、再度、上記のスクリ−ンでポリマ−を篩別し、回収
した。更に同様にメタノ−ルで2回、水で5回洗浄し、
ウェットポリマ−を得た。このウェットポリマ−をパド
ルドライヤ−で140℃にて4時間乾燥し、顆粒状ポリ
マ−を得た。回収率は約80%であった。
【0027】上記ポリマ−はDSC並びに炭素、硫黄の
元素分析から319℃に結晶融点を有するポリフェニレ
ンスルフィド100重量部とポリフェニレンスルフィド
ケトン成分ブロック125重量部とのブロック共重合体
であることがわかった。
【0028】(成形)上記ブロック共重合体60重量部
にガラス繊維40重量部を混合し、射出成形機を用いて
100mm×10mm×4mmに成形し試料とした。
【0029】(粗面化処理)アルカリ洗浄液(メルクジ
ャパン(株)製[ExtranMA01」を使用)を蒸
留水で10倍希釈したものに試料を漬浸し、超音波洗浄
を5分間行ない脱脂した。脱脂後5分間蒸留水で超音波
洗浄を行ない、乾燥させた。乾燥後、98%硫酸溶液中
に室温で10分間、超音波振動させつつ浸漬し、粗面化
を行なった。電子顕微鏡観察によれば粗面化処理前にお
いては5000倍の倍率で平滑であったのに対し、1μ
m以下の凹凸が認められた。
【0030】(メッキ処理)PdCl2を0.05g及
びSnCl2を0.5g、35%塩酸水溶液10mlに
溶解させ、その溶液に水10mlを加えた水溶液中で1
5分間成形品の表面を活性化させた。その際水溶液の温
度は30℃に制御した。活性化後再び蒸留水で水洗を5
分間行なった。次いで、CuSO4 56g,NaOH
1.0g,NaKC46 5.0g,40%ホルムア
ルデヒド水溶液1.0ml,H2O 39mlの組成の
水溶液中で20分間処理し、表面を銅メッキした。その
際浴温は0℃に制御した。メッキ密着性評価は10点で
あった。
【0031】実施例2 (ポリフェニレンスルフィド低重合物の合成)含水硫化
ナトリウム(水分53.91重量%)165.0kg
と、N−メチルピロリドン350kgをチタン張り重合
缶に仕込み、実施例1と同様に溜出操作を行なった。次
にパラジクロルベンゼン104.2kg、水2.4kg
及びN−メチルピロリドン122.5kgを供給して実
施例1と同様に重合を行ない、パラフェニレンスルフィ
ド低重合物を含む反応液であるスラリ−を得た。
【0032】(ポリフェニレンスルフィドケトン低重合
物の合成)また別に4,4’−ジクロルベンゾフェノン
136.01kg、含水硫化ナトリウム(水分53.9
1重量%)53.86kg、水24.7kg及びN−メ
チルピロリドン595.5kgにした以外は実施例1と
同様にしてポリフェニレンスルフィドケトン低重合物を
含む反応液であるスラリ−を得た。
【0033】(共重合体の合成)実施例1と同様に反応
液全量を混合し、更に水113.3kgを添加し、共重
合体を合成し、次いで実施例1と同様に反応末端基処理
をし、回収を行なった。
【0034】回収されたポリマ−はDSC並びに炭素、
硫黄の元素分析から322℃に結晶融点を有するポリフ
ェニレンスルフィド100重量部とポリフェニレンスル
フィドケトン成分ブロック154重量部とのブロック共
重合体であることがわかった。その他は実施例1と同様
に行なった結果、電子顕微鏡観察で1μm以下の凹凸の
形成が認められ、メッキ密着性評価は10点であった。
【0035】実施例3 実施例2におけるガラス繊維を含めなかった他は実施例
2と同様に行なった。電子顕微鏡観察で1μm以下の凹
凸の形成が認められ、メッキ密着性評価は10点であっ
た。
【0036】実施例4 実施例1における粗面化処理の際の濃硫酸に替えて、メ
タンスルフォン酸とした他は実施例1と同様に行なっ
た。電子顕微鏡観察で1μm以下の凹凸の形成が認めら
れ、メッキ密着性評価は10点であった。
【0037】比較例1 (ポリフェニレンスルフィド低重合物の合成)含水硫化
ナトリウム(水分53.7重量%)220.0kgと、
N−メチルピロリドン412.5kgをチタン張り重合
缶に仕込み、窒素ガス雰囲気下で徐々に200℃まで昇
温しながら水91.2kgを含むN−メチルピロリドン
溶液174.7kgと硫化水素26.125モルを溜出
させた。次にパラジクロルベンゼン161.56kg、
水8.456kg及びN−メチルピロリドン310.1
kgを供給して220℃で10時間重合を行ない、パラ
フェニレンスルフィド低重合物を含む反応液であるスラ
リ−を得た。
【0038】(ポリフェニレンスルフィドケトン低重合
物の合成)また別に4,4’−ジクロルベンゾフェノン
62.8kg、含水硫化ナトリウム(水分53.91重
量%)10.93kg、水12.1kg及びN−メチル
ピロリドン275.3kgにした以外は実施例1と同様
にしてポリフェニレンスルフィドケトン低重合物を含む
反応液であるスラリ−を得た。
【0039】(共重合体の合成)前記ポリフェニレンス
ルフィドケトン低重合物を含む反応液スラリ−(スラリ
−温度220℃)に、前記のポリフェニレンスルフィド
低重合物を含む反応液スラリ−(スラリ−温度220
℃)を627kg添加、更に水78.8kgを添加し
た。更に260℃で2時間保持して反応させ、240℃
まで降温した後、4,4’−ジクロルベンゾフェノン
7.5kgとN−メチルピロリドン34.4kgを添加
後、240℃で0.2時間反応させることにより反応末
端基処理をし、回収を行なった。
【0040】回収されたポリマ−はDSC並びに炭素、
硫黄の元素分析から301℃と324℃に結晶融点を有
するポリフェニレンスルフィド100重量部とポリフェ
ニレンスルフィドケトン成分ブロック65重量部とのブ
ロック共重合体であることがわかった。その他は実施例
1と同様に行なった結果、電子顕微鏡観察で1μm以下
の凹凸の形成が認められず、メッキ密着性評価は0点で
あった。
【0041】
【発明の効果】本発明による粗面化方法は金属層との密
着性に優れ、且つポリアリ−レンスルフィドケトン成分
ブロックが耐熱性に優れているのでポリアリ−レンスル
フィド系樹脂成形物の耐熱性を損なうことがない。した
がって、金属代替品の分野、回路基板等、多くの分野に
おいて使用することが出来る。
【手続補正書】
【提出日】平成4年6月23日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は表面層をポリアリ−レン
スルフィド系樹脂とする成形品の表面金属化方法の前処
理として好適な粗面化方法に関する。
【0002】
【従来の技術】ポリアリ−レンスルフィド系樹脂からな
る成形物に対して表面を金属化することは近年部品の小
型化、軽量化の要求に沿って金属の代替品の分野、プリ
ント基板、コンデンサ−等の分野で重要視されている。
【0003】ポリアリ−レンスルフィド系樹脂成形品の
表面をメッキ等の金属化処理するに先立ってなされる粗
面化方法としては多くの方法が提案されている。しかし
ながら、本発明が提示しようとする粗面化方法は未だ存
在しない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は新たな
粗面化方法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨とするとこ
ろは成形品の粗面化されるべき表面部位がポリアリ−レ
ンスルフィド成分ブロック100重量部とポリアリ−レ
ンスルフィドケトン成分ブロック100〜200重量部
からなるブロック共重合体を主とするものであり、これ
を、ポリアリ−レンスルフィドと比較してポリアリ−レ
ンスルフィドケトンをより溶解する溶剤に接触させて粗
面化することを特徴とする樹脂成形品の表面金属化に好
適な粗面化方法にある。以下、本発明につき詳細に説明
する。
【0006】本発明における成形品は粗面化されるべき
表面部位がポリアリ−レンスルフィドとポリアリ−レン
スルフィドケトンとのブロック共重合体からなる樹脂又
はその組成物である。組成物の場合はポリアリ−レンス
ルフィドとポリアリ−レンスルフィドケトンとのブロッ
ク共重合体からなる樹脂を組成物中50重量%以上、よ
り好ましくは70重量%以上、更に好ましくは90重量
%以上とするものである。尚、金属化されない部位はか
かる樹脂又はその組成物である必要はない。例えば成形
品の内部がガラスマットのような異質の物であっても
し支えない。
【0007】本発明におけるブロック共重合体はポリア
リ−レンスルフィド成分ブロックとポリアリ−レンスル
フィドケトン成分ブロックを必須とするブロック共重合
体であり、この二つの成分ブロックのみからなるブロッ
ク共重合体が好ましいが、この他の成分ブロックを有し
ていても良い。
【0008】本発明においてポリアリ−レンスルフィド
成分ブロックとは−Ar−S−(ここで“−Ar−”は
アリ−レン基を意味する)を1基本モルとしたときにポ
リアリ−レンスルフィド成分ブロック中に50基本モル
%以上、好ましくは70基本モル%以上、より好ましく
は90基本モル%以上とするブロックを意味する。アリ
−レン基としてはフェニレン基、特にパラフェニレン基
とするものが好適である。共重合体の場合における他の
共重合単位としてはメタフェニレンスルフィド単位、ジ
フェニルエ−テルスルフィド単位、ビフェニレンスルフ
ィド単位、2,6−ナフチレンスルフィド単位等が例示
される。
【0009】また、本発明においてポリアリ−レンスル
フィドケトン成分ブロックとは−Ar−CO−Ar−S
−(ここで“−Ar−”はアリ−レン基を意味する)を
1基本モルとしたときにポリアリ−レンスルフィドケト
ン成分ブロック中に50基本モル%以上、好ましくは7
0基本モル%以上、より好ましくは90基本モル%以上
とするブロック意味する。アリ−レン基としてはフェニ
レン基、特にパラフェニレン基とするものが好適であ
る。共重合される異種繰り返し単位としてはポリアリ−
レンスルフィドの共重合体で用いられた繰り返し単位が
使用され得る。
【0010】ブロック共重合体の成分ブロックの構成
は、ポリアリ−レンスルフィド成分ブロックとポリアリ
−レンスルフィドケトン成分ブロックのうちの一方をA
とし、他方をBとしたときに、ABA型、AB型等、交
互に両成分ブロックを有する任意の構成であってよい。
【0011】ブロック共重合体を構成するポリアリ−レ
ンスルフィド成分ブロックとポリアリ−レンスルフィド
ケトン成分ブロックとの比率は、ポリアリ−レンスルフ
ィド成分ブロック100重量部に対し、ポリアリ−レン
スルフィドケトン成分ブロック100〜200重量部、
好ましくは120〜180重量部、より好ましくは13
0〜170重量部からなる。ポリアリ−レンスルフィド
ケトン成分ブロックの比率が100重量部より少ない
と、充分な粗面化が行なわれず、逆に200重量部より
大きくなると、それによる粗面化が不適当となり、いず
れも金属層との密着性が良くないためである。
【0012】ポリアリ−レンスルフィド成分ブロックと
ポリアリ−レンスルフィドケトン成分ブロックからなる
上記ブロック共重合体の製造方法は特に限定されるもの
ではないが、特願平3−67554号に示す方法は好適
に採用される。
【0013】この先行技術を援用して記載の一部とする
が、概略を説明すると、第一の方法は次の通りである。
即ち、所定の水分量の存在下に、ジハロベンゼンを主成
分とするジハロ芳香族化合物とアルカリ金属硫化物を含
む有機アミド溶媒を加熱して、繰り返し単位−Ar−S
−を主構成要素とし、末端にチオラ−ト基を有するポリ
アリ−レンスルフィド・オリゴマ−を合成する第一工程
と、第一工程で得られたオリゴマ−と、4,4’−ジク
ロロベンゾフェノン及び/又は4,4’−ジブロモベン
ゾフェノンからなるジハロベンゾフェノンを主成分とす
るジハロ芳香族化合物、アルカリ金属硫化物、有機アミ
ド溶媒及び所定量の水とを混合し、該混合物を加熱し
て、繰り返し単位−Ar−CO−Ar−S−を主構成要
素とするポリアリ−レンスルフィドケトン成分を生成さ
つつ、ブロック共重合体を得る第二工程の少なくとも
二つの工程からなる方法である。
【0014】また別の方法としては、水分の共存下に、
ジハロベンゼンを主成分とするジハロ芳香族化合物とア
ルカリ金属硫化物を含む有機アミド溶媒を加熱して、繰
り返し単位−Ar−S−を主構成要素とし、末端にチオ
ラ−ト基を有するポリアリ−レンスルフィド・オリゴマ
−を合成する工程と、水分の共存下に、4,4’−ジク
ロロベンゾフェノン及び/又は4,4’−ジブロモベン
ゾフェノンからなるジハロベンゾフェノンを主成分とす
るジハロ芳香族化合物とアルカリ金属硫化物を含む有機
アミド溶媒を加熱して、繰り返し単位−Ar−CO−A
r−S−を主構成要素とするポリアリ−レンスルフィド
ケトンオリゴマ−を合成する工程及び上記各工程で得ら
れたポリアリ−レンスルフィドオリゴマ−とポリアリ−
レンスルフィドケトンオリゴマ−及び必要に応じて水を
混合して反応させる工程の少なくとも三つの工程からな
る方法である。
【0015】またポリアリ−レンスルフィド成分ブロッ
クとポリアリ−レンスルフィドケトン成分ブロックから
なる上記ブロック共重合体またはその組成物の成形方法
は特に限定されるものではなく、射出成形、押出成形、
圧縮成形、ブロ−成形等、ポリアリ−レンスルフィドで
通常用いられる方法で所望の形状に成形される。
【0016】このようにして得られた成形物は、次に述
べるポリアリ−レンスルフィドと比較してポリアリ−レ
ンスルフィドケトンをより溶解させる溶剤と接触させる
前に、脱脂することが好ましい。脱脂工程は一般にpH
10〜12のアルカリ洗浄液中に成形物を浸漬し洗浄脱
脂する。アルカリ浸漬洗浄は例えば超音波洗浄しながら
脱脂洗浄することが好ましい。
【0017】脱脂後水洗乾燥された成形物はその粗面化
されるべき表面を、ポリアリ−レンスルフィド成分ブロ
ックの繰り返し単位のみを繰り返し単位とするポリアリ
−レンスルフィドと比較して、ポリアリ−レンスルフィ
ドケトン成分ブロックの繰り返し単位のみを繰り返し単
位とするポリアリ−レンスルフィドケトンをより溶解す
る溶剤に接触させる。溶剤としては濃度が90%以上、
好ましくは95%以上の濃硫酸、メタンスルフォン酸、
トリフロロメタンスルフォン酸、トリクロロメタンスル
フォン酸等が好ましく用いられる。
【0018】溶剤と接触させる方法としては溶剤をスプ
レ−、塗布等しても良いが、溶剤中に漬浸するのが好ま
しい。漬浸は例えば超音波振動装置のような撹拌手段に
より撹拌しながら行うのが好ましい。粗面化処理の際の
温度は室温でも良いが、必要に応じて加熱しても構わな
い。又処理時間は表面部材を構成するポリアリ−レンス
ルフィド成分ブロックとポリアリ−レンスルフィドケト
ン成分ブロックとの割合、溶剤の種類、溶剤の撹拌の有
無、及び撹拌の程度等の種々の条件によって適当に選ば
れる。
【0019】本発明方法により粗面化された面は通常、
水洗乾燥し、金属化処理がなされる。金属化処理は公知
の方法が用いられ、例えば、酸化剤を含有する強酸溶液
などで処理した後、無電解メッキ処理、或いは無電解メ
ッキと電解メッキとを併用する方法、又はスパッタリン
グ、蒸着等の方法が採用される。中でも無電解メッキ或
いは無電解メッキと電解メッキとの併用において本発明
の効果は顕著である。
【0020】
【実施例】 [実施例に示す物性の測定方法] (密着性評価方法)成形物のメッキ密着性はセロハン粘
着テ−プを用いた剥離テストで評価した。その方法はJ
ISK5400に示す碁盤目テ−プ法に準じて、メッキ
化された試料にカッタ−ナイフで碁盤目状に切傷を付け
る。隙間間隔を1mm、升目の数を100とした。次に
その上に粘着部分の長さが約50mmになるようにセロ
ハン粘着テ−プを張りつけ、完全に付着させ、2分後に
テ−プの一方の端を持ち、塗面に直角に保ち、瞬間的に
引き剥がす。引き剥がした後の碁盤目状の下記に示す状
態から密着性を評価した。
【0021】
【表1】
【0022】実施例1 (ポリフェニレンスルフィド低重合物の合成)含水硫化
ソ−ダ(水分53.91重量%)170.0kg及びN
−メチルピロリドン375kgをチタン張り重合缶に仕
込み、窒素ガス雰囲気下で185℃まで昇温しながら、
水65.6kgと硫化水素29.6モルを溜出させた。
次にp−ジクロルベンゼン114.2kg及びN−メチ
ルピロリドン110kgを供給して、220℃で4時
間、次いで230℃で4時間重合を行ない、ポリフェニ
レンスルフィド低重合物を含む反応液であるスラリ−を
得た。
【0023】(ポリフェニレンスルフィドケトン低重合
物の合成)また別に4,4’−ジクロルベンゾフェノン
(イハラケミカル社製)121.4kg、含水硫化ナト
リウム(水分53.91重量%)51.2kg、水2
0.4kg及びN−メチルピロリドン532kgをチタ
ン張り重合缶に仕込み、窒素置換し、220℃で1時間
保持して反応させ、ポリフェニレンスルフィドケトン低
重合物を含む反応液であるスラリ−を得た。
【0024】(共重合体の合成)前記ポリフェニレンス
ルフィドケトン低重合物を含む反応液であるスラリ−
(スラリ−温度180℃)の全量に、前記ポリフェニレ
ンスルフィド低重合物を含む反応液スラリ−(スラリ−
温度180℃)の全量を添加、更に水109kgを添加
し、混合した。
【0025】更に274℃まで昇温後、直ちに240℃
まで降温した後、4,4’−ジクロルベンゾフェノン1
2.7kgとN−メチルピロリドン30kgを添加後、
240℃で30分間反応させることにより反応末端基処
理を行なった。
【0026】得られた反応液であるスラリ−は、目開き
150μm(100メッシュ)のスクリ−ンで粒状ポリ
マ−を篩別し、均等量のN−メチルピロリドンで洗浄
し、再度、上記のスクリ−ンでポリマ−を篩別し、回収
した。更に同様にメタノ−ルで2回、水で5回洗浄し、
ウェットポリマ−を得た。このウェットポリマ−をパド
ルドライヤ−で140℃にて4時間乾燥し、顆粒状ポリ
マ−を得た。回収率は約80%であった。
【0027】上記ポリマ−はDSC並びに炭素、硫黄の
元素分析から319℃に結晶融点を有するポリフェニ
レンスルフィド100重量部とポリフェニレンスルフィ
ドケトン成分ブロック125重量部とのブロック共重合
体であることがわかった。
【0028】(成形)上記ブロック共重合体60重量部
にガラス繊維40重量部を混合し、射出成形機を用いて
100mm×10mm×4mmに成形し試料とした。
【0029】(粗面化処理)アルカリ洗浄液(メルクジ
ャパン(株)製[ExtranMA01」を使用)を蒸
留水で10倍希釈したものに試料を漬浸し、超音波洗浄
を5分間行ない脱脂した。脱脂後5分間蒸留水で超音波
洗浄を行ない、乾燥させた。乾燥後、98%硫酸溶液中
に室温で10分間、超音波振動させつつ浸漬し、粗面化
を行なった。電子顕微鏡観察によれば粗面化処理前にお
いては5000倍の倍率で平滑であったのに対し、1μ
m以下の凹凸が認められた。
【0030】(メッキ処理)PdCl2を0.05g及
びSnCl2を0.5g、35%塩酸水溶液10mlに
溶解させ、その溶液に水10mlを加えた水溶液中で1
5分間成形品の表面を活性化させた。その際水溶液の温
度は30℃に制御した。活性化後再び蒸留水で水洗を5
分間行なった。次いで、CuSO4 56g,NaOH
1.0g,NaKC4O6 5.0g,40%ホルムア
ルデヒド水溶液1.0ml,H2O 39mlの組成の
水溶液中で20分間処理し、表面を銅メッキした。その
際浴温は0℃に制御した。メッキ密着性評価は10点で
あった。実施例と比較例とを併せて表2に構成、効果を
一覧して示した。
【0031】
【表2】
【0032】実施例2 (ポリフェニレンスルフィド低重合物の合成)含水硫化
ナトリウム(水分53.91重量%)165.0kg
と、N−メチルピロリドン350kgをチタン張り重合
缶に仕込み、実施例1と同様に溜出操作を行なった。次
にパラジクロルベンゼン104.2kg、水2.4kg
及びN−メチルピロリドン122.5kgを供給して実
施例1と同様に重合を行ない、パラフェニレンスルフィ
ド低重合物を含む反応液であるスラリ−を得た。
【0033】(ポリフェニレンスルフィドケトン低重合
物の合成)また別に4,4’−ジクロルベンゾフェノン
136.01kg、含水硫化ナトリウム(水分53.9
1重量%)53.86kg、水24.7kg及びN−メ
チルピロリドン595.5kgにした以外は実施例1と
同様にしてポリフェニレンスルフィドケトン低重合物を
含む反応液であるスラリ−を得た。
【0034】(共重合体の合成)実施例1と同様に反応
液全量を混合し、更に水113.3kgを添加し、共重
合体を合成し、次いで実施例1と同様に反応末端基処理
をし、回収を行なった。
【0035】回収されたポリマ−はDSC並びに炭素、
硫黄の元素分析から322℃に結晶融点を有する、ポリ
フェニレンスルフィド100重量部とポリフェニレンス
ルフィドケトン成分ブロック154重量部とのブロック
共重合体であることがわかった。その他は実施例1と同
様に行なった結果、電子顕微鏡観察で1μm以下の凹凸
の形成が認められ、メッキ密着性評価は10点であっ
た。
【0036】実施例3 実施例2におけるガラス繊維を含めなかった他は実施例
2と同様に行なった。電子顕微鏡観察で1μm以下の凹
凸の形成が認められ、メッキ密着性評価は10点であっ
た。
【0037】実施例4 実施例1における粗面化処理の際の濃硫酸に替えて、メ
タンスルフォン酸とした他は実施例1と同様に行なっ
た。電子顕微鏡観察で1μm以下の凹凸の形成が認めら
れ、メッキ密着性評価は10点であった。
【0038】実施例5 (ポリフェニレンスルフィド低重合物の合成)含水硫化
ナトリウム(水分53.91重量%)4800gとN−
メチルピロリドン9000gをチタン張り重合缶に仕込
み、実施例1と同様に溜出操作を行った。次ぎに、パラ
ジクロルベンゼン3237g及びN−メチルピロリドン
4763gを供給して、実施例1と同様の重合を行い、
パラフェニレンスルフィド低重合物を含む反応液である
スラリーを得た。
【0039】(ポリフェニレンスルフィドケトン低重合
物の合成)また別に4,4’−ジクロルベンゾフェノン
1478g、含水硫化ナトリウム(水分53.91重量
%)754g、水124g及びN−メチルピロリドン5
888gにした以外は実施例1と同様にしてポリフェニ
レンスルフィドケトン低重合物を含む反応液であるスラ
リ−を得た。
【0040】(共重合体の合成)前記のポリフェニレン
スルフィドケトン低重合物を含む反応液であるスラリー
(スラリー温度180℃)の全量に、ポリフェニレンス
ルフィド低重合物を含むスラリー5623gを添加し
(スラリー温度180℃)、更に水1020gを添加
し、混合した。反応液を270℃まで昇温、そして24
0℃まで降温した。4,4’−ジクロルベンゾフェノン
123g、N−メチルピロリドン698g添加後、24
0℃で0.2時間反応させることにより反応末端基処理
をし、回収を行った。
【0041】回収されたポリマ−は、DSC並びに炭
素、硫黄の元素分析から323℃に結晶融点を有するポ
リフェニレンスルフィド100重量部とポリフェニレン
スルフィドケトン186重量部とのブロック共重合体で
あることがわかった。
【0042】このポリマ−を380℃で高温プレス、そ
して冷却し、厚さ500μmのシート状の成形物を得
た。このシートを180℃、30分間熱処理し、結晶化
させた。結晶化させたシートに対して、実施例1と同様
のメッキ処理を施したところ、電子顕微鏡観察で1μm
以下の凹凸が認められ、メッキ密着性評価は10点であ
った。
【0043】比較例1ポリフェニレンスルフィド低重合物の合成)含水硫化
ナトリウム(水分53.7重量%)220.0kgと、
N−メチルピロリドン412.5kgをチタン張り重合
缶に仕込み、窒素ガス雰囲気下で徐々に200℃まで昇
温しながら水91.2kgを含むN−メチルピロリドン
溶液174.7kgと硫化水素26.125モルを溜出
させた。次にパラジクロルベンゼン161.56kg、
水8.456kg及びN−メチルピロリドン310.1
kgを供給して220℃で10時間重合を行ない、パラ
フェニレンスルフィド低重合物を含む反応液であるスラ
リ−を得た。
【0044】(ポリフェニレンスルフィドケトン低重合
物の合成)また別に4,4’−ジクロルベンゾフェノン
62.8kg、含水硫化ナトリウム(水分53.91重
量%)10.93kg、水12.1kg及びN−メチル
ピロリドン275.3kgにした以外は実施例1と同様
にしてポリフェニレンスルフィドケトン低重合物を含む
反応液であるスラリ−を得た。
【0045】(共重合体の合成)前記ポリフェニレンス
ルフィドケトン低重合物を含む反応液スラリ−(スラリ
−温度220℃)に、前記のポリフェニレンスルフィド
低重合物を含む反応液スラリ−(スラリ−温度220
℃)を627kg添加、更に水78.8kgを添加し
た。更に260℃で2時間保持して反応させ、240℃
まで降温した後、4,4’−ジクロルベンゾフェノン
7.5kgとN−メチルピロリドン34.4kgを添加
後、240℃で0.2時間反応させることにより反応末
端基処理をし、回収を行なった。
【0046】回収されたポリマ−はDSC並びに炭素、
硫黄の元素分析から301℃と324℃に結晶融点を有
するポリフェニレンスルフィド100重量部とポリフェ
ニレンスルフィドケトン成分ブロック65重量部とのブ
ロック共重合体であることがわかった。その他は実施例
1と同様に行なった結果、電子顕微鏡観察で1μm以下
の凹凸の形成が認められず、メッキ密着性評価は0点で
あった。
【0047】比較例2 (ポリフェニレンスルフィドケトン低重合物の合成)
4,4’−ジクロルベンゾフェノン1027g、含水硫
化ナトリウム(水分53.91重量%)3001g、水
206g及びN−メチルピロリドン4091gにした以
外は実施例1と同様にしてポリフェニレンスルフィドケ
トン低重合物を含む反応液であるスラリ−を得た。
【0048】(共重合体の合成)前記ポリフェニレンス
ルフィドケトン低重合物を含む反応液スラリ−(スラリ
−温度180℃)の全量に、実施例5で作成したポリフ
ェニレンスルフィド低重合物を含む反応液スラリ−(ス
ラリ−温度180℃)8868gを添加し、更に水11
41gを添加し、混合した。反応液を270℃まで昇
温、そして240℃まで降温した。4,4’−ジクロル
ベンゾフェノン141g、N−メチルピロリドン802
gを添加後、240℃で0.2時間反応させることによ
り反応末端基処理をし、回収を行なった。
【0049】回収されたポリマ−はDSC並びに炭素、
硫黄の元素分析から295℃に結晶融点を有するポリフ
ェニレンスルフィド100重量部とポリフェニレンスル
フィドケトン成分ブロック82重量部とのブロック共重
合体であることがわかった。このポリマ−を380℃で
高温プレス、そして冷却し、厚さ500μmのシート状
の成形物を得た。このシートを180℃、30分間熱処
理し、結晶化させた。 結晶化させたシートに対して、
実施例1と同様のメッキ処理を施したところ、電子顕微
鏡観察で1〜数μmの凹凸の形成が認められ、メッキ密
着性評価は6点であった。
【0050】比較例3 (ポリフェニレンスルフィドケトン低重合物の合成)
4,4’−ジクロルベンゾフェノン1591g、含水硫
化ナトリウム(水分53.91重量%)867g、水1
03g及びN−メチルピロリドン6335gにした以外
は実施例1と同様にしてポリフェニレンスルフィドケト
ン低重合物を含む反応液であるスラリ−を得た。
【0051】(共重合体の合成)前記ポリフェニレンス
ルフィドケトン低重合物を含む反応液スラリ−(スラリ
−温度180℃)の全量に、実施例5で作成したポリフ
ェニレンスルフィド低重合物を含む反応液スラリ−(ス
ラリ−温度180℃)4815gを添加し、更に水99
0gを添加し、混合した。反応液を270℃まで昇温、
そして240℃まで降温した。4,4’−ジクロルベン
ゾフェノン118g、N−メチルピロリドン673gを
添加後、240℃で0.2時間反応させることにより反
応末端基処理をし、回収を行なった。
【0052】回収されたポリマ−はDSC並びに炭素、
硫黄の元素分析から328℃に結晶融点を有するポリフ
ェニレンスルフィド100重量部とポリフェニレンスル
フィドケトン成分ブロック230重量部とのブロック共
重合体であることがわかった。 このポリマ−を380
℃で高温プレス、そして冷却し、厚さ500μmのシー
ト状の成形物を得た。このシートを180℃、30分間
熱処理し、結晶化させた。 結晶化させたシートに対し
て、実施例1と同様のメッキ処理を施したところ、電子
顕微鏡観察で1μm以下の凹凸の形成が認められず、メ
ッキ密着性評価は6点であった。
【0053】
【発明の効果】本発明による粗面化方法は金属層との密
着性に優れ、且つポリアリ−レンスルフィドケトン成分
ブロックが耐熱性に優れているのでポリアリ−レンスル
フィド系樹脂成形物の耐熱性を損なうことがない。した
がって、金属代替品の分野、回路基板等、多くの分野に
おいて使用することが出来る。 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成5年3月5日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 樹脂成形品の金属化に好適な粗面化方
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は表面層をポリアリ−レン
スルフィド系樹脂とする成形品の表面金属化方法の前処
理として好適な粗面化方法に関する。
【0002】
【従来の技術】ポリアリ−レンスルフィド系樹脂からな
る成形物に対して表面を金属化することは近年部品の小
型化、軽量化の要求に沿って金属の代替品の分野、プリ
ント基板、コンデンサ−等の分野で重要視されている。
【0003】ポリアリ−レンスルフィド系樹脂成形品の
表面をメッキ等の金属化処理するに先立ってなされる粗
面化方法としては多くの方法が提案されている。しかし
ながら、本発明が提示しようとする粗面化方法は未だ存
在しない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は新たな
粗面化方法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨とするとこ
ろは成形品の粗面化されるべき表面部位がポリアリ−レ
ンスルフィド成分ブロック100重量部とポリアリ−レ
ンスルフィドケトン成分ブロック100〜200重量部
からなるブロック共重合体を主とするものであり、これ
を、ポリアリ−レンスルフィドと比較してポリアリ−レ
ンスルフィドケトンをより溶解する溶剤に接触させて粗
面化することを特徴とする樹脂成形品の表面金属化に好
適な粗面化方法にある。以下、本発明につき詳細に説明
する。
【0006】本発明における成形品は粗面化されるべき
表面部位がポリアリ−レンスルフィドとポリアリ−レン
スルフィドケトンとのブロック共重合体からなる樹脂又
はその組成物である。組成物の場合はポリアリ−レンス
ルフィドとポリアリ−レンスルフィドケトンとのブロッ
ク共重合体からなる樹脂を組成物中50重量%以上、よ
り好ましくは70重量%以上、更に好ましくは90重量
%以上とするものである。尚、金属化されない部位はか
かる樹脂又はその組成物である必要はない。例えば成形
品の内部がガラスマットのような異質の物であっても
し支えない。
【0007】本発明におけるブロック共重合体はポリア
リ−レンスルフィド成分ブロックとポリアリ−レンスル
フィドケトン成分ブロックを必須とするブロック共重合
体であり、この二つの成分ブロックのみからなるブロッ
ク共重合体が好ましいが、この他の成分ブロックを有し
ていても良い。
【0008】本発明においてポリアリ−レンスルフィド
成分ブロックとは−Ar−S−(ここで“−Ar−”は
アリ−レン基を意味する)を1基本モルとしたときにポ
リアリ−レンスルフィド成分ブロック中に50基本モル
%以上、好ましくは70基本モル%以上、より好ましく
は90基本モル%以上とするブロックを意味する。アリ
−レン基としてはフェニレン基、特にパラフェニレン基
とするものが好適である。共重合体の場合における他の
共重合単位としてはメタフェニレンスルフィド単位、ジ
フェニルエ−テルスルフィド単位、ビフェニレンスルフ
ィド単位、2,6−ナフチレンスルフィド単位等が例示
される。
【0009】また、本発明においてポリアリ−レンスル
フィドケトン成分ブロックとは−Ar−CO−Ar−S
−(ここで“−Ar−”はアリ−レン基を意味する)を
1基本モルとしたときにポリアリ−レンスルフィドケト
ン成分ブロック中に50基本モル%以上、好ましくは7
0基本モル%以上、より好ましくは90基本モル%以上
とするブロック意味する。アリ−レン基としてはフェニ
レン基、特にパラフェニレン基とするものが好適であ
る。共重合される異種繰り返し単位としてはポリアリ−
レンスルフィドの共重合体で用いられた繰り返し単位が
使用され得る。
【0010】ブロック共重合体の成分ブロックの構成
は、ポリアリ−レンスルフィド成分ブロックとポリアリ
−レンスルフィドケトン成分ブロックのうちの一方をA
とし、他方をBとしたときに、ABA型、AB型等、交
互に両成分ブロックを有する任意の構成であってよい。
【0011】ブロック共重合体を構成するポリアリ−レ
ンスルフィド成分ブロックとポリアリ−レンスルフィド
ケトン成分ブロックとの比率は、ポリアリ−レンスルフ
ィド成分ブロック100重量部に対し、ポリアリ−レン
スルフィドケトン成分ブロック100〜200重量部、
好ましくは120〜180重量部、より好ましくは13
0〜170重量部からなる。ポリアリ−レンスルフィド
ケトン成分ブロックの比率が100重量部より少ない
と、充分な粗面化が行なわれず、逆に200重量部より
大きくなると、それによる粗面化が不適当となり、いず
れも金属層との密着性が良くないためである。
【0012】ポリアリ−レンスルフィド成分ブロックと
ポリアリ−レンスルフィドケトン成分ブロックからなる
上記ブロック共重合体の製造方法は特に限定されるもの
ではないが、特願平3−67554号に示す方法は好適
に採用される。
【0013】この先行技術を援用して記載の一部とする
が、概略を説明すると、第一の方法は次の通りである。
即ち、所定の水分量の存在下に、ジハロベンゼンを主成
分とするジハロ芳香族化合物とアルカリ金属硫化物を含
む有機アミド溶媒を加熱して、繰り返し単位−Ar−S
−を主構成要素とし、末端にチオラ−ト基を有するポリ
アリ−レンスルフィド・オリゴマ−を合成する第一工程
と、第一工程で得られたオリゴマ−と、4,4’−ジク
ロロベンゾフェノン及び/又は4,4’−ジブロモベン
ゾフェノンからなるジハロベンゾフェノンを主成分とす
るジハロ芳香族化合物、アルカリ金属硫化物、有機アミ
ド溶媒及び所定量の水とを混合し、該混合物を加熱し
て、繰り返し単位−Ar−CO−Ar−S−を主構成要
素とするポリアリ−レンスルフィドケトン成分を生成さ
つつ、ブロック共重合体を得る第二工程の少なくとも
二つの工程からなる方法である。
【0014】また別の方法としては、水分の共存下に、
ジハロベンゼンを主成分とするジハロ芳香族化合物とア
ルカリ金属硫化物を含む有機アミド溶媒を加熱して、繰
り返し単位−Ar−S−を主構成要素とし、末端にチオ
ラ−ト基を有するポリアリ−レンスルフィド・オリゴマ
−を合成する工程と、水分の共存下に、4,4’−ジク
ロロベンゾフェノン及び/又は4,4’−ジブロモベン
ゾフェノンからなるジハロベンゾフェノンを主成分とす
るジハロ芳香族化合物とアルカリ金属硫化物を含む有機
アミド溶媒を加熱して、繰り返し単位−Ar−CO−A
r−S−を主構成要素とするポリアリ−レンスルフィド
ケトンオリゴマ−を合成する工程及び上記各工程で得ら
れたポリアリ−レンスルフィドオリゴマ−とポリアリ−
レンスルフィドケトンオリゴマ−及び必要に応じて水を
混合して反応させる工程の少なくとも三つの工程からな
る方法である。
【0015】またポリアリ−レンスルフィド成分ブロッ
クとポリアリ−レンスルフィドケトン成分ブロックから
なる上記ブロック共重合体またはその組成物の成形方法
は特に限定されるものではなく、射出成形、押出成形、
圧縮成形、ブロ−成形等、ポリアリ−レンスルフィドで
通常用いられる方法で所望の形状に成形される。
【0016】このようにして得られた成形物は、次に述
べるポリアリ−レンスルフィドと比較してポリアリ−レ
ンスルフィドケトンをより溶解させる溶剤と接触させる
前に、脱脂することが好ましい。脱脂工程は一般にpH
10〜12のアルカリ洗浄液中に成形物を浸漬し洗浄脱
脂する。アルカリ浸漬洗浄は例えば超音波洗浄しながら
脱脂洗浄することが好ましい。
【0017】脱脂後水洗乾燥された成形物はその粗面化
されるべき表面を、ポリアリ−レンスルフィド成分ブロ
ックの繰り返し単位のみを繰り返し単位とするポリアリ
−レンスルフィドと比較して、ポリアリ−レンスルフィ
ドケトン成分ブロックの繰り返し単位のみを繰り返し単
位とするポリアリ−レンスルフィドケトンをより溶解す
る溶剤に接触させる。溶剤としては濃度が90%以上、
好ましくは95%以上の濃硫酸、メタンスルフォン酸、
トリフロロメタンスルフォン酸、トリクロロメタンスル
フォン酸等が好ましく用いられる。
【0018】溶剤と接触させる方法としては溶剤をスプ
レ−、塗布等しても良いが、溶剤中に漬浸するのが好ま
しい。漬浸は例えば超音波振動装置のような攪拌手段に
より攪拌しながら行うのが好ましい。粗面化処理の際の
温度は室温でも良いが、必要に応じて加熱しても構わな
い。又処理時間は表面部材を構成するポリアリ−レンス
ルフィド成分ブロックとポリアリ−レンスルフィドケト
ン成分ブロックとの割合、溶剤の種類、溶剤の攪拌の有
無、及び攪拌の程度等の種々の条件によって適当に選ば
れる。
【0019】本発明方法により粗面化された面は通常、
水洗乾燥し、金属化処理がなされる。金属化処理は公知
の方法が用いられ、例えば、酸化剤を含有する強酸溶液
などで処理した後、無電解メッキ処理、或いは無電解メ
ッキと電解メッキとを併用する方法、又はスパッタリン
グ、蒸着等の方法が採用される。中でも無電解メッキ或
いは無電解メッキと電解メッキとの併用において本発明
の効果は顕著である。
【0020】
【実施例】 [実施例に示す物性の測定方法] (密着性評価方法)成形物のメッキ密着性はセロハン粘
着テ−プを用いた剥離テストで評価した。その方法はJ
ISK5400に示す碁盤目テ−プ法に準じて、メッキ
化された試料にカッタ−ナイフで碁盤目状に切傷を付け
る。隙間間隔を1mm、升目の数を100とした。次に
その上に粘着部分の長さが約50mmになるようにセロ
ハン粘着テ−プを張りつけ、完全に付着させ、2分後に
テ−プの一方の端を持ち、塗面に直角に保ち、瞬間的に
引き剥がす。引き剥がした後の碁盤目状の下記に示す状
態から密着性を評価した。
【0021】
【表1】
【0022】実施例1 (ポリフェニレンスルフィド低重合物の合成)含水硫化
ソ−ダ(水分53.91重量%)170.0kg及びN
−メチルピロリドン375kgをチタン張り重合缶に仕
込み、窒素ガス雰囲気下で185℃まで昇温しながら、
水65.6kgと硫化水素29.6モルを溜出させた。
次にp−ジクロルベンゼン114.2kg及びN−メチ
ルピロリドン110kgを供給して、220℃で4時
間、次いで230℃で4時間重合を行ない、ポリフェニ
レンスルフィド低重合物を含む反応液であるスラリ−を
得た。
【0023】(ポリフェニレンスルフィドケトン低重合
物の合成)また別に4,4’−ジクロルベンゾフェノン
(イハラケミカル社製)121.4kg、含水硫化ナト
リウム(水分53.91重量%)51.2kg、水2
0.4kg及びN−メチルピロリドン532kgをチタ
ン張り重合缶に仕込み、窒素置換し、220℃で1時間
保持して反応させ、ポリフェニレンスルフィドケトン低
重合物を含む反応液であるスラリ−を得た。
【0024】(共重合体の合成)前記ポリフェニレンス
ルフィドケトン低重合物を含む反応液であるスラリ−
(スラリ−温度180℃)の全量に、前記ポリフェニレ
ンスルフィド低重合物を含む反応液スラリ−(スラリ−
温度180℃)の全量を添加、更に水109kgを添加
し、混合した。
【0025】更に274℃まで昇温後、直ちに240℃
まで降温した後、4,4’−ジクロルベンゾフェノン1
2.7kgとN−メチルピロリドン30kgを添加後、
240℃で30分間反応させることにより反応末端基処
理を行なった。
【0026】得られた反応液であるスラリ−は、目開き
150μm(100メッシュ)のスクリ−ンで粒状ポリ
マ−を篩別し、均等量のN−メチルピロリドンで洗浄
し、再度、上記のスクリ−ンでポリマ−を篩別し、回収
した。更に同様にメタノ−ルで2回、水で5回洗浄し、
ウェットポリマ−を得た。このウェットポリマ−をパド
ルドライヤ−で140℃にて4時間乾燥し、顆粒状ポリ
マ−を得た。回収率は約80%であった。
【0027】上記ポリマ−はDSC並びに炭素、硫黄の
元素分析から319℃に結晶融点を有するポリフェニ
レンスルフィド100重量部とポリフェニレンスルフィ
ドケトン成分ブロック125重量部とのブロック共重合
体であることがわかった。
【0028】(成形)上記ブロック共重合体60重量部
にガラス繊維40重量部を混合し、射出成形機を用いて
100mm×10mm×4mmに成形し試料とした。
【0029】(粗面化処理)アルカリ洗浄液(メルクジ
ャパン(株)製[ExtranMA01」を使用)を蒸
留水で10倍希釈したものに試料を漬浸し、超音波洗浄
を5分間行ない脱脂した。脱脂後5分間蒸留水で超音波
洗浄を行ない、乾燥させた。乾燥後、98%硫酸溶液中
に室温で10分間、超音波振動させつつ浸漬し、粗面化
を行なった。電子顕微鏡観察によれば粗面化処理前にお
いては5000倍の倍率で平滑であったのに対し、1μ
m以下の凹凸が認められた。
【0030】(メッキ処理)PdCl2を0.05g及
びSnCl2を0.5g、35%塩酸水溶液10mlに
溶解させ、その溶液に水10mlを加えた水溶液中で1
5分間成形品の表面を活性化させた。その際水溶液の温
度は30℃に制御した。活性化後再び蒸留水で水洗を5
分間行なった。次いで、CuSO4 56g,NaOH
1.0g,NaKC4O6 5.0g,40%ホルムア
ルデヒド水溶液1.0ml,H2O 39mlの組成の
水溶液中で20分間処理し、表面を銅メッキした。その
際浴温は0℃に制御した。メッキ密着性評価は10点で
あった。実施例と比較例とを併せて表2に構成、効果を
一覧して示した。
【0031】
【表2】
【0032】実施例2 (ポリフェニレンスルフィド低重合物の合成)含水硫化
ナトリウム(水分53.91重量%)165.0kg
と、N−メチルピロリドン350kgをチタン張り重合
缶に仕込み、実施例1と同様に溜出操作を行なった。次
にパラジクロルベンゼン104.2kg、水2.4kg
及びN−メチルピロリドン122.5kgを供給して実
施例1と同様に重合を行ない、パラフェニレンスルフィ
ド低重合物を含む反応液であるスラリ−を得た。
【0033】(ポリフェニレンスルフィドケトン低重合
物の合成)また別に4,4’−ジクロルベンゾフェノン
136.01kg、含水硫化ナトリウム(水分53.9
1重量%)53.86kg、水24.7kg及びN−メ
チルピロリドン595.5kgにした以外は実施例1と
同様にしてポリフェニレンスルフィドケトン低重合物を
含む反応液であるスラリ−を得た。
【0034】(共重合体の合成)実施例1と同様に反応
液全量を混合し、更に水113.3kgを添加し、共重
合体を合成し、次いで実施例1と同様に反応末端基処理
をし、回収を行なった。
【0035】回収されたポリマ−はDSC並びに炭素、
硫黄の元素分析から322℃に結晶融点を有するポリ
フェニレンスルフィド100重量部とポリフェニレンス
ルフィドケトン成分ブロック154重量部とのブロック
共重合体であることがわかった。その他は実施例1と同
様に行なった結果、電子顕微鏡観察で1μm以下の凹凸
の形成が認められ、メッキ密着性評価は10点であっ
た。
【0036】実施例3 実施例2におけるガラス繊維を含めなかった他は実施例
2と同様に行なった。電子顕微鏡観察で1μm以下の凹
凸の形成が認められ、メッキ密着性評価は10点であっ
た。
【0037】実施例4 実施例1における粗面化処理の際の濃硫酸に替えて、メ
タンスルフォン酸とした他は実施例1と同様に行なっ
た。電子顕微鏡観察で1μm以下の凹凸の形成が認めら
れ、メッキ密着性評価は10点であった。
【0038】実施例5 (ポリフェニレンスルフィド低重合物の合成)含水硫化
ナトリウム(水分53.91重量%)4800gとN−
メチルピロリドン9000gをチタン張り重合缶に仕込
み、実施例1と同様に溜出操作を行った。次ぎに、パラ
ジクロルベンゼン3237g及びN−メチルピロリドン
4763gを供給して、実施例1と同様の重合を行い、
パラフェニレンスルフィド低重合物を含む反応液である
スラリーを得た。
【0039】(ポリフェニレンスルフィドケトン低重合
物の合成)また別に4,4’−ジクロルベンゾフェノン
1478g、含水硫化ナトリウム(水分53.91重量
%)754g、水124g及びN−メチルピロリドン5
888gにした以外は実施例1と同様にしてポリフェニ
レンスルフィドケトン低重合物を含む反応液であるスラ
リーを得た。
【0040】(共重合体の合成)前記のポリフェニレン
スルフィドケトン低重合物を含む反応液であるスラリー
(スラリー温度180℃)の全量に、ポリフェニレンス
ルフィド低重合物を含むスラリー5623gを添加し
(スラリー温度180℃)、更に水1020gを添加
し、混合した。反応液を270℃まで昇温、そして24
0℃まで降温した。4,4’−ジクロルベンゾフェノン
123g、N−メチルピロリドン698g添加後、24
0℃で0.2時間反応させることにより反応末端基処理
をし、回収を行った。
【0041】回収されたポリマ−は、DSC並びに炭
素、硫黄の元素分析から323℃に結晶融点を有するポ
リフェニレンスルフィド100重量部とポリフェニレン
スルフィドケトン186重量部とのブロック共重合体で
あることがわかった。
【0042】このポリマ−を380℃で高温プレス、そ
して冷却し、厚さ500μmのシート状の成形物を得
た。このシートを180℃、30分間熱処理し、結晶化
させた。結晶化させたシートに対して、実施例1と同様
のメッキ処理を施したところ、電子顕微鏡観察で1μm
以下の凹凸が認められ、メッキ密着性評価は10点であ
った。
【0043】比較例1 (ポリフェニレンスルフィド低重合物の合成)含水硫化
ナトリウム(水分53.7重量%)220.0kgと、
N−メチルピロリドン412.5kgをチタン張り重合
缶に仕込み、窒素ガス雰囲気下で徐々に200℃まで昇
温しながら水91.2kgを含むN−メチルピロリドン
溶液174.7kgと硫化水素26.125モルを溜出
させた。次にパラジクロルベンゼン161.56kg、
水8.456kg及びN−メチルピロリドン310.1
kgを供給して220℃で10時間重合を行ない、パラ
フェニレンスルフィド低重合物を含む反応液であるスラ
リ−を得た。
【0044】(ポリフェニレンスルフィドケトン低重合
物の合成)また別に4,4’−ジクロルベンゾフェノン
62.8kg、含水硫化ナトリウム(水分53.91重
量%)10.93kg、水12.1kg及びN−メチル
ピロリドン275.3kgにした以外は実施例1と同様
にしてポリフェニレンスルフィドケトン低重合物を含む
反応液であるスラリ−を得た。
【0045】(共重合体の合成)前記ポリフェニレンス
ルフィドケトン低重合物を含む反応液スラリ−(スラリ
−温度220℃)に、前記のポリフェニレンスルフィド
低重合物を含む反応液スラリ−(スラリ−温度220
℃)を627kg添加、更に水78.8kgを添加し
た。更に260℃で2時間保持して反応させ、240℃
まで降温した後、4,4’−ジクロルベンゾフェノン
7.5kgとN−メチルピロリドン34.4kgを添加
後、240℃で0.2時間反応させることにより反応末
端基処理をし、回収を行なった。
【0046】回収されたポリマ−はDSC並びに炭素、
硫黄の元素分析から301℃と324℃に結晶融点を有
するポリフェニレンスルフィド100重量部とポリフェ
ニレンスルフィドケトン成分ブロック65重量部とのブ
ロック共重合体であることがわかった。その他は実施例
1と同様に行なった結果、電子顕微鏡観察で1μm以下
の凹凸の形成が認められず、メッキ密着性評価は0点で
あった。
【0047】比較例2 (ポリフェニレンスルフィドケトン低重合物の合成)
4,4’−ジクロルベンゾフェノン1027g、含水硫
化ナトリウム(水分53.91重量%)3001g、水
206g及びN−メチルピロリドン4091gにした以
外は実施例1と同様にしてポリフェニレンスルフィドケ
トン低重合物を含む反応液であるスラリ−を得た。
【0048】(共重合体の合成)前記ポリフェニレンス
ルフィドケトン低重合物を含む反応液スラリ−(スラリ
−温度180℃)の全量に、実施例5で作成したポリフ
ェニレンスルフィド低重合物を含む反応液スラリ−(ス
ラリ−温度180℃)8868gを添加し、更に水11
41gを添加し、混合した。反応液を270℃まで昇
温、そして240℃まで降温した。4,4’−ジクロル
ベンゾフェノン141g、N−メチルピロリドン802
gを添加後、240℃で0.2時間反応させることによ
り反応末端基処理をし、回収を行なった。
【0049】回収されたポリマ−はDSC並びに炭素、
硫黄の元素分析から295℃に結晶融点を有するポリフ
ェニレンスルフィド100重量部とポリフェニレンスル
フィドケトン成分ブロック82重量部とのブロック共重
合体であることがわかった。このポリマ−を380℃で
高温プレス、そして冷却し、厚さ500μmのシート状
の成形物を得た。このシートを180℃、30分間熱処
理し、結晶化させた。 結晶化させたシートに対して、
実施例1と同様のメッキ処理を施したところ、電子顕微
鏡観察で1〜数μmの凹凸の形成が認められ、メッキ密
着性評価は6点であった。
【0050】比較例3 (ポリフェニレンスルフィドケトン低重合物の合成)
4,4’−ジクロルベンゾフェノン1591g、含水硫
化ナトリウム(水分53.91重量%)867g、水1
03g及びN−メチルピロリドン6335gにした以外
は実施例1と同様にしてポリフェニレンスルフィドケト
ン低重合物を含む反応液であるスラリ−を得た。
【0051】(共重合体の合成)前記ポリフェニレンス
ルフィドケトン低重合物を含む反応液スラリ−(スラリ
−温度180℃)の全量に、実施例5で作成したポリフ
ェニレンスルフィド低重合物を含む反応液スラリ−(ス
ラリ−温度180℃)4815gを添加し、更に水99
0gを添加し、混合した。反応液を270℃まで昇温、
そして240℃まで降温した。4,4’−ジクロルベン
ゾフェノン118g、N−メチルピロリドン673gを
添加後、240℃で0.2時間反応させることにより反
応末端基処理をし、回収を行なった。
【0052】回収されたポリマ−はDSC並びに炭素、
硫黄の元素分析から328℃に結晶融点を有するポリフ
ェニレンスルフィド100重量部とポリフェニレンスル
フィドケトン成分ブロック230重量部とのブロック共
重合体であることがわかった。 このポリマ−を380
℃で高温プレス、そして冷却し、厚さ500μmのシー
ト状の成形物を得た。このシートを180℃、30分間
熱処理し、結晶化させた。 結晶化させたシートに対し
て、実施例1と同様のメッキ処理を施したところ、電子
顕微鏡観察で1μm以下の凹凸の形成が認められず、メ
ッキ密着性評価は6点であった。
【0053】
【発明の効果】本発明による粗面化方法は金属層との密
着性に優れ、且つポリアリ−レンスルフィドケトン成分
ブロックが耐熱性に優れているのでポリアリ−レンスル
フィド系樹脂成形物の耐熱性を損なうことがない。した
がって、金属代替品の分野、回路基板等、多くの分野に
おいて使用することが出来る。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ポリアリ−レンスルフィド成分ブロック
    100重量部とポリアリ−レンスルフィドケトン成分ブ
    ロック100〜200重量部からなるブロック共重合体
    を主とする、成形品の粗面化されるべき表面部位を、ポ
    リアリ−レンスルフィドと比較してポリアリ−レンスル
    フィドケトンをより溶解する溶剤に接触させて粗面化す
    ることを特徴とする樹脂成形品の表面金属化に好適な粗
    面化方法。
  2. 【請求項2】 溶剤が濃度が90%以上の濃硫酸、メタ
    ンスルフォン酸、トリフロロメタンスルフォン酸及びト
    リクロロスルフォン酸の少なくとも一種である請求項1
    記載の樹脂成形品の表面金属化に好適な粗面化方法。
  3. 【請求項3】 ポリアリ−レンスルフィド成分ブロック
    100重量部とポリアリ−レンスルフィドケトン成分ブ
    ロック100〜200重量部からなるブロック共重合体
    を主とする、成形品の粗面化されるべき表面部位を、ポ
    リアリ−レンスルフィドと比較してポリアリ−レンスル
    フィドケトンをより溶解する溶剤に接触させて粗面化
    し、次いでその面を金属化する樹脂成形品の表面金属化
    方法。
JP3168957A 1991-06-14 1991-06-14 樹脂成形品の金属化に好適な粗面化方法 Pending JPH05170956A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3168957A JPH05170956A (ja) 1991-06-14 1991-06-14 樹脂成形品の金属化に好適な粗面化方法
EP92109825A EP0518317A1 (en) 1991-06-14 1992-06-11 Surface roughening of resin molded articles for metallizing
US07/897,057 US5326593A (en) 1991-06-14 1992-06-11 Surface roughening of resin molded articles for metallizing
CA002071153A CA2071153A1 (en) 1991-06-14 1992-06-12 Surface roughening of resin molded articles for metallizing

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3168957A JPH05170956A (ja) 1991-06-14 1991-06-14 樹脂成形品の金属化に好適な粗面化方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05170956A true JPH05170956A (ja) 1993-07-09

Family

ID=15877693

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3168957A Pending JPH05170956A (ja) 1991-06-14 1991-06-14 樹脂成形品の金属化に好適な粗面化方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5326593A (ja)
EP (1) EP0518317A1 (ja)
JP (1) JPH05170956A (ja)
CA (1) CA2071153A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003105551A (ja) * 2001-09-28 2003-04-09 Polyplastics Co プラスチックメッキ品の製造方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7457962B2 (en) 1996-07-02 2008-11-25 Wistaria Trading, Inc Optimization methods for the insertion, protection, and detection of digital watermarks in digitized data
US6141870A (en) 1997-08-04 2000-11-07 Peter K. Trzyna Method for making electrical device
JP2000239422A (ja) * 1999-02-22 2000-09-05 Idemitsu Petrochem Co Ltd 無電解メッキ品の製造方法およびそれに用いる樹脂組成物
US20010051682A1 (en) 1999-02-22 2001-12-13 Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. Method of producing the plated molded articles by non-electrode plating, and the resin compositions for that use
CN103931605B (zh) * 2004-10-07 2015-11-18 特兰斯迈迪茨公司 用于活体外器官护理的系统和方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4532015A (en) * 1982-08-20 1985-07-30 Phillips Petroleum Company Poly(arylene sulfide) printed circuit boards
US4522875A (en) * 1983-09-30 1985-06-11 Phillips Petroleum Company Stampable sheets of bonded laminate of metal sheet and fiber mat reinforced poly(arylene sulfide) and method of preparation using radio frequency energy
DE3405523A1 (de) * 1984-02-16 1985-08-29 Basf Ag, 6700 Ludwigshafen Verfahren zur herstellung von polyarylensulfidketonen und ihre verwendung zur herstellung von faserverbundmaterialien
JPH07100762B2 (ja) * 1985-12-12 1995-11-01 東ソー株式会社 メツキ用ポリフエニレンスルフイド樹脂組成物
US4814224A (en) * 1987-01-02 1989-03-21 Phillips Petroleum Company Poly(arylene sulfide ketone) composites
US4921558A (en) * 1987-11-16 1990-05-01 Phillips Petroleum Company Poly(arylene sulfide) composites
DE3803167A1 (de) * 1988-02-03 1989-08-17 Bayer Ag Verfahren zum metallisieren von formkoerpern aus polyarylensulfid
US4937032A (en) * 1988-05-31 1990-06-26 Phillips Petroleum Company Method for molding a composite with an integrally molded rib
US5028461A (en) * 1988-10-03 1991-07-02 Idemitsu Petrochemical Company Limited Injection molded container for food
JP2748451B2 (ja) * 1988-11-14 1998-05-06 東レ株式会社 ブロック共重合体の製造方法
JPH02219858A (ja) * 1989-02-22 1990-09-03 Idemitsu Petrochem Co Ltd ポリアリーレンスルフィド樹脂組成物及びその成形体

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003105551A (ja) * 2001-09-28 2003-04-09 Polyplastics Co プラスチックメッキ品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0518317A1 (en) 1992-12-16
CA2071153A1 (en) 1992-12-15
US5326593A (en) 1994-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5192590A (en) Coating metal on poly(aryl ether ketone) surfaces
EP0008895A1 (en) Sulphonated polyaryletherketones and process for the manufacture thereof
JPS6248728A (ja) 溶融結晶化温度の高いポリアリ−レンチオエ−テルの製造法
JPS6363722A (ja) 高速結晶化ポリアリーレンチオエーテルの製造法
US4550140A (en) Circuit board substrates prepared from poly(aryl ethers)s
JPH05170956A (ja) 樹脂成形品の金属化に好適な粗面化方法
JP4362878B2 (ja) 熱可塑性芳香族ポリスルホン樹脂
JP3322028B2 (ja) ポリイミドフィルムおよび積層体
CN104971633A (zh) 一种芳香聚酰胺复合正渗透薄膜的制备方法
US5904954A (en) Composite article and method for making same
JP2575364B2 (ja) 微球晶性ポリアリ−レンチオエ−テル及びその製造法
JPH01101332A (ja) 芳香族スルフィド/ケトンポリマーの製造
JPH0525298A (ja) 樹脂成形品の金属化に好適な粗面化方法
JPH0684543B2 (ja) 選択的化学メッキ法
US6642282B2 (en) Porous para-oriented aromatic polyamide film, prepreg thereof, and base substrate for printed circuit board
JP2001294704A (ja) 多孔質ポリイミドフィルムおよびその製造法
US4814419A (en) Polyarylether sulfones useful for molding into a circuit board substrate
JP2003105087A (ja) フィルムまたは繊維用ポリアリーレンスルフィド樹脂、その製造方法及びフィルムまたは繊維
KR910002476B1 (ko) 이활성(易滑性)폴리아릴렌 티오에테르 필름 및 그의 제법
US4816505A (en) New polyarylethersulfone circuit board substrates
CA2069405C (en) Quarternary ammonium polyarylamides, articles of manufacture formed therefrom, and processes for the preparation thereof
JPH0693455A (ja) 銅膜形成基材の製造法
Okamoto et al. Synthesis and characterization of polyimides with pendant phosphonate ester groups
JPS62185749A (ja) 導電性被覆粒体
JP5088446B2 (ja) プリント配線用基板およびそれに用いる樹脂組成物