JPH05170947A - ポリシラン単分子膜およびポリシラン累積膜 - Google Patents
ポリシラン単分子膜およびポリシラン累積膜Info
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- JPH05170947A JPH05170947A JP4098601A JP9860192A JPH05170947A JP H05170947 A JPH05170947 A JP H05170947A JP 4098601 A JP4098601 A JP 4098601A JP 9860192 A JP9860192 A JP 9860192A JP H05170947 A JPH05170947 A JP H05170947A
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Landscapes
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- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】均一性および規則性に優れたポリシラン薄膜を
提供することを目的とする。 【構成】下記反復単位を有するポリシランによって形成
される単分子膜、およびこの単分子膜が累積されてなる
ポリシラン累積膜からなる。 【化１】 （Ｒ1 は、炭素数 1〜24の置換もしくは非置換アルキル
基、または炭素数 6〜24の置換もしくは非置換アリール
基を表し、Ｒ2 は、炭素数 1〜24の２価の有機基を表
し、Ｘは、水酸基、アミノ基、カルボン酸基、またはア
ミド結合、エステル結合、カルバメート結合、およびカ
ーボネート結合から成る群より選ばれた少なくとも一種
を有する親水基を表す。）
提供することを目的とする。 【構成】下記反復単位を有するポリシランによって形成
される単分子膜、およびこの単分子膜が累積されてなる
ポリシラン累積膜からなる。 【化１】 （Ｒ1 は、炭素数 1〜24の置換もしくは非置換アルキル
基、または炭素数 6〜24の置換もしくは非置換アリール
基を表し、Ｒ2 は、炭素数 1〜24の２価の有機基を表
し、Ｘは、水酸基、アミノ基、カルボン酸基、またはア
ミド結合、エステル結合、カルバメート結合、およびカ
ーボネート結合から成る群より選ばれた少なくとも一種
を有する親水基を表す。）
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ホールおよび電荷の移
動層、フォトリソグラフィに使用される感光性材料、非
線形光学材料、圧電材料、焦電材料等の各種材料に応用
可能なポリシラン単分子膜および累積膜に関する。
動層、フォトリソグラフィに使用される感光性材料、非
線形光学材料、圧電材料、焦電材料等の各種材料に応用
可能なポリシラン単分子膜および累積膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】ポリシランは、例えば、導電性材料、セ
ラミックス用プレカーサ、フォトコンダクタ材料、半導
体材料、非線形光学材料等の分野における応用が進めら
れており、興味深い物質となっている。
ラミックス用プレカーサ、フォトコンダクタ材料、半導
体材料、非線形光学材料等の分野における応用が進めら
れており、興味深い物質となっている。
【０００３】従来より、ポリシランは、薄膜化させるこ
とによって上記各種材料に使用される。この薄膜化の方
法としては、スピンコート法が広く行われている。即
ち、Ｓｉ−Ｓｉ主鎖を有するポリシランを有機溶媒に溶
解してポリマー溶液を調製し、該ポリマー溶液をスピナ
ーにより各種の基板上に塗布した後、溶媒を蒸発させる
ことによって、ポリシラン薄膜を形成する。
とによって上記各種材料に使用される。この薄膜化の方
法としては、スピンコート法が広く行われている。即
ち、Ｓｉ−Ｓｉ主鎖を有するポリシランを有機溶媒に溶
解してポリマー溶液を調製し、該ポリマー溶液をスピナ
ーにより各種の基板上に塗布した後、溶媒を蒸発させる
ことによって、ポリシラン薄膜を形成する。
【０００４】しかしながら、上記方法は製膜における構
造制御性が劣るため、特に厚さ 0.1μｍ以下のポリシラ
ン薄膜を基板上に形成した場合、得られたポリシラン薄
膜は、分子配向の均一性および規則性に欠けている。
造制御性が劣るため、特に厚さ 0.1μｍ以下のポリシラ
ン薄膜を基板上に形成した場合、得られたポリシラン薄
膜は、分子配向の均一性および規則性に欠けている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
に鑑みてなされたもので、均一性および規則性に優れた
ポリシラン薄膜を提供することを目的とする。
に鑑みてなされたもので、均一性および規則性に優れた
ポリシラン薄膜を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明の上記目
的は、下記化３に示す一般式（１）で表される反復単位
を有するポリシランによって形成されるポリシラン単分
子膜によって達成される。
的は、下記化３に示す一般式（１）で表される反復単位
を有するポリシランによって形成されるポリシラン単分
子膜によって達成される。
【０００７】
【化３】 式中、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｘは夫々以下のものを示す。
【０００８】Ｒ1 ：炭素数 1〜24の置換もしくは非置換
アルキル基、または炭素数 6〜24の置換もしくは非置換
アリール基。
アルキル基、または炭素数 6〜24の置換もしくは非置換
アリール基。
【０００９】Ｒ2 ：炭素数 1〜24の２価の有機基。
【００１０】Ｘ：水酸基、アミノ基、カルボン酸基、ま
たはアミド結合、エステル結合、カルバメート結合、お
よびカーボネート結合から成る群より選ばれた少なくと
も一種を有する親水基。
たはアミド結合、エステル結合、カルバメート結合、お
よびカーボネート結合から成る群より選ばれた少なくと
も一種を有する親水基。
【００１１】また、本発明の上記目的は、下記化４に示
す一般式（１）で表される反復単位を有するポリシラン
によって形成されるポリシラン単分子膜が、累積されて
なるポリシラン累積膜によっても達成される。
す一般式（１）で表される反復単位を有するポリシラン
によって形成されるポリシラン単分子膜が、累積されて
なるポリシラン累積膜によっても達成される。
【００１２】
【化４】 式中、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｘは夫々以下のものを示す。
【００１３】Ｒ1 ：炭素数 1〜24の置換もしくは非置換
アルキル基、または炭素数 6〜24の置換もしくは非置換
アリール基。
アルキル基、または炭素数 6〜24の置換もしくは非置換
アリール基。
【００１４】Ｒ2 ：炭素数 1〜24の２価の有機基。
【００１５】Ｘ：水酸基、アミノ基、カルボン酸基、ま
たはアミド結合、エステル結合、カルバメート結合、お
よびカーボネート結合から成る群より選ばれた少なくと
も一種を有する親水基。
たはアミド結合、エステル結合、カルバメート結合、お
よびカーボネート結合から成る群より選ばれた少なくと
も一種を有する親水基。
【００１６】尚、これらポリシラン単分子膜および累積
膜は、その製膜プロセスにおける条件等を適宜制御する
ことによって、所定の膜厚および特性を備えたポリシラ
ン薄膜として形成され得る。
膜は、その製膜プロセスにおける条件等を適宜制御する
ことによって、所定の膜厚および特性を備えたポリシラ
ン薄膜として形成され得る。
【００１７】本発明では、ポリシラン薄膜に相当する単
分子膜およびこの単分子膜が累積されてなる累積膜が、
一方の側鎖に特定の親水基Ｘを、他方の側鎖に特定の疎
水基Ｒ1 を夫々有する上記一般式（１）で表される反復
単位（以下、反復単位（１）と記す）を有する両親媒性
のポリシランによって形成されている。特に、前記親水
基Ｘは、好ましくは、水酸基等の水素結合性基を有す
る。
分子膜およびこの単分子膜が累積されてなる累積膜が、
一方の側鎖に特定の親水基Ｘを、他方の側鎖に特定の疎
水基Ｒ1 を夫々有する上記一般式（１）で表される反復
単位（以下、反復単位（１）と記す）を有する両親媒性
のポリシランによって形成されている。特に、前記親水
基Ｘは、好ましくは、水酸基等の水素結合性基を有す
る。
【００１８】従って、本発明のポリシラン単分子膜で
は、膜を構成するポリシラン分子において、例えば、下
記化５に示す式（２）に示すような分子内水素結合、並
びに式（３）に示すような分子間水素結合が形成され、
Ｓｉ−Ｓｉ主鎖方向およびＳｉ−Ｓｉ主鎖方向に対して
直交する方向における強度が夫々向上する。また、当該
ポリシラン分子は、これら水素結合によって、規則性を
もってパッキングされ、更に、これら分子の高分子液晶
性によって、膜全体に亘って高秩序に配列される。この
ように、本発明のポリシラン単分子膜では、特に二次元
的に優れた規則性、均一性、および強度等の性能が達成
される。
は、膜を構成するポリシラン分子において、例えば、下
記化５に示す式（２）に示すような分子内水素結合、並
びに式（３）に示すような分子間水素結合が形成され、
Ｓｉ−Ｓｉ主鎖方向およびＳｉ−Ｓｉ主鎖方向に対して
直交する方向における強度が夫々向上する。また、当該
ポリシラン分子は、これら水素結合によって、規則性を
もってパッキングされ、更に、これら分子の高分子液晶
性によって、膜全体に亘って高秩序に配列される。この
ように、本発明のポリシラン単分子膜では、特に二次元
的に優れた規則性、均一性、および強度等の性能が達成
される。
【００１９】一方、本発明のポリシラン累積膜は、上述
したような単分子膜が累積されたものであり、互いに接
する単分子膜間においても同様の分子間水素結合が形成
される。この結果、当該ポリシラン累積膜では、上述し
たような各単分子膜における性能に加えて、更に膜厚方
向においても性能が向上され、特に三次元的に優れた規
則性、均一性、および強度等の性能が達成される。
したような単分子膜が累積されたものであり、互いに接
する単分子膜間においても同様の分子間水素結合が形成
される。この結果、当該ポリシラン累積膜では、上述し
たような各単分子膜における性能に加えて、更に膜厚方
向においても性能が向上され、特に三次元的に優れた規
則性、均一性、および強度等の性能が達成される。
【００２０】
【化５】 以下、本発明を詳細に説明する。
【００２１】本発明で使用され得る反復単位（１）を有
する両親媒性のポリシランの具体例としては、後掲する
表Ａ（化９〜化４４）に示す重合体および共重合体が挙
げられる。
する両親媒性のポリシランの具体例としては、後掲する
表Ａ（化９〜化４４）に示す重合体および共重合体が挙
げられる。
【００２２】これら反復単位（１）を有するポリシラン
は、一般的には、マクロモレキュールズ（Macromolecul
es），22（1989）2933頁、同21（1988）304 頁に記載の
方法等によって容易に合成することができる。具体的に
は、例えば、前記反復単位（１）においてＸが水酸基を
有する親水基であるようなポリシランは、シリル基によ
って保護された水酸基を有するジクロロシラン誘導体
を、有機溶媒中で金属ナトリウムとの反応によって重縮
合させた後、保護基を加水分解によって除去することに
よって合成される。
は、一般的には、マクロモレキュールズ（Macromolecul
es），22（1989）2933頁、同21（1988）304 頁に記載の
方法等によって容易に合成することができる。具体的に
は、例えば、前記反復単位（１）においてＸが水酸基を
有する親水基であるようなポリシランは、シリル基によ
って保護された水酸基を有するジクロロシラン誘導体
を、有機溶媒中で金属ナトリウムとの反応によって重縮
合させた後、保護基を加水分解によって除去することに
よって合成される。
【００２３】また、前記反復単位（１）においてＸがエ
ステル結合、カーボネート結合、またはカルバメート結
合等を有する親水基であるようなポリシラン、例えば、
ＸがＯＣＯＲ，ＯＣＯＯＲ，ＯＣＯＮＨＲ（Ｒは１価の
有機基）等の親水基であるようなポリシランは、上述し
たように合成される側鎖に水酸基を有するポリシラン
と、アミン化合物、イソシアネート化合物等の適切な化
合物とを反応させることによって得ることができる。但
しこの場合、得られるポリシランの側鎖には、通常、不
可避的に未反応の水酸基が残存する。即ち、実質的に
は、Ｘが水酸基を有する親水基であるような反復単位
（１）と、Ｘが前記エステル結合等の水酸基から誘導さ
れる結合を有する親水基であるような反復単位（１）と
を含む共重合体が得られる。また、このような共重合
体、例えば後掲の表Ａで挙げられた共重合体を、上記反
応の条件を適宜変化させることによって、あらゆる共重
合体組成で意図的に合成することもできる。
ステル結合、カーボネート結合、またはカルバメート結
合等を有する親水基であるようなポリシラン、例えば、
ＸがＯＣＯＲ，ＯＣＯＯＲ，ＯＣＯＮＨＲ（Ｒは１価の
有機基）等の親水基であるようなポリシランは、上述し
たように合成される側鎖に水酸基を有するポリシラン
と、アミン化合物、イソシアネート化合物等の適切な化
合物とを反応させることによって得ることができる。但
しこの場合、得られるポリシランの側鎖には、通常、不
可避的に未反応の水酸基が残存する。即ち、実質的に
は、Ｘが水酸基を有する親水基であるような反復単位
（１）と、Ｘが前記エステル結合等の水酸基から誘導さ
れる結合を有する親水基であるような反復単位（１）と
を含む共重合体が得られる。また、このような共重合
体、例えば後掲の表Ａで挙げられた共重合体を、上記反
応の条件を適宜変化させることによって、あらゆる共重
合体組成で意図的に合成することもできる。
【００２４】本発明のポリシラン単分子膜および累積膜
では、前記反復単位（１）を有するポリシランに加え、
更に、該ポリシランの一部が、下記化６〜７に示す化合
物や、ポルフィリン化合物、ビオロゲン化合物のような
電荷移動錯体を形成する化合物によって置換されたポリ
マーも使用され得る。
では、前記反復単位（１）を有するポリシランに加え、
更に、該ポリシランの一部が、下記化６〜７に示す化合
物や、ポルフィリン化合物、ビオロゲン化合物のような
電荷移動錯体を形成する化合物によって置換されたポリ
マーも使用され得る。
【００２５】
【化６】
【００２６】
【化７】 このような置換されたポリシランの例を、後掲する表Ｂ
（化４５）に列挙する。
（化４５）に列挙する。
【００２７】この場合、当該置換されたポリシランと、
上述したような反復単位（１）を有するポリシランと
が、結合して共重合体を構成してもよく、また単なる混
合物を形成してもよい。これらポリシランの共重合体ま
たはポリシラン混合物を使用して形成されたポリシラン
単分子膜および累積膜は、前記電荷移動錯体を形成する
化合物によって膜を構成する分子が分極しているため、
ホールおよび電荷の移動層として特に好適である。
上述したような反復単位（１）を有するポリシランと
が、結合して共重合体を構成してもよく、また単なる混
合物を形成してもよい。これらポリシランの共重合体ま
たはポリシラン混合物を使用して形成されたポリシラン
単分子膜および累積膜は、前記電荷移動錯体を形成する
化合物によって膜を構成する分子が分極しているため、
ホールおよび電荷の移動層として特に好適である。
【００２８】本発明のポリシラン単分子膜および累積膜
は、多種に亘る一般的な製膜プロセスによって形成され
得る。特に好ましくは、反復単位（１）を有するポリシ
ラン両親媒性を利用するＬＢ法（ラングミュア -ブロジ
ェット法）によって、ＬＢ単分子膜またはＬＢ累積膜と
して製膜され得る。
は、多種に亘る一般的な製膜プロセスによって形成され
得る。特に好ましくは、反復単位（１）を有するポリシ
ラン両親媒性を利用するＬＢ法（ラングミュア -ブロジ
ェット法）によって、ＬＢ単分子膜またはＬＢ累積膜と
して製膜され得る。
【００２９】当該ＬＢ法によるプロセスについて詳述す
れば、まず、前記反復単位（１）を有するポリシランを
適切な有機溶媒に溶解し、得られたポリマー溶液を水等
の液体に滴下してその液面上に展開する。このとき、当
該ポリシランでは、親水基（反復単位（１）におけるＸ
側）が液面に接し、一方疎水基（反復単位（１）におけ
るＲ1 側）が液面から遠ざかるような配向をとるため、
非常に安定した単分子膜が形成される。
れば、まず、前記反復単位（１）を有するポリシランを
適切な有機溶媒に溶解し、得られたポリマー溶液を水等
の液体に滴下してその液面上に展開する。このとき、当
該ポリシランでは、親水基（反復単位（１）におけるＸ
側）が液面に接し、一方疎水基（反復単位（１）におけ
るＲ1 側）が液面から遠ざかるような配向をとるため、
非常に安定した単分子膜が形成される。
【００３０】次に、該単分子膜を所定の表面圧に圧縮
し、その表面積を制御して表面圧を一定に保ちながら、
予め疎水化処理等を施した基板を単分子膜表面に対して
垂直方向に浸漬し、その後引き上げる。この際、基板の
浸漬時もしくは引き上げ時、またはその両方において、
基板上に前記単分子膜が転写され、反復単位（１）を有
するポリシランのＬＢ単分子膜またはＬＢ累積膜が形成
される。更に、このような基板を浸漬する操作を複数回
行うことにより、基板上に前記ポリシランのＬＢ単分子
膜またはＬＢ累積膜が層状に累積され、所望の膜厚を有
するＬＢ累積膜を形成することができる。
し、その表面積を制御して表面圧を一定に保ちながら、
予め疎水化処理等を施した基板を単分子膜表面に対して
垂直方向に浸漬し、その後引き上げる。この際、基板の
浸漬時もしくは引き上げ時、またはその両方において、
基板上に前記単分子膜が転写され、反復単位（１）を有
するポリシランのＬＢ単分子膜またはＬＢ累積膜が形成
される。更に、このような基板を浸漬する操作を複数回
行うことにより、基板上に前記ポリシランのＬＢ単分子
膜またはＬＢ累積膜が層状に累積され、所望の膜厚を有
するＬＢ累積膜を形成することができる。
【００３１】以上のようなＬＢ法による製膜操作は、一
般的なＬＢ膜形成装置を用いて行うことができる。
般的なＬＢ膜形成装置を用いて行うことができる。
【００３２】本発明では、前記反復単位（１）を有する
ポリシランが両親媒性であるため、ＬＢ法による製膜プ
ロセスを採用した場合、液面上における安定な単分子膜
の状態を経て、高秩序にポリシラン分子の配向および配
列が制御された上で、基板上にＬＢ単分子膜またはＬＢ
累積膜が形成される。従って、これらポリシランのＬＢ
単分子膜および累積膜では、特に膜厚 0.1μm 以下の場
合、ＬＢ法と、前述したようなポリシランにおいて形成
される分子内および分子間の水素結合との相乗効果によ
って、更に優れた均一性、規則性が達成される。
ポリシランが両親媒性であるため、ＬＢ法による製膜プ
ロセスを採用した場合、液面上における安定な単分子膜
の状態を経て、高秩序にポリシラン分子の配向および配
列が制御された上で、基板上にＬＢ単分子膜またはＬＢ
累積膜が形成される。従って、これらポリシランのＬＢ
単分子膜および累積膜では、特に膜厚 0.1μm 以下の場
合、ＬＢ法と、前述したようなポリシランにおいて形成
される分子内および分子間の水素結合との相乗効果によ
って、更に優れた均一性、規則性が達成される。
【００３３】尚、本発明において、ＬＢ法によってポリ
シラン単分子膜または累積膜を形成する場合、反復単位
（１）を有するポリシラン、例えば表Ａに挙げたポリシ
ランであって、疎水基Ｒ1 の少なくとも１個の水素原子
がフッ素原子またはフッ素原子を含む基によって置換さ
れているポリシランを使用することが好ましい。当該ポ
リシランは、Ｒ1 がフッ素原子によって更に強力な疎水
基となっており、他方の側鎖における親水基Ｘとの相互
作用で、ＬＢ法において液面上に非常に安定な単分子膜
を形成することができる。この結果、最終的に得られる
ＬＢ単分子膜および累積膜では、ポリシラン分子がより
高秩序に配向および配列している。
シラン単分子膜または累積膜を形成する場合、反復単位
（１）を有するポリシラン、例えば表Ａに挙げたポリシ
ランであって、疎水基Ｒ1 の少なくとも１個の水素原子
がフッ素原子またはフッ素原子を含む基によって置換さ
れているポリシランを使用することが好ましい。当該ポ
リシランは、Ｒ1 がフッ素原子によって更に強力な疎水
基となっており、他方の側鎖における親水基Ｘとの相互
作用で、ＬＢ法において液面上に非常に安定な単分子膜
を形成することができる。この結果、最終的に得られる
ＬＢ単分子膜および累積膜では、ポリシラン分子がより
高秩序に配向および配列している。
【００３４】また、本発明においてＬＢ法が採用される
場合、反復単位（１）を有するポリシラン、例えば表Ａ
に挙げたポリシランであって、疎水基Ｒ1 が炭素数 4〜
24の置換もしくは非置換アルキル基であるポリシランを
使用することも好ましい。当該ポリシランの分子は、Ｌ
Ｂ法において、特定の疎水基を有するため、基板が液面
上から引き上げられた時に生ずるシェアにより、当該引
き上げ方向に強く配向する。この結果、最終的に得られ
るＬＢ単分子膜およびＬＢ累積膜は、膜内でポリシラン
分子が一方向に高度に配向した構造を有する薄膜となり
得る。
場合、反復単位（１）を有するポリシラン、例えば表Ａ
に挙げたポリシランであって、疎水基Ｒ1 が炭素数 4〜
24の置換もしくは非置換アルキル基であるポリシランを
使用することも好ましい。当該ポリシランの分子は、Ｌ
Ｂ法において、特定の疎水基を有するため、基板が液面
上から引き上げられた時に生ずるシェアにより、当該引
き上げ方向に強く配向する。この結果、最終的に得られ
るＬＢ単分子膜およびＬＢ累積膜は、膜内でポリシラン
分子が一方向に高度に配向した構造を有する薄膜となり
得る。
【００３５】更に、本発明のポリシラン単分子膜および
累積膜は、他の有機物または無機物の薄膜と組み合わさ
れることによって、高機能性の薄膜素子を提供すること
ができる。
累積膜は、他の有機物または無機物の薄膜と組み合わさ
れることによって、高機能性の薄膜素子を提供すること
ができる。
【００３６】特に、前記反復単位（１）を有するポリシ
ランによって形成される単分子膜または累積膜と、当該
ポリシランの主鎖に対して電子的に相互作用することが
可能な有機分子とを有する有機薄膜とが順次積層されて
なる有機薄膜素子は、優れた機能を具備し、ホールおよ
び電荷の移動層等に好適である。以下、この有機薄膜素
子について説明する。
ランによって形成される単分子膜または累積膜と、当該
ポリシランの主鎖に対して電子的に相互作用することが
可能な有機分子とを有する有機薄膜とが順次積層されて
なる有機薄膜素子は、優れた機能を具備し、ホールおよ
び電荷の移動層等に好適である。以下、この有機薄膜素
子について説明する。
【００３７】当該有機薄膜素子は、一般的に、基板上に
おいて上述したような２種類の薄膜の形成を順次、例え
ば交互に行うことによって、これら薄膜が積層されたも
のである。これら薄膜のうち、前記ポリシラン単分子膜
または累積膜は、好ましくは、上記同様に前記反復単位
（１）を有するポリシランの有機溶液を使用したＬＢ法
に従って形成される。一方、前記有機薄膜については、
前記ポリシラン膜と同様のＬＢ法、またはＣＶＤ（chem
ical vapor deposition ）法等に従って形成される。具
体的には、例えば、まず基板上にＬＢ法によって前記ポ
リシランのＬＢ単分子膜またはＬＢ累積膜を形成した
後、この膜上にＬＢ法またはＣＶＤ法によって前記有機
薄膜を形成して、これら薄膜による積層構造を形成す
る。
おいて上述したような２種類の薄膜の形成を順次、例え
ば交互に行うことによって、これら薄膜が積層されたも
のである。これら薄膜のうち、前記ポリシラン単分子膜
または累積膜は、好ましくは、上記同様に前記反復単位
（１）を有するポリシランの有機溶液を使用したＬＢ法
に従って形成される。一方、前記有機薄膜については、
前記ポリシラン膜と同様のＬＢ法、またはＣＶＤ（chem
ical vapor deposition ）法等に従って形成される。具
体的には、例えば、まず基板上にＬＢ法によって前記ポ
リシランのＬＢ単分子膜またはＬＢ累積膜を形成した
後、この膜上にＬＢ法またはＣＶＤ法によって前記有機
薄膜を形成して、これら薄膜による積層構造を形成す
る。
【００３８】尚、前記有機薄膜素子では、ポリシラン単
分子膜または累積膜と、有機薄膜との積層構造におい
て、何れの薄膜が基板と接する層として形成されてもよ
い。更に、ＬＢ法によるポリシランの単分子膜または累
積膜の形成、およびＬＢ法またはＣＶＤ法等による有機
薄膜の形成を交互に複数回行うことにより、基板上にこ
れらを複数周期に亘って積層してもよい。
分子膜または累積膜と、有機薄膜との積層構造におい
て、何れの薄膜が基板と接する層として形成されてもよ
い。更に、ＬＢ法によるポリシランの単分子膜または累
積膜の形成、およびＬＢ法またはＣＶＤ法等による有機
薄膜の形成を交互に複数回行うことにより、基板上にこ
れらを複数周期に亘って積層してもよい。
【００３９】前記有機薄膜素子において、反復単位
（１）を有するポリシランの主鎖と電子的に相互作用す
ることが可能な有機分子を含む有機薄膜は、例えば、π
電子を有する化合物またはローンペア電子を有する化合
物によって形成され得る。その具体例としては、金属フ
タロシアニン、非金属フタロシアニン、モノアゾ色素お
よびビスアゾ色素等のアゾ系染料、ペリレン系顔料、イ
ンジゴイド染料、キナクリドン顔料、アントラキノン
類、多環キノン類、シアニン色素、キサンテン色素、ポ
リビニルカルバゾール、トリニトロフルオレノン、ピリ
リウム塩、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン化合物、オキ
サゾール化合物、オキサジアゾール化合物、チアゾール
化合物、チアジアゾール化合物、イミノ化合物、ケタジ
ン化合物、エナミン化合物、アミジン化合物、スチルベ
ン化合物、ブタジエン化合物、カルバゾール化合物、7,
7,8,8-テトラシアノキノンジメタン（ＴＣＮＱ）、およ
び下記化８に示す化合物等が挙げられる。
（１）を有するポリシランの主鎖と電子的に相互作用す
ることが可能な有機分子を含む有機薄膜は、例えば、π
電子を有する化合物またはローンペア電子を有する化合
物によって形成され得る。その具体例としては、金属フ
タロシアニン、非金属フタロシアニン、モノアゾ色素お
よびビスアゾ色素等のアゾ系染料、ペリレン系顔料、イ
ンジゴイド染料、キナクリドン顔料、アントラキノン
類、多環キノン類、シアニン色素、キサンテン色素、ポ
リビニルカルバゾール、トリニトロフルオレノン、ピリ
リウム塩、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン化合物、オキ
サゾール化合物、オキサジアゾール化合物、チアゾール
化合物、チアジアゾール化合物、イミノ化合物、ケタジ
ン化合物、エナミン化合物、アミジン化合物、スチルベ
ン化合物、ブタジエン化合物、カルバゾール化合物、7,
7,8,8-テトラシアノキノンジメタン（ＴＣＮＱ）、およ
び下記化８に示す化合物等が挙げられる。
【００４０】
【化８】 このような有機薄膜素子では、ポリシラン単分子膜また
は累積膜において、前述したように優れた分子の均一性
および規則性が達成されている。更に、このポリシラン
薄膜と、該ポリシランの主鎖に対して電子的に相互作用
することが可能な有機分子とを有する有機薄膜とが積層
されて構成されていることにより、導電性、電荷、ホー
ルの移動度等の性能が向上され、またこれら薄膜間での
分子レベルでの相互作用によって、超格子が形成され得
ることも推定される。
は累積膜において、前述したように優れた分子の均一性
および規則性が達成されている。更に、このポリシラン
薄膜と、該ポリシランの主鎖に対して電子的に相互作用
することが可能な有機分子とを有する有機薄膜とが積層
されて構成されていることにより、導電性、電荷、ホー
ルの移動度等の性能が向上され、またこれら薄膜間での
分子レベルでの相互作用によって、超格子が形成され得
ることも推定される。
【００４１】一方、本発明のポリシラン単分子膜または
累積膜と、他の無機物の薄膜とが交互に積層された多層
構造を有する薄膜素子も優れた特性を示す。当該薄膜素
子においても、好ましくは、前記ポリシラン単分子膜ま
たは累積膜はＬＢ法で、前記無機物の薄膜はＬＢ法また
はＣＶＤ法等の一般的なプロセスに従って、夫々形成さ
れる。当該無機物の具体例としては、シリコン、セレ
ン、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＺｅＯ、ＺｎＯ、ＣｄＳＳｅ等
が挙げられる。
累積膜と、他の無機物の薄膜とが交互に積層された多層
構造を有する薄膜素子も優れた特性を示す。当該薄膜素
子においても、好ましくは、前記ポリシラン単分子膜ま
たは累積膜はＬＢ法で、前記無機物の薄膜はＬＢ法また
はＣＶＤ法等の一般的なプロセスに従って、夫々形成さ
れる。当該無機物の具体例としては、シリコン、セレ
ン、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＺｅＯ、ＺｎＯ、ＣｄＳＳｅ等
が挙げられる。
【００４２】また、本発明のポリシラン単分子膜および
累積膜は、液晶表示素子における配向膜、即ち液晶分子
の配向状態を制御する膜として好適である。液晶表示素
子は、一定距離を隔て対向して配置された一対の基板
と、これら夫々の基板の対向面を被覆する配向膜と、前
記基板間に前記配向膜を介して封入された液晶とを具備
した構造を有する。このような構造において、前記配向
膜の少なくとも一方に、前記ポリシラン単分子膜または
累積膜を適用することができる。
累積膜は、液晶表示素子における配向膜、即ち液晶分子
の配向状態を制御する膜として好適である。液晶表示素
子は、一定距離を隔て対向して配置された一対の基板
と、これら夫々の基板の対向面を被覆する配向膜と、前
記基板間に前記配向膜を介して封入された液晶とを具備
した構造を有する。このような構造において、前記配向
膜の少なくとも一方に、前記ポリシラン単分子膜または
累積膜を適用することができる。
【００４３】具体的な方法としては、透明電極および駆
動素子が形成された基板上に、前記反復単位（１）を有
するポリシランを使用し、好ましくはＬＢ法に従ってポ
リシランのＬＢ単分子膜またはＬＢ累積膜を形成する。
続いて、これら基板一組を、前記単分子膜または累積膜
側を対向面として配置し、更に液晶を封入して、上述し
たような構造の液晶表示素子を形成する。
動素子が形成された基板上に、前記反復単位（１）を有
するポリシランを使用し、好ましくはＬＢ法に従ってポ
リシランのＬＢ単分子膜またはＬＢ累積膜を形成する。
続いて、これら基板一組を、前記単分子膜または累積膜
側を対向面として配置し、更に液晶を封入して、上述し
たような構造の液晶表示素子を形成する。
【００４４】この場合、基板上のポリシラン単分子膜ま
たは累積膜では、その分子（Ｓｉ−Ｓｉ主鎖）が、例え
ばＬＢ法による基板の引上げ方向に高秩序で配向および
配列しており、またＳｉ−Ｓｉ主鎖の方向に沿って大き
な分極率を有する。従って、当該液晶表示素子では、Ｓ
ｉ−Ｓｉ主鎖の方向に沿って封入された液晶分子が強く
配向する。このように、本発明のポリシラン単分子膜ま
たは累積膜は、液晶表示素子において、基板上で特定の
処理を施すことなく、液晶分子の配向を高秩序に制御す
ることができ、配向膜として極めて優れた性能を示す。
たは累積膜では、その分子（Ｓｉ−Ｓｉ主鎖）が、例え
ばＬＢ法による基板の引上げ方向に高秩序で配向および
配列しており、またＳｉ−Ｓｉ主鎖の方向に沿って大き
な分極率を有する。従って、当該液晶表示素子では、Ｓ
ｉ−Ｓｉ主鎖の方向に沿って封入された液晶分子が強く
配向する。このように、本発明のポリシラン単分子膜ま
たは累積膜は、液晶表示素子において、基板上で特定の
処理を施すことなく、液晶分子の配向を高秩序に制御す
ることができ、配向膜として極めて優れた性能を示す。
【００４５】
【実施例】以下、本発明を実施例によって詳細に説明す
る。
る。
【００４６】尚、これら実施例および比較例の記載中、
略号で記される化合物を、後掲する表Ｃ（化４６〜化５
５）に列挙する。 実施例１ 金属ナトリウム 3.5ｇをトルエン 100ml中に分散させ
た。これに、化合物（Ｍ−１）32.1ｇを 100℃において
トルエン 100mlに溶解した溶液を滴下し、 110℃で 1時
間反応させた。反応終了後、未反応のナトリウム、およ
び塩化ナトリウム等を濾別し、濾液を減圧下で濃縮し
た。この濃縮液にメタノール 200mlを加え、1時間攪拌
した後、不溶物を濾別した。更に、この濾液を濃縮し、
トルエン中に注ぐことによって、白色ポリマーを得た。
この白色ポリマーを生成物を同様に５度精製した後、得
られた生成物を再びメタノールに溶解させ、塩を取り除
くため水中に滴下し、前記生成物を沈殿させた。同様の
操作を５度繰り返した後、減圧下で前記生成物を乾燥し
て、ポリシラン（Ｐ−１）（平均分子量200,000)を得
た。
略号で記される化合物を、後掲する表Ｃ（化４６〜化５
５）に列挙する。 実施例１ 金属ナトリウム 3.5ｇをトルエン 100ml中に分散させ
た。これに、化合物（Ｍ−１）32.1ｇを 100℃において
トルエン 100mlに溶解した溶液を滴下し、 110℃で 1時
間反応させた。反応終了後、未反応のナトリウム、およ
び塩化ナトリウム等を濾別し、濾液を減圧下で濃縮し
た。この濃縮液にメタノール 200mlを加え、1時間攪拌
した後、不溶物を濾別した。更に、この濾液を濃縮し、
トルエン中に注ぐことによって、白色ポリマーを得た。
この白色ポリマーを生成物を同様に５度精製した後、得
られた生成物を再びメタノールに溶解させ、塩を取り除
くため水中に滴下し、前記生成物を沈殿させた。同様の
操作を５度繰り返した後、減圧下で前記生成物を乾燥し
て、ポリシラン（Ｐ−１）（平均分子量200,000)を得
た。
【００４７】次に、ポリシラン（Ｐ−１）30mgをシクロ
ヘキサノン 1リットルに溶解させ、該ポリマー溶液を水
面上に展開して単分子膜を形成した。続いて、予め水面
（単分子膜面）に対して垂直方向に浸漬させたシリコン
ウェハ基板を、水面上に引き上げることによって前記単
分子膜を基板上に転写させ、ＬＢ単分子膜を形成した。
当該ポリシランのＬＢ単分子膜について、基板の引上
げ方向と、この方向に対して垂直な方向とについて偏光
ＵＶ吸収を測定したところ、前者の方向におけるＵＶ吸
収の方が大きかった。この結果より、当該単分子膜にお
いては、ポリシラン（Ｐ−１）のＳｉ−Ｓｉ主鎖は、前
記基板の引上げ方向に配向していることが判った。 実施例２ 実施例１で合成したポリシラン（Ｐ−１）を、テトラヒ
ドロフラン（ＴＨＦ）100mlに溶解し、これに、トリエ
チルアミン0.04モルおよび無水マレイン酸 0.1モルをＴ
ＨＦ 100mlに溶解した溶液を加えた。該溶液を塩酸の希
薄水溶液に注ぎ、ポリシラン（Ｐ−２）（平均分子量20
0,000)を得た。
ヘキサノン 1リットルに溶解させ、該ポリマー溶液を水
面上に展開して単分子膜を形成した。続いて、予め水面
（単分子膜面）に対して垂直方向に浸漬させたシリコン
ウェハ基板を、水面上に引き上げることによって前記単
分子膜を基板上に転写させ、ＬＢ単分子膜を形成した。
当該ポリシランのＬＢ単分子膜について、基板の引上
げ方向と、この方向に対して垂直な方向とについて偏光
ＵＶ吸収を測定したところ、前者の方向におけるＵＶ吸
収の方が大きかった。この結果より、当該単分子膜にお
いては、ポリシラン（Ｐ−１）のＳｉ−Ｓｉ主鎖は、前
記基板の引上げ方向に配向していることが判った。 実施例２ 実施例１で合成したポリシラン（Ｐ−１）を、テトラヒ
ドロフラン（ＴＨＦ）100mlに溶解し、これに、トリエ
チルアミン0.04モルおよび無水マレイン酸 0.1モルをＴ
ＨＦ 100mlに溶解した溶液を加えた。該溶液を塩酸の希
薄水溶液に注ぎ、ポリシラン（Ｐ−２）（平均分子量20
0,000)を得た。
【００４８】次に、ポリシラン（Ｐ−２）30mgをシクロ
ヘキサノン 1リットルに溶解させ、該ポリマー溶液を使
用し、実施例１と同様の方法に従って、基板表面にポリ
シランのＬＢ単分子膜を形成した。
ヘキサノン 1リットルに溶解させ、該ポリマー溶液を使
用し、実施例１と同様の方法に従って、基板表面にポリ
シランのＬＢ単分子膜を形成した。
【００４９】当該ポリシランのＬＢ単分子膜について、
基板の引上げ方向と、この方向に対して垂直な方向とに
ついて偏光ＵＶ吸収を測定したところ、前者の方向にお
けるＵＶ吸収の方が大きかった。この結果より、当該単
分子膜において、ポリシラン（Ｐ−２）のＳｉ−Ｓｉ主
鎖は、前記基板の引上げ方向に配向していることが判っ
た。 実施例３ 金属ナトリウム 3.5ｇをトルエン 100ml中に分散させ
た。これに、化合物（Ｍ−２）32ｇを加え、 100℃にお
いて 1時間反応させた。反応終了後、実施例１と同様に
して未反応のナトリウム、および塩化ナトリウム等を濾
別し、濾液を減圧下で濃縮した。この濃縮液をメタノー
ル中に注ぎ、ポリマーを精製した。
基板の引上げ方向と、この方向に対して垂直な方向とに
ついて偏光ＵＶ吸収を測定したところ、前者の方向にお
けるＵＶ吸収の方が大きかった。この結果より、当該単
分子膜において、ポリシラン（Ｐ−２）のＳｉ−Ｓｉ主
鎖は、前記基板の引上げ方向に配向していることが判っ
た。 実施例３ 金属ナトリウム 3.5ｇをトルエン 100ml中に分散させ
た。これに、化合物（Ｍ−２）32ｇを加え、 100℃にお
いて 1時間反応させた。反応終了後、実施例１と同様に
して未反応のナトリウム、および塩化ナトリウム等を濾
別し、濾液を減圧下で濃縮した。この濃縮液をメタノー
ル中に注ぎ、ポリマーを精製した。
【００５０】得られたポリマー 1ｇをＴＨＦ 200mlに溶
解させ、これにn-Ｂｕ4 ＮＦ 1モル溶液 5ccを加え、室
温で10分間反応させることによって、イソプロピルジメ
チルシリル基を分解させた。この生成物を塩酸の希薄水
溶液で洗浄し、ポリシラン（Ｐ−３）（平均分子量7,00
0)を得た。
解させ、これにn-Ｂｕ4 ＮＦ 1モル溶液 5ccを加え、室
温で10分間反応させることによって、イソプロピルジメ
チルシリル基を分解させた。この生成物を塩酸の希薄水
溶液で洗浄し、ポリシラン（Ｐ−３）（平均分子量7,00
0)を得た。
【００５１】次に、ポリシラン（Ｐ−３）30mgをシクロ
ヘキサノン 1リットルに溶解させ、該ポリマー溶液を使
用し、実施例１と同様の方法に従って、基板表面にポリ
シランのＬＢ単分子膜を形成した。
ヘキサノン 1リットルに溶解させ、該ポリマー溶液を使
用し、実施例１と同様の方法に従って、基板表面にポリ
シランのＬＢ単分子膜を形成した。
【００５２】当該ポリシランのＬＢ単分子膜について、
基板の引上げ方向と、この方向に対して垂直な方向とに
ついて偏光ＵＶ吸収を測定したところ、ＵＶ吸収に異方
性が見られた。この結果より、当該単分子膜において
は、ポリシラン（Ｐ−３）のＳｉ−Ｓｉ主鎖が配向して
いることが判った。 実施例４ 金属ナトリウム 3.5ｇをトルエン 100ml中に分散させ
た。これに、化合物（Ｍ−３）32ｇを加え、 100℃にお
いて 1時間反応させた。反応終了後、実施例１と同様に
して未反応のナトリウム、および塩化ナトリウム等を濾
別し、濾液を減圧下で濃縮した。この濃縮液をメタノー
ル中に注ぎ、ポリマー（ＰＸ−１）を精製した。
基板の引上げ方向と、この方向に対して垂直な方向とに
ついて偏光ＵＶ吸収を測定したところ、ＵＶ吸収に異方
性が見られた。この結果より、当該単分子膜において
は、ポリシラン（Ｐ−３）のＳｉ−Ｓｉ主鎖が配向して
いることが判った。 実施例４ 金属ナトリウム 3.5ｇをトルエン 100ml中に分散させ
た。これに、化合物（Ｍ−３）32ｇを加え、 100℃にお
いて 1時間反応させた。反応終了後、実施例１と同様に
して未反応のナトリウム、および塩化ナトリウム等を濾
別し、濾液を減圧下で濃縮した。この濃縮液をメタノー
ル中に注ぎ、ポリマー（ＰＸ−１）を精製した。
【００５３】得られたポリマー（ＰＸ−１） 1ｇをＴＨ
Ｆ 200mlに溶解させ、これにn-Ｂｕ4 ＮＦ 1モル溶液 5
ccを加え、室温で10分間反応させることによって、t-ブ
チルジメチルシリル基を分解させた。この生成物を塩酸
の希薄水溶液で洗浄し、ポリシラン（Ｐ−４）（平均分
子量 250,000) を得た。
Ｆ 200mlに溶解させ、これにn-Ｂｕ4 ＮＦ 1モル溶液 5
ccを加え、室温で10分間反応させることによって、t-ブ
チルジメチルシリル基を分解させた。この生成物を塩酸
の希薄水溶液で洗浄し、ポリシラン（Ｐ−４）（平均分
子量 250,000) を得た。
【００５４】次に、ポリシラン（Ｐ−４）30mgをシクロ
ヘキサノン 1リットルに溶解させ、該ポリマー溶液を使
用し、実施例１と同様の方法に従って、基板表面にポリ
シランのＬＢ単分子膜を形成した。
ヘキサノン 1リットルに溶解させ、該ポリマー溶液を使
用し、実施例１と同様の方法に従って、基板表面にポリ
シランのＬＢ単分子膜を形成した。
【００５５】当該ポリシランのＬＢ単分子膜について、
基板の引上げ方向と、同方向に対して垂直な方向とにつ
いて偏光ＵＶ吸収を測定したところ、ＵＶ吸収に異方性
が見られた。この結果より、当該単分子膜においては、
ポリシラン（Ｐ−４）のＳｉ−Ｓｉ主鎖が基板の引上げ
方向に配向していることが判った。 比較例１ 実施例４で得られたポリマー（ＰＸ−１）30mgを、シク
ロヘキサノン 1リットルに溶解させ、該ポリマー溶液を
使用し、実施例１と同様の方法に従って、基板表面にＬ
Ｂ単分子膜を形成した。
基板の引上げ方向と、同方向に対して垂直な方向とにつ
いて偏光ＵＶ吸収を測定したところ、ＵＶ吸収に異方性
が見られた。この結果より、当該単分子膜においては、
ポリシラン（Ｐ−４）のＳｉ−Ｓｉ主鎖が基板の引上げ
方向に配向していることが判った。 比較例１ 実施例４で得られたポリマー（ＰＸ−１）30mgを、シク
ロヘキサノン 1リットルに溶解させ、該ポリマー溶液を
使用し、実施例１と同様の方法に従って、基板表面にＬ
Ｂ単分子膜を形成した。
【００５６】当該ＬＢ単分子膜について、基板の引上げ
方向と、同方向に対して垂直な方向とについて偏光ＵＶ
吸収を測定したところ、ＵＶ吸収には異方性が見られな
かった。この結果より、当該単分子膜において、ポリマ
ー（ＰＸ−１）のＳｉ−Ｓｉ主鎖が特定の方向に配向し
ていないことが判った。 実施例５ 実施例１と同様の方法によって、ポリシラン（Ｐ−１）
（平均分子量200,000）を合成した。
方向と、同方向に対して垂直な方向とについて偏光ＵＶ
吸収を測定したところ、ＵＶ吸収には異方性が見られな
かった。この結果より、当該単分子膜において、ポリマ
ー（ＰＸ−１）のＳｉ−Ｓｉ主鎖が特定の方向に配向し
ていないことが判った。 実施例５ 実施例１と同様の方法によって、ポリシラン（Ｐ−１）
（平均分子量200,000）を合成した。
【００５７】次に、ポリシラン（Ｐ−１）30mgをシクロ
ヘキサノン 1リットルに溶解させ、該ポリマー溶液を水
面上に展開して単分子膜を形成した。続いて、シリコン
ウェハ基板を水面（単分子膜面）に対して垂直方向に浸
漬させた後、基板を水面上に引き上げた。更に、該操作
を繰り返して行ったが、この際、基板を引き上げた時に
のみ基板上に単分子膜が累積された。こうして、上記操
作を10回繰り返すことにより、基板上に10層の単分子膜
を再現性よく累積できた。
ヘキサノン 1リットルに溶解させ、該ポリマー溶液を水
面上に展開して単分子膜を形成した。続いて、シリコン
ウェハ基板を水面（単分子膜面）に対して垂直方向に浸
漬させた後、基板を水面上に引き上げた。更に、該操作
を繰り返して行ったが、この際、基板を引き上げた時に
のみ基板上に単分子膜が累積された。こうして、上記操
作を10回繰り返すことにより、基板上に10層の単分子膜
を再現性よく累積できた。
【００５８】上記の如く形成されたポリシラン累積膜
（ＬＢ累積膜）について、その表面をＳＥＭで観察した
ところ、膜の欠陥もなく、均一な膜が製膜されているこ
とが確認された。
（ＬＢ累積膜）について、その表面をＳＥＭで観察した
ところ、膜の欠陥もなく、均一な膜が製膜されているこ
とが確認された。
【００５９】また、このポリシラン累積膜に対し、パタ
ーニング用マスクを介してエレクトロンビームを照射し
た。この後、 0.6％の水酸化テトラメチルアンモニウム
水溶液で現像したところ、 0.2μｍのパターン（ライン
およびスペース）が解像されており、当該ポリシラン累
積膜がＰＥＰにおけるレジスト膜として好適に利用でき
ることが判った。 実施例６ 実施例２と同様の方法によって、ポリシラン（Ｐ−２）
（平均分子量200,000）を合成した。
ーニング用マスクを介してエレクトロンビームを照射し
た。この後、 0.6％の水酸化テトラメチルアンモニウム
水溶液で現像したところ、 0.2μｍのパターン（ライン
およびスペース）が解像されており、当該ポリシラン累
積膜がＰＥＰにおけるレジスト膜として好適に利用でき
ることが判った。 実施例６ 実施例２と同様の方法によって、ポリシラン（Ｐ−２）
（平均分子量200,000）を合成した。
【００６０】次に、ポリマー（Ｐ−２）30mgをシクロヘ
キサノン 1リットルに溶解させ、該ポリマー溶液を使用
し、実施例５と同様の方法に従って、基板表面に膜厚約
300Ａ（オングストロム，以下同様）のポリシラン累積
膜（ＬＢ累積膜）を形成した。
キサノン 1リットルに溶解させ、該ポリマー溶液を使用
し、実施例５と同様の方法に従って、基板表面に膜厚約
300Ａ（オングストロム，以下同様）のポリシラン累積
膜（ＬＢ累積膜）を形成した。
【００６１】上記の如く形成されたポリシラン累積膜に
ついて、その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥
もなく、ほぼ均一に製膜されていることが確認された。
ついて、その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥
もなく、ほぼ均一に製膜されていることが確認された。
【００６２】また、このポリシラン累積膜について、３
次の非線形光学特性を測定したところ、χ(3) ＝ 2.0×
10-12 esu であり、当該ポリシラン累積膜は非線形光学
素子への応用が可能であることが判った。 実施例７ 実施例３と同様の方法によって、ポリシラン（Ｐ−３）
（平均分子量7,000 ）を合成した。
次の非線形光学特性を測定したところ、χ(3) ＝ 2.0×
10-12 esu であり、当該ポリシラン累積膜は非線形光学
素子への応用が可能であることが判った。 実施例７ 実施例３と同様の方法によって、ポリシラン（Ｐ−３）
（平均分子量7,000 ）を合成した。
【００６３】次に、ポリシラン（Ｐ−３）30mgをシクロ
ヘキサノン 1リットルに溶解させ、該ポリマー溶液を使
用し、実施例５と同様の方法に従って、基板表面に膜厚
約 500Ａのポリシラン累積膜（ＬＢ累積膜）を形成し
た。
ヘキサノン 1リットルに溶解させ、該ポリマー溶液を使
用し、実施例５と同様の方法に従って、基板表面に膜厚
約 500Ａのポリシラン累積膜（ＬＢ累積膜）を形成し
た。
【００６４】上記の如く形成されたポリシラン累積膜に
ついて、その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥
もなく、ほぼ均一な膜が製膜されていることが確認され
た。
ついて、その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥
もなく、ほぼ均一な膜が製膜されていることが確認され
た。
【００６５】また、このポリシランポリシラン累積膜に
ついて、タイムオフフライト法によりホールの移動度を
測定した。この結果、10-5cm2 ／V.sec.の値を示し、当
該ポリシラン累積膜がホールの移動層として好適に機能
することが判った。 実施例８ メタ（i-プロペニル）フェノール 135ｇおよびt-ブチル
ジメチルシリルクロライド 160ｇを脱水エーテル 500ｇ
に溶解させ、更にトリエチルアミン 101ｇを滴下した。
3時間還流した後、生成した塩を濾取し、濾液を濃縮し
て蒸留し化合物（Ｇ−１）を得た。続いて、化合物（Ｇ
−１） 248ｇ、化合物（Ｓ−１） 197ｇ、および塩化白
金酸 5ｇを、 150℃で 3時間反応させた後、蒸留して化
合物（Ｍ−４）を得た。
ついて、タイムオフフライト法によりホールの移動度を
測定した。この結果、10-5cm2 ／V.sec.の値を示し、当
該ポリシラン累積膜がホールの移動層として好適に機能
することが判った。 実施例８ メタ（i-プロペニル）フェノール 135ｇおよびt-ブチル
ジメチルシリルクロライド 160ｇを脱水エーテル 500ｇ
に溶解させ、更にトリエチルアミン 101ｇを滴下した。
3時間還流した後、生成した塩を濾取し、濾液を濃縮し
て蒸留し化合物（Ｇ−１）を得た。続いて、化合物（Ｇ
−１） 248ｇ、化合物（Ｓ−１） 197ｇ、および塩化白
金酸 5ｇを、 150℃で 3時間反応させた後、蒸留して化
合物（Ｍ−４）を得た。
【００６６】次に、金属ナトリウム 5.0ｇをトルエン 1
00ml中に分散させ、これに、化合物（Ｍ−４）44.5ｇを
65℃においてトルエン 100mlに溶解させた溶液を滴下
し、 4時間反応させ（Ｍ−４）をポリマー化した。反応
終了後、未反応のナトリウムおよび塩化ナトリウム等の
不溶物を濾別し、濾液を減圧下で濃縮した。この濃縮液
をメタノール中に注ぎポリマーを精製した。
00ml中に分散させ、これに、化合物（Ｍ−４）44.5ｇを
65℃においてトルエン 100mlに溶解させた溶液を滴下
し、 4時間反応させ（Ｍ−４）をポリマー化した。反応
終了後、未反応のナトリウムおよび塩化ナトリウム等の
不溶物を濾別し、濾液を減圧下で濃縮した。この濃縮液
をメタノール中に注ぎポリマーを精製した。
【００６７】得られたポリマー10ｇをＴＨＦ（テトラヒ
ドロフラン） 500mlに溶解させ、これにテトラブチルア
ンモニウムフルオライドの 1ＭＴＨＦ溶液54ccを加え、
室温で10分間反応させることによって、t-ブチルジメチ
ルシリル基を分解させた。この反応溶液を塩酸の希薄水
溶液で洗浄し、分離したＴＨＦ層を濃縮した。生成物を
トルエン中に滴下し、ポリシラン（Ｐ−５）（平均分子
量12,000）を得た。
ドロフラン） 500mlに溶解させ、これにテトラブチルア
ンモニウムフルオライドの 1ＭＴＨＦ溶液54ccを加え、
室温で10分間反応させることによって、t-ブチルジメチ
ルシリル基を分解させた。この反応溶液を塩酸の希薄水
溶液で洗浄し、分離したＴＨＦ層を濃縮した。生成物を
トルエン中に滴下し、ポリシラン（Ｐ−５）（平均分子
量12,000）を得た。
【００６８】次に、ポリシラン（Ｐ−５）3.74ｇをＴＨ
Ｆ 100mlに溶解させ、これにトリエチルアミン1.01ｇお
よび化合物（Ｆ−１）1.00ｇをＴＨＦ 100mlに溶解させ
た溶液を室温で滴下した。滴下終了後、ポリマー溶液を
水中にあけ、白色ポリマーを得た。この白色ポリマーを
乾燥した後メタノールに溶解させ、トルエン中に滴下し
てポリマーを精製した。続いて、このポリマーを乾燥し
た後メタノール中に溶解させ、更に水中に滴下してポリ
マーを沈殿させ、充分に水洗することにより、ポリシラ
ン（ＰＦ−１）を得た。
Ｆ 100mlに溶解させ、これにトリエチルアミン1.01ｇお
よび化合物（Ｆ−１）1.00ｇをＴＨＦ 100mlに溶解させ
た溶液を室温で滴下した。滴下終了後、ポリマー溶液を
水中にあけ、白色ポリマーを得た。この白色ポリマーを
乾燥した後メタノールに溶解させ、トルエン中に滴下し
てポリマーを精製した。続いて、このポリマーを乾燥し
た後メタノール中に溶解させ、更に水中に滴下してポリ
マーを沈殿させ、充分に水洗することにより、ポリシラ
ン（ＰＦ−１）を得た。
【００６９】得られたポリシラン（ＰＦ−１）30mgをシ
クロヘキサノン 1リットルに溶解させ、該溶液を水面上
に展開して単分子膜を形成した。続いて、シリコンウェ
ハ基板を水面（単分子膜面）に対して、垂直方向に浸漬
させた後水面上に引上げた。この操作を繰り返すことに
よって、即ちＬＢ法によるプロセスによって、基板上に
ポリシラン（ＰＦ−１）が12層累積されたポリシラン累
積膜を形成した。
クロヘキサノン 1リットルに溶解させ、該溶液を水面上
に展開して単分子膜を形成した。続いて、シリコンウェ
ハ基板を水面（単分子膜面）に対して、垂直方向に浸漬
させた後水面上に引上げた。この操作を繰り返すことに
よって、即ちＬＢ法によるプロセスによって、基板上に
ポリシラン（ＰＦ−１）が12層累積されたポリシラン累
積膜を形成した。
【００７０】上記の如く形成されたポリシラン累積膜に
ついて、その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥
もなく、ほぼ均一に製膜されていることが確認された。 実施例９ メタブロモフェノール（Ｇ−２） 171ｇおよびt-ブチル
ジメチルシリルクロライド 160ｇを脱水エーテル 500ｇ
に溶解させ、更にトリエチルアミン 101ｇを滴下した。
3時間還流した後、生成した塩を濾取し、濾液を濃縮し
て蒸留し、化合物（Ｇ−３）を得た。続いて、化合物
（Ｇ−３） 285ｇおよびＭｇ24ｇから合成されたグリニ
ヤ試薬（エーテル中）を、（Ｓ−２）240 ｇに滴下し、
滴下終了後4時間還流させた。生成した塩を濾取し、濾
液を濃縮して濃縮物を減圧下で蒸留し化合物（Ｍ−５）
を得た。
ついて、その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥
もなく、ほぼ均一に製膜されていることが確認された。 実施例９ メタブロモフェノール（Ｇ−２） 171ｇおよびt-ブチル
ジメチルシリルクロライド 160ｇを脱水エーテル 500ｇ
に溶解させ、更にトリエチルアミン 101ｇを滴下した。
3時間還流した後、生成した塩を濾取し、濾液を濃縮し
て蒸留し、化合物（Ｇ−３）を得た。続いて、化合物
（Ｇ−３） 285ｇおよびＭｇ24ｇから合成されたグリニ
ヤ試薬（エーテル中）を、（Ｓ−２）240 ｇに滴下し、
滴下終了後4時間還流させた。生成した塩を濾取し、濾
液を濃縮して濃縮物を減圧下で蒸留し化合物（Ｍ−５）
を得た。
【００７１】次に、金属ナトリウム 5.0ｇをトルエン 1
00ml中に分散させ、これに、化合物（Ｍ−５）43.7ｇを
65℃においてトルエン 100mlに溶解させた溶液を滴下
し、 4時間反応させ（Ｍ−５）をポリマー化した。反応
終了後、未反応のナトリウムおよび塩化ナトリウム等の
不溶物を濾別し、濾液を減圧下で濃縮した。この濃縮液
をメタノール中に注ぎポリマーを精製した。
00ml中に分散させ、これに、化合物（Ｍ−５）43.7ｇを
65℃においてトルエン 100mlに溶解させた溶液を滴下
し、 4時間反応させ（Ｍ−５）をポリマー化した。反応
終了後、未反応のナトリウムおよび塩化ナトリウム等の
不溶物を濾別し、濾液を減圧下で濃縮した。この濃縮液
をメタノール中に注ぎポリマーを精製した。
【００７２】得られたポリマー10ｇをＴＨＦ 500mlに溶
解させ、これにテトラブチルアンモニウムフルオライド
の 1ＭＴＨＦ溶液55ccを加え、室温で10分間反応させる
ことによって、t-ブチルジメチルシリル基を分解させ
た。この反応溶液を塩酸の希薄水溶液で洗浄し、分離し
たＴＨＦ層を濃縮した。生成物をトルエン中に滴下し、
ポリシラン（Ｐ−６）（平均分子量15,000）を得た。
解させ、これにテトラブチルアンモニウムフルオライド
の 1ＭＴＨＦ溶液55ccを加え、室温で10分間反応させる
ことによって、t-ブチルジメチルシリル基を分解させ
た。この反応溶液を塩酸の希薄水溶液で洗浄し、分離し
たＴＨＦ層を濃縮した。生成物をトルエン中に滴下し、
ポリシラン（Ｐ−６）（平均分子量15,000）を得た。
【００７３】次に、ポリシラン（Ｐ−６）3.74ｇをＴＨ
Ｆ 100mlに溶解させ、これにトリエチルアミン1.01ｇお
よび化合物（Ｆ−２）1.40ｇをＴＨＦ 100mlに溶解させ
た溶液を室温で滴下した。滴下終了後、ポリマー溶液を
水中にあけ、白色ポリマーを得た。この白色ポリマーを
乾燥した後メタノールに溶解させ、トルエン中に滴下し
てポリマーを精製した。続いて、このポリマーを乾燥し
た後メタノール中に溶解させ、更に水中に滴下してポリ
マーを沈殿させ、充分に水洗することによりポリシラン
（ＰＦ−２）を得た。
Ｆ 100mlに溶解させ、これにトリエチルアミン1.01ｇお
よび化合物（Ｆ−２）1.40ｇをＴＨＦ 100mlに溶解させ
た溶液を室温で滴下した。滴下終了後、ポリマー溶液を
水中にあけ、白色ポリマーを得た。この白色ポリマーを
乾燥した後メタノールに溶解させ、トルエン中に滴下し
てポリマーを精製した。続いて、このポリマーを乾燥し
た後メタノール中に溶解させ、更に水中に滴下してポリ
マーを沈殿させ、充分に水洗することによりポリシラン
（ＰＦ−２）を得た。
【００７４】得られたポリシラン（ＰＦ−２）30mgをシ
クロヘキサノン 1リットルに溶解させ、該溶液を水面上
に展開して単分子膜を形成した。続いて、実施例８と同
様の方法、即ちＬＢ法によるプロセスによって、基板上
にポリシラン（ＰＦ−２）が累積されたポリシラン累積
膜（膜厚 200オングストローム）を形成した。
クロヘキサノン 1リットルに溶解させ、該溶液を水面上
に展開して単分子膜を形成した。続いて、実施例８と同
様の方法、即ちＬＢ法によるプロセスによって、基板上
にポリシラン（ＰＦ−２）が累積されたポリシラン累積
膜（膜厚 200オングストローム）を形成した。
【００７５】上記の如く形成されたポリシラン累積膜に
ついて、その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥
もなく、ほぼ均一に製膜されていることが確認された。 実施例１０ 金属ナトリウム 3.5ｇをトルエン 100ml中に分散させ
た。これに、化合物（Ｍ−６）32ｇを加え、65℃におい
て 1時間反応させ（Ｍ−６）をポリマー化した。反応終
了後、未反応のナトリウムおよび塩化ナトリウム等の不
溶物を濾別し、濾液を減圧下で濃縮した。この濃縮液を
メタノール中に注ぎポリマーを精製した。
ついて、その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥
もなく、ほぼ均一に製膜されていることが確認された。 実施例１０ 金属ナトリウム 3.5ｇをトルエン 100ml中に分散させ
た。これに、化合物（Ｍ−６）32ｇを加え、65℃におい
て 1時間反応させ（Ｍ−６）をポリマー化した。反応終
了後、未反応のナトリウムおよび塩化ナトリウム等の不
溶物を濾別し、濾液を減圧下で濃縮した。この濃縮液を
メタノール中に注ぎポリマーを精製した。
【００７６】得られたポリマー 1ｇをＴＨＦ 200mlに溶
解させ、これにテトラブチルアンモニウムフルオライド
の 1ＭＴＨＦ溶液 5ccを加え、室温で10分間反応させる
ことによって、i-プロピルジメチルシリル基を分解させ
た。この反応溶液を塩酸の希薄水溶液で洗浄し、分離し
たＴＨＦ層を濃縮した。生成物をトルエン中に滴下し、
ポリシラン（Ｐ−７）（平均分子量 7,000）を得た。
解させ、これにテトラブチルアンモニウムフルオライド
の 1ＭＴＨＦ溶液 5ccを加え、室温で10分間反応させる
ことによって、i-プロピルジメチルシリル基を分解させ
た。この反応溶液を塩酸の希薄水溶液で洗浄し、分離し
たＴＨＦ層を濃縮した。生成物をトルエン中に滴下し、
ポリシラン（Ｐ−７）（平均分子量 7,000）を得た。
【００７７】次に、ポリシラン（Ｐ−７）3.55ｇをＴＨ
Ｆ 100mlに溶解させ、これに化合物（Ｆ−３）2.64ｇ、
１８クラウン６ 3ｇ、および炭酸カリウム1.38ｇをＴＨ
Ｆ 100mlに分散させた溶液を加え、室温で一昼夜攪拌し
た。この後、ポリマー溶液を水中に滴下し、沈殿物を得
た。該沈殿物を乾燥した後、トルエンに溶解させ、エタ
ノール中に滴下してポリシラン（ＰＦ−３）を得た。
Ｆ 100mlに溶解させ、これに化合物（Ｆ−３）2.64ｇ、
１８クラウン６ 3ｇ、および炭酸カリウム1.38ｇをＴＨ
Ｆ 100mlに分散させた溶液を加え、室温で一昼夜攪拌し
た。この後、ポリマー溶液を水中に滴下し、沈殿物を得
た。該沈殿物を乾燥した後、トルエンに溶解させ、エタ
ノール中に滴下してポリシラン（ＰＦ−３）を得た。
【００７８】得られたポリシラン（ＰＦ−３）30mgをシ
クロヘキサノン 1リットルに溶解させ、該溶液を水面上
に展開して単分子膜を形成した。続いて、実施例８と同
様の方法、即ちＬＢ法によるプロセスによって、基板上
にポリシラン（ＰＦ−３）が15層累積されたポリシラン
累積膜を形成した。
クロヘキサノン 1リットルに溶解させ、該溶液を水面上
に展開して単分子膜を形成した。続いて、実施例８と同
様の方法、即ちＬＢ法によるプロセスによって、基板上
にポリシラン（ＰＦ−３）が15層累積されたポリシラン
累積膜を形成した。
【００７９】上記の如く形成されたポリシラン累積膜に
ついて、その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥
もなく、ほぼ均一に製膜されていることが確認された。
ついて、その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥
もなく、ほぼ均一に製膜されていることが確認された。
【００８０】また、当該ポリシラン累積膜について、タ
イムオフフライト法によりホールの移動度を測定した。
この結果、10-4cm2 ／V.sec.の値を示し、このポリシラ
ン累積膜がホールの移動層として好適に機能することが
判った。
イムオフフライト法によりホールの移動度を測定した。
この結果、10-4cm2 ／V.sec.の値を示し、このポリシラ
ン累積膜がホールの移動層として好適に機能することが
判った。
【００８１】更に、当該ポリシラン累積膜について、３
次の非線形感受率を測定したところ、10-11 esu の値が
得られ良好な光線形光学特性を有することが確認され
た。 実施例１１ メタブロモフェノール（Ｇ−２） 171ｇおよびt-ブチル
ジメチルシリルクロライド 160ｇを脱水エーテル 500ｇ
に溶解させ、更にトリエチルアミン 101ｇを滴下した。
3時間還流した後、生成した塩を濾取し、濾液を濃縮し
て蒸留し、化合物（Ｇ−３）を得た。続いて、化合物
（Ｇ−３） 285ｇ、およびＭｇ24ｇから合成されたグリ
ニヤ試薬（エーテル中）を（Ｓ−３）381 ｇに滴下し、
滴下終了後4時間還流させた。生成した塩を濾取し、濾
液を濃縮して濃縮物を減圧下で蒸留し化合物（Ｍ−７）
を得た。
次の非線形感受率を測定したところ、10-11 esu の値が
得られ良好な光線形光学特性を有することが確認され
た。 実施例１１ メタブロモフェノール（Ｇ−２） 171ｇおよびt-ブチル
ジメチルシリルクロライド 160ｇを脱水エーテル 500ｇ
に溶解させ、更にトリエチルアミン 101ｇを滴下した。
3時間還流した後、生成した塩を濾取し、濾液を濃縮し
て蒸留し、化合物（Ｇ−３）を得た。続いて、化合物
（Ｇ−３） 285ｇ、およびＭｇ24ｇから合成されたグリ
ニヤ試薬（エーテル中）を（Ｓ−３）381 ｇに滴下し、
滴下終了後4時間還流させた。生成した塩を濾取し、濾
液を濃縮して濃縮物を減圧下で蒸留し化合物（Ｍ−７）
を得た。
【００８２】次に、金属ナトリウム 5.0ｇをトルエン 1
00ml中に分散させ、これに、化合物（Ｍ−７）55.3ｇを
65℃においてトルエン 100mlに溶解させた溶液を滴下
し、 4時間反応させ（Ｍ−７）をポリマー化した。反応
終了後、未反応のナトリウムおよび塩化ナトリウム等の
不溶物を濾別し、濾液を減圧下で濃縮した。この濃縮液
をメタノール中に注ぎポリマーを精製した。
00ml中に分散させ、これに、化合物（Ｍ−７）55.3ｇを
65℃においてトルエン 100mlに溶解させた溶液を滴下
し、 4時間反応させ（Ｍ−７）をポリマー化した。反応
終了後、未反応のナトリウムおよび塩化ナトリウム等の
不溶物を濾別し、濾液を減圧下で濃縮した。この濃縮液
をメタノール中に注ぎポリマーを精製した。
【００８３】得られたポリマー10ｇをＴＨＦ 500mlに溶
解させ、これにテトラブチルアンモニウムフルオライド
の 1ＭＴＨＦ溶液54ccを加え、室温で10分間反応させる
ことによって、t-ブチルジメチルシリル基を分解させ
た。この反応溶液を塩酸の希薄水溶液で洗浄し、分離し
たＴＨＦ層を濃縮した。生成物をトルエン中に滴下し、
ポリシラン（Ｐ−８）（平均分子量15,000）を得た。
解させ、これにテトラブチルアンモニウムフルオライド
の 1ＭＴＨＦ溶液54ccを加え、室温で10分間反応させる
ことによって、t-ブチルジメチルシリル基を分解させ
た。この反応溶液を塩酸の希薄水溶液で洗浄し、分離し
たＴＨＦ層を濃縮した。生成物をトルエン中に滴下し、
ポリシラン（Ｐ−８）（平均分子量15,000）を得た。
【００８４】次に、ポリシラン（Ｐ−８） 4.8ｇをＴＨ
Ｆ 100mlに溶解させ、これにフェニルイソシアネート
（Ｆ−４） 1.2ｇおよびテトラエチルアミン 0,2mlをＴ
ＨＦ 100mlに溶解させた溶液を滴下し、室温で 3時間反
応させた。反応終了後、ポリマー溶液を水中に注ぎ、沈
殿物を得た。該沈殿物を乾燥した後トルエンに溶解さ
せ、更にエタノール中に滴下してポリシラン（ＰＦ−
４）を得た。
Ｆ 100mlに溶解させ、これにフェニルイソシアネート
（Ｆ−４） 1.2ｇおよびテトラエチルアミン 0,2mlをＴ
ＨＦ 100mlに溶解させた溶液を滴下し、室温で 3時間反
応させた。反応終了後、ポリマー溶液を水中に注ぎ、沈
殿物を得た。該沈殿物を乾燥した後トルエンに溶解さ
せ、更にエタノール中に滴下してポリシラン（ＰＦ−
４）を得た。
【００８５】得られたポリシラン（ＰＦ−４）30mgをシ
クロヘキサノン 1リットルに溶解させ、該溶液を水面上
に展開して単分子膜を形成した。別途、ＴＣＮＱ（7,7,
8,8-テトラシアノキノンジメタン）の単分子膜を形成し
た。続いて、これら単分子膜を使用して、実施例８と同
様の方法、即ちＬＢ法によるプロセスによって、基板上
にポリシラン（ＰＦ−４）およびＴＣＮＱを夫々20層交
互に積層した。
クロヘキサノン 1リットルに溶解させ、該溶液を水面上
に展開して単分子膜を形成した。別途、ＴＣＮＱ（7,7,
8,8-テトラシアノキノンジメタン）の単分子膜を形成し
た。続いて、これら単分子膜を使用して、実施例８と同
様の方法、即ちＬＢ法によるプロセスによって、基板上
にポリシラン（ＰＦ−４）およびＴＣＮＱを夫々20層交
互に積層した。
【００８６】上記の如く形成された積層構造体につい
て、その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥もな
く、ほぼ均一に製膜されていることが確認された。
て、その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥もな
く、ほぼ均一に製膜されていることが確認された。
【００８７】また、当該積層構造体について、導電率を
測定したところ10-4Ωcmの値が得られた。 実施例１２ 6-ブロモ1-ヘキサノール（Ｇ−４） 181ｇおよびt-ブチ
ルジメチルシリルクロライド 160ｇを脱水エーテル 500
ｇに溶解させ、更にトリエチルアミン 101ｇを滴下し
た。 3時間還流した後、生成した塩を濾取し、濾液を濃
縮して蒸留し、化合物（Ｇ−５）を得た。続いて、化合
物（Ｇ−５） 295ｇ、およびＭｇ24ｇから合成されたグ
リニヤ試薬（エーテル中）を（Ｓ−３）240 ｇに滴下
し、滴下終了後 4時間還流させた。生成した塩を濾取
し、濾液を濃縮して濃縮物を減圧下で蒸留し化合物（Ｍ
−８）を得た。
測定したところ10-4Ωcmの値が得られた。 実施例１２ 6-ブロモ1-ヘキサノール（Ｇ−４） 181ｇおよびt-ブチ
ルジメチルシリルクロライド 160ｇを脱水エーテル 500
ｇに溶解させ、更にトリエチルアミン 101ｇを滴下し
た。 3時間還流した後、生成した塩を濾取し、濾液を濃
縮して蒸留し、化合物（Ｇ−５）を得た。続いて、化合
物（Ｇ−５） 295ｇ、およびＭｇ24ｇから合成されたグ
リニヤ試薬（エーテル中）を（Ｓ−３）240 ｇに滴下
し、滴下終了後 4時間還流させた。生成した塩を濾取
し、濾液を濃縮して濃縮物を減圧下で蒸留し化合物（Ｍ
−８）を得た。
【００８８】次に、金属ナトリウム 5.0ｇをトルエン 1
00ml中に分散させ、これに、化合物（Ｍ−８）56.2ｇを
65℃においてトルエン 100mlに溶解させた溶液を滴下
し、 4時間反応させ（Ｍ−８）をポリマー化した。反応
終了後、未反応のナトリウムおよび塩化ナトリウム等の
不溶物を濾別し、濾液を減圧下で濃縮した。この濃縮液
をメタノール中に注ぎポリマーを精製した。
00ml中に分散させ、これに、化合物（Ｍ−８）56.2ｇを
65℃においてトルエン 100mlに溶解させた溶液を滴下
し、 4時間反応させ（Ｍ−８）をポリマー化した。反応
終了後、未反応のナトリウムおよび塩化ナトリウム等の
不溶物を濾別し、濾液を減圧下で濃縮した。この濃縮液
をメタノール中に注ぎポリマーを精製した。
【００８９】得られたポリマー10ｇをＴＨＦ 500mlに溶
解させ、これにテトラブチルアンモニウムフルオライド
の 1ＭＴＨＦ溶液54ccを加え、室温で10分間反応させる
ことによって、t-ブチルジメチルシリル基を分解させ
た。この反応溶液を塩酸の希薄水溶液で洗浄し、分離し
たＴＨＦ層を濃縮した。生成物をトルエン中に滴下し、
ポリシラン（Ｐ−９）（平均分子量12,000）を得た。
解させ、これにテトラブチルアンモニウムフルオライド
の 1ＭＴＨＦ溶液54ccを加え、室温で10分間反応させる
ことによって、t-ブチルジメチルシリル基を分解させ
た。この反応溶液を塩酸の希薄水溶液で洗浄し、分離し
たＴＨＦ層を濃縮した。生成物をトルエン中に滴下し、
ポリシラン（Ｐ−９）（平均分子量12,000）を得た。
【００９０】次に、ポリシラン（Ｐ−９） 4.9ｇをＴＨ
Ｆ 100mlに溶解させ、これにフェニルイソシアネート
（Ｆ−４） 1.2ｇおよびテトラエチルアミン 0,2mlをＴ
ＨＦ 100mlに溶解させた溶液を滴下し、室温で 3時間反
応させた。反応終了後、ポリマー溶液を水中に注ぎ、沈
殿物を得た。該沈殿物を乾燥した後トルエンに溶解さ
せ、更にエタノール中に滴下してポリシラン（ＰＦ−
５）を得た。
Ｆ 100mlに溶解させ、これにフェニルイソシアネート
（Ｆ−４） 1.2ｇおよびテトラエチルアミン 0,2mlをＴ
ＨＦ 100mlに溶解させた溶液を滴下し、室温で 3時間反
応させた。反応終了後、ポリマー溶液を水中に注ぎ、沈
殿物を得た。該沈殿物を乾燥した後トルエンに溶解さ
せ、更にエタノール中に滴下してポリシラン（ＰＦ−
５）を得た。
【００９１】得られた（ＰＦ−５）30mgをシクロヘキサ
ノン 1リットルに溶解させ、該溶液を水面上に展開して
単分子膜を形成した。続いて、これら単分子膜を使用し
て、実施例８と同様の方法、即ちＬＢ法によるプロセス
によって、基板上に（ＰＦ−５）が20層累積されたポリ
シラン累積膜を形成した。
ノン 1リットルに溶解させ、該溶液を水面上に展開して
単分子膜を形成した。続いて、これら単分子膜を使用し
て、実施例８と同様の方法、即ちＬＢ法によるプロセス
によって、基板上に（ＰＦ−５）が20層累積されたポリ
シラン累積膜を形成した。
【００９２】上記の如く形成されたポリシラン累積膜に
ついて、その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥
もなく、ほぼ均一に製膜されていることが確認された。
ついて、その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥
もなく、ほぼ均一に製膜されていることが確認された。
【００９３】また、当該累積膜について、タイムオフフ
ライト法によりホールの移動度を測定した。この結果、
10-4cm2 ／V.sec.の値を示し、当該累積膜がホールの移
動層として好適に機能することが判った。
ライト法によりホールの移動度を測定した。この結果、
10-4cm2 ／V.sec.の値を示し、当該累積膜がホールの移
動層として好適に機能することが判った。
【００９４】更に、当該ポリシラン累積膜の３次の非線
形感受率を測定したところ、ＬＢ法による基板の引上げ
方向については10-11 esu の値が、該引上げ方向と垂直
方向には10-13 esu の値が夫々得られた。この結果よ
り、このポリシラン累積膜には異方性のあることが判っ
た。 実施例１３ メタ（i-プロペニル）フェノール 135ｇおよびt-ブチル
ジメチルシリルクロライド 160ｇを脱水エーテル 500ｇ
に溶解させ、更にトリエチルアミン 101ｇを滴下した。
3時間還流した後、生成した塩を濾取し、濾液を濃縮し
て蒸留し、化合物（Ｇ−１）を得た。続いて、化合物
（Ｇ−１） 248ｇ、化合物（Ｓ−４） 157ｇ、および塩
化白金酸 5ｇを、 150℃で 3時間反応させた後、蒸留し
て化合物（Ｍ−９）を得た。
形感受率を測定したところ、ＬＢ法による基板の引上げ
方向については10-11 esu の値が、該引上げ方向と垂直
方向には10-13 esu の値が夫々得られた。この結果よ
り、このポリシラン累積膜には異方性のあることが判っ
た。 実施例１３ メタ（i-プロペニル）フェノール 135ｇおよびt-ブチル
ジメチルシリルクロライド 160ｇを脱水エーテル 500ｇ
に溶解させ、更にトリエチルアミン 101ｇを滴下した。
3時間還流した後、生成した塩を濾取し、濾液を濃縮し
て蒸留し、化合物（Ｇ−１）を得た。続いて、化合物
（Ｇ−１） 248ｇ、化合物（Ｓ−４） 157ｇ、および塩
化白金酸 5ｇを、 150℃で 3時間反応させた後、蒸留し
て化合物（Ｍ−９）を得た。
【００９５】次に、金属ナトリウム 5.0ｇをトルエン 1
00ml中に分散させ、これに、化合物（Ｍ−９）40.5ｇを
65℃においてトルエン 100mlに溶解させた溶液を滴下
し、 4時間反応させ（Ｍ−９）をポリマー化した。反応
終了後、未反応のナトリウムおよび塩化ナトリウム等の
不溶物を濾別し、濾液を減圧下で濃縮した。この濃縮液
をメタノール中に注ぎポリマーを精製した。
00ml中に分散させ、これに、化合物（Ｍ−９）40.5ｇを
65℃においてトルエン 100mlに溶解させた溶液を滴下
し、 4時間反応させ（Ｍ−９）をポリマー化した。反応
終了後、未反応のナトリウムおよび塩化ナトリウム等の
不溶物を濾別し、濾液を減圧下で濃縮した。この濃縮液
をメタノール中に注ぎポリマーを精製した。
【００９６】得られたポリマー10ｇをＴＨＦ（テトラヒ
ドロフラン） 500mlに溶解させ、これにテトラブチルア
ンモニウムフルオライドの 1ＭＴＨＦ溶液54ccを加え、
室温で10分間反応させることによって、t-ブチルジメチ
ルシリル基を分解させた。この反応溶液を塩酸の希薄水
溶液で洗浄し、分離したＴＨＦ層を濃縮した。生成物を
トルエン中に滴下し、ポリシラン（Ｐ−１０）（平均分
子量 120,000）を得た。
ドロフラン） 500mlに溶解させ、これにテトラブチルア
ンモニウムフルオライドの 1ＭＴＨＦ溶液54ccを加え、
室温で10分間反応させることによって、t-ブチルジメチ
ルシリル基を分解させた。この反応溶液を塩酸の希薄水
溶液で洗浄し、分離したＴＨＦ層を濃縮した。生成物を
トルエン中に滴下し、ポリシラン（Ｐ−１０）（平均分
子量 120,000）を得た。
【００９７】次に、ポリシラン（Ｐ−１０）30mgをシク
ロヘキサノン 1リットルに溶解させ、該溶液を水面上に
展開して単分子膜を形成した。続いて、シリコンウェハ
基板を水面（単分子膜面）に対して、垂直方向に浸漬さ
せた後水面上に引上げた。この操作を繰り返すことによ
って、即ちＬＢ法によるプロセスによって、基板上にポ
リシラン（Ｐ−１０）が12層累積されたポリシラン累積
膜を形成した。
ロヘキサノン 1リットルに溶解させ、該溶液を水面上に
展開して単分子膜を形成した。続いて、シリコンウェハ
基板を水面（単分子膜面）に対して、垂直方向に浸漬さ
せた後水面上に引上げた。この操作を繰り返すことによ
って、即ちＬＢ法によるプロセスによって、基板上にポ
リシラン（Ｐ−１０）が12層累積されたポリシラン累積
膜を形成した。
【００９８】このＬＢ法により基板上に形成されたポリ
シラン累積膜において、水面からの基板の引上げ方向に
モーメントを有する波長 335nmの偏光ＵＶ吸収は、基板
の引上げ方向に垂直なモーメントを有する同様の偏光Ｕ
Ｖ吸収に比べて極めて大きかった。この結果より、当該
ポリシラン累積膜においてポリシラン（Ｐ−１０）のＳ
ｉ−Ｓｉ主鎖は、ＬＢ法による基板の引上げ方向に強く
配向していることが判った。 実施例１４ ポリシラン（Ｐ−１０）3.34ｇをＴＨＦ 100mlに溶解さ
せ、これにトリエチルアミン1.01ｇおよび化合物（Ｆ−
１）1.00ｇをＴＨＦ 100mlに溶解させた溶液を室温で滴
下した。滴下終了後、ポリマー溶液を水中にあけ、白色
ポリマーを得た。この白色ポリマーを乾燥した後メタノ
ールに溶解させ、トルエン中に滴下してポリマーを精製
した。続いて、このポリマーを乾燥した後メタノール中
に溶解させ、更に水中に滴下してポリマーを沈殿させ、
充分に水洗することにより、ポリシラン（ＰＦ−６）を
得た。
シラン累積膜において、水面からの基板の引上げ方向に
モーメントを有する波長 335nmの偏光ＵＶ吸収は、基板
の引上げ方向に垂直なモーメントを有する同様の偏光Ｕ
Ｖ吸収に比べて極めて大きかった。この結果より、当該
ポリシラン累積膜においてポリシラン（Ｐ−１０）のＳ
ｉ−Ｓｉ主鎖は、ＬＢ法による基板の引上げ方向に強く
配向していることが判った。 実施例１４ ポリシラン（Ｐ−１０）3.34ｇをＴＨＦ 100mlに溶解さ
せ、これにトリエチルアミン1.01ｇおよび化合物（Ｆ−
１）1.00ｇをＴＨＦ 100mlに溶解させた溶液を室温で滴
下した。滴下終了後、ポリマー溶液を水中にあけ、白色
ポリマーを得た。この白色ポリマーを乾燥した後メタノ
ールに溶解させ、トルエン中に滴下してポリマーを精製
した。続いて、このポリマーを乾燥した後メタノール中
に溶解させ、更に水中に滴下してポリマーを沈殿させ、
充分に水洗することにより、ポリシラン（ＰＦ−６）を
得た。
【００９９】次に、ポリシラン（ＰＦ−６）30mgをシク
ロヘキサノン 1リットルに溶解させ、該溶液を水面上に
展開して単分子膜を形成した。続いて、実施例１３と同
様の方法、即ちＬＢ法によるプロセスによって、基板上
にポリシラン（ＰＦ−６）が15層累積されたポリシラン
累積膜を形成した。
ロヘキサノン 1リットルに溶解させ、該溶液を水面上に
展開して単分子膜を形成した。続いて、実施例１３と同
様の方法、即ちＬＢ法によるプロセスによって、基板上
にポリシラン（ＰＦ−６）が15層累積されたポリシラン
累積膜を形成した。
【０１００】上記の如く形成されたポリシラン累積膜に
ついて、その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥
もなく、ほぼ均一に製膜されていることが確認された。
ついて、その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥
もなく、ほぼ均一に製膜されていることが確認された。
【０１０１】このＬＢ法により基板上に形成されたポリ
シラン累積膜において、水面からの基板の引上げ方向に
モーメントを有する波長 335nmの偏光ＵＶ吸収は、基板
の引上げ方向に垂直なモーメントを有する同様の偏光Ｕ
Ｖ吸収に比べて極めて大きかった。この結果より、当該
ポリシラン累積膜において、ポリシラン（ＰＦ−６）の
Ｓｉ−Ｓｉ主鎖は、ＬＢ法による基板の引上げ方向に強
く配向していることが判った。 実施例１５ メタブロモフェノール（Ｇ−２） 171ｇおよびt-ブチル
ジメチルシリルクロライド 160ｇを脱水エーテル 500ｇ
に溶解させ、更にトリエチルアミン 101ｇを滴下した。
3時間還流した後、生成した塩を濾取し、濾液を濃縮し
て蒸留し、化合物（Ｇ−３）を得た。続いて、化合物
（Ｇ−３） 285ｇ、およびＭｇ24ｇから合成されたグリ
ニヤ試薬（エーテル中）を（Ｓ−５）220 ｇに滴下し、
滴下終了後4時間還流させた。生成した塩を濾取し、濾
液を濃縮して濃縮物を減圧下で蒸留し化合物（Ｍ−１
０）を得た。
シラン累積膜において、水面からの基板の引上げ方向に
モーメントを有する波長 335nmの偏光ＵＶ吸収は、基板
の引上げ方向に垂直なモーメントを有する同様の偏光Ｕ
Ｖ吸収に比べて極めて大きかった。この結果より、当該
ポリシラン累積膜において、ポリシラン（ＰＦ−６）の
Ｓｉ−Ｓｉ主鎖は、ＬＢ法による基板の引上げ方向に強
く配向していることが判った。 実施例１５ メタブロモフェノール（Ｇ−２） 171ｇおよびt-ブチル
ジメチルシリルクロライド 160ｇを脱水エーテル 500ｇ
に溶解させ、更にトリエチルアミン 101ｇを滴下した。
3時間還流した後、生成した塩を濾取し、濾液を濃縮し
て蒸留し、化合物（Ｇ−３）を得た。続いて、化合物
（Ｇ−３） 285ｇ、およびＭｇ24ｇから合成されたグリ
ニヤ試薬（エーテル中）を（Ｓ−５）220 ｇに滴下し、
滴下終了後4時間還流させた。生成した塩を濾取し、濾
液を濃縮して濃縮物を減圧下で蒸留し化合物（Ｍ−１
０）を得た。
【０１０２】次に、金属ナトリウム 5.0ｇをトルエン 1
00ml中に分散させ、これに、化合物（Ｍ−１０）39.0ｇ
を65℃においてトルエン 100mlに溶解させた溶液を滴下
し、4時間反応させ（Ｍ−１０）をポリマー化した。反
応終了後、未反応のナトリウムおよび塩化ナトリウム等
の不溶物を濾別し、濾液を減圧下で濃縮した。この濃縮
液をメタノール中に注ぎポリマーを精製した。
00ml中に分散させ、これに、化合物（Ｍ−１０）39.0ｇ
を65℃においてトルエン 100mlに溶解させた溶液を滴下
し、4時間反応させ（Ｍ−１０）をポリマー化した。反
応終了後、未反応のナトリウムおよび塩化ナトリウム等
の不溶物を濾別し、濾液を減圧下で濃縮した。この濃縮
液をメタノール中に注ぎポリマーを精製した。
【０１０３】得られたポリマー10ｇをＴＨＦ 500mlに溶
解させ、これにテトラブチルアンモニウムフルオライド
の 1ＭＴＨＦ溶液55ccを加え、室温で10分間反応させる
ことによって、t-ブチルジメチルシリル基を分解させ
た。この反応溶液を塩酸の希薄水溶液で洗浄し、分離し
たＴＨＦ層を濃縮した。生成物をトルエン中に滴下し、
ポリシラン（Ｐ−３）（平均分子量 150,000）を得た。
解させ、これにテトラブチルアンモニウムフルオライド
の 1ＭＴＨＦ溶液55ccを加え、室温で10分間反応させる
ことによって、t-ブチルジメチルシリル基を分解させ
た。この反応溶液を塩酸の希薄水溶液で洗浄し、分離し
たＴＨＦ層を濃縮した。生成物をトルエン中に滴下し、
ポリシラン（Ｐ−３）（平均分子量 150,000）を得た。
【０１０４】次に、ポリシラン（Ｐ−３）30mgをシクロ
ヘキサノン 1リットルに溶解させ、該溶液を水面上に展
開して単分子膜を形成した。続いて、実施例１３と同様
の方法、即ちＬＢ法によるプロセスによって、基板上に
ポリシラン（Ｐ−３）が累積されたポリシラン累積膜
（膜厚 200オングストローム）を形成した。
ヘキサノン 1リットルに溶解させ、該溶液を水面上に展
開して単分子膜を形成した。続いて、実施例１３と同様
の方法、即ちＬＢ法によるプロセスによって、基板上に
ポリシラン（Ｐ−３）が累積されたポリシラン累積膜
（膜厚 200オングストローム）を形成した。
【０１０５】上記の如く形成されたポリシラン累積膜に
ついて、その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥
もなく、ほぼ均一に製膜されていることが確認された。
ついて、その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥
もなく、ほぼ均一に製膜されていることが確認された。
【０１０６】このＬＢ法により基板上に形成されたポリ
シラン累積膜において、水面からの基板の引上げ方向に
モーメントを有する波長 340nmの偏光ＵＶ吸収は、基板
の引上げ方向に垂直なモーメントを有する同様の偏光Ｕ
Ｖ吸収に比べて極めて大きかった。この結果より、当該
ポリシラン累積膜において、ポリシラン（Ｐ−３）のＳ
ｉ−Ｓｉ主鎖は、ＬＢ法による基板の引上げ方向に強く
配向していることが判った。 実施例１６ ポリシラン（Ｐ−３）3.19ｇをＴＨＦ 100mlに溶解さ
せ、これにトリエチルアミン1.01ｇおよびフェニルイソ
シアネート（Ｆ−４）1.19ｇをＴＨＦ 100mlに溶解させ
た溶液を室温で滴下した。滴下終了後、ポリマー溶液を
水中にあけ、白色ポリマーを得た。この白色ポリマーを
乾燥した後メタノールに溶解させ、トルエン中に滴下し
てポリマーを精製した。続いて、このポリマーを乾燥し
た後メタノール中に溶解させ、更に水中に滴下してポリ
マーを沈殿させ、充分に水洗することにより、ポリシラ
ン（ＰＦ−７）を得た。
シラン累積膜において、水面からの基板の引上げ方向に
モーメントを有する波長 340nmの偏光ＵＶ吸収は、基板
の引上げ方向に垂直なモーメントを有する同様の偏光Ｕ
Ｖ吸収に比べて極めて大きかった。この結果より、当該
ポリシラン累積膜において、ポリシラン（Ｐ−３）のＳ
ｉ−Ｓｉ主鎖は、ＬＢ法による基板の引上げ方向に強く
配向していることが判った。 実施例１６ ポリシラン（Ｐ−３）3.19ｇをＴＨＦ 100mlに溶解さ
せ、これにトリエチルアミン1.01ｇおよびフェニルイソ
シアネート（Ｆ−４）1.19ｇをＴＨＦ 100mlに溶解させ
た溶液を室温で滴下した。滴下終了後、ポリマー溶液を
水中にあけ、白色ポリマーを得た。この白色ポリマーを
乾燥した後メタノールに溶解させ、トルエン中に滴下し
てポリマーを精製した。続いて、このポリマーを乾燥し
た後メタノール中に溶解させ、更に水中に滴下してポリ
マーを沈殿させ、充分に水洗することにより、ポリシラ
ン（ＰＦ−７）を得た。
【０１０７】次に、（ＰＦ−７）30mgをシクロヘキサノ
ン 1リットルに溶解させ、該溶液を水面上に展開して単
分子膜を形成した。続いて、実施例１３と同様の方法、
即ちＬＢ法によるプロセスによって、基板上にポリシラ
ン（ＰＦ−７）が累積されたポリシラン累積膜（膜厚 2
00オングストローム）を形成した。
ン 1リットルに溶解させ、該溶液を水面上に展開して単
分子膜を形成した。続いて、実施例１３と同様の方法、
即ちＬＢ法によるプロセスによって、基板上にポリシラ
ン（ＰＦ−７）が累積されたポリシラン累積膜（膜厚 2
00オングストローム）を形成した。
【０１０８】上記の如く形成されたポリシラン累積膜に
ついて、その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥
もなく、ほぼ均一に製膜されていることが確認された。
ついて、その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥
もなく、ほぼ均一に製膜されていることが確認された。
【０１０９】このＬＢ法により基板上に形成されたポリ
シラン累積膜において、水面からの基板の引上げ方向に
モーメントを有する波長 340nmの偏光ＵＶ吸収は、基板
の引上げ方向に垂直なモーメントを有する同様の偏光Ｕ
Ｖ吸収に比べて極めて大きかった。この結果より、当該
ポリシラン累積膜において、ポリシラン（ＰＦ−７）の
Ｓｉ−Ｓｉ主鎖は、ＬＢ法による基板の引上げ方向に強
く配向していることが判った。 実施例１７ 化合物（Ｇ−３） 285ｇ、およびＭｇ24ｇから合成され
たグリニヤ試薬（エーテル中）を（Ｓ−６）192 ｇに滴
下し、滴下終了後 4時間還流させた。生成した塩を濾取
し、濾液を濃縮して濃縮物を減圧下で蒸留し化合物（Ｍ
−３）を得た。
シラン累積膜において、水面からの基板の引上げ方向に
モーメントを有する波長 340nmの偏光ＵＶ吸収は、基板
の引上げ方向に垂直なモーメントを有する同様の偏光Ｕ
Ｖ吸収に比べて極めて大きかった。この結果より、当該
ポリシラン累積膜において、ポリシラン（ＰＦ−７）の
Ｓｉ−Ｓｉ主鎖は、ＬＢ法による基板の引上げ方向に強
く配向していることが判った。 実施例１７ 化合物（Ｇ−３） 285ｇ、およびＭｇ24ｇから合成され
たグリニヤ試薬（エーテル中）を（Ｓ−６）192 ｇに滴
下し、滴下終了後 4時間還流させた。生成した塩を濾取
し、濾液を濃縮して濃縮物を減圧下で蒸留し化合物（Ｍ
−３）を得た。
【０１１０】次に、金属ナトリウム 3.5ｇをトルエン 1
00ml中に分散させ、これに、化合物（Ｍ−３）36ｇを加
えて、 4時間反応させ（Ｍ−３）をポリマー化した。反
応終了後、未反応のナトリウムおよび塩化ナトリウム等
の不溶物を濾別し、濾液を減圧下で濃縮した。この濃縮
液をメタノール中に注ぎポリマーを精製した。
00ml中に分散させ、これに、化合物（Ｍ−３）36ｇを加
えて、 4時間反応させ（Ｍ−３）をポリマー化した。反
応終了後、未反応のナトリウムおよび塩化ナトリウム等
の不溶物を濾別し、濾液を減圧下で濃縮した。この濃縮
液をメタノール中に注ぎポリマーを精製した。
【０１１１】得られたポリマー 1ｇをＴＨＦ 200mlに溶
解させ、これにテトラブチルアンモニウムフルオライド
の 1ＭＴＨＦ溶液 5ccを加え、室温で10分間反応させる
ことによって、t-ブチルジメチルシリル基を分解させ
た。この反応溶液を塩酸の希薄水溶液で洗浄し、分離し
たＴＨＦ層を濃縮した。生成物をトルエン中に滴下し、
ポリシラン（Ｐ−４）（平均分子量 250,000）を得た。
解させ、これにテトラブチルアンモニウムフルオライド
の 1ＭＴＨＦ溶液 5ccを加え、室温で10分間反応させる
ことによって、t-ブチルジメチルシリル基を分解させ
た。この反応溶液を塩酸の希薄水溶液で洗浄し、分離し
たＴＨＦ層を濃縮した。生成物をトルエン中に滴下し、
ポリシラン（Ｐ−４）（平均分子量 250,000）を得た。
【０１１２】次に、ポリシラン（Ｐ−４）30mgをシクロ
ヘキサノン 1リットルに溶解させ、該溶液を水面上に展
開して単分子膜を形成した。続いて、これら単分子膜を
使用して、実施例１３と同様の方法、即ちＬＢ法による
プロセスによって、即ちＬＢ法によるプロセスによっ
て、基板上にポリシラン（Ｐ−４）が累積されたポリシ
ラン累積膜（膜厚 200オングストローム）を形成した。
ヘキサノン 1リットルに溶解させ、該溶液を水面上に展
開して単分子膜を形成した。続いて、これら単分子膜を
使用して、実施例１３と同様の方法、即ちＬＢ法による
プロセスによって、即ちＬＢ法によるプロセスによっ
て、基板上にポリシラン（Ｐ−４）が累積されたポリシ
ラン累積膜（膜厚 200オングストローム）を形成した。
【０１１３】上記の如く形成されたポリシラン累積膜に
ついて、その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥
もなく、ほぼ均一に製膜されていることが確認された。
ついて、その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥
もなく、ほぼ均一に製膜されていることが確認された。
【０１１４】このＬＢ法により基板上に形成されたポリ
シラン累積膜において、水面からの基板の引上げ方向に
モーメントを有する波長 340nmの偏光ＵＶ吸収は、基板
の引上げ方向に垂直なモーメントを有する同様の偏光Ｕ
Ｖ吸収に比べて極めて大きかった。この結果より、当該
ポリシラン累積膜において、ポリシラン（Ｐ−４）のＳ
ｉ−Ｓｉ主鎖は、ＬＢ法による基板の引上げ方向に強く
配向していることが判った。 実施例１８ パラブロモフェノール 171ｇおよびt-ブチルジメチルシ
リルクロライド 160ｇを脱水エーテル 500ｇに溶解さ
せ、更にトリエチルアミン 101ｇを滴下した。 3時間還
流した後、生成した塩を濾取し、濾液を濃縮して蒸留
し、化合物（Ｇ−６）を得た。続いて、化合物（Ｇ−
６） 285ｇ、Ｍｇ24ｇから合成されたグリニヤ試薬（エ
ーテル中）を（Ｓ−３）381 ｇに滴下し、滴下終了後 4
時間還流させた。生成した塩を濾取し、濾液を濃縮して
濃縮物を減圧下で蒸留し化合物（Ｍ−１１）を得た。
シラン累積膜において、水面からの基板の引上げ方向に
モーメントを有する波長 340nmの偏光ＵＶ吸収は、基板
の引上げ方向に垂直なモーメントを有する同様の偏光Ｕ
Ｖ吸収に比べて極めて大きかった。この結果より、当該
ポリシラン累積膜において、ポリシラン（Ｐ−４）のＳ
ｉ−Ｓｉ主鎖は、ＬＢ法による基板の引上げ方向に強く
配向していることが判った。 実施例１８ パラブロモフェノール 171ｇおよびt-ブチルジメチルシ
リルクロライド 160ｇを脱水エーテル 500ｇに溶解さ
せ、更にトリエチルアミン 101ｇを滴下した。 3時間還
流した後、生成した塩を濾取し、濾液を濃縮して蒸留
し、化合物（Ｇ−６）を得た。続いて、化合物（Ｇ−
６） 285ｇ、Ｍｇ24ｇから合成されたグリニヤ試薬（エ
ーテル中）を（Ｓ−３）381 ｇに滴下し、滴下終了後 4
時間還流させた。生成した塩を濾取し、濾液を濃縮して
濃縮物を減圧下で蒸留し化合物（Ｍ−１１）を得た。
【０１１５】次に、金属ナトリウム 5.0ｇをトルエン 1
00ml中に分散させ、これに、化合物（Ｍ−１１）55.3ｇ
を65℃においてトルエン 100mlに溶解させた溶液を滴下
し、4時間反応させ（Ｍ−１１）をポリマー化した。反
応終了後、未反応のナトリウムおよび塩化ナトリウム等
の不溶物を濾別し、濾液を減圧下で濃縮した。この濃縮
液をメタノール中に注ぎポリマーを精製した。
00ml中に分散させ、これに、化合物（Ｍ−１１）55.3ｇ
を65℃においてトルエン 100mlに溶解させた溶液を滴下
し、4時間反応させ（Ｍ−１１）をポリマー化した。反
応終了後、未反応のナトリウムおよび塩化ナトリウム等
の不溶物を濾別し、濾液を減圧下で濃縮した。この濃縮
液をメタノール中に注ぎポリマーを精製した。
【０１１６】得られたポリマー10ｇをＴＨＦ 500mlに溶
解させ、これにテトラブチルアンモニムフルオライドの
1ＭＴＨＦ溶液54ccを加え、室温で10分間反応させるこ
とによって、t-ブチルジメチルシリル基を分解させた。
この反応溶液を塩酸の希薄水溶液で洗浄し、分離したＴ
ＨＦ層を濃縮した。生成物をトルエン中に滴下し、ポリ
シラン（Ｐ−１１）（平均分子量15,000）を得た。
解させ、これにテトラブチルアンモニムフルオライドの
1ＭＴＨＦ溶液54ccを加え、室温で10分間反応させるこ
とによって、t-ブチルジメチルシリル基を分解させた。
この反応溶液を塩酸の希薄水溶液で洗浄し、分離したＴ
ＨＦ層を濃縮した。生成物をトルエン中に滴下し、ポリ
シラン（Ｐ−１１）（平均分子量15,000）を得た。
【０１１７】次に、ポリシラン（Ｐ−１１）30mgをシク
ロヘキサノン 1リットルに溶解させ、該溶液を水面上に
展開して単分子膜を形成した。続いて、実施例１３と同
様の方法、即ちＬＢ法によるプロセスによって、基板上
に（Ｐ−１１）が累積されたポリシラン累積膜（膜厚 2
00オングストローム）を形成した。
ロヘキサノン 1リットルに溶解させ、該溶液を水面上に
展開して単分子膜を形成した。続いて、実施例１３と同
様の方法、即ちＬＢ法によるプロセスによって、基板上
に（Ｐ−１１）が累積されたポリシラン累積膜（膜厚 2
00オングストローム）を形成した。
【０１１８】上記の如く形成されたポリシラン累積膜に
ついて、その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥
もなく、ほぼ均一に製膜されていることが確認された。
ついて、その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥
もなく、ほぼ均一に製膜されていることが確認された。
【０１１９】このＬＢ法により基板上に形成されたポリ
シラン累積膜において、水面からの基板の引上げ方向に
モーメントを有する波長 303nmの偏光ＵＶ吸収は、基板
の引上げ方向に垂直なモーメントを有する同様の偏光Ｕ
Ｖ吸収に比べて極めて大きかった。この結果より、当該
ポリシラン累積膜において、ポリシラン（Ｐ−１１）の
Ｓｉ−Ｓｉ主鎖は、ＬＢ法による基板の引上げ方向に強
く配向していることが判った。
シラン累積膜において、水面からの基板の引上げ方向に
モーメントを有する波長 303nmの偏光ＵＶ吸収は、基板
の引上げ方向に垂直なモーメントを有する同様の偏光Ｕ
Ｖ吸収に比べて極めて大きかった。この結果より、当該
ポリシラン累積膜において、ポリシラン（Ｐ−１１）の
Ｓｉ−Ｓｉ主鎖は、ＬＢ法による基板の引上げ方向に強
く配向していることが判った。
【０１２０】また、当該ポリシラン累積膜について、３
次の非線形感受率を測定したところ、ＬＢ法による基板
の引上げ方向では 2×10-11 esu の値が、基板の引上げ
方向と垂直方向では 2×10-13 esu の値が夫々得られ
た。即ち、このポリシラン累積膜には非線形光学特性に
関して異方性のあることが判った。 実施例１９ ポリシラン（Ｐ−１１） 4.8ｇをＴＨＦ 100mlに溶解さ
せ、これにフェニルイソシアネート（Ｆ−４） 1.2ｇお
よびテトラエチルアミン 0,2mlをＴＨＦ 100mlに溶解さ
せた溶液を滴下し、室温で 3時間反応させた。反応終了
後、ポリマー溶液を水中に注ぎ、沈殿物を得た。該沈殿
物を乾燥した後トルエンに溶解させ、更にエタノール中
に滴下してポリシラン（ＰＦ−８）を得た。
次の非線形感受率を測定したところ、ＬＢ法による基板
の引上げ方向では 2×10-11 esu の値が、基板の引上げ
方向と垂直方向では 2×10-13 esu の値が夫々得られ
た。即ち、このポリシラン累積膜には非線形光学特性に
関して異方性のあることが判った。 実施例１９ ポリシラン（Ｐ−１１） 4.8ｇをＴＨＦ 100mlに溶解さ
せ、これにフェニルイソシアネート（Ｆ−４） 1.2ｇお
よびテトラエチルアミン 0,2mlをＴＨＦ 100mlに溶解さ
せた溶液を滴下し、室温で 3時間反応させた。反応終了
後、ポリマー溶液を水中に注ぎ、沈殿物を得た。該沈殿
物を乾燥した後トルエンに溶解させ、更にエタノール中
に滴下してポリシラン（ＰＦ−８）を得た。
【０１２１】次に、ポリシラン（ＰＦ−８）30mgをシク
ロヘキサノン 1リットルに溶解させ、該溶液を水面上に
展開して単分子膜を形成した。別途、ＴＣＮＱの単分子
膜を水面上に形成した。続いて、これら単分子膜を使用
して、実施例１３と同様の方法、即ちＬＢ法によるプロ
セスによって、基板上にポリシラン（ＰＦ−８）および
ＴＣＮＱを夫々20層交互に積層した。
ロヘキサノン 1リットルに溶解させ、該溶液を水面上に
展開して単分子膜を形成した。別途、ＴＣＮＱの単分子
膜を水面上に形成した。続いて、これら単分子膜を使用
して、実施例１３と同様の方法、即ちＬＢ法によるプロ
セスによって、基板上にポリシラン（ＰＦ−８）および
ＴＣＮＱを夫々20層交互に積層した。
【０１２２】上記の如く形成された積層構造について、
その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥もなく、
ほぼ均一に製膜されていることが確認された。 実施例２０ 6-ブロモ1-ヘキサノール 181ｇおよびt-ブチルジメチル
シリルクロライド 160ｇを脱水エーテル 500ｇに溶解さ
せ、更にトリエチルアミン 101ｇを滴下した。
その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥もなく、
ほぼ均一に製膜されていることが確認された。 実施例２０ 6-ブロモ1-ヘキサノール 181ｇおよびt-ブチルジメチル
シリルクロライド 160ｇを脱水エーテル 500ｇに溶解さ
せ、更にトリエチルアミン 101ｇを滴下した。
【０１２３】3時間還流した後、生成した塩を濾取し、
濾液を濃縮して蒸留し化合物（Ｇ−５）を得た。続い
て、化合物（Ｇ−５） 295ｇ、Ｍｇ24ｇから合成された
グリニヤ試薬（エーテル中）を（Ｓ−５）220 ｇに滴下
し、滴下終了後 4時間還流させた。生成した塩を濾取
し、濾液を濃縮して濃縮物を減圧下で蒸留し化合物（Ｍ
−１２）を得た。
濾液を濃縮して蒸留し化合物（Ｇ−５）を得た。続い
て、化合物（Ｇ−５） 295ｇ、Ｍｇ24ｇから合成された
グリニヤ試薬（エーテル中）を（Ｓ−５）220 ｇに滴下
し、滴下終了後 4時間還流させた。生成した塩を濾取
し、濾液を濃縮して濃縮物を減圧下で蒸留し化合物（Ｍ
−１２）を得た。
【０１２４】次に、金属ナトリウム 5.0ｇをトルエン 1
00ml中に分散させ、これに、化合物（Ｍ−１２）28.6ｇ
を65℃においてトルエン 100mlに溶解させた溶液を滴下
し、4時間反応させ（Ｍ−１２）をポリマー化した。反
応終了後、未反応のナトリウムおよび塩化ナトリウム等
の不溶物を濾別し、濾液を減圧下で濃縮した。この濃縮
液をメタノール中に注ぎポリマーを精製した。
00ml中に分散させ、これに、化合物（Ｍ−１２）28.6ｇ
を65℃においてトルエン 100mlに溶解させた溶液を滴下
し、4時間反応させ（Ｍ−１２）をポリマー化した。反
応終了後、未反応のナトリウムおよび塩化ナトリウム等
の不溶物を濾別し、濾液を減圧下で濃縮した。この濃縮
液をメタノール中に注ぎポリマーを精製した。
【０１２５】得られたポリマー10ｇをＴＨＦ 500mlに溶
解させ、これにテトラブチルアンモニウムフルオライド
の 1ＭＴＨＦ溶液54ccを加え、室温で10分間反応させる
ことによって、t-ブチルジメチルシリル基を分解させ
た。この反応溶液を塩酸の希薄水溶液で洗浄し、分離し
たＴＨＦ層を濃縮した。生成物をトルエン中に滴下し、
ポリシラン（Ｐ−１２）（平均分子量12,000）を得た。
解させ、これにテトラブチルアンモニウムフルオライド
の 1ＭＴＨＦ溶液54ccを加え、室温で10分間反応させる
ことによって、t-ブチルジメチルシリル基を分解させ
た。この反応溶液を塩酸の希薄水溶液で洗浄し、分離し
たＴＨＦ層を濃縮した。生成物をトルエン中に滴下し、
ポリシラン（Ｐ−１２）（平均分子量12,000）を得た。
【０１２６】次に、ポリシラン（Ｐ−１２）30mgをシク
ロヘキサノン 1リットルに溶解させ、該溶液を水面上に
展開して単分子膜を形成した。続いて、これら単分子膜
を使用して、実施例１３と同様の方法、即ちＬＢ法によ
るプロセスによって、基板上に（Ｐ−１２）が20層積層
されたポリシラン累積膜を形成した。
ロヘキサノン 1リットルに溶解させ、該溶液を水面上に
展開して単分子膜を形成した。続いて、これら単分子膜
を使用して、実施例１３と同様の方法、即ちＬＢ法によ
るプロセスによって、基板上に（Ｐ−１２）が20層積層
されたポリシラン累積膜を形成した。
【０１２７】上記の如く形成されたポリシラン累積膜に
ついて、その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥
もなく、ほぼ均一に製膜されていることが確認された。
ついて、その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥
もなく、ほぼ均一に製膜されていることが確認された。
【０１２８】このＬＢ法により基板上に形成されたポリ
シラン累積膜において、水面からの基板の引上げ方向に
モーメントを有する波長 335nmの偏光ＵＶ吸収は、基板
の引上げ方向に垂直なモーメントを有する同様の偏光Ｕ
Ｖ吸収に比べて極めて大きかった。この結果より、当該
ポリシラン累積膜において、ポリシラン（Ｐ−１２）の
Ｓｉ−Ｓｉ主鎖は、ＬＢ法による基板の引上げ方向に強
く配向していることが判った。 実施例２１ ポリシラン（Ｐ−１３）30mgをシクロヘキサノン 1リッ
トルに溶解させ、該溶液を水面上に展開して単分子膜を
形成した。続いて、これら単分子膜を使用して、実施例
１３と同様の方法、即ちＬＢ法によるプロセスによっ
て、基板上にポリシラン（Ｐ−１３）が20層累積された
ポリシラン累積膜を形成した。
シラン累積膜において、水面からの基板の引上げ方向に
モーメントを有する波長 335nmの偏光ＵＶ吸収は、基板
の引上げ方向に垂直なモーメントを有する同様の偏光Ｕ
Ｖ吸収に比べて極めて大きかった。この結果より、当該
ポリシラン累積膜において、ポリシラン（Ｐ−１２）の
Ｓｉ−Ｓｉ主鎖は、ＬＢ法による基板の引上げ方向に強
く配向していることが判った。 実施例２１ ポリシラン（Ｐ−１３）30mgをシクロヘキサノン 1リッ
トルに溶解させ、該溶液を水面上に展開して単分子膜を
形成した。続いて、これら単分子膜を使用して、実施例
１３と同様の方法、即ちＬＢ法によるプロセスによっ
て、基板上にポリシラン（Ｐ−１３）が20層累積された
ポリシラン累積膜を形成した。
【０１２９】上記の如く形成された累積膜について、そ
の表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥もなく、ほ
ぼ均一に製膜されていることが確認された。
の表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥もなく、ほ
ぼ均一に製膜されていることが確認された。
【０１３０】このＬＢ法により基板上に形成されたポリ
シラン累積膜において、水面からの基板の引上げ方向に
モーメントを有する波長 345nmの偏光ＵＶ吸収は、基板
の引上げ方向に垂直なモーメントを有する同様の偏光Ｕ
Ｖ吸収に比べて極めて大きかった。この結果より、当該
ポリシラン累積膜において、ポリシラン（Ｐ−１３）の
Ｓｉ−Ｓｉ主鎖は、ＬＢ法による基板の引上げ方向に強
く配向していることが判った。 比較例２ ポリシラン（ＰＸ−２）30mgをクロロホルム 1リットル
に溶解させ、該溶液を水面上に展開したが、単分子膜を
形成することができなかった。 実施例２２ 実施例１で合成されたポリシラン（Ｐ−１）30mgをシク
ロヘキサノン 1リットルに溶解させ、該ポリマー溶液を
水面上に展開して単分子膜を形成した。続いて、シリコ
ンウェハ基板を水面（単分子膜面）に対して垂直方向に
浸漬させた後、基板を水面上に引き上げた（操作１）。
シラン累積膜において、水面からの基板の引上げ方向に
モーメントを有する波長 345nmの偏光ＵＶ吸収は、基板
の引上げ方向に垂直なモーメントを有する同様の偏光Ｕ
Ｖ吸収に比べて極めて大きかった。この結果より、当該
ポリシラン累積膜において、ポリシラン（Ｐ−１３）の
Ｓｉ−Ｓｉ主鎖は、ＬＢ法による基板の引上げ方向に強
く配向していることが判った。 比較例２ ポリシラン（ＰＸ−２）30mgをクロロホルム 1リットル
に溶解させ、該溶液を水面上に展開したが、単分子膜を
形成することができなかった。 実施例２２ 実施例１で合成されたポリシラン（Ｐ−１）30mgをシク
ロヘキサノン 1リットルに溶解させ、該ポリマー溶液を
水面上に展開して単分子膜を形成した。続いて、シリコ
ンウェハ基板を水面（単分子膜面）に対して垂直方向に
浸漬させた後、基板を水面上に引き上げた（操作１）。
【０１３１】また、フタロシアニン30mgをクロロホルム
1リットルに溶解させ、この溶液を水面上に展開して単
分子膜を形成した。続いて、シリコンウェハ基板を水面
（単分子膜面）に対して垂直方向に浸漬させた後、基板
を水面上に引き上げた（操作２）。
1リットルに溶解させ、この溶液を水面上に展開して単
分子膜を形成した。続いて、シリコンウェハ基板を水面
（単分子膜面）に対して垂直方向に浸漬させた後、基板
を水面上に引き上げた（操作２）。
【０１３２】以上の操作１および操作２を交互に繰り返
して行い、基板上にポリシラン（Ｐ−１）とフタロシア
ニンとを交互に累積させ、ポリシラン単分子膜と有機薄
膜とが夫々12層積層された有機薄膜素子を形成した。
して行い、基板上にポリシラン（Ｐ−１）とフタロシア
ニンとを交互に累積させ、ポリシラン単分子膜と有機薄
膜とが夫々12層積層された有機薄膜素子を形成した。
【０１３３】上記の如く形成された有機薄膜素子につい
て、その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥もな
く、ほぼ均一に製膜されていることが確認された。 実施例２３ 実施例２で合成されたポリシラン（Ｐ−２）30mgをシク
ロヘキサノン 1リットルに溶解した。該ポリマー溶液、
およびまた有機物としてフタロシアニンを使用し、実施
例２２と同様の方法に従って、基板上にポリシラン薄膜
とフタロシアニンを含有する有機薄膜とが積層された総
膜厚約 200オングストロームの有機薄膜素子を形成し
た。
て、その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥もな
く、ほぼ均一に製膜されていることが確認された。 実施例２３ 実施例２で合成されたポリシラン（Ｐ−２）30mgをシク
ロヘキサノン 1リットルに溶解した。該ポリマー溶液、
およびまた有機物としてフタロシアニンを使用し、実施
例２２と同様の方法に従って、基板上にポリシラン薄膜
とフタロシアニンを含有する有機薄膜とが積層された総
膜厚約 200オングストロームの有機薄膜素子を形成し
た。
【０１３４】上記の如く形成された有機薄膜素子につい
て、その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥もな
く、ほぼ均一に製膜されていることが確認された。
て、その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥もな
く、ほぼ均一に製膜されていることが確認された。
【０１３５】また、当該有機薄膜素子の光感度を測定し
たところ 3.5lux sec.の起電力が得られた。 実施例２４ 実施例３で合成されたポリシラン（Ｐ−３）30mgをシク
ロヘキサノン 1リットルに溶解させた。該ポリマー溶
液、および有機物としてＣ60（フラーレー分子）を使用
し、実施例２２と同様の方法に従って、基板上にポリシ
ラン単分子膜とＣ60を含有する有機薄膜とが夫々50層積
層された有機薄膜素子を形成した。
たところ 3.5lux sec.の起電力が得られた。 実施例２４ 実施例３で合成されたポリシラン（Ｐ−３）30mgをシク
ロヘキサノン 1リットルに溶解させた。該ポリマー溶
液、および有機物としてＣ60（フラーレー分子）を使用
し、実施例２２と同様の方法に従って、基板上にポリシ
ラン単分子膜とＣ60を含有する有機薄膜とが夫々50層積
層された有機薄膜素子を形成した。
【０１３６】上記の如く形成された有機薄膜素子につい
て、その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥もな
く、ほぼ均一な膜が製膜されていることが確認された。
て、その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥もな
く、ほぼ均一な膜が製膜されていることが確認された。
【０１３７】また、当該有機薄膜素子について、タイム
オフフライト法によりホールの移動度を測定した。この
結果、10-4cm2 ／V.sec.の値を示し、ホールの移動層と
して好適に機能することが判った。
オフフライト法によりホールの移動度を測定した。この
結果、10-4cm2 ／V.sec.の値を示し、ホールの移動層と
して好適に機能することが判った。
【０１３８】更に、当該薄膜素子の３次の非線形感受率
を測定したところ、10-11 esu の値が得られ、優れた非
線形光学特性が確認された。 実施例２５ ポリシラン（Ｐ−２）30mgをシクロヘキサノン 1リット
ルに溶解させた溶液、および有機物としてＴＣＮＱ（7,
7,8,8-テトラシアノキノンジメタン）を使用し、実施例
２２と同様の方法に従って、基板上にポリシラン単分子
膜とＴＣＮＱを含有する有機薄膜とが夫々20層積層され
た有機薄膜素子を形成した。
を測定したところ、10-11 esu の値が得られ、優れた非
線形光学特性が確認された。 実施例２５ ポリシラン（Ｐ−２）30mgをシクロヘキサノン 1リット
ルに溶解させた溶液、および有機物としてＴＣＮＱ（7,
7,8,8-テトラシアノキノンジメタン）を使用し、実施例
２２と同様の方法に従って、基板上にポリシラン単分子
膜とＴＣＮＱを含有する有機薄膜とが夫々20層積層され
た有機薄膜素子を形成した。
【０１３９】上記の如く形成された有機薄膜素子につい
て、その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥もな
く、ほぼ均一な膜が製膜されていることが確認された。
て、その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥もな
く、ほぼ均一な膜が製膜されていることが確認された。
【０１４０】また、当該有機薄膜素子について導電率を
測定したところ10-4Ωcmの値が得られ、高い導電性を有
することが判った。 実施例２６ ポリシラン（Ｐ−２）30mgをシクロヘキサノン 1リット
ルに溶解させたポリマー溶液、および有機物として化合
物（Ｋ−１）を使用し、実施例２２と同様の方法に従っ
て、基板上にポリシラン単分子膜と（Ｋ−１）を含有す
る有機薄膜とが夫々20層累積された有機薄膜素子を形成
した。
測定したところ10-4Ωcmの値が得られ、高い導電性を有
することが判った。 実施例２６ ポリシラン（Ｐ−２）30mgをシクロヘキサノン 1リット
ルに溶解させたポリマー溶液、および有機物として化合
物（Ｋ−１）を使用し、実施例２２と同様の方法に従っ
て、基板上にポリシラン単分子膜と（Ｋ−１）を含有す
る有機薄膜とが夫々20層累積された有機薄膜素子を形成
した。
【０１４１】上記の如く形成された有機薄膜素子につい
て、その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥もな
く、ほぼ均一な膜が製膜されていることが確認された。
て、その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥もな
く、ほぼ均一な膜が製膜されていることが確認された。
【０１４２】また、当該有機薄膜素子について、タイム
オフフライト法によりホールの移動度を測定した。この
結果、10-4cm2 ／V.sec.の値を示し、ホールの移動層と
して好適に機能することが判った。 実施例２７ 実施例４で合成されたポリシラン（Ｐ−４）30mgをシク
ロヘキサノン 1リットルに溶解させたポリマー、および
有機物としてフタロシアニンを使用し、実施例２２と同
様の方法に従って、基板上にポリシラン単分子膜とフタ
ロシアニンを含有する有機薄膜とが夫々20層積層された
有機薄膜素子を形成した。
オフフライト法によりホールの移動度を測定した。この
結果、10-4cm2 ／V.sec.の値を示し、ホールの移動層と
して好適に機能することが判った。 実施例２７ 実施例４で合成されたポリシラン（Ｐ−４）30mgをシク
ロヘキサノン 1リットルに溶解させたポリマー、および
有機物としてフタロシアニンを使用し、実施例２２と同
様の方法に従って、基板上にポリシラン単分子膜とフタ
ロシアニンを含有する有機薄膜とが夫々20層積層された
有機薄膜素子を形成した。
【０１４３】上記の如く形成された有機薄膜素子につい
て、その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥もな
く、ほぼ均一な膜が製膜されていることが確認された。
て、その表面をＳＥＭで観察したところ、膜の欠陥もな
く、ほぼ均一な膜が製膜されていることが確認された。
【０１４４】また、当該有機薄膜素子の３次の非線形感
受率を測定したところ、ＬＢ法による基板の引上げ方向
については10-11 esu の値が、該引上げ方向と垂直方向
には10-13 esu の値が夫々得られた。即ち、この有機薄
膜素子には異方性のあることが判った。
受率を測定したところ、ＬＢ法による基板の引上げ方向
については10-11 esu の値が、該引上げ方向と垂直方向
には10-13 esu の値が夫々得られた。即ち、この有機薄
膜素子には異方性のあることが判った。
【０１４５】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明のポリシラ
ン単分子膜および累積膜では、優れた規則性および均一
性が実現されており、これに起因して、上述したように
様々な特性を示す。従って、本発明のポリシラン単分子
膜および累積膜は、ホールおよび電荷の移動層、フォト
リソグラフィに使用される感光性材料、ＥＬ素子、光遅
延素子、センサー等の有機薄膜素子に使用される半導体
材料、非線形光学材料、絶縁材料、圧電材料、焦電材料
等の多種に亘る機能性材料に応用が可能であり、その工
業的価値は極めて大きい。
ン単分子膜および累積膜では、優れた規則性および均一
性が実現されており、これに起因して、上述したように
様々な特性を示す。従って、本発明のポリシラン単分子
膜および累積膜は、ホールおよび電荷の移動層、フォト
リソグラフィに使用される感光性材料、ＥＬ素子、光遅
延素子、センサー等の有機薄膜素子に使用される半導体
材料、非線形光学材料、絶縁材料、圧電材料、焦電材料
等の多種に亘る機能性材料に応用が可能であり、その工
業的価値は極めて大きい。
【０１４６】〔表 Ａ〕
【０１４７】
【化９】
【０１４８】
【化１０】
【０１４９】
【化１１】
【０１５０】
【化１２】
【０１５１】
【化１３】
【０１５２】
【化１４】
【０１５３】
【化１５】
【０１５４】
【化１６】
【０１５５】
【化１７】
【０１５６】
【化１８】
【０１５７】
【化１９】
【０１５８】
【化２０】
【０１５９】
【化２１】
【０１６０】
【化２２】
【０１６１】
【化２３】
【０１６２】
【化２４】
【０１６３】
【化２５】
【０１６４】
【化２６】
【０１６５】
【化２７】
【０１６６】
【化２８】
【０１６７】
【化２９】
【０１６８】
【化３０】
【０１６９】
【化３１】
【０１７０】
【化３２】
【０１７１】
【化３３】
【０１７２】
【化３４】
【０１７３】
【化３５】
【０１７４】
【化３６】
【０１７５】
【化３７】
【０１７６】
【化３８】
【０１７７】
【化３９】
【０１７８】
【化４０】
【０１７９】
【化４１】
【０１８０】
【化４２】
【０１８１】
【化４３】
【０１８２】
【化４４】 （表Ａ中、ｎは重合度を、ｘおよびｙは共重合体組成を
夫々表す。） 〔表 Ｂ〕
夫々表す。） 〔表 Ｂ〕
【０１８３】
【化４５】 （表Ｂ中、ｎは重合度を表す。） 〔表 Ｃ〕
【０１８４】
【化４６】
【０１８５】
【化４７】
【０１８６】
【化４８】
【０１８７】
【化４９】
【０１８８】
【化５０】
【０１８９】
【化５１】
【０１９０】
【化５２】
【０１９１】
【化５３】
【０１９２】
【化５４】
【０１９３】
【化５５】 （表Ｃ中、ｎは重合度を、ｘおよびｙは共重合体組成を
夫々表す。）
夫々表す。）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０２Ｆ 1/35 ５０４ 7246−2Ｋ Ｈ０１Ｌ 29/28 8728−4Ｍ // Ｂ０１Ｄ 71/70 8822−4Ｄ Ｃ０８Ｌ 83:00 (31)優先権主張番号 特願平3−278031 (32)優先日 平３(1991)10月24日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (72)発明者 善積 章 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝総合研究所内 (72)発明者 村井 伸次 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝総合研究所内 (72)発明者 可児 利佳子 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝総合研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 下記化１に示す一般式（１）で表される
反復単位を有するポリシランによって形成されるポリシ
ラン単分子膜。 【化１】 式中、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｘは夫々以下のものを示す。 Ｒ1 ：炭素数 1〜24の置換もしくは非置換アルキル基、
または炭素数 6〜24の置換もしくは非置換アリール基。 Ｒ2 ：炭素数 1〜24の２価の有機基。 Ｘ：水酸基、アミノ基、カルボン酸基、またはアミド結
合、エステル結合、カルバメート結合、およびカーボネ
ート結合から成る群より選ばれた少なくとも一種を有す
る親水基。 - 【請求項２】 下記化２に示す一般式（１）で表される
反復単位を有するポリシランによって形成されるポリシ
ラン単分子膜が、累積されてなるポリシラン累積膜。 【化２】 式中、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｘは夫々以下のものを示す。 Ｒ1 ：炭素数 1〜24の置換もしくは非置換アルキル基、
または炭素数 6〜24の置換もしくは非置換アリール基。 Ｒ2 ：炭素数 1〜24の２価の有機基。 Ｘ：水酸基、アミノ基、カルボン酸基、またはアミド結
合、エステル結合、カルバメート結合、およびカーボネ
ート結合から成る群より選ばれた少なくとも一種を有す
る親水基。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4098601A JPH05170947A (ja) | 1991-03-26 | 1992-03-26 | ポリシラン単分子膜およびポリシラン累積膜 |
Applications Claiming Priority (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6203791 | 1991-03-26 | ||
| JP3-62037 | 1991-10-24 | ||
| JP27803191 | 1991-10-24 | ||
| JP3-278029 | 1991-10-24 | ||
| JP27803091 | 1991-10-24 | ||
| JP3-278031 | 1991-10-24 | ||
| JP3-278030 | 1991-10-24 | ||
| JP27802991 | 1991-10-24 | ||
| JP4098601A JPH05170947A (ja) | 1991-03-26 | 1992-03-26 | ポリシラン単分子膜およびポリシラン累積膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05170947A true JPH05170947A (ja) | 1993-07-09 |
Family
ID=27523689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4098601A Pending JPH05170947A (ja) | 1991-03-26 | 1992-03-26 | ポリシラン単分子膜およびポリシラン累積膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05170947A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6730753B2 (en) | 2000-08-30 | 2004-05-04 | Basell Polyolefine Gmbh | Catalyst systems of the ziegler-natta type and a process for preparing them |
| WO2007066594A1 (ja) * | 2005-12-07 | 2007-06-14 | Osaka Gas Co., Ltd. | ポリシラン及びポリシランを含む樹脂組成物 |
| JP2023531394A (ja) * | 2020-06-18 | 2023-07-24 | レール・リキード－ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | ケイ素系自己組織化単分子膜組成物、及び、これを用いた表面調製 |
-
1992
- 1992-03-26 JP JP4098601A patent/JPH05170947A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6730753B2 (en) | 2000-08-30 | 2004-05-04 | Basell Polyolefine Gmbh | Catalyst systems of the ziegler-natta type and a process for preparing them |
| WO2007066594A1 (ja) * | 2005-12-07 | 2007-06-14 | Osaka Gas Co., Ltd. | ポリシラン及びポリシランを含む樹脂組成物 |
| US8163863B2 (en) | 2005-12-07 | 2012-04-24 | Osaka Gas Co., Ltd. | Polysilane and polysilane-containing resin composition |
| JP5613870B2 (ja) * | 2005-12-07 | 2014-10-29 | 大阪瓦斯株式会社 | ポリシラン及びポリシランを含む樹脂組成物 |
| JP2023531394A (ja) * | 2020-06-18 | 2023-07-24 | レール・リキード－ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | ケイ素系自己組織化単分子膜組成物、及び、これを用いた表面調製 |
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