JPH05160587A - 高周波回路装置 - Google Patents
高周波回路装置Info
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- JPH05160587A JPH05160587A JP3319140A JP31914091A JPH05160587A JP H05160587 A JPH05160587 A JP H05160587A JP 3319140 A JP3319140 A JP 3319140A JP 31914091 A JP31914091 A JP 31914091A JP H05160587 A JPH05160587 A JP H05160587A
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- Japan
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- conductor
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 10
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 21
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
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- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 発熱量の大きい半導体デバイスと発熱量が小
さい半導体デバイスとを１つの筐体に収納し、発熱量の
大きいデバイスで発生した熱が他のデバイスに影響を与
えないようにする。 【構成】 半導体デバイス２６と、それよりも発熱量の
小さい半導体デバイス２４と、裏面に接地導体１０を有
し表面にストリップ線路導体１２を有しストリップ線路
基板１４とを具備する高周波回路装置において、接地導
体１０の側から半導体デバイス２６の接地電極とストリ
ップ線路基板の接地導体として電気的に接続されるよう
に固定される導体ブロック４２と、接地導体１０の側か
ら半導体デバイス２４の接地電極と接地導体１０とに電
気的に接続されるように固定される導体ブロック５０と
導体ブロック５０との間では熱的に絶縁され、導体ブロ
ック４２との熱的結合面の反対側の面に表面積の大きい
放熱面を有する放熱器３０とを具備する。
さい半導体デバイスとを１つの筐体に収納し、発熱量の
大きいデバイスで発生した熱が他のデバイスに影響を与
えないようにする。 【構成】 半導体デバイス２６と、それよりも発熱量の
小さい半導体デバイス２４と、裏面に接地導体１０を有
し表面にストリップ線路導体１２を有しストリップ線路
基板１４とを具備する高周波回路装置において、接地導
体１０の側から半導体デバイス２６の接地電極とストリ
ップ線路基板の接地導体として電気的に接続されるよう
に固定される導体ブロック４２と、接地導体１０の側か
ら半導体デバイス２４の接地電極と接地導体１０とに電
気的に接続されるように固定される導体ブロック５０と
導体ブロック５０との間では熱的に絶縁され、導体ブロ
ック４２との熱的結合面の反対側の面に表面積の大きい
放熱面を有する放熱器３０とを具備する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波高出力増幅
器等の消費電力が大きく発熱量の大きい半導体デバイス
と発熱量が比較的小さい半導体デバイスとを１つの筐体
に収納した高周波回路装置に関する。
器等の消費電力が大きく発熱量の大きい半導体デバイス
と発熱量が比較的小さい半導体デバイスとを１つの筐体
に収納した高周波回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４（ａ）は代表的なマイクロ波高出力
増幅器を表す平面図であり、図４（ｂ）はその断面図で
ある。図中、ＦＥＴにバイアス電圧を供給するための回
路および入出力インピーダンスの整合のためのスタブ等
は簡単化のために省略されている。
増幅器を表す平面図であり、図４（ｂ）はその断面図で
ある。図中、ＦＥＴにバイアス電圧を供給するための回
路および入出力インピーダンスの整合のためのスタブ等
は簡単化のために省略されている。
【０００３】裏面に接地導体１０が施され、表面にマイ
クロストリップ線路で形成された回路パターン１２が施
されたマイクロストリップ線路基板１４が金属筐体１５
上にネジ止メされており、マイクロストリップ線路基板
１４上には入力コネクタ１６の側から順に小電力ＧａＡ
ｓＦＥＴ１８，２０、ＭＩＣサーキュレータ２２、中電
力ＧａＡｓＦＥＴ２４、大電力ＧａＡｓＦＥＴ２６が実
装され、出力コネクタ２８が接続される。金属筐体１５
の裏面には放熱のための放熱フィン３０が取り付けられ
る。金属筐体１５は基板１４および各デバイスの保持の
他にマイクロ波回路のアース面の連続性を保つ役割も担
っている。
クロストリップ線路で形成された回路パターン１２が施
されたマイクロストリップ線路基板１４が金属筐体１５
上にネジ止メされており、マイクロストリップ線路基板
１４上には入力コネクタ１６の側から順に小電力ＧａＡ
ｓＦＥＴ１８，２０、ＭＩＣサーキュレータ２２、中電
力ＧａＡｓＦＥＴ２４、大電力ＧａＡｓＦＥＴ２６が実
装され、出力コネクタ２８が接続される。金属筐体１５
の裏面には放熱のための放熱フィン３０が取り付けられ
る。金属筐体１５は基板１４および各デバイスの保持の
他にマイクロ波回路のアース面の連続性を保つ役割も担
っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この様に従来のマイク
ロ波高出力増幅器は、基板１４上に実装されるすべての
デバイスが金属筐体１５で熱的に結合された構造である
ので、図４（ｂ）に示されるように、大電力ＧａＡｓＦ
ＥＴ２６のような発熱量の大きいデバイスで発生した熱
が他の発熱の少ないデバイスに伝達され、特性の劣化を
招きやすいという問題があった。また、金属筐体１５の
形状が複雑であるため、加工工程が複雑となり、コスト
が高いという問題もあった。
ロ波高出力増幅器は、基板１４上に実装されるすべての
デバイスが金属筐体１５で熱的に結合された構造である
ので、図４（ｂ）に示されるように、大電力ＧａＡｓＦ
ＥＴ２６のような発熱量の大きいデバイスで発生した熱
が他の発熱の少ないデバイスに伝達され、特性の劣化を
招きやすいという問題があった。また、金属筐体１５の
形状が複雑であるため、加工工程が複雑となり、コスト
が高いという問題もあった。
【０００５】したがって本発明の第１の目的は、発熱量
の大きいデバイスで発生した熱が他のデバイスの特性に
影響を与えないような高周波回路装置を提供することに
する。本発明の第２の目的は、各構成部品の加工および
組立てが容易な高周波回路装置を提供することにある。
の大きいデバイスで発生した熱が他のデバイスの特性に
影響を与えないような高周波回路装置を提供することに
する。本発明の第２の目的は、各構成部品の加工および
組立てが容易な高周波回路装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前述の目的を達成する本
発明の高周波回路装置は、少なくとも１つの第１の半導
体デバイスと、該第１の半導体デバイスよりも動作中の
発熱量の小さい少なくとも１つの第２の半導体デバイス
と、裏面に接地導体を有し表面にストリップ線路導体を
有して該第１および第２の半導体デバイスとともに高周
波回路を形成するストリップ線路基板とを具備する高周
波回路装置において、前記ストリップ線路基板の接地導
体の側から、該第１の半導体デバイスの接地電極と該ス
トリップ線路基板の接地導体とに電気的に接続されるよ
うに固定される第１の導体ブロックと、前記ストリップ
線路基板の接地導体の側から、該第２の半導体デバイス
の接地電極と該ストリップ線路基板の接地導体とに電気
的に接続されるように固定される第２の導体ブロック
と、該第１の導体ブロックとの間で熱的に結合され、該
第２の導体ブロックとの間では熱的に絶縁され、該第１
の導体ブロックとの熱的結合面の反対側の面に表面積の
大きい放熱面を有する放熱器とを具備することを特徴と
するものである。
発明の高周波回路装置は、少なくとも１つの第１の半導
体デバイスと、該第１の半導体デバイスよりも動作中の
発熱量の小さい少なくとも１つの第２の半導体デバイス
と、裏面に接地導体を有し表面にストリップ線路導体を
有して該第１および第２の半導体デバイスとともに高周
波回路を形成するストリップ線路基板とを具備する高周
波回路装置において、前記ストリップ線路基板の接地導
体の側から、該第１の半導体デバイスの接地電極と該ス
トリップ線路基板の接地導体とに電気的に接続されるよ
うに固定される第１の導体ブロックと、前記ストリップ
線路基板の接地導体の側から、該第２の半導体デバイス
の接地電極と該ストリップ線路基板の接地導体とに電気
的に接続されるように固定される第２の導体ブロック
と、該第１の導体ブロックとの間で熱的に結合され、該
第２の導体ブロックとの間では熱的に絶縁され、該第１
の導体ブロックとの熱的結合面の反対側の面に表面積の
大きい放熱面を有する放熱器とを具備することを特徴と
するものである。
【０００７】
【作用】第１の導体ブロックと第２の導体ブロックはそ
れぞれ第１の半導体デバイスと第２の半導体デバイスに
対してアース面の連続性を保つために設けられている
が、放熱器は第１の導体ブロックのみに熱的に結合さ
れ、第２の導体ブロックとの間は熱的に絶縁されるの
で、第１の半導体デバイスで発生した熱が第２の半導体
デバイスの特性に影響を及ぼすことはない。
れぞれ第１の半導体デバイスと第２の半導体デバイスに
対してアース面の連続性を保つために設けられている
が、放熱器は第１の導体ブロックのみに熱的に結合さ
れ、第２の導体ブロックとの間は熱的に絶縁されるの
で、第１の半導体デバイスで発生した熱が第２の半導体
デバイスの特性に影響を及ぼすことはない。
【０００８】
【実施例】図１は本発明の第１の実施例に係るマイクロ
波高出力増幅器を表わす図であり、（ａ）欄は平面図、
（ｂ）欄はその断面図である。図４と同一の構成要素に
ついては同一の参照番号を付してその説明を省略する。
図１において、誘電体基板１４は、金属板を加工してつ
くられた金属枠４０に固定される。大電力ＧａＡｓＦＥ
Ｔ２６の実装位置において、基板１４の裏側からコの字
型金属ブロック４２が接地導体１０に当接され、基板１
４の表側からネジ４４でネジ止メされ、それに接触する
ように大電力ＧａＡｓＦＥＴ２６が実装される。したが
って、大電力ＧａＡｓＦＥＴ２６のアース面の連続性は
コの字型金属ブロック４２によって保たれる。
波高出力増幅器を表わす図であり、（ａ）欄は平面図、
（ｂ）欄はその断面図である。図４と同一の構成要素に
ついては同一の参照番号を付してその説明を省略する。
図１において、誘電体基板１４は、金属板を加工してつ
くられた金属枠４０に固定される。大電力ＧａＡｓＦＥ
Ｔ２６の実装位置において、基板１４の裏側からコの字
型金属ブロック４２が接地導体１０に当接され、基板１
４の表側からネジ４４でネジ止メされ、それに接触する
ように大電力ＧａＡｓＦＥＴ２６が実装される。したが
って、大電力ＧａＡｓＦＥＴ２６のアース面の連続性は
コの字型金属ブロック４２によって保たれる。
【０００９】中電力ＧａＡｓＦＥＴ２４およびＭＩＣサ
ーキュレータ２２の実装位置においては、それぞれ、コ
の字型金属ブロック５０，４６が接地導体１０に当接さ
れ、表側からネジ５２，４８でネジ止メされ、それらに
接触するように中電力ＧａＡｓＦＥＴ２４およびＭＩＣ
サーキュレータ２２が実装される。したがって、中電力
ＧａＡｓＦＥＴ２４とＭＩＣサーキュレータ２２におけ
るアース面の連続性は、それぞれ、コの字型金属ブロッ
ク５０と４６によって保たれる。
ーキュレータ２２の実装位置においては、それぞれ、コ
の字型金属ブロック５０，４６が接地導体１０に当接さ
れ、表側からネジ５２，４８でネジ止メされ、それらに
接触するように中電力ＧａＡｓＦＥＴ２４およびＭＩＣ
サーキュレータ２２が実装される。したがって、中電力
ＧａＡｓＦＥＴ２４とＭＩＣサーキュレータ２２におけ
るアース面の連続性は、それぞれ、コの字型金属ブロッ
ク５０と４６によって保たれる。
【００１０】金属枠４０の裏側には、放熱のため放熱フ
ィン３０がネジ止メされるが、このとき、コの字型金属
ブロック４２は放熱フィン３０の上面に接触しうる厚み
を持っているが、コの字型金属ブロック４６，５０はそ
れよりも薄いので放熱フィン３０の上面から離れてい
る。したがって、動作中において、大電力ＧａＡｓＦＥ
Ｔ２６の熱は放熱フィン３０から放熱されるが、コの字
型ブロック４６，５０は放熱フィン３０に接触していな
いので、大電力ＧａＡｓＦＥＴ２６からの熱がＭＩＣサ
ーキュレータ２２および中電力ＧａＡｓＦＥＴ２４へ伝
達されることはない。小電力ＧａＡｓＦＥＴ１８，２０
も放熱フィン３０に接触していないので、同様に大電力
ＧａＡｓＦＥＴ２６からの熱が伝達されない。
ィン３０がネジ止メされるが、このとき、コの字型金属
ブロック４２は放熱フィン３０の上面に接触しうる厚み
を持っているが、コの字型金属ブロック４６，５０はそ
れよりも薄いので放熱フィン３０の上面から離れてい
る。したがって、動作中において、大電力ＧａＡｓＦＥ
Ｔ２６の熱は放熱フィン３０から放熱されるが、コの字
型ブロック４６，５０は放熱フィン３０に接触していな
いので、大電力ＧａＡｓＦＥＴ２６からの熱がＭＩＣサ
ーキュレータ２２および中電力ＧａＡｓＦＥＴ２４へ伝
達されることはない。小電力ＧａＡｓＦＥＴ１８，２０
も放熱フィン３０に接触していないので、同様に大電力
ＧａＡｓＦＥＴ２６からの熱が伝達されない。
【００１１】図２は本発明の第２の実施例を表わす図で
ある。図には大電力ＧａＡｓＦＥＴ２６の近傍のみが示
されている。他の部分は図１と同様である。本実施例に
おいては、コの字型金属ブロック４２の裏側には広さが
それよりも多少広いだけの放熱フィンが取り付けられ、
大電力ＧａＡｓＦＥＴ２６だけの放熱を行なう。図３は
本発明の第３の実施側を表わす図であり、図２のコの字
型金属ブロック４２および放熱フィン６０をフィン付ブ
ロック６２に一体化したものである。
ある。図には大電力ＧａＡｓＦＥＴ２６の近傍のみが示
されている。他の部分は図１と同様である。本実施例に
おいては、コの字型金属ブロック４２の裏側には広さが
それよりも多少広いだけの放熱フィンが取り付けられ、
大電力ＧａＡｓＦＥＴ２６だけの放熱を行なう。図３は
本発明の第３の実施側を表わす図であり、図２のコの字
型金属ブロック４２および放熱フィン６０をフィン付ブ
ロック６２に一体化したものである。
【００１２】
【発明の効果】以上述べてきたように本発明によれば、
発熱量の大きいデバイスとそれよりも発熱量の小さいデ
バイスとを含んで構成される高周波回路装置であって、
発熱量の大きいデバイスで発生した熱が他のデバイスへ
影響を与えることがなく、かつ、加工・組立が容易な高
周波回路装置が提供される。
発熱量の大きいデバイスとそれよりも発熱量の小さいデ
バイスとを含んで構成される高周波回路装置であって、
発熱量の大きいデバイスで発生した熱が他のデバイスへ
影響を与えることがなく、かつ、加工・組立が容易な高
周波回路装置が提供される。
【図１】本発明の第１の実施例を表わす図である。
【図２】本発明の第２の実施例を表わす図である。
【図３】本発明の第３の実施例を表わす図である。
【図４】従来のマイクロ波高出力増幅器を表わす図であ
る。
る。
１０…接地導体 １２…回路パターン １４…マイクロストリップ線路基板 １６…入力コネクタ １８，２０…小電力ＧａＡｓＦＥＴ ２２…ＭＩＣサーキュレータ ２４…中電力ＧａＡｓＦＥＴ ２６…大電力ＧａＡｓＦＥＴ ２８…出力コネクタ ３０…放熱フィン ４０…金属枠 ４２，４６，５０…コの字型金属ブロック
Claims (3)
- 【請求項１】 少なくとも１つの第１の半導体デバイス
と、該第１の半導体デバイスよりも動作中の発熱量の小
さい少なくとも１つの第２の半導体デバイスと、裏面に
接地導体を有し表面にストリップ線路導体を有して該第
１および第２の半導体デバイスとともに高周波回路を形
成するストリップ線路基板とを具備する高周波回路装置
において、 前記ストリップ線路基板の接地導体の側から、該第１の
半導体デバイスの接地電極と該ストリップ線路基板の接
地導体とに電気的に接続されるように固定される第１の
導体ブロックと、 前記ストリップ線路基板の接地導体の側から、該第２の
半導体デバイスの接地電極と該ストリップ線路基板の接
地導体とに電気的に接続されるように固定される第２の
導体ブロックと、 該第１の導体ブロックとの間で熱的に結合され、該第２
の導体ブロックとの間では熱的に絶縁され、該第１の導
体ブロックとの熱的結合面の反対側の面に表面積の大き
い放熱面を有する放熱器とを具備することを特徴とする
高周波回路装置。 - 【請求項２】 前記ストリップ線路基板の裏面と前記放
熱器の熱的結合面とはほぼ平行になるように配置され、
前記第１の導体ブロックが該放熱器の熱的結合面に接触
するように配置されたとき前記第２の導体ブロックが該
熱的結合面と熱的に絶縁されるように、該第２の導体ブ
ロックは該第１の導体ブロックよりも薄い厚みを有する
請求項１記載の高周波回路装置。 - 【請求項３】 前記放熱器の熱的結合面は前記第１の導
体ブロックの下方を占め、前記第２の導体ブロックの下
方を占めない広さを有する請求項１記載の高周波回路装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3319140A JPH05160587A (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 高周波回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3319140A JPH05160587A (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 高周波回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05160587A true JPH05160587A (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=18106896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3319140A Withdrawn JPH05160587A (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 高周波回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05160587A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6097600A (en) * | 1998-01-23 | 2000-08-01 | Alps Electric Co., Ltd. | Electric device |
| KR100454544B1 (ko) * | 2002-05-24 | 2004-11-03 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 고주파 회로 및 그 제조 방법 |
-
1991
- 1991-12-03 JP JP3319140A patent/JPH05160587A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6097600A (en) * | 1998-01-23 | 2000-08-01 | Alps Electric Co., Ltd. | Electric device |
| KR100454544B1 (ko) * | 2002-05-24 | 2004-11-03 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 고주파 회로 및 그 제조 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990311 |