JPH05152482A - Manufacture of ic chip loaded components - Google Patents
Manufacture of ic chip loaded componentsInfo
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- JPH05152482A JPH05152482A JP33968091A JP33968091A JPH05152482A JP H05152482 A JPH05152482 A JP H05152482A JP 33968091 A JP33968091 A JP 33968091A JP 33968091 A JP33968091 A JP 33968091A JP H05152482 A JPH05152482 A JP H05152482A
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Abstract
Description
【0001】本発明はリードフレームあるいはTAB用
テープ等のICチップ搭載部品の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing an IC chip mounted component such as a lead frame or a TAB tape.
【0002】[0002]
【従来の技術】ICチップを搭載するリードフレームは
ICチップの高集積化とともに多ピン化が進んでいる。
薄板材をエッチングして所定のリードパターンを有する
エッチングによるリードフレームの製造方法は、高密度
にリードパターンを形成できることから多ピンのリード
フレームの生産に多用されている。このエッチング方法
によるリードフレームの製造では使用するリードフレー
ム材の板厚がリードの最小ピッチ間隔を規制するから、
リードを高密度に形成する場合はより薄厚のリードフレ
ーム材を用いなければならない。TAB用テープは絶縁
フィルムで導体金属基材を支持することによって、通常
のリードフレーム材にくらべてはるかに薄厚の導体金属
基材を使用することを可能にしたもので、これによって
きわめて微細なリードパターンを形成することを可能に
した。TAB用テープはふつうのリードフレームでは形
成できないきわめて高密度なリードパターンが必要な製
品に使用されている。2. Description of the Related Art A lead frame having an IC chip mounted thereon is becoming more and more pinned as the IC chip is highly integrated.
The method of manufacturing a lead frame by etching a thin plate material and having a predetermined lead pattern is widely used for producing a lead frame having a large number of pins because the lead pattern can be formed at a high density. In the manufacturing of the lead frame by this etching method, the plate thickness of the lead frame material used regulates the minimum lead pitch interval,
When forming the leads with high density, a thinner lead frame material must be used. By supporting the conductive metal base material with an insulating film, the TAB tape makes it possible to use a conductive metal base material that is much thinner than ordinary lead frame materials. It is possible to form a pattern. TAB tapes are used in products that require extremely high density lead patterns that cannot be formed by ordinary lead frames.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】上記のリードフレーム
あるいはTAB用テープは導体金属基材にリードパター
ンに応じたレジストパターンを設け、導体金属基材を化
学的にエッチングして不要部を除去することによりリー
ドパターンを形成する。ところで、通常の化学的なエッ
チング方法では等方的にエッチングが進むため最初は深
さ方向にエッチングが進むものの、さらにエッチングが
進むとエッチングによって形成された溝の側壁も徐々に
エッチングされる(サイドエッチ)。このようにサイド
エッチが進むことにより、レジストパターンの境界線位
置よりも中側までエッチングされるから、エッチング後
の製品はレジストパターンとは異なるリードパターンを
もつ製品となる。このように、サイドエッチは製品の加
工精度に影響を及ぼすため、サイドエッチの量をあらか
じめ見込んでレジストパターンの描画像を形成するよう
にすることも行われている。In the above lead frame or TAB tape, a conductive metal base material is provided with a resist pattern corresponding to the lead pattern, and the conductive metal base material is chemically etched to remove unnecessary portions. To form a lead pattern. By the way, in the usual chemical etching method, since the etching proceeds isotropically in the depth direction, the sidewalls of the groove formed by the etching are gradually etched (side etching). Etch). As the side etching progresses in this way, etching is performed to the inside of the boundary line position of the resist pattern, so that the product after etching becomes a product having a lead pattern different from the resist pattern. As described above, since the side etching affects the processing accuracy of the product, the amount of the side etching is expected in advance to form a drawn image of the resist pattern.
【0004】ところで、エッチングによってリードを形
成する製造方法にあっては、リードパターンがきわめて
高密度になるとエッチング液の液まわりが悪くなり、エ
ッチング時間が長くかかるという問題点がある。たとえ
ば、インナーリードの先端部などはリード間隔が狭いか
らエッチングに時間がかかる。上記のサイドエッチはリ
ード間隔すなわち液まわりにも依存して変動するから、
高密度リードパターンを形成する場合の加工精度にも影
響を与える。そこで、本発明は上記問題点を解消すべく
なされたものであり、その目的とするところは、高密度
に導体パターンを形成することができ、リードフレーム
あるいはTAB用テープ部品の製造時のエッチングに要
する時間を短縮することのできるICチップ搭載部品の
製造方法を提供しようとするものである。However, the manufacturing method of forming the leads by etching has a problem that when the lead pattern becomes extremely high in density, the liquid around the etching solution deteriorates and the etching time becomes long. For example, it takes a long time to etch the tips of the inner leads because the lead interval is narrow. Since the side etch changes depending on the lead spacing, that is, the liquid circumference,
It also affects the processing accuracy when forming a high-density lead pattern. Therefore, the present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to enable formation of a conductor pattern at a high density and to perform etching during manufacturing of a lead frame or a TAB tape component. An object of the present invention is to provide a method of manufacturing an IC chip mounted component that can reduce the time required.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、導体金属基材を
エッチングして所定の導体パターンを有するリードフレ
ームあるいはTAB用テープ等のICチップ搭載部品を
作成するICチップ搭載部品の製造方法において、前記
導体金属基材の前記導体パターンにしたがいエッチング
により除去する個所に、レーザ光あるいは電子線を用い
て厚み方向に貫通する透孔をあらかじめ形成し、該導体
金属基材にレジストフィルムを貼着してレジストパター
ンを形成し、前記導体金属基材をエッチングして所定の
導体パターンを有するICチップ搭載部品を形成するこ
とを特徴とする。また、前記導体金属基材上に形成すべ
き導体パターンにしたがってレジストパターンを形成
し、該レジストパターンを形成した導体金属基材でエッ
チングにより除去する個所にレーザ光あるいは電子線を
用いて厚み方向に貫通する透孔を設け、該透孔を設けた
導体金属基材をエッチングすることによって所定の導体
パターンを有するICチップ搭載部品を形成することを
特徴とする。The present invention has the following constitution in order to achieve the above object. That is, in a method of manufacturing an IC chip mounted component such as a lead frame having a predetermined conductor pattern or an IC chip mounted component such as a TAB tape having a predetermined conductor pattern by etching the conductive metal substrate, the conductor pattern of the conductive metal substrate is Accordingly, a through hole that penetrates in the thickness direction is previously formed by using a laser beam or an electron beam at a portion to be removed by etching, and a resist film is attached to the conductor metal base material to form a resist pattern. It is characterized in that the base material is etched to form an IC chip mounting component having a predetermined conductor pattern. In addition, a resist pattern is formed according to the conductor pattern to be formed on the conductor metal base material, and a portion to be removed by etching in the conductor metal base material on which the resist pattern is formed is removed in the thickness direction by using a laser beam or an electron beam. It is characterized in that a through hole is provided and a conductor metal base material provided with the through hole is etched to form an IC chip mounting component having a predetermined conductor pattern.
【0006】[0006]
【作用】導体金属基材にレジストパターンを形成して導
体金属基材をエッチングする際に、あらかじめ導体金属
基材のうちエッチングによって除去する個所に透孔を形
成する。これによって、導体金属基材をエッチングする
際に透孔を設けた個所でのエッチング液の液まわりがよ
くなりエッチング性を向上させる。インナーリードの先
端部等のように高密度に導体パターンが形成される個所
に透孔を設けることによってエッチングを効率的に行う
ことが可能になる。When the resist pattern is formed on the conductor metal base material and the conductor metal base material is etched, through holes are previously formed in the conductor metal base material at portions to be removed by etching. As a result, when the conductive metal base material is etched, the liquid around the etching solution is improved at the place where the through hole is provided, and the etching property is improved. By providing a through hole in a portion where a conductor pattern is formed with high density, such as the tip of the inner lead, etching can be efficiently performed.
【0007】[0007]
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて詳細に説明する。本発明に係るICチップ搭載部
品の製造方法はエッチングしようとする導体金属基材に
形成すべき導体パターンにしたがってあらかじめ透孔を
形成した後、導体金属基材をエッチングしてリードパタ
ーンを形成することを特徴とする。通常のリードフレー
ムの製造にあたっては長尺の導体金属基材にレジストを
塗布し、所定の導体パターンにしたがって描画像を感光
し、レジストエッチングによって導体金属基材上にエッ
チング除去する部分を露出させたレジストパターンを形
成した後、エッチング工程で導体金属基材をエッチング
してリードフレームを形成する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT A preferred embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. In the method of manufacturing an IC chip mounted component according to the present invention, a through hole is formed in advance according to a conductor pattern to be formed on a conductor metal base material to be etched, and then the conductor metal base material is etched to form a lead pattern. Is characterized by. In the production of ordinary lead frames, a resist is applied to a long conductor metal base material, a drawn image is exposed according to a predetermined conductor pattern, and a portion to be removed by etching is exposed on the conductor metal base material by resist etching. After forming the resist pattern, the conductor metal base material is etched in an etching process to form a lead frame.
【0008】本発明方法は導体金属基材をエッチングす
る以前に導体金属基材の所要位置に透孔を形成し、リー
ドパターンのうちで微細パターン部分が容易にエッチン
グできるようにしてエッチングする。導体金属基材に透
孔を形成する工程は導体金属基材をエッチングする工程
前に設定すればよいが、工程的にはレジストパターンを
形成した後に透孔を形成する場合と、レジストパターン
を形成する前に透孔を形成する2つの方法がある。According to the method of the present invention, a through hole is formed at a required position of the conductor metal base material before the conductor metal base material is etched so that the fine pattern portion of the lead pattern can be easily etched. The step of forming the through holes in the conductive metal base material may be set before the step of etching the conductive metal base material, but in terms of the process, the case where the through holes are formed after the resist pattern is formed and the resist pattern is formed. There are two methods of forming through holes before
【0009】前者の方法による場合は次のようにして行
う。まず、上述した従来方法と同様に形成すべき導体パ
ターンにしたがって導体金属基材上にレジストパターン
を形成し、この状態で透孔を形成する。図1は導体金属
基材上にレジストパターン10を形成した後、透孔12
を形成した状態である。レジストパターン10は図のよ
うにインナーリードのパターンあるいはステージ部10
aのパターンにしたがって導体金属基材上に形成され
る。レジストパターン10は導体金属基材上でインナー
リードあるいはステージ部となる部分を被覆しており、
これ以外の部分は導体金属基材が露出する。The former method is performed as follows. First, a resist pattern is formed on a conductor metal base material according to the conductor pattern to be formed in the same manner as in the above-mentioned conventional method, and through holes are formed in this state. FIG. 1 shows that after forming a resist pattern 10 on a conductive metal base material, a through hole 12 is formed.
Is formed. The resist pattern 10 is a pattern of the inner leads or the stage portion 10 as shown in the figure.
It is formed on the conductive metal base material according to the pattern of a. The resist pattern 10 covers a portion which will be an inner lead or a stage portion on a conductive metal base material,
The conductor metal base material is exposed at the other portions.
【0010】前記透孔12はレジストパターン10のう
ち導体金属基材が露出する部分に厚み方向に貫通させて
設けるもので、図1に示す実施例ではリード間にスリッ
ト状に細長く開口させている。透孔12はレーザ光ある
いは電子線を用いて設けるもので、レーザ光あるいは電
子線を用いることによって数十μm程度の幅で透孔を設
けることができる。リードフレームあるいはTAB用テ
ープでのリード間隔は最小で100 μm 程度であるから、
レーザ光あるいは電子線を使用することによって容易に
リード間のスペース部分に透孔を形成することが可能で
ある。これら透孔12はリードフレームあるいはTAB
用テープの導体パターンに応じて適宜位置に形成すれば
よいが、とくにリード間隔が狭小となってエッチング液
の液まわりが悪くなるインナーリードの先端部付近に設
けると効果的である。The through hole 12 is provided in the portion of the resist pattern 10 where the conductive metal base material is exposed so as to penetrate therethrough in the thickness direction, and in the embodiment shown in FIG. .. The through hole 12 is provided by using a laser beam or an electron beam. By using the laser beam or an electron beam, the through hole can be provided with a width of about several tens μm. Since the lead spacing on the lead frame or TAB tape is about 100 μm at minimum,
By using a laser beam or an electron beam, it is possible to easily form the through hole in the space portion between the leads. These through holes 12 are lead frames or TAB.
It may be formed at an appropriate position according to the conductor pattern of the tape for use, but it is particularly effective if it is provided in the vicinity of the tip of the inner lead where the spacing between the leads becomes narrow and the liquid flow of the etching solution deteriorates.
【0011】上記の方法とは別に導体金属基材上に透孔
を形成した後レジストパターンを設ける場合は、まず導
体パターンに基づき導体金属基材に透孔を形成し、レジ
ストフィルムを導体金属基材に貼着した後、パターニン
グによりレジストパターンを形成する。図2は導体金属
基材に透孔12を形成した状態を示す。この実施例では
透孔12を丸孔のスポット状に設定している。上記実施
例のようにスリット状に形成してもよい。透孔12は導
体金属基材上での導体パターンの形成位置と位置を一致
させて設けるもので、図のようにリード間のスペース部
分、すなわちエッチングによって導体金属基材を除去す
る部分に形成する。When the resist pattern is provided after forming the through holes on the conductor metal base material separately from the above method, first, the through holes are formed on the conductor metal base material based on the conductor pattern, and the resist film is formed on the conductor metal base material. After sticking to the material, a resist pattern is formed by patterning. FIG. 2 shows a state in which the through holes 12 are formed in the conductive metal base material. In this embodiment, the through holes 12 are set in the shape of spots of round holes. You may form in a slit shape like the said Example. The through-holes 12 are provided at the same positions as the conductor pattern formation positions on the conductor metal base material, and are formed at the space between the leads as shown in the figure, that is, at the portion where the conductor metal base material is removed by etching. ..
【0012】導体金属基材をエッチングする場合は透孔
12は完全に貫通している必要がある。このため、導体
金属基材にあらかじめ透孔を形成する方法の場合はレジ
ストパターンを形成した後の状態で透孔内にレジストが
残留しないようにしなければならない。このため、実施
例ではレジストフィルムを導体金属基材に貼着して透孔
12内にレジストが入り込まないようにしてレジストパ
ターンを形成する。レジストパターンを形成した後は、
通常の導体金属基材のエッチング方法によって導体金属
基材をエッチングすればよい。When the conductor metal base material is etched, the through hole 12 must be completely penetrated. Therefore, in the case of the method of forming the through holes in the conductor metal substrate in advance, it is necessary to prevent the resist from remaining in the through holes after the resist pattern is formed. Therefore, in the embodiment, the resist film is attached to the conductive metal base material so that the resist does not enter the through holes 12 to form the resist pattern. After forming the resist pattern,
The conductor metal substrate may be etched by a usual etching method for the conductor metal substrate.
【0013】図3は透孔12を形成した導体金属基材を
エッチングしている様子を示す。14が導体金属基材、
16がレジストパターンである。図のように、あらかじ
め透孔12を形成することによって導体金属基材の厚み
方向へエッチング液が流れやすくなり、エッチング液の
滞留がなくなってエッチング性が向上し、リード間隔が
狭小な部分でのエッチングが効率的に行われてエッチン
グ時間を短縮することができる。また、透孔12を設け
ておくことによりエッチングの断面が垂直面に近くなる
からリード間隔がさらに狭く形成することが可能にな
る。これによってリードパターンの高密度化をさらに進
めることが可能である。なお、上記例ではリードフレー
ムについてその製造方法を説明したが、絶縁フィルムに
導体薄膜を支持したTAB用テープの場合でも同様に適
用することが可能であり、他のICチップ搭載部品の製
造においても同様に利用することができる。FIG. 3 shows a state in which the conductor metal base material having the through holes 12 is etched. 14 is a conductive metal base material,
16 is a resist pattern. As shown in the figure, by forming the through holes 12 in advance, the etching solution easily flows in the thickness direction of the conductive metal base material, the etching solution is not retained, and the etching property is improved. The etching can be performed efficiently and the etching time can be shortened. Further, by providing the through holes 12, the cross section of the etching becomes closer to the vertical surface, so that the lead interval can be made narrower. This makes it possible to further increase the density of the lead pattern. Although the manufacturing method of the lead frame has been described in the above example, the same can be applied to the case of the TAB tape in which the conductive thin film is supported on the insulating film, and the same can be applied to the manufacturing of other IC chip mounted parts. It can be used as well.
【0014】[0014]
【発明の効果】本発明に係るICチップ搭載部品の製造
方法によれば、上述したように、インナーリード等のよ
うに高密度で導体パターンを形成する部分でのエッチン
グ性が向上し、エッチング時間を短縮することができる
とともに、狭小領域のエッチングが効果的にできてさら
に導体パターンを高密度に形成できる等の著効を奏す
る。As described above, according to the method of manufacturing an IC chip mounted component according to the present invention, the etching property is improved in the portion where the conductor pattern is formed at a high density such as the inner lead, and the etching time is improved. It is possible to shorten the length, and it is possible to effectively etch the narrow area, and further, it is possible to form the conductor pattern at a high density, which is a remarkable effect.
【図1】ICチップ搭載部品の製造方法を示す説明図で
ある。FIG. 1 is an explanatory diagram showing a method of manufacturing an IC chip mounted component.
【図2】ICチップ搭載部品の他の製造方法を示す説明
図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing another method of manufacturing an IC chip mounted component.
【図3】導体金属基材をエッチングする様子を示す説明
図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing a state of etching a conductive metal base material.
10 レジストパターン 12 透孔 14 導体金属基材 10 Resist Pattern 12 Through Hole 14 Conductor Metal Base Material
Claims (2)
体パターンを有するリードフレームあるいはTAB用テ
ープ等のICチップ搭載部品を作成するICチップ搭載
部品の製造方法において、 前記導体金属基材の前記導体パターンにしたがいエッチ
ングにより除去する個所に、レーザ光あるいは電子線を
用いて厚み方向に貫通する透孔をあらかじめ形成し、 該導体金属基材にレジストフィルムを貼着してレジスト
パターンを形成し、 前記導体金属基材をエッチングして所定の導体パターン
を有するICチップ搭載部品を形成することを特徴とす
るICチップ搭載部品の製造方法。1. A method of manufacturing an IC chip mounting component, such as a lead frame having a predetermined conductor pattern, or an IC chip mounting component such as a TAB tape, which is formed by etching a conductive metal substrate. A through hole that penetrates in the thickness direction is previously formed using a laser beam or an electron beam at a portion to be removed by etching according to the conductor pattern, and a resist film is attached to the conductor metal base material to form a resist pattern, A method of manufacturing an IC chip mounted component, characterized in that the conductive metal base material is etched to form an IC chip mounted component having a predetermined conductor pattern.
体パターンを有するリードフレームあるいはTAB用テ
ープ等のICチップ搭載部品を作成するICチップ搭載
部品の製造方法において、 前記導体金属基材上に形成すべき導体パターンにしたが
ってレジストパターンを形成し、 該レジストパターンを形成した導体金属基材でエッチン
グにより除去する個所にレーザ光あるいは電子線を用い
て厚み方向に貫通する透孔を設け、 該透孔を設けた導体金属基材をエッチングすることによ
って所定の導体パターンを有するICチップ搭載部品を
形成することを特徴とするICチップ搭載部品の製造方
法。2. A method of manufacturing an IC chip mounted component, wherein a conductive metal substrate is etched to produce an IC chip mounted component such as a lead frame or a TAB tape having a predetermined conductor pattern. A resist pattern is formed in accordance with the conductor pattern to be formed, and a through hole penetrating in the thickness direction using a laser beam or an electron beam is provided in a portion of the conductive metal base material on which the resist pattern is formed to be removed by etching. A method for manufacturing an IC chip mounted component, comprising forming an IC chip mounted component having a predetermined conductor pattern by etching a conductor metal base material provided with holes.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03339680A JP3081332B2 (en) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | Manufacturing method of IC chip mounted parts |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03339680A JP3081332B2 (en) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | Manufacturing method of IC chip mounted parts |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05152482A true JPH05152482A (en) | 1993-06-18 |
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ID=18329782
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3081332B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0646962A1 (en) * | 1993-04-14 | 1995-04-05 | Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. | Metal sheet processing method and lead frame processing method, and lead frame and semiconductor device manufacturing method and semiconductor device |
-
1991
- 1991-11-28 JP JP03339680A patent/JP3081332B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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EP0646962A4 (en) * | 1993-04-14 | 1995-09-20 | Hitachi Construction Machinery | METHOD FOR MACHINING A METAL SHEET, METHOD FOR MACHINING A CONNECTION GRID, METHOD FOR MACHINING A CONNECTION GRID AND A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE. |
US5580466A (en) * | 1993-04-14 | 1996-12-03 | Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. | Metal plate processing method, lead frame processing method, lead frame, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device |
EP0646962B1 (en) * | 1993-04-14 | 2002-11-06 | Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. | Metal sheet processing method and lead frame processing method and semiconductor device manufacturing method |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP3081332B2 (en) | 2000-08-28 |
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