JPH05150249A - Liquid crystal display device and its manufacture - Google Patents
Liquid crystal display device and its manufactureInfo
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- JPH05150249A JPH05150249A JP31470891A JP31470891A JPH05150249A JP H05150249 A JPH05150249 A JP H05150249A JP 31470891 A JP31470891 A JP 31470891A JP 31470891 A JP31470891 A JP 31470891A JP H05150249 A JPH05150249 A JP H05150249A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、表示特性をより改善す
る液晶表示装置およびその製造方法に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device which further improves display characteristics and a manufacturing method thereof.
【0002】[0002]
【従来の技術】液晶表示装置は、2枚のガラス基板の間
隙に液晶が注入され、またこの基板の間隙を一定にする
ためにスペーサが用いられている。これらの技術として
は、 (a)スペーサを混入した封止材を用い、封止部分のス
ペーサによりギャップを保持する方法 (b)基板上に配向膜を固化した後、スペーサを散布す
る方法 (c)スペーサを接着剤でコーティングし、基板上に形
成した配向膜上に散布する方法 等が一般的である。2. Description of the Related Art In a liquid crystal display device, liquid crystal is injected into a gap between two glass substrates, and a spacer is used to keep the gap between the substrates constant. As these techniques, (a) a method of using a sealing material mixed with a spacer and holding a gap by a spacer in a sealing part (b) a method of spraying spacers after solidifying an alignment film on a substrate (c) ) A general method is to coat the spacers with an adhesive and spray the spacers on the alignment film formed on the substrate.
【0003】一方、スペーサの散布方法としては、例え
ば特開平1−225919号公報がある。この中には、
湿式法と乾式法が述べられている。湿式法は、フレオン
等の分散液中にスペーサ粒子を添加して撹拌した後、ス
プレーノズルから窒素ガスを吹き付けることにより、こ
の溶液を基板の上から噴霧する方法であり、溶液が基板
に到達するまでに分散液を完全に飛散、乾燥させるよう
にしている。On the other hand, as a method of spraying spacers, there is, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-225919. In this,
Wet and dry methods are mentioned. The wet method is a method in which spacer particles are added to a dispersion liquid such as Freon and stirred, and then this solution is sprayed from above the substrate by spraying nitrogen gas from a spray nozzle, and the solution reaches the substrate. By this time, the dispersion is completely scattered and dried.
【0004】また乾式法は、分散液を用いず、スペーサ
粒子をそのまま窒素ガス中に分散させておき、これを固
気二層流としてスプレーノズルから噴射する方法であ
る。これらの方法は、いずれにしても図2のように、ス
ペーサ(1)がランダムに分布している。4角形(2)
で示された領域が表示電極または表示領域である。例え
ばアクティブマトリックス型の場合、この他にスイッチ
ング素子等が形成されているが、ここでは省略してい
る。The dry method is a method in which spacer particles are directly dispersed in nitrogen gas without using a dispersion liquid, and the spacer particles are jetted from a spray nozzle as a solid gas two-layer flow. In any of these methods, the spacers (1) are randomly distributed as shown in FIG. Quadrangle (2)
The area indicated by is the display electrode or the display area. For example, in the case of the active matrix type, other switching elements and the like are formed, but they are omitted here.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】図2に示すように、表
示電極(2)上にスペーサ(1)が存在すると表示品質
が低下する問題があった。図3は、この表示品質の低下
を説明するものであり、ノーマリーホワイトのTNセル
に電圧を印加した状態を示し、スペーサを挟んだ2枚の
ガラス基板(3)、(4)の外側には、偏光板(5)、
(6)が設けられている。前記ガラス基板(3)、
(4)の間には、点線で示す液晶(7)が充填されてい
る。もちろんガラス基板(3)、(4)の対向面には色
々な構成要素があるがここでは省略している。As shown in FIG. 2, there is a problem that the display quality is deteriorated when the spacer (1) is present on the display electrode (2). FIG. 3 is a diagram for explaining the deterioration of the display quality, showing a state in which a voltage is applied to a normally white TN cell, and is shown on the outside of two glass substrates (3) and (4) sandwiching a spacer. Is a polarizing plate (5),
(6) is provided. The glass substrate (3),
A liquid crystal (7) shown by a dotted line is filled between (4). Of course, there are various components on the facing surfaces of the glass substrates (3) and (4), but they are omitted here.
【0006】スペーサがない部分に於て、偏光板(5)
を通過した光は、液晶(7)内を通過してもその偏光状
態は変化しないので、偏光板(5)に対して偏光軸が直
交するように配置された偏光板(6)を透過しない。一
方、スペーサ(1)の周辺は、液晶の配向あるいはツイ
スト状態が乱れており、偏光板(5)を通過した光は、
スペーサ(1)周辺の液晶(7)により偏光状態が乱さ
れ、偏光板(6)を透過する。A polarizing plate (5) is provided in a portion where there is no spacer.
Since the light passing through the liquid crystal (7) does not change its polarization state even if it passes through the liquid crystal (7), it does not pass through the polarizing plate (6) arranged such that the polarization axis is orthogonal to the polarizing plate (5). .. On the other hand, around the spacer (1), the alignment of liquid crystal or the twist state is disturbed, and the light passing through the polarizing plate (5) is
The polarization state is disturbed by the liquid crystal (7) around the spacer (1) and is transmitted through the polarizing plate (6).
【0007】このような理由により、表示電極(2)上
または表示領域内にスペーサが存在すると、光漏れが生
じ、表示品質が低下する。この問題は、アクティブ型、
単純マトリックス型をとわず生じる。For these reasons, if the spacer exists on the display electrode (2) or in the display area, light leakage occurs and the display quality deteriorates. This issue is active,
It occurs regardless of the simple matrix type.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明は前述の課題に鑑
みて成され、少なくとも電極(51)、遮光膜(53)
および配向膜(55)が設けられた透明な第1の絶縁性
基板(50)と、少なくとも電極(35)、配向膜が設
けられた第2の透明な絶縁性基板(30)と、前記第1
の絶縁性基板(51)と前記第2の絶縁性基板(30)
を所定の間隔に設定するスペーサ(56)と、この間に
液晶が注入された液晶表示装置において、前記スペーサ
(56)を、遮光膜(53)に対応する配向膜(55)
へ分散することで解決するものである。The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and at least an electrode (51) and a light shielding film (53).
A transparent first insulating substrate (50) provided with an alignment film (55), at least an electrode (35), a second transparent insulating substrate (30) provided with an alignment film; 1
Insulating substrate (51) and the second insulating substrate (30)
In a liquid crystal display device in which a liquid crystal is injected between the spacer (56) and the spacer (56) for setting a predetermined interval, the spacer (56) is provided with an alignment film (55) corresponding to the light shielding film (53).
The solution is to disperse
【0009】更には、透明な第1の絶縁性基板(30)
上に絶縁層(36)を介してお互いに絶縁された複数本
のアドレス線(31)および複数本のデータ線(41)
と、この交点に形成されたTFTのソース電極(42)
と電気的に接続された表示電極(35)と、前記絶縁性
基板(30)全面に実質的に設けられた配向膜と、この
第1の絶縁性基板(30)に対向する透明な第2の絶縁
性基板(50)に形成された対向電極(51)、遮光膜
(53)および配向膜(55)とを少なくとも有する液
晶表示装置において、前記遮光膜(53)は導電性を有
し、この下層に、対向電極(51)との絶縁のために絶
縁層(52)を設け、前記遮光膜(53)の上層に、チ
ャージが逃げにくい配向膜(55)を設け、前記遮光膜
(53)に対応する配向膜(55)上にスペーサ(5
6)を分散することで解決するものである。Furthermore, a transparent first insulating substrate (30)
A plurality of address lines (31) and a plurality of data lines (41) insulated from each other via an insulating layer (36)
And the source electrode (42) of the TFT formed at this intersection
A display electrode (35) electrically connected to the first insulating substrate (30), an alignment film substantially provided on the entire surface of the insulating substrate (30), and a transparent second electrode facing the first insulating substrate (30). In the liquid crystal display device having at least the counter electrode (51), the light-shielding film (53) and the alignment film (55) formed on the insulating substrate (50), the light-shielding film (53) has conductivity, An insulating layer (52) is provided on the lower layer for insulation from the counter electrode (51), and an alignment film (55) for preventing the escape of charges is provided on the light shielding film (53). ) On the alignment film (55) corresponding to the spacer (5
This is solved by dispersing 6).
【0010】また透明な第1の絶縁性基板(30)上に
絶縁膜(36)を介して設けられた複数本のアドレス線
(31)および複数本のデータ線(41)とこの交点に
設けられたスイッチング素子とこのスイッチング素子と
電気的に接続された表示電極(35)と、全面に設けら
れた配向膜とを形成する工程と、前記第1の絶縁性基板
(30)と対向する透明な第2の絶縁性基板(50)上
に設けられた対向電極(51)、この対向電極(51)
上に設けられた絶縁層(52)と、この絶縁層(52)
上に設けられた導電性の遮光膜(53)と、この遮光膜
(53)上に設けられたチャージの逃げにくい配向膜
(55)とを形成する工程と、前記遮光膜(53)の一
部を外部雰囲気に露出するかあるいはこの遮光膜(5
3)の一部を接地し、この遮光膜(53)に対応する配
向膜(55)のチャージを外部に放出し、表示領域にチ
ャージを残す工程と、前記第2の絶縁性基板(50)上
にスペーサ(56)を噴霧し、表示領域に残ったチャー
ジにより前記スペーサ(56)を反発させて、前記遮光
膜(53)に対応する配向膜(55)上にこのスペーサ
(56)を散布する工程と、前記第1の絶縁性基板(3
0)と前記第2の絶縁性基板(50)を対向させてシー
ルする工程と、この一対の基板(30)、(50)間に
液晶を注入する工程とを少なくとも有することで解決す
るものである。Further, a plurality of address lines (31) and a plurality of data lines (41) provided on the transparent first insulating substrate (30) via an insulating film (36) are provided at the intersections. Forming a switching element, a display electrode (35) electrically connected to the switching element, and an alignment film provided on the entire surface, and transparent facing the first insulating substrate (30). Counter electrode (51) provided on the second insulating substrate (50), and the counter electrode (51)
Insulating layer (52) provided on this insulating layer (52)
A step of forming a conductive light-shielding film (53) provided on the light-shielding film and an alignment film (55) provided on the light-shielding film (53) in which charge does not easily escape, and one of the light-shielding film (53) Part is exposed to the external atmosphere, or this light-shielding film (5
Part of 3) is grounded, the charge of the alignment film (55) corresponding to the light shielding film (53) is discharged to the outside, and the charge is left in the display region, and the second insulating substrate (50). The spacers (56) are sprayed on the upper surface, and the spacers (56) are repelled by the charge remaining in the display area, and the spacers (56) are scattered on the alignment film (55) corresponding to the light shielding film (53). And the first insulating substrate (3
0) and the second insulating substrate (50) are opposed to each other and sealed, and a liquid crystal is injected between the pair of substrates (30) and (50). is there.
【0011】[0011]
【作用】本発明は、表示特性を向上させるために、遮光
膜上にスペーサを散布し、表示領域で囲まれた表示領域
に散布されるスペーサを無くせば解決される。しかしス
ペーサはスプレーノズルから分散されるので、ランダム
に配置される。ところがスペーサをチャージアップさ
せ、対向基板側の配向膜において、前記遮光膜に囲まれ
た領域に、前記スペーサにチャージされた極性と同じ極
性をチャージアップさせることで、遮光膜に囲まれた領
域に到達するスペーサを反発させ、この領域以外に飛散
できることを見いだした。The present invention can be solved by dispersing spacers on the light-shielding film in order to improve display characteristics and eliminating the spacers dispersed in the display area surrounded by the display area. However, since the spacers are dispersed from the spray nozzle, they are randomly arranged. However, the spacer is charged up, and in the alignment film on the counter substrate side, in the region surrounded by the light-shielding film, the same polarity as that charged in the spacer is charged up, so that the region surrounded by the light-shielding film is charged. We found that the spacers that reach can be repelled and that they can be scattered outside this area.
【0012】遮光膜を導電性を有する材料で形成し、こ
の上に有機高分子等のチャージが逃げにくい配向膜を形
成する。この配向膜の形成後、ラビングやイオンプロー
等で配向膜を、例えばマイナスにチャージアップさせ
る。但し、この工程前の工程までで配向膜がチャージア
ップされていれば敢えて必要はない。この後、配向膜の
下層に形成された遮光膜を電気的に接地するか、遮光膜
の一部を外部雰囲気に露出させて、遮光膜の上層にある
配向膜のチャージを外部へ放出する。遮光膜で囲まれた
領域の配向膜は、遮光膜と接していないので、遮光膜を
介してチャージが放出されず、チャージの減り方が少な
い。従ってチャージされたスペーサを噴霧すればスペー
サは反発して表示領域以外で安定する。The light-shielding film is formed of a conductive material, and an alignment film, such as an organic polymer, in which charges are unlikely to escape is formed on the light-shielding film. After the formation of this alignment film, the alignment film is negatively charged up, for example, by rubbing or ion probe. However, it is not necessary if the alignment film is charged up by the process before this process. After that, the light-shielding film formed in the lower layer of the alignment film is electrically grounded, or a part of the light-shielding film is exposed to the external atmosphere, and the charge of the alignment film above the light-shielding film is discharged to the outside. Since the alignment film in the region surrounded by the light-shielding film is not in contact with the light-shielding film, the charge is not discharged through the light-shielding film, and the charge is less reduced. Therefore, if the charged spacers are sprayed, the spacers repel and become stable outside the display area.
【0013】また配向膜の特性としては、シート抵抗が
高いほうが、チャージされ易くまたはチャージが外部に
逃げにくいので、例えばポリイミドを使う場合ほぼ完全
にイミド化が成されているほうシート抵抗が高く好まし
い。As a characteristic of the alignment film, a sheet resistance higher is more likely to be charged or less likely to escape to the outside. For example, when polyimide is used, it is preferable that the sheet resistance is almost completely imidized because the sheet resistance is high. ..
【0014】[0014]
【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。本発明
は、遮光膜が必要なもの、特にアモルファスシリコンや
ポリシリコンを使ったTFT等のアクティブマトリック
ス型に実施できる。具体例を説明する前に、まず基本原
理を説明する。まずスペーサによる表示品質の劣化を防
止するには、表示領域または遮光膜が形成されていない
領域にスペーサを設ければ、液晶の配向あるいはツイス
ト状態が乱れないので達成できる。また遮光膜が形成さ
れた領域にスペーサが散布されるので、このスペーサを
挟む一対のガラス基板の間隙は一定に保たれる。EXAMPLES Examples of the present invention will be described below. The present invention can be applied to an active matrix type that requires a light shielding film, particularly a TFT or the like using amorphous silicon or polysilicon. Before explaining a specific example, the basic principle will be described first. First, in order to prevent the display quality from being deteriorated by the spacer, it is possible to provide the spacer in the display region or in the region where the light shielding film is not formed, because the alignment or twist state of the liquid crystal is not disturbed. Further, since the spacers are scattered in the region where the light shielding film is formed, the gap between the pair of glass substrates sandwiching the spacer is kept constant.
【0015】スペーサを遮光膜に対応する領域の配向膜
に散布する方法は、まず対向基板の配向膜を一方の極性
にチャージアップさせ、下層に形成された導電性の遮光
膜を介してチャージを外部へ放出すれば、遮光膜で囲ま
れた表示領域上の配向膜にだけチャージが残る。従っ
て、スペーサをこの電荷と同じ極性にすれば、表示領域
に到達するスペーサは反発して遮光膜に対応する配向膜
上に散在する。To disperse the spacers on the alignment film in the region corresponding to the light-shielding film, first, the alignment film on the counter substrate is charged up to one polarity and then charged through the conductive light-shielding film formed in the lower layer. When discharged to the outside, charges remain only in the alignment film on the display area surrounded by the light shielding film. Therefore, if the spacers have the same polarity as the charges, the spacers reaching the display area repel and are scattered on the alignment film corresponding to the light shielding film.
【0016】また配向膜をチャージさせる方法として
は、たんにラビング処理で達成できる。しかしイオンブ
ローを配向膜表面に行うことで、プラスでもマイナスで
もより確実に達成できる。またスペーサは、一般に樹脂
よりなり、散布装置内に収容されており、乾式法ではN
2ガスと一緒に散布する。この散布前にスペーサはお互
いに擦れあっているので自然とマイナスにチャージアッ
プされている。さらには、強制的に振動を与えスペーサ
をこすり合わせたり、電界を与えたり、またイオンブロ
ー等によりチャージアップさせることができる。後者2
つでは、プラスにチャージアップ差せることもできる。
また湿式法では、フレオン、エタノール等の揮発剤また
はH 2Oが用いられるが、前2つの揮発剤で 、チャージ
アップが可能である。スプレーノズルから散布されたス
ペーサは、揮発剤が揮発した後周囲の雰囲気とこすれ合
って自然とチャージする。また基板到達直前にイオンブ
ロー等で強制的にチャージアップさせてもよい。ここで
スペーサの材料としては、例えばスチレン樹脂やベンゾ
グアナミン樹脂等が使われる。As a method of charging the alignment film
Can be achieved simply by rubbing. But Aeonbu
By applying a rho to the surface of the alignment film, it can be positive or negative.
Can be achieved more reliably. The spacer is generally made of resin.
It is contained in the spraying device and is N in the dry method.
2Spray with gas. The spacers should be
Because they are rubbing against each other, they naturally charge up negatively.
Have been Furthermore, the spacer is forcibly vibrated.
Rubbing against each other, applying an electric field,
-It can be charged up. Latter two
You can also add a positive charge up.
In the wet method, volatile agents such as freon and ethanol,
Is H 2O is used, but with the previous two volatilizers, charge
Up is possible. The spray sprayed from the spray nozzle
The pacer rubs against the surrounding atmosphere after the volatilizer evaporates.
I will naturally charge. Immediately before reaching the substrate,
You may forcibly charge up with low etc. here
Examples of the spacer material include styrene resin and benzo.
Guanamine resin is used.
【0017】ではアクティブマトリックス型の液晶表示
装置に適用した実施例を図1、図4、図5および図6に
従い説明する。ここではアモルファスシリコンを使用し
たTFT構造のもので説明し、詳細なセル構造は図4に
に示した。先ず、図5や図6から判るように、透明な絶
縁性基板(30)があり、この上には、複数本のゲート
ライン(31)およびこのゲートライン(31)と実質
的に平行な複数本の補助容量ライン(32)が設けられ
ている。このゲートライン(31)は、例えば約150
0ÅのCrより成り左右に延在されており、このゲート
ライン(31)から垂直に突出した領域を設け、これを
TFTのゲート(33)としている。また補助容量電極
(34)は、ゲートライン(31)と同時に形成される
ため約1500ÅのCrより成り、後述する表示電極
(35)の下層に少なくとも一部が重畳して設けられ、
左右に隣接する補助容量電極と一体で構成するために、
補助容量ライン(32)が前記ゲートライン(31)と
平行に延在されている。An embodiment applied to an active matrix type liquid crystal display device will be described with reference to FIGS. 1, 4, 5 and 6. Here, a TFT structure using amorphous silicon is used for explanation, and a detailed cell structure is shown in FIG. First, as can be seen from FIGS. 5 and 6, there is a transparent insulating substrate (30) on which a plurality of gate lines (31) and a plurality of gate lines (31) substantially parallel to the gate lines (31) are provided. Book auxiliary capacitance lines (32) are provided. This gate line (31) is, for example, about 150
The gate line (31) is provided with a region which is made of Cr of 0Å and extends to the left and right, and this region is used as a gate (33) of the TFT. Further, since the auxiliary capacitance electrode (34) is formed at the same time as the gate line (31), the auxiliary capacitance electrode (34) is made of Cr and has a thickness of about 1500Å.
In order to be integrated with the auxiliary capacitance electrodes adjacent to the left and right,
An auxiliary capacitance line (32) extends parallel to the gate line (31).
【0018】また前記ゲート(33)と一体のゲートラ
イン(31)および補助容量電極(34)と一体の補助
容量ライン(32)を覆うゲート絶縁膜(36)と、こ
の補助容量電極(34)と重畳したITOより成る表示
電極(35)と、前記ゲート(33)に対応する層間絶
縁層上に積層されたノンドープの非単結晶シリコン膜
(37)と、このシリコン膜(37)の両端に積層され
たN+型の非単結晶シリコン膜(38)が設けられてい
る。A gate insulating film (36) covering the gate line (31) integrated with the gate (33) and the auxiliary capacitance line (32) integrated with the auxiliary capacitance electrode (34), and the auxiliary capacitance electrode (34). And a non-doped non-single-crystal silicon film (37) laminated on the interlayer insulating layer corresponding to the gate (33), and a display electrode (35) made of ITO superposed on the silicon film (37). A laminated N + type non-single crystal silicon film (38) is provided.
【0019】前記ゲート絶縁膜は、SiNxより成り前
記ガラス基板表面に約4000Åの厚さで形成される。
またTFTが形成される層間絶縁層上には、例えばノン
ドープのアモルファスシリコン(以下a−Si層とす
る。)(37)およびN+型にドープされたアモルファ
スシリコン(以下N+a−Si層とする。)(38)が
積層されている。a−Si層(37)は、約1000Å
の厚さで形成され、N+a−Si層(38)は、約50
0Åの厚さで形成されている。またa−Si層とN+a
−Si層との間には、約2500ÅのSiNxより成る
半導体保護膜(39) 設けられても良い。The gate insulating film is made of SiNx and is formed on the surface of the glass substrate to a thickness of about 4000Å.
On the interlayer insulating layer on which the TFT is formed, for example, non-doped amorphous silicon (hereinafter referred to as a-Si layer) (37) and N + -type amorphous silicon (hereinafter referred to as N + a-Si layer). (38) are laminated. The a-Si layer (37) is approximately 1000 Å
And the N + a-Si layer (38) has a thickness of about 50 nm.
It is formed with a thickness of 0Å. In addition, the a-Si layer and N + a
A semiconductor protective film (39) of about 2500 Å made of SiNx may be provided between the -Si layer and the -Si layer.
【0020】更には、ドレイン領域と電気的に接続され
たドレイン電極(40)と、このドレイン電極と一体で
前記ゲートライン(31)と直交する方向に延在された
複数本のドレインライン(41)と、ソース領域と電気
的に接続され前記ドレインライン(41)とゲートライ
ン(31)で囲まれた領域に設けられた表示電極(3
5)と電気的に接続されたソース電極(42)とがあ
る。Further, a drain electrode (40) electrically connected to the drain region, and a plurality of drain lines (41) integrally formed with the drain electrode and extending in a direction orthogonal to the gate line (31). ) And a display electrode (3) electrically connected to the source region and provided in a region surrounded by the drain line (41) and the gate line (31).
5) and the source electrode (42) electrically connected.
【0021】前記ドレイン電極(40)およびこれと一
体のドレインライン(41)は、MoとAlの2層構造
で成り、下層のMoは約1000Å、上層のAlは約7
000Åで成っている。また表示電極(35)は、IT
Oで成っており、ソース電極をドレイン電極と同じよう
にMoとAlの2層構成で形成しているが、ITOで一
体で構成してもよい。The drain electrode (40) and the drain line (41) integrated with the drain electrode (40) have a two-layer structure of Mo and Al. The lower layer Mo has a thickness of about 1000 Å and the upper layer Al has a thickness of about 7 liters.
It is made of 000Å. The display electrode (35) is IT
Although it is made of O and the source electrode is formed of a two-layer structure of Mo and Al like the drain electrode, it may be integrally formed of ITO.
【0022】ここまでの構造(図4におけるA−A線に
おける断面図)を図5及び図6に示す。図5ではゲート
絶縁膜は1層であるが、図6は2層であり、下層は約3
000ÅのSiNx膜、上層は約2000ÅのSiNx膜
よりなっているが、SiO2膜を上層膜あるいは下層膜
として、または2層とも使用してもよい。また上層のゲ
ート絶縁膜(35)は表示電極上の周辺を覆っており、
主な面はエッチングにより露出させてある。The structure up to this point (a sectional view taken along line AA in FIG. 4) is shown in FIGS. Although the gate insulating film has one layer in FIG. 5, it has two layers in FIG. 6 and the lower layer has about 3 layers.
The SiN x film of 000A, but the upper layer is made from the SiN x film of about 2000 Å, the SiO 2 film as an upper layer or a lower layer film, or both two layers may be used. The upper gate insulating film (35) covers the periphery of the display electrode,
The main surface is exposed by etching.
【0023】更には図示を省略したがファイナルパシベ
ーションを形成し、またはこのパシベーションを省略
し、直接配向膜が形成される。一方、図1には対向基板
の斜視図が示され、透明な絶縁性基板(50)上にIT
O等の透明電極よりなる対向電極(51)がある。この
対向電極上には、SiNX、SiO2または耐熱性を有す
る有機膜よりなる絶縁層(52)が設けられる。この絶
縁層上には、例えばCrよりなる遮光膜(53)が形成
される。この遮光膜の開口領域は、図4に示した短い斜
め線で囲まれた領域(54)に対応する。さらにこの遮
光膜の上には配向膜(55)が形成される。そしてスペ
ーサ(56)を介してこの2枚のガラス基板(30)、
(50)の周辺がシールされ、中に液晶が注入されて本
装置が得られる。Further, although not shown, final passivation is formed, or this passivation is omitted and the alignment film is directly formed. On the other hand, FIG. 1 shows a perspective view of a counter substrate, in which IT is formed on a transparent insulating substrate (50).
There is a counter electrode (51) made of a transparent electrode such as O. On this counter electrode, SiN X, insulating layer of an organic film having a SiO 2 or heat-resistant (52) is provided. A light shielding film (53) made of, for example, Cr is formed on the insulating layer. The opening area of the light shielding film corresponds to the area (54) surrounded by the short diagonal lines shown in FIG. Further, an alignment film (55) is formed on the light shielding film. Then, the two glass substrates (30), via the spacer (56),
The periphery of (50) is sealed, and liquid crystal is injected into it to obtain this device.
【0024】ここで前記配向膜(55)、前記スペーサ
(56)の配置状況およびこのスペーサの配置方法が本
発明の特徴である。配向膜は、シート抵抗が高い高分子
膜が使用されている。例えばポリイミドを用いる場合、
略完全にイミド化されているものが好ましい。完全に重
合されていれば前記シート抵抗が高くなりチャージアッ
プし易くなるためである。Here, the arrangement state of the alignment film (55) and the spacer (56) and the arrangement method of the spacer are the features of the present invention. As the alignment film, a polymer film having a high sheet resistance is used. For example, when using polyimide,
It is preferably substantially completely imidized. This is because the sheet resistance becomes high and charging up becomes easy if the polymerization is completed.
【0025】この配向膜は、基板を洗浄した後PI印刷
等の技術で被覆され、硬化した後ラビング処理が施され
る。この後再び洗浄され、全面にイオンブローを行い配
向膜をマイナスにチャージアップさせる。配向膜(5
5)の下には、導電性の遮光膜(53)が形成されてい
るので、図1のアース記号のように、遮光膜を電気的に
接地し、遮光膜を介して強制的に遮光膜に対応する配向
膜のチャージを取り除くことができる。あるいは遮光膜
の一部を外部雰囲気と接触するように露出させ、マイナ
スイオンが外部へ放出されたことを示す矢印の様に、こ
の露出領域から配向膜のチャージを外部へ放出できる。
例えば画面となる領域の外周に遮光膜の露出領域を設
け、若干の時間自然放置しておけばチャージを放出でき
る。This alignment film is coated with a technique such as PI printing after cleaning the substrate, and after being cured, subjected to a rubbing treatment. After that, the film is washed again, and the entire surface is ion-blown to negatively charge up the alignment film. Alignment film (5
Since the conductive light-shielding film (53) is formed under 5), the light-shielding film is electrically grounded like the earth symbol in FIG. The charge of the alignment film corresponding to can be removed. Alternatively, a part of the light-shielding film may be exposed so as to come into contact with the external atmosphere, and the charge of the alignment film can be released to the outside from this exposed region as indicated by an arrow indicating that the negative ions are released to the outside.
For example, the charge can be released by providing an exposed region of the light-shielding film on the outer periphery of the region to be the screen and allowing the exposed region to stand for a while.
【0026】配向膜に残ったチャージは、長い時間放置
しておくと自然と無くなるため、チャージが無くなる前
に、マイナスにチャージされたスペーサをスペーサノズ
ルから噴霧すれば、遮光膜に囲まれた表示領域に到達し
たスペーサ(56´)は反発して遮光膜に対応する配向
膜上へ移る。チャージの量が多ければ反発力が大きいの
で、殆どが遮光膜上に散布されるが、チャージの量が少
ないと反発力が小さくなり表示領域に残るものも存在す
る。しかし殆どは表示領域の中央から周辺へ移る。The charge remaining on the alignment film naturally disappears if left for a long time. Therefore, if a negatively charged spacer is sprayed from a spacer nozzle before the charge disappears, a display surrounded by a light-shielding film is displayed. The spacer (56 ') reaching the area repels and moves onto the alignment film corresponding to the light-shielding film. Since the repulsive force is large when the amount of charge is large, most of it is scattered on the light-shielding film, but when the amount of charge is small, the repulsive force becomes small and some remain in the display area. However, most of it moves from the center of the display area to the periphery.
【0027】このスペーサの散布が終わると、基板周辺
にシール樹脂が塗布されTFTが形成された基板と対向
基板と貼り合わされ、中に液晶が注入される。ここまで
は複数枚のパネルが取れるように大型ガラス基板で進行
してゆく。続いて硝子カッター等により複数枚のパネル
にブレークされた後、検査工程を経て不良品を取り除
き、偏光板がパネルの両側に配置されて完成する。After the spacers have been dispersed, the substrate on which the sealing resin is applied around the substrate and the TFT is formed is bonded to the counter substrate, and the liquid crystal is injected therein. Up to this point, we proceed with a large glass substrate so that multiple panels can be removed. Then, after being broken into a plurality of panels by a glass cutter or the like, a defective product is removed through an inspection process, and polarizing plates are arranged on both sides of the panel to complete.
【0028】以上配向膜のチャージによりスペーサを散
布する方法を説明してきたが、以下の方法で対向基板に
スペーサを固定できる。まず対向電極(60)を有する
対向基板となる透明な絶縁性基板(61)に、図7の如
く、遮光能力を有する遮光膜(62)を形成する。図8
の如くこの遮光膜(62)のパターニングを行うために
ホトレジスト(63)を形成してエッチングを行うが、
この時ホトレジスト内にスペーサ(64)を混入し、表
示電極に対応するホトレジストをエッチングして開口部
を形成する。図9の如く、この開口部を介して前記遮光
膜をエッチングすれば、所定形状の遮光膜が形成され
る。通常はこの後に、ホトレジストの除去工程がある
が、ここではこのホトレジストを残すことで、スペーサ
は遮光膜に対応する領域に残ることになる。The method of spraying the spacers by charging the alignment film has been described above, but the spacers can be fixed to the counter substrate by the following method. First, as shown in FIG. 7, a light-shielding film (62) having a light-shielding ability is formed on a transparent insulating substrate (61) serving as a counter substrate having a counter electrode (60). Figure 8
As described above, in order to pattern the light shielding film (62), a photoresist (63) is formed and etching is performed.
At this time, spacers (64) are mixed in the photoresist, and the photoresist corresponding to the display electrodes is etched to form openings. As shown in FIG. 9, if the light shielding film is etched through the opening, a light shielding film having a predetermined shape is formed. Normally, after this, there is a photoresist removing step, but here, by leaving this photoresist, the spacers remain in the region corresponding to the light shielding film.
【0029】更に基板全面に配向膜を形成し、前述した
TFTが形成された絶縁性基板と貼り合わせればよい。
以上アクティブマトリックス型の一例として逆スタガー
型のa−SiTFTで説明してきたが、スタガー型、逆
スタガー型またはスタガー型のポリシリコンのTFTで
も達成できることは言うまでもない。Further, an alignment film may be formed on the entire surface of the substrate, and the alignment film may be attached to the above-described insulating substrate having the TFT formed thereon.
Although the inverse stagger type a-Si TFT has been described as an example of the active matrix type, it goes without saying that a stagger type, inverse stagger type or stagger type polysilicon TFT can also be used.
【0030】[0030]
【発明の効果】以上の説明から明らかな通り、スペーサ
は表示電極上に落下することがないので、表示品質の低
下を防止できる。また今後高密度画素を達成するために
表示電極の微小化が考えられるが、表示電極上にスペー
サが落下しないのでハイビジョン等に有効である。As is clear from the above description, since the spacer does not drop on the display electrode, it is possible to prevent deterioration of display quality. Further, miniaturization of display electrodes can be considered in order to achieve high-density pixels in the future, but spacers do not drop on the display electrodes, which is effective for high-vision and the like.
【0031】またイオンブローは、TFTが形成されて
いない対向基板側に行うので、これらのチャージにより
素子を破壊することがないため、歩留まりを向上でき
る。またホトレジストとして活用する樹脂の中にスペー
サを混入すれば、更に工程を付加すること無く、従来通
りの工程で、達成できる。Further, since the ion blow is performed on the side of the counter substrate on which the TFT is not formed, the element is not destroyed by these charges, so that the yield can be improved. Further, if spacers are mixed in the resin used as a photoresist, it can be achieved by the conventional process without adding any additional process.
【図1】本発明の液晶表示装置の対向基板のスペーサ散
布を説明した概略図である。FIG. 1 is a schematic diagram illustrating spacer dispersion on a counter substrate of a liquid crystal display device of the present invention.
【図2】従来の液晶表示装置のスペーサ散布状況を説明
した概略図である。FIG. 2 is a schematic diagram illustrating how spacers are dispersed in a conventional liquid crystal display device.
【図3】スペーサによる表示品質の低下を説明した図で
ある。FIG. 3 is a diagram illustrating a reduction in display quality due to a spacer.
【図4】本発明に使用した液晶セルの平面図である。FIG. 4 is a plan view of a liquid crystal cell used in the present invention.
【図5】図4のA−A線における断面図である。5 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG.
【図6】図4のA−A線における断面図である。6 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG.
【図7】スペーサ配置方法を説明する図である。FIG. 7 is a diagram illustrating a spacer arrangement method.
【図8】スペーサ配置方法を説明する図である。FIG. 8 is a diagram illustrating a spacer arrangement method.
【図9】スペーサ配置方法を説明する図である。FIG. 9 is a diagram illustrating a spacer arrangement method.
10 表示領域 20 第1基板 21 第1電極線 22 配向膜 23 第2基板 24 第2電極 26 配向膜 27 スペーサ 30 透明な絶縁性基板 31 ゲートライン 33 ゲート 35 表示電極 36 ゲート絶縁膜 37 a−Si膜 38 N+a−Si膜 40 ドレイン電極 41 ドレインライン 42 ソース電極10 Display Area 20 First Substrate 21 First Electrode Line 22 Alignment Film 23 Second Substrate 24 Second Electrode 26 Alignment Film 27 Spacer 30 Transparent Insulating Substrate 31 Gate Line 33 Gate 35 Display Electrode 36 Gate Insulation Film 37 a-Si Film 38 N + a-Si film 40 Drain electrode 41 Drain line 42 Source electrode
Claims (5)
設けられた透明な第1の絶縁性基板と、少なくとも電
極、配向膜が設けられた第2の透明な絶縁性基板と、前
記第1の絶縁性基板と前記第2の絶縁性基板を所定の間
隔に設定するスペーサと、この間に液晶が注入された液
晶表示装置において、 前記スペーサは、実質的に遮光膜に対応する配向膜へ分
散していることを特徴とした液晶表示装置。1. A transparent first insulating substrate provided with at least an electrode, a light-shielding film, and an alignment film, a second transparent insulating substrate provided with at least an electrode, an alignment film, and the first transparent substrate. In a liquid crystal display device in which an insulating substrate and the second insulating substrate are set at a predetermined distance, and a liquid crystal is injected between the spacers, the spacers are dispersed in an alignment film substantially corresponding to a light shielding film. A liquid crystal display device characterized in that
形成される領域内に形成されるパターンで中にスペーサ
が混入された有機膜が形成されている請求項1記載の液
晶表示装置。2. The liquid crystal according to claim 1, wherein an organic film having spacers mixed therein is formed between the light shielding film and the alignment film in a pattern formed in a region where the light shielding film is formed. Display device.
してお互いに絶縁された複数本のアドレス線および複数
本のデータ線と、この交点に形成されたTFTのソース
電極と電気的に接続された表示電極と、前記絶縁性基板
全面に実質的に設けられた配向膜と、この第1の絶縁性
基板に対向する透明な第2の絶縁性基板に形成された対
向電極、遮光膜および配向膜とを少なくとも有する液晶
表示装置において、 前記遮光膜は導電性を有し、この下層には、対向電極と
の絶縁のために絶縁層が設けられ、前記遮光膜の上層に
は、チャージが逃げにくい配向膜が設けられ、前記遮光
膜に対応する配向膜上にスペーサが分散していることを
特徴とした液晶表示装置。3. A plurality of address lines and a plurality of data lines, which are insulated from each other through an insulating layer on a transparent first insulating substrate, and a source electrode of a TFT formed at this intersection and an electric field. Electrically connected display electrodes, an alignment film substantially provided on the entire surface of the insulating substrate, and a counter electrode formed on a transparent second insulating substrate facing the first insulating substrate, In a liquid crystal display device having at least a light-shielding film and an alignment film, the light-shielding film has conductivity, an insulating layer is provided below the light-shielding film for insulation from a counter electrode, and an upper layer above the light-shielding film is provided. A liquid crystal display device characterized in that an alignment film is provided to prevent the charge from escaping, and spacers are dispersed on the alignment film corresponding to the light shielding film.
して設けられた複数本のアドレス線および複数本のデー
タ線とこの交点に設けられたスイッチング素子とこのス
イッチング素子と電気的に接続された表示電極と、全面
に設けられた配向膜とを形成する工程と、 前記第1の絶縁性基板と対向する透明な第2の絶縁性基
板上に設けられた対向電極、この対向電極上に設けられ
た絶縁層と、この絶縁層上に設けられた導電性の遮光膜
と、この遮光膜上に設けられたチャージの逃げにくい配
向膜とを形成する工程と、 前記遮光膜の一部を外部雰囲気に露出するかあるいはこ
の遮光膜の一部を接地し、この遮光膜に対応する配向膜
のチャージを外部に放出し、表示領域にチャージを残す
工程と、 前記第2の絶縁性基板上にスペーサを噴霧し、表示領域
に残ったチャージにより前記スペーサを反発させて、前
記遮光膜に対応する配向膜上にこのスペーサを散布する
工程と、 前記第1の絶縁性基板と前記第2の絶縁性基板を対向さ
せてシールする工程と、 この一対の基板間に液晶を注入する工程とを少なくとも
有することを特徴とした液晶表示装置の製造法法。4. A plurality of address lines and a plurality of data lines provided on a transparent first insulative substrate via an insulating film and a switching element provided at an intersection of the plurality of address lines and a plurality of data lines, and the switching element electrically. A step of forming a display electrode connected to the first insulating substrate and an alignment film provided on the entire surface, and a counter electrode provided on a transparent second insulating substrate facing the first insulating substrate. A step of forming an insulating layer provided on the electrode, a conductive light-shielding film provided on the insulating layer, and an alignment film provided on the light-shielding film, in which charge is hard to escape, and Exposing a part of the light-shielding film to the outside atmosphere or grounding a part of the light-shielding film, discharging the charge of the alignment film corresponding to the light-shielding film to the outside, and leaving the charge in the display region; Display by spraying spacers on a flexible substrate A step of repelling the spacers by the charge remaining in the region to disperse the spacers on the alignment film corresponding to the light-shielding film, and the first insulating substrate and the second insulating substrate are opposed to each other. A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising at least a step of sealing and a step of injecting liquid crystal between the pair of substrates.
して設けられた複数本のアドレス線および複数本のデー
タ線とこの交点に設けられたスイッチング素子とこのス
イッチング素子と電気的に接続された表示電極と、全面
に設けられた配向膜とを形成する工程と、 前記第1の絶縁性基板と対向する透明な第2の絶縁性基
板上に設けられた対向電極、この対向電極上に設けられ
た遮光膜とを形成する工程と、 全面にスペーサが混入されたホトレジストを形成し、前
記遮光膜の予定の形状にホトレジストをパターニングす
る工程と、 前記ホトレジストの開口部を介して前記遮光膜をエッチ
ングする工程と、 このホトレジストを残したまま、全面に配向膜を形成す
る工程と、 前記第1の絶縁性基板と前記第2の絶縁性基板を対向さ
せてシールする工程と、 この一対の基板間に液晶を注入する工程とを少なくとも
有することを特徴とした液晶表示装置の製造法法。5. A plurality of address lines and a plurality of data lines provided on a transparent first insulating substrate via an insulating film and a switching element provided at an intersection of the plurality of address lines and a plurality of data lines, and an electrical connection between the switching element and the switching element. A step of forming a display electrode connected to the first insulating substrate and an alignment film provided on the entire surface, and a counter electrode provided on a transparent second insulating substrate facing the first insulating substrate. A step of forming a light-shielding film provided on the electrode, a step of forming a photoresist mixed with spacers on the entire surface, and patterning the photoresist into a predetermined shape of the light-shielding film, and an opening of the photoresist. A step of etching the light-shielding film, a step of forming an alignment film on the entire surface while leaving the photoresist, and a step of sealing the first insulating substrate and the second insulating substrate so as to face each other. A step, preparation method of the liquid crystal display device wherein at least a step of injecting a liquid crystal between the pair of substrates.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31470891A JPH05150249A (en) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | Liquid crystal display device and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31470891A JPH05150249A (en) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | Liquid crystal display device and its manufacture |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05150249A true JPH05150249A (en) | 1993-06-18 |
Family
ID=18056604
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31470891A Pending JPH05150249A (en) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | Liquid crystal display device and its manufacture |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05150249A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6577373B1 (en) | 1997-06-13 | 2003-06-10 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
US7223817B2 (en) | 1998-09-02 | 2007-05-29 | Kaneka Corporation | Polymer, processes for producing polymer and composition |
-
1991
- 1991-11-28 JP JP31470891A patent/JPH05150249A/en active Pending
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