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JPH05136245A - Semiconductor manufacturing device - Google Patents

Semiconductor manufacturing device

Info

Publication number
JPH05136245A
JPH05136245A JP29311991A JP29311991A JPH05136245A JP H05136245 A JPH05136245 A JP H05136245A JP 29311991 A JP29311991 A JP 29311991A JP 29311991 A JP29311991 A JP 29311991A JP H05136245 A JPH05136245 A JP H05136245A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
processing
semiconductor manufacturing
floor
etching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP29311991A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiromi Kumagai
浩洋 熊谷
Kosuke Sumitomo
康祐 住友
Hideyuki Tokumaru
秀行 得丸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Electron Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP29311991A priority Critical patent/JPH05136245A/en
Publication of JPH05136245A publication Critical patent/JPH05136245A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

PURPOSE:To reduce an installation space and enhance a space factor and an operation rate of a device by laying out a processing section and a carrier passage 1500mm above from a floor level. CONSTITUTION:An etching device of a semiconductor device 1 comprises a processing mechanism A and a carrier mechanism B. There is provided a maintenance passage 20 whose width (W) is 800mm, for example, between the rows of the both mechanisms. A carrier passage of a wafer 25 by the carrier mechanism B and a load lock chamber 30 and a processing chamber of the processing mechanism A are formed at the height of about 1850mm from the level of a floor 2. An elevator 23 lifts a wafer cassette 25 so as to carry out etching processing for the wafer 25, which al lows the wafer to be carried and processed at an elevation of high purity above an ordinal working area in a clean room. This construction makes it possible to prevent the adherence of dust on the wafer and enhance the yield. Furthermore, it is possible to lay out a vacuum pump 32 or the like below and hence reduce an installation space and a space factor.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体製造工程においては、半
導体ウエハ等に対する微細な回路パターンの形成に、塵
埃が悪影響を及ぼすため、天井から床に向けて清浄化空
気の流れ(ダウンフロー)が形成されたクリーンルーム
内でそのほとんどの工程が実施される。したがって、例
えばエッチング装置、CVD装置、スパッタ装置、イオ
ン注入装置等の半導体製造装置は、クリーンルーム内に
配置される。
2. Description of the Related Art Generally, in a semiconductor manufacturing process, dust has an adverse effect on the formation of a fine circuit pattern on a semiconductor wafer or the like, so that a flow of clean air (downflow) is formed from the ceiling to the floor. Most of the steps are carried out in a clean room. Therefore, semiconductor manufacturing equipment such as an etching equipment, a CVD equipment, a sputtering equipment, and an ion implantation equipment is arranged in a clean room.

【0003】ところで、半導体製造工程においては、被
処理物例えば半導体ウエハは、複数例えば25枚の半導体
ウエハを収容可能に構成されたいわゆるウエハカセット
内に収容されて各工程間を搬送される。したがって、半
導体製造装置には、半導体ウエハ等に所定の処理、例え
ばエッチング処理、CVD膜の成膜処理、スパッタリン
グ処理、イオン注入処理等を施す処理部と、この処理部
とウエハカセットとの間で半導体ウエハを搬送し、処理
部に半導体ウエハを搬入・搬出する搬送機構とを備えた
ものが多い。
By the way, in the semiconductor manufacturing process, an object to be processed, for example, a semiconductor wafer is housed in a so-called wafer cassette configured to accommodate a plurality of semiconductor wafers, for example, 25 semiconductor wafers, and is transported between the processes. Therefore, the semiconductor manufacturing apparatus includes a processing unit that performs a predetermined process such as an etching process, a CVD film forming process, a sputtering process, and an ion implantation process on a semiconductor wafer, and a processing unit between the processing unit and the wafer cassette. In many cases, a semiconductor wafer is carried and a carrying mechanism for carrying the semiconductor wafer in and out of the processing section is provided.

【0004】また、このような半導体製造装置で処理を
実施する際、上記した搬送機構の所定位置にオペレータ
(あるいは搬送ロボット等)が、ウエハカセットを載置
する必要がある。このため、上述した搬送機構は、例え
ば床面から700 〜800mm の高さに配置されており、この
搬送機構の搬送路および処理部もこれに応じて例えば床
面から700 〜800mm の高さに配置されている。
Further, when processing is performed in such a semiconductor manufacturing apparatus, an operator (or a transfer robot or the like) needs to place a wafer cassette at a predetermined position of the transfer mechanism. For this reason, the above-mentioned transfer mechanism is arranged, for example, at a height of 700 to 800 mm from the floor surface, and the transfer path and the processing section of this transfer mechanism are accordingly arranged at a height of, for example, 700 to 800 mm from the floor surface. It is arranged.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年半
導体デバイスは、急速に高集積化および微細化される傾
向にあり、これに伴って半導体製造工程においては、工
程数の増加に伴う半導体製造装置数の増大によるクリー
ンルーム内の占有面積の増大および稼働率の低下、塵埃
付着による歩留まりの低下等の問題が発生している。
However, in recent years, semiconductor devices have tended to be highly integrated and miniaturized rapidly, and along with this, in the semiconductor manufacturing process, the number of semiconductor manufacturing apparatuses has increased with the increase in the number of processes. However, there are problems such as an increase in occupied area in the clean room and a decrease in operating rate due to the increase of the amount of dust, and a decrease in yield due to adhesion of dust.

【0006】このため、上述したような半導体製造装置
においても、さらに設置スペースを削減してスペースフ
ァクターを向上させること、メンテナンス性を向上させ
て装置稼働率の向上を図ること、被処理物に対する塵埃
の付着を防止して歩留まりの向上を図ること等が要求さ
れている。
Therefore, even in the semiconductor manufacturing apparatus as described above, the installation space can be further reduced to improve the space factor, the maintainability can be improved to improve the operation rate of the apparatus, and the dust on the object to be processed can be improved. It is required to prevent the adherence of the particles and improve the yield.

【0007】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、従来に較べて設置スペースを削減してス
ペースファクターの向上を図ることができるとともに、
メンテナンス性を向上させて装置稼働率の向上を図るこ
とができ、さらに被処理物に対する塵埃の付着を防止し
て歩留まりの向上を図ることのできる半導体製造装置を
提供しようとするものである。
The present invention has been made in response to such a conventional situation, and can reduce the installation space and improve the space factor as compared with the conventional one.
An object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of improving the maintainability and improving the operation rate of the apparatus, and further preventing the adhesion of dust to an object to be processed and improving the yield.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の半導
体製造装置は、被処理物に所定の処理を施す処理部と、
前記被処理物を前記処理室部に搬送する搬送機構とを具
備した半導体製造装置において、前記処理部および搬送
機構の搬送路を、少なくとも床面から1500mm以上上方に
位置するよう配置したことを特徴とする。
That is, a semiconductor manufacturing apparatus of the present invention comprises a processing unit for performing a predetermined process on an object to be processed,
In a semiconductor manufacturing apparatus having a transfer mechanism for transferring the object to be processed to the processing chamber section, a transfer path of the processing section and the transfer mechanism is arranged to be located at least 1500 mm or more above a floor surface. And

【0009】[0009]

【作用】上記構成の本発明の半導体製造装置では、処理
部およびこの処理部に被処理物例えば半導体ウエハを搬
送する搬送機構の搬送路が、少なくとも床面から1500mm
以上上方に位置するよう配置されている。
In the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention having the above-mentioned structure, the processing section and the transfer path of the transfer mechanism for transferring the object to be processed such as a semiconductor wafer to the processing section are at least 1500 mm from the floor surface.
It is arranged so as to be located above.

【0010】すなわち、通常各種機器は、オペレータの
身長(1500〜1800mm程度)を想定して、その作業エリア
が床面から0 〜1500mmの範囲になるよう設定されている
が、本発明の半導体製造装置では、通常のオペレータの
作業エリアより上方に処理部および搬送機構の搬送路が
配置されている。
That is, various equipments are usually set so that their working area is within the range of 0 to 1500mm from the floor, assuming the height of the operator (about 1500 to 1800mm). In the apparatus, the transport path of the processing section and the transport mechanism is arranged above the normal work area of the operator.

【0011】したがって、オペレータ等から発生する塵
埃の影響を受けない比較的清浄度の高いクリーンルーム
内の上方において、半導体ウエハ等が搬送され処理され
ることとなり、半導体ウエハ等に対する塵埃の付着を防
止して歩留まりの向上を図ることができる。
Therefore, the semiconductor wafer or the like is conveyed and processed in the upper part of the clean room having a relatively high cleanliness, which is not affected by the dust generated by the operator or the like, and the adhesion of the dust to the semiconductor wafer or the like is prevented. Therefore, the yield can be improved.

【0012】また、搬送機構の搬送路を高位置に配置す
ることにより、その下方に各種機構例えばガスボック
ス、コントローラ等を配置することが可能となり、従来
に較べて設置スペースを削減してスペースファクターの
向上を図ることができる。
Further, by arranging the transport path of the transport mechanism at a high position, various mechanisms such as a gas box and a controller can be disposed below the transport path, so that the installation space can be reduced and the space factor can be reduced as compared with the conventional one. Can be improved.

【0013】さらに、搬送路の下部に設けられたガスボ
ックス、コントローラ等の機構に対して、容易にアクセ
スすることが可能となり、メンテナンス性を向上させて
装置稼働率の向上を図ることができる。
Further, it becomes possible to easily access the mechanism such as the gas box and the controller provided in the lower part of the transport path, and it is possible to improve the maintainability and improve the operation rate of the apparatus.

【0014】[0014]

【実施例】以下、本発明を半導体ウエハにエッチング処
理を施すエッチング装置に適用した一実施例を図面を参
照して説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which the present invention is applied to an etching apparatus for etching a semiconductor wafer will be described below with reference to the drawings.

【0015】図1に示すように、半導体製造装置1は、
例えばパンチングメタル等から構成されるクリーンルー
ムの床2上に設けられている。クリーンルームの天井3
から床2に向けては、図示しない清浄化空気循環機構に
より清浄化空気のダウンフローが形成されており、床2
の下方には、例えばドライポンプ4、用力ユニット5等
が設けられている。なお、クリーンルームの床2から天
井3までの高さT0 は例えば3000mmとされている。
As shown in FIG. 1, the semiconductor manufacturing apparatus 1 is
For example, it is provided on the floor 2 of a clean room made of punching metal or the like. Clean room ceiling 3
A downflow of purified air is formed from the floor 2 to the floor 2 by a purified air circulation mechanism (not shown).
A dry pump 4, a utility unit 5 and the like are provided below. The height T0 from the floor 2 to the ceiling 3 of the clean room is set to 3000 mm, for example.

【0016】また、半導体製造装置1は、図2に示すよ
うに配列された、複数台例えば10台のエッチング装置1
0〜19から構成されており、各エッチング装置10〜
19は、処理機構Aと搬送機構Bとから構成されてい
る。また、これらのエッチング装置10〜19の列の間
には、幅W例えば800mm のメンテナンス用通路20が設
けられている。このメンテナンス用通路20は、床2か
らの高さT1 が、例えば1000mm程度に設定されており、
このメンテナンス用通路20上にオペレータが乗り、各
エッチング装置10〜19のメンテナンス主に後述する
処理室31等(床2からの高さが高い位置に設けられて
いる)のメンテナンスを実行することができるよう構成
されている。なお、このメンテナンス用通路20の下部
には、例えば真空排気、処理ガス供給、処理ガス排気、
冷却水循環等の配管21が設けられている。
The semiconductor manufacturing apparatus 1 includes a plurality of, for example, 10 etching apparatuses 1 arranged as shown in FIG.
0 to 19 and each etching device 10 to
19 is composed of a processing mechanism A and a transport mechanism B. Further, a maintenance passage 20 having a width W, for example, 800 mm, is provided between the rows of the etching apparatuses 10 to 19. The height T1 of the maintenance passage 20 from the floor 2 is set to, for example, about 1000 mm.
An operator can ride on the maintenance passage 20 to perform maintenance of the etching apparatuses 10 to 19 and mainly to perform maintenance of a processing chamber 31 and the like (which is provided at a position higher than the floor 2) described later. It is configured to be able to. In addition, in the lower part of the maintenance passage 20, for example, vacuum exhaust, processing gas supply, processing gas exhaust,
A pipe 21 for cooling water circulation or the like is provided.

【0017】搬送機構Bは、図1に示すように、その上
面の床2からの高さT2 が1500mm以上例えば1850mm程度
とされており、ウエハカセット22をオペレータ等によ
り載置する際の通常の載置高さT3 (例えば700 〜800m
m )から、搬送機構Bの上面まで上昇および下降させる
ためのカセットエレベータ23を備えている。そして、
このカセットエレベータ23によりウエハカセット22
を上昇させ、図2に示すように、ウエハピンセット24
によって、この上昇させたウエハカセット22から半導
体ウエハ25を取り出し、搬送するよう構成されてい
る。
As shown in FIG. 1, the transfer mechanism B has a height T2 of the upper surface from the floor 2 of 1500 mm or more, for example, about 1850 mm, which is a normal value when the wafer cassette 22 is placed by an operator or the like. Mounting height T3 (eg 700-800m
It is provided with a cassette elevator 23 for raising and lowering from m) to the upper surface of the transport mechanism B. And
This cassette elevator 23 allows the wafer cassette 22
The wafer tweezers 24 as shown in FIG.
Thus, the semiconductor wafer 25 is taken out of the raised wafer cassette 22 and conveyed.

【0018】なお、上記搬送機構B上面の床2からの高
さT2 は、通常のオペレータの作業エリアより上方とな
るよう1500mm以上に設定されているが、あまり高くする
とクリーンルームの天井3の高さをさらに高くする必要
が生じることから、この高さT2 は、1500〜2000mm程度
とすることが好ましく、さらには、オペレータの平均的
な身長より高く1800〜1900mmとすることが好ましい。
The height T2 of the upper surface of the transfer mechanism B from the floor 2 is set to 1500 mm or more so as to be above the working area of a normal operator, but if it is too high, the height of the ceiling 3 of the clean room will be high. Therefore, the height T2 is preferably about 1500 to 2000 mm, and more preferably 1800 to 1900 mm, which is higher than the average height of the operator.

【0019】また、処理機構Aは、ロードロック室3
0、処理室31、真空ポンプ32、ガスボックス33、
コントローラ34等から構成されているが、上記搬送機
構Bに対応して、ロードロック室30、処理室31はウ
エハピンセット24による半導体ウエハ25の搬送高さ
T2 (約1850mm)に設けられており、真空ポンプ32、
ガスボックス33、コントローラ34等は、ロードロッ
ク室30および処理室31の下部に設けられている。な
お、ロードロック室30は、半導体ウエハ25を処理室
31内にロードするためのロード用と、半導体ウエハ2
5を処理室31内からアンロードするためのアンロード
用の2 つ設けてもよい。
Further, the processing mechanism A includes a load lock chamber 3
0, processing chamber 31, vacuum pump 32, gas box 33,
The load lock chamber 30 and the processing chamber 31 are provided at a transfer height T2 (about 1850 mm) of the semiconductor wafer 25 by the wafer tweezers 24 in correspondence with the transfer mechanism B. Vacuum pump 32,
The gas box 33, the controller 34, and the like are provided below the load lock chamber 30 and the processing chamber 31. The load lock chamber 30 is used for loading the semiconductor wafer 25 into the processing chamber 31, and the semiconductor wafer 2 is loaded.
Two unloading units 5 may be provided to unload the processing unit 5 from the processing chamber 31.

【0020】すなわち、この実施例では、搬送機構B
(ウエハピンセット24)による半導体ウエハ25の搬
送路および処理機構Aのロードロック室30、処理室3
1等の処理部は、床2から約1850mmの高さ(T2 )に形
成されており、カセットエレベータ23によってウエハ
カセット22をこの高さまで上昇させ、この高さで半導
体ウエハ25を搬送し、エッチング処理を実施するよう
構成されている。
That is, in this embodiment, the transport mechanism B
A transfer path of the semiconductor wafer 25 by the (wafer tweezers 24), a load lock chamber 30 of the processing mechanism A, a processing chamber 3
The processing unit such as 1 is formed at a height (T2) of about 1850 mm from the floor 2. The cassette elevator 23 raises the wafer cassette 22 to this height, and the semiconductor wafer 25 is transferred at this height for etching. It is configured to perform the process.

【0021】上記構成の本実施例の半導体製造装置1で
は、エッチング処理を実施する所定のエッチング装置1
0〜19のカセットエレベータ23を、予め通常の載置
高さT3 (例えば700 〜800mm )に下降させておく。そ
して、オペレータあるいは搬送ロボット等により、半導
体ウエハ25を収容したウエハカセット22を、このエ
ッチング装置10〜19のカセットエレベータ23に載
置する。
In the semiconductor manufacturing apparatus 1 of the present embodiment having the above-mentioned structure, the predetermined etching apparatus 1 for performing the etching process is used.
The cassette elevators 23 of 0 to 19 are lowered in advance to the usual mounting height T3 (for example, 700 to 800 mm). Then, the wafer cassette 22 accommodating the semiconductor wafer 25 is placed on the cassette elevator 23 of the etching apparatuses 10 to 19 by an operator or a transfer robot.

【0022】すると、このエッチング装置10〜19
は、カセットエレベータ23を上昇させ、ウエハカセッ
ト22を床2から約1850mmの高さ(T2 )にまで搬送す
る。そして、この高さ位置でウエハピンセット24によ
り半導体ウエハ25を搬送し、ロードロック室30の前
方へ半導体ウエハ25を位置させる。
Then, the etching devices 10 to 19
Raises the cassette elevator 23 to transfer the wafer cassette 22 from the floor 2 to a height (T2) of about 1850 mm. Then, the semiconductor wafer 25 is transported by the wafer tweezers 24 at this height position, and the semiconductor wafer 25 is positioned in front of the load lock chamber 30.

【0023】しかる後、ロードロック室30内に設けら
れた搬送アームで、この半導体ウエハ25をロードロッ
ク室30を介して処理室31内にロードする。
Thereafter, the semiconductor wafer 25 is loaded into the processing chamber 31 via the load lock chamber 30 by the transfer arm provided in the load lock chamber 30.

【0024】この後、処理室31内に所定のエッチング
ガスを導入して半導体ウエハ25に所定のエッチング処
理を施し、エッチング処理が終了すると、上記手順と逆
の手順でこの処理済みの半導体ウエハ25を処理室31
内からアンロードし、ウエハカセット22内に収容す
る。
After that, a predetermined etching gas is introduced into the processing chamber 31 to perform a predetermined etching process on the semiconductor wafer 25, and when the etching process is completed, the processed semiconductor wafer 25 is reversely processed. The processing chamber 31
It is unloaded from the inside and accommodated in the wafer cassette 22.

【0025】そして、ウエハカセット22内の全ての半
導体ウエハ25のエッチング処理が終了すると、カセッ
トエレベータ23を前述したウエハカセット22の載置
高さ(T3 )(例えば700 〜800mm )まで下降させ、例
えばオペレータ、搬送ロボット等によるこのウエハカセ
ット22をアンロードする。
When the etching processing of all the semiconductor wafers 25 in the wafer cassette 22 is completed, the cassette elevator 23 is lowered to the above-mentioned mounting height (T3) of the wafer cassette 22 (for example, 700 to 800 mm). The wafer cassette 22 is unloaded by an operator, a transfer robot, or the like.

【0026】すなわち、上記説明の半導体製造装置1で
は、処理機構Aのロードロック室30および処理室31
と、これらに半導体ウエハ25を搬送する搬送機構Bの
ウエハピンセット24による搬送路が、床2の床面から
少なくとも1500mm以上上方例えば約1850mmの高さに位置
するよう配置されている。
That is, in the semiconductor manufacturing apparatus 1 described above, the load lock chamber 30 and the processing chamber 31 of the processing mechanism A are provided.
Then, the transfer path by the wafer tweezers 24 of the transfer mechanism B for transferring the semiconductor wafer 25 to them is arranged at a height of at least 1500 mm or more above the floor surface of the floor 2, for example, at a height of about 1850 mm.

【0027】したがって、クリーンルーム内のオペレー
タ等の通常の作業エリアより上方であって、オペレータ
等から発生する塵埃の影響を受けない比較的清浄度の高
い位置において、半導体ウエハ25が搬送されエッチン
グ処理されることとなり、半導体ウエハ25に対する塵
埃の付着を防止して歩留まりの向上を図ることができ
る。
Therefore, the semiconductor wafer 25 is transported and etched at a position above the normal working area of an operator or the like in a clean room and at a relatively high cleanliness position where it is not affected by dust generated by the operator or the like. As a result, dust can be prevented from adhering to the semiconductor wafer 25 and the yield can be improved.

【0028】また、これらの機器を高位置に配置するこ
とにより、その下方に各種機構例えば真空ポンプ32、
ガスボックス33、コントローラ34等を配置すること
が可能となり、従来に較べて設置スペースを削減してス
ペースファクターの向上を図ることができる。
Further, by arranging these devices at a high position, various mechanisms such as the vacuum pump 32, can be provided below the devices.
It is possible to arrange the gas box 33, the controller 34, etc., so that the installation space can be reduced and the space factor can be improved as compared with the conventional case.

【0029】さらに、搬送路の下部に設けられた各種機
構例えば真空ポンプ32、ガスボックス33、コントロ
ーラ34等に対して、オペレータが容易にアクセスする
ことが可能となり、メンテナンス性を向上させることが
できる。また、例えば従来の半導体製造装置のように、
半導体ウエハの搬送路等が低い位置に設けられている場
合は、例えば隣接する装置にメンテナンスを施すような
場合でも、オペレータ等から生じる塵埃が付着する虞が
あるため、例えばメンテナンスを実施する装置に隣接し
た装置も停止させる必要がある。すなわち、例えばエッ
チング装置11にメンテナンスを施す場合、隣接するエ
ッチング装置10、12等を停止させる必要があるが、
本実施例の半導体製造装置1では、このような場合でも
隣接するエッチング装置10、12等はオペレータの作
業エリアより高い位置で半導体ウエハ25の搬送および
処理を実施しているので、これらのエッチング装置1
0、12等で処理を実施している半導体ウエハ25に塵
埃が付着することがなく、これらのエッチング装置1
0、12等を停止させる必要もない。したがって、装置
稼働率の向上を図ることができる。
Further, it becomes possible for the operator to easily access various mechanisms, such as the vacuum pump 32, the gas box 33, and the controller 34, which are provided in the lower part of the transport path, and the maintainability can be improved. .. Further, for example, like a conventional semiconductor manufacturing apparatus,
If the semiconductor wafer transfer path or the like is provided at a low position, for example, even when performing maintenance on an adjacent device, dust generated by an operator or the like may be attached. Adjacent devices also need to be shut down. That is, for example, when performing maintenance on the etching apparatus 11, it is necessary to stop the adjacent etching apparatuses 10 and 12,
Even in such a case, in the semiconductor manufacturing apparatus 1 of the present embodiment, the adjacent etching apparatuses 10, 12 and the like carry and process the semiconductor wafer 25 at a position higher than the work area of the operator. 1
Dust does not adhere to the semiconductor wafer 25 processed by 0, 12, etc.
It is not necessary to stop 0, 12, etc. Therefore, the device operating rate can be improved.

【0030】なお、上述した実施例では、各処理機構A
にそれぞれ別の搬送機構Bを設けた例について説明した
が、図3に示すように、複数台(本実施例では5 台)づ
つ直線状に配列した処理機構A列(本実施例では2 列)
の前方に、それぞれ直線状の搬送機構Cを設け、この搬
送機構Cを共通に使用するよう構成しても良い。この場
合、例えば搬送機構Cのウエハ保持機構40による半導
体ウエハ25の搬送路の高さおよび処理機構Aのロード
ロック室30a、30b、処理室31が、床2から例え
ば1850mmの高さに設定される。
In the above embodiment, each processing mechanism A
An example in which different transport mechanisms B are provided in each of the above has been described. However, as shown in FIG. 3, a plurality of (five in this embodiment) processing mechanisms A arranged linearly (two in this embodiment). )
It may be configured such that a linear transport mechanism C is provided in front of each and the transport mechanism C is commonly used. In this case, for example, the height of the transfer path of the semiconductor wafer 25 by the wafer holding mechanism 40 of the transfer mechanism C, the load lock chambers 30a and 30b of the processing mechanism A, and the processing chamber 31 are set to a height of 1850 mm from the floor 2, for example. It

【0031】また、この実施例では、例えば処理機構A
列の端部に、複数のウエハカセット22を収容するカセ
ットストッカーDおよび受け渡し機構Eが設けられてい
る。そして、受け渡し機構Eのウエハ保持機構41によ
ってカセットストッカーDに設けられたウエハカセット
22内の半導体ウエハ25を取り出し、複数枚の半導体
ウエハ25を載置可能に構成されたウエハストッカー4
2に載置する。そして、このウエハストッカー42に載
置された半導体ウエハ25を、各搬送機構Cのウエハ保
持機構40によって受け取り、各処理機構Aの前方に搬
送するよう構成されている。また、ウエハカセット22
を上下動させるカセットエレベータ(図示せず)は、カ
セットストッカーDに設けられている。
In this embodiment, for example, the processing mechanism A
A cassette stocker D for accommodating a plurality of wafer cassettes 22 and a delivery mechanism E are provided at the ends of the rows. Then, the wafer holding mechanism 41 of the transfer mechanism E takes out the semiconductor wafers 25 in the wafer cassette 22 provided in the cassette stocker D, and the wafer stocker 4 configured so that a plurality of semiconductor wafers 25 can be placed.
Place on 2. Then, the semiconductor wafer 25 placed on the wafer stocker 42 is received by the wafer holding mechanism 40 of each transfer mechanism C and transferred to the front of each processing mechanism A. In addition, the wafer cassette 22
The cassette stocker D is provided with a cassette elevator (not shown) for vertically moving the.

【0032】なお、図3に示す例では、各処理機構Aに
それぞれ半導体ウエハ25ロード用のロードロック室3
0aと、アンロード用のロードロック室30bが設けら
れているが、前述した実施例と同様に一つのロードロッ
ク室30をロード・アンロード用として使用するよう構
成することもできる。
In the example shown in FIG. 3, each processing mechanism A has a load lock chamber 3 for loading the semiconductor wafer 25.
0a and a load lock chamber 30b for unloading are provided, but one load lock chamber 30 may be used for loading and unloading as in the above-described embodiment.

【0033】このように構成された実施例においても、
前述の実施例と同様な効果を得ることができ、さらに、
共通の搬送機構Cを用いることにより、設置スペースを
削減してスペースファクターの向上を図ることができ
る。
Also in the embodiment configured as described above,
It is possible to obtain the same effect as that of the above-described embodiment, and further,
By using the common transport mechanism C, the installation space can be reduced and the space factor can be improved.

【0034】なお、上述した各実施例では、本発明をエ
ッチング装置に適用した例について説明したが、本発明
はかかる実施例に限定されるものではなく、例えばCV
D装置、スパッタ装置、イオン注入装置等あらゆる半導
体製造装置に適用することができる。
In each of the above-mentioned embodiments, an example in which the present invention is applied to an etching apparatus has been described, but the present invention is not limited to such an embodiment, and for example, CV
It can be applied to any semiconductor manufacturing apparatus such as a D apparatus, a sputtering apparatus, and an ion implantation apparatus.

【0035】[0035]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体製
造装置によれば、従来に較べて設置スペースを削減して
スペースファクターの向上を図ることができるととも
に、メンテナンス性を向上させて装置稼働率の向上を図
ることができ、さらに被処理物に対する塵埃の付着を防
止して歩留まりの向上を図ることができる。
As described above, according to the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, the installation space can be reduced and the space factor can be improved as compared with the conventional one, and the maintainability can be improved to operate the apparatus. The yield can be improved by preventing the adhesion of dust to the object to be processed and further improving the yield.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例の半導体製造装置の縦断面を
示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a vertical section of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例の半導体製造装置の上面を示
す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a top surface of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の他の実施例の半導体製造装置の構成を
示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a semiconductor manufacturing apparatus according to another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体製造装置 2 クリーンルームの床 3 クリーンルームの天井 4 ドライポンプ 5 用力ユニット 10〜19 エッチング装置 20 メンテナンス用通路 21 配管 22 ウエハカセット 23 カセットエレベータ 24 ウエハピンセット 25 半導体ウエハ 30 ロードロック室 31 処理室 32 真空ポンプ 33 ガスボックス 34 コントローラ A 処理機構 B 搬送機構 1 Semiconductor Manufacturing Equipment 2 Floor of Clean Room 3 Ceiling of Clean Room 4 Dry Pump 5 Power Unit 10-19 Etching Device 20 Maintenance Passage 21 Piping 22 Wafer Cassette 23 Cassette Elevator 24 Wafer Tweezers 25 Semiconductor Wafer 30 Load Lock Chamber 31 Processing Room 32 Vacuum Pump 33 Gas box 34 Controller A Processing mechanism B Transfer mechanism

フロントページの続き (72)発明者 得丸 秀行 大分県大分市大字松岡3500番地 株式会社 東芝大分工場内Front Page Continuation (72) Inventor Hideyuki Tokumaru 3500 Matsuoka, Oita City, Oita Prefecture Toshiba Corporation Oita Plant

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被処理物に所定の処理を施す処理部と、
前記被処理物を前記処理室部に搬送する搬送機構とを具
備した半導体製造装置において、 前記処理部および搬送機構の搬送路を、少なくとも床面
から1500mm以上上方に位置するよう配置したことを特徴
とする半導体製造装置。
1. A processing unit for performing a predetermined process on an object to be processed,
In a semiconductor manufacturing apparatus having a transfer mechanism for transferring the object to be processed to the processing chamber section, a transfer path of the processing section and the transfer mechanism is arranged to be located at least 1500 mm or more above a floor surface. And semiconductor manufacturing equipment.
JP29311991A 1991-11-08 1991-11-08 Semiconductor manufacturing device Withdrawn JPH05136245A (en)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7347656B2 (en) 1995-07-19 2008-03-25 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and semiconductor manufacturing line using the same
KR100905013B1 (en) * 2002-12-02 2009-06-29 엘지디스플레이 주식회사 Substrate Processing Equipment of Liquid Crystal Display
JP2015018894A (en) * 2013-07-10 2015-01-29 株式会社荏原製作所 Plating device

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