JPH0513303A - 縮少投影露光装置 - Google Patents
縮少投影露光装置Info
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- JPH0513303A JPH0513303A JP3186964A JP18696491A JPH0513303A JP H0513303 A JPH0513303 A JP H0513303A JP 3186964 A JP3186964 A JP 3186964A JP 18696491 A JP18696491 A JP 18696491A JP H0513303 A JPH0513303 A JP H0513303A
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- JP
- Japan
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- pattern
- mask
- dimensional
- exposure
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- Pending
Links
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 24
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】レチクルを制作する必要がなく、少数生産の場
合でも比較的生産性が良い、しかも比較的小規模で安価
な縮少投影露光装置を提供する。 【構成】２次元の任意の照明パターンを任意に設定でき
る照明系と２次元のマスクパターンを任意に設定できる
マスクの少なくとも一方を設け、任意の露光パターンを
電気的に制御できるようにし、多品種の露光を高速に実
現できるようにした。
合でも比較的生産性が良い、しかも比較的小規模で安価
な縮少投影露光装置を提供する。 【構成】２次元の任意の照明パターンを任意に設定でき
る照明系と２次元のマスクパターンを任意に設定できる
マスクの少なくとも一方を設け、任意の露光パターンを
電気的に制御できるようにし、多品種の露光を高速に実
現できるようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣ製造装置における
縮少投影露光装置に関し、特に、ＡＳＩＣ（ａｐｐｌｉ
ｃａｔｉｏｎ ｓｐｅｃｉｆｉｃ ＩＣ）と呼ばれる多
品種少量生産用ＩＣの製造に好適に利用される縮少投影
露光装置に関する。
縮少投影露光装置に関し、特に、ＡＳＩＣ（ａｐｐｌｉ
ｃａｔｉｏｎ ｓｐｅｃｉｆｉｃ ＩＣ）と呼ばれる多
品種少量生産用ＩＣの製造に好適に利用される縮少投影
露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＡＳＩＣ用露光装置としては、レチクル
と呼ばれるガラス製のマスクを有する光学式露光装置や
電子ビーム描画装置等が利用されている。
と呼ばれるガラス製のマスクを有する光学式露光装置や
電子ビーム描画装置等が利用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レチク
ルを有する光学式露光装置においては、レチクルをＩＣ
の品種毎に数枚以上ずつ用意する必要であり、かなりの
作製日数および費用が必要であるため、少量の生産にお
いては大変無駄であるという問題がある。
ルを有する光学式露光装置においては、レチクルをＩＣ
の品種毎に数枚以上ずつ用意する必要であり、かなりの
作製日数および費用が必要であるため、少量の生産にお
いては大変無駄であるという問題がある。
【０００４】一方、電子ビーム描画装置は、一度に描画
できる面積が小さいので、生産性が悪く、また電子ビー
ムという特殊な環境を必要とする手段を用いているの
で、大規模な高価な装置が必要であるという問題があ
る。
できる面積が小さいので、生産性が悪く、また電子ビー
ムという特殊な環境を必要とする手段を用いているの
で、大規模な高価な装置が必要であるという問題があ
る。
【０００５】本発明は、上述の従来装置における問題点
に鑑みてなされたもので、任意の露光パターンが電気的
に制御でき、少数多品種の露光を高速に実現できる縮少
投影露光装置、すなわちレチクルを制作する必要がな
く、少数生産の場合でも比較的生産性が良い、しかも比
較的小規模で安価な縮少投影露光装置を提供することを
目的とする。
に鑑みてなされたもので、任意の露光パターンが電気的
に制御でき、少数多品種の露光を高速に実現できる縮少
投影露光装置、すなわちレチクルを制作する必要がな
く、少数生産の場合でも比較的生産性が良い、しかも比
較的小規模で安価な縮少投影露光装置を提供することを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の縮少投影露光装置は、２次元の任意の照明
パターンを電気的に設定する手段を有する照明系および
２次元の任意のマスクパターンを電気的に設定する手段
を有するマスクの少なくとも一方を設け、任意の露光パ
ターンを電気的に制御できるようにしている。
め、本発明の縮少投影露光装置は、２次元の任意の照明
パターンを電気的に設定する手段を有する照明系および
２次元の任意のマスクパターンを電気的に設定する手段
を有するマスクの少なくとも一方を設け、任意の露光パ
ターンを電気的に制御できるようにしている。
【０００７】２次元の任意の照明パターンを電気的に設
定し得る照明系としては多数のＬＥＤを２次元に配列し
てなる２次元ＬＥＤアレイを用いることができる。
定し得る照明系としては多数のＬＥＤを２次元に配列し
てなる２次元ＬＥＤアレイを用いることができる。
【０００８】２次元の任意のマスクパターンを電気的に
設定し得るマスクとしては微小な液晶シャッタを２次元
に多数配列してなる透過式の液晶パネルを用いることが
できる。
設定し得るマスクとしては微小な液晶シャッタを２次元
に多数配列してなる透過式の液晶パネルを用いることが
できる。
【０００９】
【作用】本発明によれば、２次元の照明パターンを任意
に設定できる可変パターン照明系と２次元の透過光パタ
ーンを任意に設定できる可変パターンマスクの少なくと
も一方を用い、これらのパターンを電気的に制御するこ
とにより、レチクルを製作せずに任意の２次元パターン
を露光することを可能にしている。特に、照明パターン
とマスクパターンを積算することにより、高コストラス
トの露光を可能にすることができる。
に設定できる可変パターン照明系と２次元の透過光パタ
ーンを任意に設定できる可変パターンマスクの少なくと
も一方を用い、これらのパターンを電気的に制御するこ
とにより、レチクルを製作せずに任意の２次元パターン
を露光することを可能にしている。特に、照明パターン
とマスクパターンを積算することにより、高コストラス
トの露光を可能にすることができる。
【００１０】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。
る。
【００１１】図１は本発明一実施例に係る縮少投影露光
装置の構成を示す。同図において、１は２次元に配列さ
せた多数のＬＥＤにより構成される可変パターン照明
系、２は縮少投影光学系、３は液晶シャッタによる可変
パターンマスクである。４は縮少投影光学系、５はウエ
ハである。
装置の構成を示す。同図において、１は２次元に配列さ
せた多数のＬＥＤにより構成される可変パターン照明
系、２は縮少投影光学系、３は液晶シャッタによる可変
パターンマスクである。４は縮少投影光学系、５はウエ
ハである。
【００１２】この露光装置においては、照明系１の２次
元パターンが光学系２によりマスク３に投影される。こ
れにより、照明系１のパターンとマスク３のパターンの
積算が行なわれる。ここで得られた２次元パターンが光
学系４によりウエハに投影露光される。ウエハ５はＸＹ
ステージ６により次のショットが露光位置に来るように
移動され、次の露光が実行される。
元パターンが光学系２によりマスク３に投影される。こ
れにより、照明系１のパターンとマスク３のパターンの
積算が行なわれる。ここで得られた２次元パターンが光
学系４によりウエハに投影露光される。ウエハ５はＸＹ
ステージ６により次のショットが露光位置に来るように
移動され、次の露光が実行される。
【００１３】本実施例によれば、照明系とマスク両方の
２次元パターンの積算を行なうことにより、高コントラ
ストの像がウエハ５上に得られる。またコントローラ７
により、照明系１の２次元パターンおよびマスク３の２
次元パターンが電子信号８を用いて電気的に可変であ
り、任意に設定できる。これにより、レチクルを作成す
る日数および費用が不要となる。また、同一ウエハ上
で、照明系とマスクのパターンを変更することにより、
種々のパターンの露光が高速にできる。
２次元パターンの積算を行なうことにより、高コントラ
ストの像がウエハ５上に得られる。またコントローラ７
により、照明系１の２次元パターンおよびマスク３の２
次元パターンが電子信号８を用いて電気的に可変であ
り、任意に設定できる。これにより、レチクルを作成す
る日数および費用が不要となる。また、同一ウエハ上
で、照明系とマスクのパターンを変更することにより、
種々のパターンの露光が高速にできる。
【００１４】図２は可変パターン照明系の例である。Ｌ
ＥＤ１１が多数配列され、各ＬＥＤのＯＮ／ＯＦＦによ
り照明パターンが得られる。
ＥＤ１１が多数配列され、各ＬＥＤのＯＮ／ＯＦＦによ
り照明パターンが得られる。
【００１５】図３は可変パターンマスクの例である。液
晶１２の１ドットの透過／非透過によりマスクパターン
が得られる。
晶１２の１ドットの透過／非透過によりマスクパターン
が得られる。
【００１６】
【他の実施例】図４および図５は本発明の他の実施例を
示す。
示す。
【００１７】図４は可変パターンマスクなしの場合であ
り、これにより装置の簡略化が実現できる。
り、これにより装置の簡略化が実現できる。
【００１８】図５は、可変パターン照明系を固定の照明
系９に置き換えた場合であり、これにより装置の簡略化
が実現できる。
系９に置き換えた場合であり、これにより装置の簡略化
が実現できる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
２次元の照明パターンを任意に設定できる照明系と２次
元のマスクパターンを任意に設定できるマスクとの少な
くとも一方を設け、これらのパターンを電気的に制御す
るようにしたため、多品種の露光を高速に実現できる。
また、レチクルを作成する必要をなくしたため、その作
製日数および費用が要らず、その意味からも高速に、し
かも安価に多種少量の生産ができる。さらに電子ビーム
描画装置のような特殊な環境や大型かつ高価な装置を必
要とせず、安価なＡＳＩＣ用露光装置を提供することが
できる。
２次元の照明パターンを任意に設定できる照明系と２次
元のマスクパターンを任意に設定できるマスクとの少な
くとも一方を設け、これらのパターンを電気的に制御す
るようにしたため、多品種の露光を高速に実現できる。
また、レチクルを作成する必要をなくしたため、その作
製日数および費用が要らず、その意味からも高速に、し
かも安価に多種少量の生産ができる。さらに電子ビーム
描画装置のような特殊な環境や大型かつ高価な装置を必
要とせず、安価なＡＳＩＣ用露光装置を提供することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施例に係る縮少投影露光装置の
概略構成図である。
概略構成図である。
【図２】 図１における可変パターン照明系の一具体例
を示す図である。
を示す図である。
【図３】 図１における可変パターンマスクの一具体例
を示す図である。
を示す図である。
【図４】 本発明の第二の実施例に係る縮少投影露光装
置の概略構成図である。
置の概略構成図である。
【図５】 本発明の第三の実施例に係る縮少投影露光装
置の概略構成図である。
置の概略構成図である。
１：可変パターン、２：縮少投影光学系、３：可変パタ
ーンマスク、４：縮少投影光学系、５：ウエハ、６：Ｘ
Ｙステージ、７：露光パターンコントローラ、８：電気
信号、９：ランプ、１０：光学系、１１：ＬＥＤ、１
２：液晶。
ーンマスク、４：縮少投影光学系、５：ウエハ、６：Ｘ
Ｙステージ、７：露光パターンコントローラ、８：電気
信号、９：ランプ、１０：光学系、１１：ＬＥＤ、１
２：液晶。
Claims (3)
- 【請求項１】 ２次元の任意の照明パターンを電気的に
設定する手段を有する照明系および／または２次元の任
意のマスクパターンを電気的に設定する手段を有するマ
スクを具備し、任意の露光パターンを電気的に制御でき
るようにしたことを特徴とする縮少投影露光装置。 - 【請求項２】 前記照明系が多数のＬＥＤを２次元に配
列されたＬＥＤアレイからなる請求項１記載の縮少投影
露光装置。 - 【請求項３】 前記マスクが微小な液晶シャッタを２次
元に多数配列した透過式の液晶パネルからなる請求項１
記載の縮少投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3186964A JPH0513303A (ja) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | 縮少投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3186964A JPH0513303A (ja) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | 縮少投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513303A true JPH0513303A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=16197811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3186964A Pending JPH0513303A (ja) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | 縮少投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0513303A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003068634A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-03-07 | Toshiyuki Horiuchi | 液晶マトリックス投影露光装置および液晶マトリックス投影露光方法 |
| JP2006313202A (ja) * | 2005-05-06 | 2006-11-16 | Nano System Solutions:Kk | マスク製造方法 |
| JP2007266155A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Asml Netherlands Bv | 可変式照明源 |
| JP2008263090A (ja) * | 2007-04-12 | 2008-10-30 | Nikon Corp | パターンジェネレータ、パターン形成装置及びパターン生成方法 |
| JP2012138622A (ja) * | 2012-03-30 | 2012-07-19 | Nikon Corp | パターンジェネレータ、パターン形成装置及び露光装置 |
-
1991
- 1991-07-02 JP JP3186964A patent/JPH0513303A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003068634A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-03-07 | Toshiyuki Horiuchi | 液晶マトリックス投影露光装置および液晶マトリックス投影露光方法 |
| JP2006313202A (ja) * | 2005-05-06 | 2006-11-16 | Nano System Solutions:Kk | マスク製造方法 |
| JP2007266155A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Asml Netherlands Bv | 可変式照明源 |
| JP2008263090A (ja) * | 2007-04-12 | 2008-10-30 | Nikon Corp | パターンジェネレータ、パターン形成装置及びパターン生成方法 |
| JP2012138622A (ja) * | 2012-03-30 | 2012-07-19 | Nikon Corp | パターンジェネレータ、パターン形成装置及び露光装置 |
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