JPH05129256A - Device and method of grinding semiconductor wafer - Google Patents
Device and method of grinding semiconductor waferInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハを研摩
するためにパッド上に設計されたファイバであって、研
摩によってしだいに平坦になったファイバを回復すると
ともに、研摩による副産物及び消費された研摩物質をパ
ッドの表面から除去するための処理及び装置に関する。FIELD OF THE INVENTION The present invention is a fiber designed on a pad for polishing a semiconductor wafer, which recovers a fiber that is gradually flattened by polishing, and which is a byproduct and consumption of the polishing. A process and apparatus for removing abrasive material from the surface of a pad.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体ウェーハの製造プロセスでは、例
えば酸化物、ポリシリコン、及びアルミニウムなどの過
剰物質をウェーハの表面から選択的に除去するために、
ウェーハを研摩する必要がある。そのような研摩は、
「平坦化技術」と呼ばれ、ウェーハに適切なパターンを
提供するために埋込物質を残しながら、物質の外側の層
を表面から選択的に除去するために適切な化学薬品をウ
ェーハに供給する。BACKGROUND OF THE INVENTION In a semiconductor wafer manufacturing process, in order to selectively remove excess materials such as oxides, polysilicon, and aluminum from the surface of the wafer,
The wafer needs to be polished. Such polishing is
Called the "planarization technique," it supplies the wafer with the appropriate chemicals to selectively remove the outer layer of material from the surface, leaving the buried material to provide the wafer with the proper pattern. ..
【0003】ウェーハを研摩するために、ウェーハはキ
ャリアに支持され、通常では円形の研摩用パッドと接触
する。研摩用パッドはポリエチレンテレフタレート(例
えばMYLAR)の外表面と、表面から上方に延出して
いる延出ファイバとを有する。延長ファイバは適切な化
学薬品で表面処理され、そして半導体ウェーハの表面と
接触するようにされる。パッドが回転されるとともにフ
ァイバがウェーハの表面を横切って移動するので、不要
な物質はウェーハから除去される。To polish the wafer, the wafer is supported on a carrier and contacts a normally circular polishing pad. The polishing pad has an outer surface of polyethylene terephthalate (eg, MYLAR) and an extending fiber extending upwardly from the surface. The extension fiber is surface treated with a suitable chemical and brought into contact with the surface of the semiconductor wafer. Unwanted material is removed from the wafer as the fiber is moved across the surface of the wafer as the pad is rotated.
【0004】研摩処理において、消費された研摩物質及
び副産物は、研摩用パッドのファイバに埋込まれること
になる。さらに、ファイバは結果としてパッドの表面
に”平滑化”効果を生じる研摩パッドに対して平坦にな
る傾向がある。平坦になったファイバ及び埋込まれ消費
された研摩物質及び副産物は、研摩プロセスの効率を減
少させ、ウェーハを研摩するのに必要な時間を拡張す
る。実際に、パッドは最終的には副産物で一杯になる
か、さもなければ非常に平滑になり、それ以上研摩の働
きを失う。In the polishing process, the spent polishing material and byproducts will be embedded in the fibers of the polishing pad. In addition, the fiber tends to be flat against the polishing pad resulting in a "smoothing" effect on the surface of the pad. Flattened fibers and buried spent abrasive material and byproducts reduce the efficiency of the polishing process and extend the time required to polish a wafer. In fact, the pad eventually fills with by-products or otherwise becomes very smooth and loses any further polishing activity.
【0005】研摩用パッドを再生するための処理が開発
されていることが知られている。例えば、ナイロンブラ
シ、サンドペーパー、またはダイアモンドで表面処理さ
れたブレードのように、直接的にパッドと接触する手段
が使用されている。しかしながら、これらのプロセス
は、概して、ウェーハの研摩プロセスを中断することを
必要とし、ある場合には、研摩用のアセンブリから研摩
用パッドを取り外すことを必要とする。さらに、これら
の処理はパッドの表面をすり減らすので、研摩用パッド
は依然として頻繁に交換しなければならず、ある場合に
は、たった数個(例えば10個)の半導体ウェーハが研
摩された後に交換しなければならない。It is known that processes have been developed for reclaiming polishing pads. For example, direct pad contact means have been used, such as nylon brushes, sandpaper, or diamond surfaced blades. However, these processes generally require interrupting the wafer polishing process and, in some cases, removing the polishing pad from the polishing assembly. In addition, these treatments abrade the surface of the pad, so the polishing pad must still be replaced frequently, and in some cases only a few semiconductor wafers (eg, 10) should be replaced after they have been polished. There must be.
【0006】平板の表面から粒子を除去するために開発
された一つの技術がランスフォードに特許された米国特
許第3031195号に記載されている。この特許は、
音楽用レコードの表面から粒子を除去するための装置を
開示し、ここで空気がレコードの表面に向けてトーンア
ームを介して下方に吹き出され、その結果粒子を除去す
る。One technique developed for removing particles from the surface of a flat plate is described in US Pat. No. 3,031,195 to Lansford. This patent
Disclosed is an apparatus for removing particles from the surface of a musical record, where air is blown downwards through a tone arm toward the surface of the record, resulting in particle removal.
【0007】研摩用パッド上の残留物を除去するため
に、他の技術が開発されている。これらの技術は、ドゥ
ルツェヴィエッキの米国特許第3907257号及びス
キァンダレトスの米国特許第3754359号に示され
る。ドゥルツェヴィエッキの特許は、ハウジングの周囲
を巡って包まれた研摩用パッドを有するように設計され
た管状ハウジングを示している。複数の穴がハウジング
に形成されており、パッドを介して空気の通過を可能と
し、残留物を除去する。同様に、スキァンダレトスの特
許は、ディスクが回転される時、貫通口を介して空気流
を与えるように設計された穴あきフレキシブルディスク
を示している。空気流は、ディスクの表面上の残留物を
除去する。Other techniques have been developed to remove residue on polishing pads. These techniques are shown in U.S. Pat. No. 3,907,257 of Dulzewiecki and U.S. Pat. No. 3,754,359 of Skiandaretos. The Dulzewiecki patent shows a tubular housing designed to have a polishing pad wrapped around the circumference of the housing. A plurality of holes are formed in the housing to allow air to pass through the pad and remove residue. Similarly, the Skanderetos patent shows a perforated flexible disc designed to provide airflow through the through-hole when the disc is rotated. The air stream removes the residue on the surface of the disc.
【0008】研摩用パッドから残留物または粒子を除去
するための技術を開示した上述の例は、概して、パッド
を介して通過する流体を必要とし、裏打用の支持部材を
有するパッドに作用できるものではなく、1)研摩用パ
ッドの平坦になったファイバを回復し、2)同時に、研
摩プロセスの間での副産物及び消費された研摩物質をパ
ッドの表面から除去し、3)研摩プロセスでの中断を伴
うことなくそれらのことを行うように、設計されていな
い。本発明は、これら全てを各半導体ウェーハの適切な
研摩をする間に実現するばかりでなく、同じ時間での研
摩用パッドの頻繁な交換及び研摩プロセスの中断なしに
それを行う。The above-described examples disclosing techniques for removing residue or particles from a polishing pad generally require fluid to pass through the pad and can act on a pad having a backing support member. Rather than 1) recover the flattened fibers of the polishing pad, 2) simultaneously remove by-products and spent polishing material from the pad surface during the polishing process, and 3) interrupt the polishing process. It's not designed to do those things without. The present invention not only achieves all of this during proper polishing of each semiconductor wafer, but does so without frequent replacement of polishing pads and interruption of the polishing process at the same time.
【0009】[0009]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、半導
体ウェーハを研摩するよう設計されたパッド上で平坦に
なったファイバを回復し、またウェーハの研摩プロセス
を中断しないで、研摩による副産物及び消費された研摩
物質をパッドから除去するための装置を提供することで
ある。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to recover a flattened fiber on a pad designed to polish a semiconductor wafer and also to remove byproducts of polishing without interrupting the wafer polishing process. An object is to provide a device for removing spent abrasive material from a pad.
【0010】本発明の他の目的は、研摩による副産物及
び消費された研摩物質を研摩用パッドから除去し、パッ
ドに接触しないでパッド上で平坦になったファイバを回
復する多目的装置を提供することである。Another object of the present invention is to provide a versatile device for removing polishing byproducts and spent polishing material from a polishing pad and for recovering a flattened fiber on the pad without contacting the pad. Is.
【0011】本発明の更に他の目的は、研摩による副産
物及び消費された研摩物質を研摩用パッドから除去し、
パッド上の平坦になった研摩用パッドファイバを回復す
る有効な装置を提供することである。この装置は簡単で
操作性が良く、さらに研摩用パッドの交換が必要になる
までに研摩されることができる半導体ウェーハの数を増
大させる。Yet another object of the present invention is to remove byproducts of polishing and spent abrasive material from the polishing pad,
It is an object of the present invention to provide an effective device for recovering a flattened polishing pad fiber on a pad. This device is simple and easy to operate, and further increases the number of semiconductor wafers that can be polished before replacement of the polishing pad is required.
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明は、研摩用パッド
の平坦になったファイバを起こすための処理及び装置を
提供するものであり、また、適切な半導体ウェーハの研
摩のために研摩用パッドから研摩による副産物及び消費
された研摩物質を除去することに関するものである。こ
の装置は、研摩用パッドの上に支持されている延長パイ
プを有するジェットアセンブリから成る。ジェットアセ
ンブリは、空気のような流体の下方に向けられた流れを
研摩用パッドに向けて与える。空気の流れは、パッド上
の平坦になったファイバを回復し、研摩プロセスの間で
の研摩による副産物及び消費された研摩物質を除去す
る。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a process and apparatus for raising a flattened fiber in a polishing pad, and a polishing pad for polishing a suitable semiconductor wafer. To remove by-products from polishing and spent polishing material. This device consists of a jet assembly having an extension pipe supported on a polishing pad. The jet assembly provides a downwardly directed flow of a fluid, such as air, toward the polishing pad. The air flow restores the flattened fibers on the pad, removing by-products of polishing and spent abrasive material during the polishing process.
【0013】研摩用パッドは回転可能なプラテン上に支
持され、正常では研摩用パッドの上面に対してほぼ垂直
に延出する複数のファイバから構成される。ファイバ
は、適切な化学物質で覆われるように設計され、半導体
ウェーハの表面と接触し、よってプラテンが回転される
時に、化学的、機械的にウェーハを研摩する。The polishing pad is supported on a rotatable platen and is normally composed of a plurality of fibers extending substantially perpendicular to the upper surface of the polishing pad. The fiber is designed to be coated with a suitable chemical and contacts the surface of the semiconductor wafer, thus chemically and mechanically polishing the wafer as the platen is rotated.
【0014】空気ジェットアセンブリの延長パイプは、
研摩用パッドの上に支持され、研摩用パッドの回転軸に
向かって放射状に内方に延びている。パイプの一端は、
空気供給源に結合された入口を有する。連続する出口が
パイプの長さに沿って形成され、研摩用パッドの表面に
対して角度を持って下方に向けられている。空気の供給
が作動されると、空気は出口を通って押し出され、回転
している研摩用パッドの表面に向けられる。空気の流れ
は、平坦になったパッドファイバを正規の方向に回復
し、同時に消費された研摩物質及び副産物をパッドから
除去する。The extension pipe of the air jet assembly is
It is supported on the polishing pad and extends radially inward toward the axis of rotation of the polishing pad. One end of the pipe
It has an inlet coupled to an air supply. A continuous outlet is formed along the length of the pipe and is angled downward with respect to the surface of the polishing pad. When the air supply is activated, air is forced through the outlet and directed at the surface of the rotating polishing pad. The air flow restores the flattened pad fiber in the normal direction, simultaneously removing spent abrasive material and byproducts from the pad.
【0015】[0015]
【実施例】最初に図1〜図3を参照すると、通常、10
で示される研摩用パッドは、ウェーハ製造プロセスで半
導体ウェーハの表面(11で示す)を研摩するように設
計されている。研摩プロセス及び本発明の装置の操作
は、本発明の譲受人に譲渡された米国特許第47938
95号に示すように、化学的及び機械的平たん化(CM
P)処理に関連していることが示される。しかし、本発
明の装置や処理は、酸化物、ポシリコン、及びアルミニ
ウムなどの異なった物質を半導体ウェーハの表面から除
去する他の処理にも使われることがわかるだろう。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT Referring initially to FIGS.
The polishing pad indicated by is designed to polish the surface of a semiconductor wafer (shown at 11) during the wafer fabrication process. The polishing process and operation of the apparatus of the present invention are assigned to the assignee of the present invention, US Pat. No. 47938.
As shown in No. 95, chemical and mechanical flattening (CM
P) Shown to be related to processing. However, it will be appreciated that the apparatus and process of the present invention may be used in other processes that remove different materials such as oxides, polysilicon, and aluminum from the surface of semiconductor wafers.
【0016】パッド10は、平面はほぼ円形で、回転可
能なプラテン12上に支持されている。パッド10は概
ね多くの延出ファイバ14によって構成され、正常で
は、半導体ウェーハの表面と接触し研摩するために、パ
ッドの表面の上面へほぼ垂直に延びている。パッド10
はポリエチレンテレフタレート(例えばMYLAR)の
ような不通気面13で裏打ちされる。研摩プロセスの
間、研摩される物質に適し研摩剤を加えた化学物質が、
スラリーの形で連続的にパッドへ加えられ、不要な物質
をウェーハから除去する。The pad 10 is substantially circular in plane and is supported on a rotatable platen 12. The pad 10 is generally constituted by a number of extending fibers 14, which normally extend approximately perpendicular to the top surface of the pad surface for contacting and polishing the surface of the semiconductor wafer. Pad 10
Is lined with an impermeable surface 13 such as polyethylene terephthalate (eg MYLAR). During the polishing process, the chemicals with abrasives suitable for the material being polished are
It is continuously added to the pad in the form of a slurry to remove unwanted material from the wafer.
【0017】半導体ウェーハ製造プロセスの間におい
て、ファイバ14は研摩プロセス(図3参照)の間に平
坦になる傾向にある。さらに、研摩による副産物及び消
費された研摩物質はパッドのファイバに埋め込まれる傾
向にある。また、”平滑化効果”が研摩用パッドの表面
上にはっきり現れてくる。平坦になったファイバ及び、
埋込まれた研摩による副産物と消費された研摩物質は、
パッドの研摩効率を低下させる。During the semiconductor wafer manufacturing process, the fiber 14 tends to flatten during the polishing process (see FIG. 3). In addition, polishing byproducts and spent polishing material tend to be embedded in the fibers of the pad. Also, a "smoothing effect" is clearly visible on the surface of the polishing pad. Flattened fiber and
The embedded polishing by-product and the consumed polishing material are
Reduces pad polishing efficiency.
【0018】本発明によれば、16で概ね示される空気
ジェットアセンブリは、研摩用パッドの表面に空間を有
する関係で支持されている。空気ジェットアセンブリ1
6は、空気供給源24にフレキシブルチューブ20で結
合される延長パイプ18を有している。In accordance with the present invention, an air jet assembly, indicated generally at 16, is supported in a spatial relationship on the surface of the polishing pad. Air jet assembly 1
6 has an extension pipe 18 connected to an air supply source 24 by a flexible tube 20.
【0019】延長パイプ18は、緊固なプラスチックま
たは他の適切な物質により形成され、好ましくは、研摩
用パッドの回転軸に向かって内方に放射状に伸びてい
る。パイプ18の一端はフレキシブルチューブ20に接
続される入口25を有し、他端はキャップ26で閉塞さ
れている。空気ジェットアセンブリのパイプ18は、自
在継手ブロック(図示せず)で、プラテンの支持機構に
枢着できる。従って、研摩用パッドの交換の間、パイプ
18はプラテンから離れるように動かせる。The extension pipe 18 is formed of a rigid plastic or other suitable material and preferably extends radially inward toward the axis of rotation of the polishing pad. One end of the pipe 18 has an inlet 25 connected to the flexible tube 20, and the other end is closed by a cap 26. The pipe 18 of the air jet assembly can be pivotally attached to the platen support mechanism with a universal joint block (not shown). Thus, during replacement of the polishing pad, the pipe 18 can be moved away from the platen.
【0020】図2及び図4に示すように、28で示され
る複数の貫通口がパイプ18の壁に形成されている。そ
れぞれの貫通口28は、直径がDである。貫通口は、好
ましくは、パイプ18の長さ方向に沿って等しい間隔d
とされる。貫通口の縁部の間の距離dと送り穴の直径
は、好ましくは、等しい。以上の処理のために、直径D
と距離dは、約1/8インチ(0.32cm)にすべき
であることが決定された。あるいは、貫通口の代わり
に、パイプの長さ方向に沿って伸びる細い溝を設けるこ
とも、この発明の範囲に包含される。As shown in FIGS. 2 and 4, a plurality of through holes 28 are formed in the wall of the pipe 18. Each through hole 28 has a diameter D. The through openings are preferably of equal spacing d along the length of the pipe 18.
It is said that. The distance d between the edges of the through holes and the diameter of the perforations are preferably equal. Due to the above processing, the diameter D
It has been determined that the distance d and the distance d should be approximately 1/8 inch (0.32 cm). Alternatively, it is within the scope of the present invention to provide a narrow groove extending along the length direction of the pipe instead of the through hole.
【0021】空気供給源24は通常の設計のもので、パ
イプ18の入口25にフレキシブルチューブ20を介し
て圧縮空気(または他の適切な気体若しくは液体)を与
える。空気はパイプを満たし、貫通口28を介してほぼ
均一な流れで押し出される。貫通口28は研摩用パッド
上のファイバに対して角度φで下方に向かうように空気
を導き(図3)、その角度は、プラテンの回転の方向で
ほぼ45°である。The air supply 24 is of conventional design and provides compressed air (or other suitable gas or liquid) to the inlet 25 of the pipe 18 via the flexible tube 20. Air fills the pipe and is forced out through the through-hole 28 in a substantially uniform flow. Through-hole 28 directs air downwards at an angle φ with respect to the fibers on the polishing pad (FIG. 3), which angle is approximately 45 ° in the direction of platen rotation.
【0022】図3でより明確に示されるように、プラテ
ン12が回転する時、破線29で概ね示されるように、
化学物質が研摩用パッドのファイバにアプリケータを介
して加えられる。研摩用パッドが回転する時、ファイバ
はウェーハの表面を横切って移動する。ファイバ上の化
学物質は、研摩による副産物と共に、パッドのファイバ
に埋め込まれることになる研摩された研摩物質を除去す
る。さらに、ウェーハの表面と接触する間に、パッド上
のファイバは平坦になる。下方に向けられた空気の流れ
は、研摩用パッド10上の平坦になったファイバに対し
て角度φをもって供給される。空気は研摩による副産物
及び消費された研摩物質をパッドから吹き飛ばすように
なり、平坦になったファイバを研摩用パッドの表面に対
してほぼ垂直になるような正規の方向に起こす。さら
に、研摩の間でのファイバの”平滑化”は、この物質及
び研摩による副産物の吹き飛ばしにより回避される。プ
ラテンが回転し続ける間、持ち上げられたファイバは再
び化学物質で表面処理され、半導体ウェーハの表面と接
触し、研摩する。As platen 12 rotates, as more clearly shown in FIG. 3, as indicated generally by dashed line 29,
Chemicals are added to the fibers of the polishing pad via an applicator. As the polishing pad rotates, the fiber moves across the surface of the wafer. The chemicals on the fibers, along with the by-products of polishing, remove the polished abrasive that will be embedded in the fibers of the pad. In addition, the fibers on the pad become flat during contact with the surface of the wafer. A downwardly directed air stream is provided at an angle φ to the flattened fibers on the polishing pad 10. The air causes the polishing by-products and spent polishing material to be blown off the pad, causing the flattened fiber in a normal orientation such that it is approximately perpendicular to the surface of the polishing pad. Furthermore, "smoothing" of the fiber during polishing is avoided by blowing off this material and by-products of polishing. While the platen continues to rotate, the lifted fiber is again surface treated with chemicals to contact and polish the surface of the semiconductor wafer.
【0023】8インチの半導体ウェーハが研摩される研
摩用パッドの上に支持される空気ジェットアセンブリを
使用してテストが行われた。パッドは35rpmの割合
でプラテン上を回転された。パイプの貫通口は、研摩用
パッド上の平坦になったファイバに対し45°の角度で
回転方向にゲージ圧で4.4気圧(65PSIG)で空
気を与える。空気ジェットアセンブリは消費された研摩
物質及び副産物をパッドから除去し、平坦になったパッ
ドファイバを起こすことが確定された。さらに、空気ジ
ェットアセンブリは、ウェーハ研摩処理での研摩用パッ
ドの寿命を長くすることも確定された。特に、空気ジェ
ットアセンブリが稼働された時には、一つの研摩用パッ
ドは、交換までに500の半導体ウェーハを研摩するこ
とができたことが確定された。これに対して、空気ジェ
ットアセンブリが稼働されなかった時には、研摩用パッ
ドは、たった40のウェーハが研摩されただけで交換し
なければならなくなることが分かった。パッドの寿命の
増大は、従って、1250%である。Tests were conducted using an air jet assembly supported on a polishing pad where an 8 inch semiconductor wafer was polished. The pad was spun on the platen at a rate of 35 rpm. The through-hole of the pipe provides air to the flattened fiber on the polishing pad at an angle of 45 ° and a gauge pressure of 4.4 atm (65 PSIG) in the direction of rotation. The air jet assembly was determined to remove spent abrasive material and byproducts from the pad, resulting in a flattened pad fiber. In addition, the air jet assembly has also been determined to extend the life of the polishing pad in the wafer polishing process. In particular, it was determined that one polishing pad was able to polish 500 semiconductor wafers before replacement when the air jet assembly was turned on. In contrast, it was found that when the air jet assembly was not operated, the polishing pad had to be replaced after only 40 wafers had been polished. The increase in pad life is therefore 1250%.
【0024】本発明はある好ましい実施例に関して示さ
れ、説明されたが、明細書の理解に基づく方法において
他の同様な技術へも変形できる。例えば、水、溶剤、研
摩流体、そのような流体が、上述の空気と代替できる。Although the present invention has been shown and described with respect to certain preferred embodiments, it can be adapted to other similar techniques in a manner that is based on an understanding of the specification. For example, water, solvents, polishing fluids, such fluids can replace the air described above.
【0025】[0025]
【発明の効果】よって、本発明は、簡単で操作性が良
く、研摩用パッドの表面から消費された研摩物質及び副
産物を効率的に除去する空気ジェット装置を提供する。
さらに、この装置は、ウェーハ製造プロセスでの半導体
ウェーハの適切な研摩のために、研摩用パッドの平坦に
なったファイバを正規の方向に起こすことを提供する。The present invention thus provides an air jet device that is simple and easy to operate and that efficiently removes spent abrasive material and byproducts from the surface of the polishing pad.
In addition, the apparatus provides for orienting the flattened fiber of the polishing pad for proper polishing of the semiconductor wafer in the wafer fab process.
【図1】本発明に係わる研摩用パッド上に配置された、
空気ジェット装置の平面図である。FIG. 1 is disposed on a polishing pad according to the present invention,
It is a top view of an air jet device.
【図2】空気ジェット装置及び研摩用パッドの図1の線
分2−2の縦断面図である。2 is a vertical cross-sectional view of the air jet device and the polishing pad taken along the line 2-2 in FIG.
【図3】空気ジェット装置及び研摩用パッドの図1の線
分3−3の横断面図である。3 is a cross-sectional view of the air jet device and polishing pad taken along line 3-3 of FIG.
【図4】図2に示される空気ジェット装置の部分の拡大
図である。FIG. 4 is an enlarged view of a portion of the air jet device shown in FIG.
10 研摩用パッド 11 ウェーハ 12 プラテン 14 ファイバ 16 空気ジェットアセンブリ 18 パイプ 24 空気供給源 10 Polishing Pad 11 Wafer 12 Platen 14 Fiber 16 Air Jet Assembly 18 Pipe 24 Air Supply Source
フロントページの続き (72)発明者 ジエイムズ・リチヤード・デイ アメリカ合衆国、ヴアーモント州サウスヘ ロ、サウスストリート アールアール1 ボツクス311−3Front Page Continuation (72) Inventor James A Richards Day, South Street, Earl, USA, Earl 1 Box 311-3, South Hero, Vermont, USA
Claims (10)
パイプとから成り、 上記研摩用パッドは通常では上記研摩用パッドの表面に
対してほぼ垂直に延び半導体ウェーハの研摩の間に表面
に対して平坦になる傾向があるファイバを有し、 上記延長パイプは入口及び出口を有し、上記入口は流体
供給源に結合され、上記出口は上記研摩用パッドの表面
に向けられ、上記流体供給源は平坦になったファイバを
上記研摩用パッドの表面に対してほぼ垂直に起こすため
に上記出口を介して流体が与えられるようにされた半導
体ウェーハを研摩する半導体ウェーハ研摩装置。1. A rotatable platen, a polishing pad supported on the platen, and an extension pipe supported with a space with respect to the polishing pad. The fiber having a fiber extending substantially perpendicular to the surface of the polishing pad and tending to be flat against the surface during polishing of a semiconductor wafer; the extension pipe having an inlet and an outlet; Coupled to a source, the outlet is directed toward the surface of the polishing pad, and the fluid source is through the outlet to raise the flattened fiber substantially perpendicular to the surface of the polishing pad. A semiconductor wafer polishing apparatus for polishing a semiconductor wafer provided with a fluid.
ウェーハの研摩の間に上記研摩用パッドに埋め込まれる
傾向にあり、上記延長パイプの上記出口は上記研摩用パ
ッドの表面から上記消費された研摩物質及び副産物を吹
き飛ばすための気体を与えるようにした請求項1記載の
半導体ウェーハ研摩装置。2. Consumed polishing material and by-products tend to be embedded in the polishing pad during polishing of a semiconductor wafer, the outlet of the extension pipe from the surface of the polishing pad to the consumed polishing material. 2. The semiconductor wafer polishing apparatus according to claim 1, wherein a gas for blowing off substances and by-products is provided.
パッドの表面に対して角度をもって向けられており、上
記角度は上記プラテンの回転方向で約45°である請求
項1記載の半導体ウェーハ研摩装置。3. The semiconductor wafer polish of claim 1, wherein the outlet of the extension pipe is oriented at an angle to the surface of the polishing pad, the angle being about 45 ° in the direction of rotation of the platen. apparatus.
枢支されている請求項1記載の半導体ウェーハ研摩装
置。4. The semiconductor wafer polishing apparatus according to claim 1, wherein the extension pipe is pivotally supported on the polishing pad.
てゲージ圧で約4.4気圧(約65PSIG)で空気を
供給する請求項1記載の半導体ウェーハ研摩装置。5. The semiconductor wafer polishing apparatus according to claim 1, wherein the fluid supply source supplies air at a gauge pressure of about 4.4 atmospheres (about 65 PSIG) through the extension pipe.
るステップと、 入口及び出口を有する延長パイプを上記研摩用パッドの
表面に対して空間を持って支持するステップと、 流体を上記入口を介して上記延長パイプに送り込み上記
出口を介して出すステップとから成り、 上記出口は平坦になった上記ファイバを上記研摩用パッ
ドの表面に対してほぼ垂直に起こすために流体を研摩用
パッドに対して向けるようにした半導体ウェーハ研摩方
法。6. A step of rotating a polishing pad having a fiber, a step of supporting an extension pipe having an inlet and an outlet with respect to a surface of the polishing pad with a space, and a fluid passing through the inlet. Feeding into the extension pipe and exiting through the outlet, the outlet directing fluid to the polishing pad to raise the flattened fiber substantially perpendicular to the surface of the polishing pad. Method for polishing semiconductor wafers.
で約45°の角度で上記延長パイプの上記出口中の複数
の穴を介して押し出される請求項6記載の半導体ウェー
ハ研摩方法。7. The method of polishing a semiconductor wafer according to claim 6, wherein the fluid is extruded through a plurality of holes in the outlet of the extension pipe at an angle of about 45 ° in the rotation direction of the polishing pad.
パイプとから成り、 上記研摩用パッドは通常では上記研摩用パッドの表面に
対してほぼ垂直に延びそして不要物を取り去る物質で覆
われるに適したファイバを有し、上記研摩用パッドの上
記表面処理されたファイバは半導体ウェーハの研摩の間
に物質を選択的に除去するために半導体ウェーハの表面
に接触するようになされ、上記研摩用パッドは消費され
た研摩物質及び副産物を上記パッドに埋め込む傾向があ
り、上記ファイバは半導体ウェーハの表面との接触の間
に上記研摩用パッドの表面に対して平坦になる傾向があ
り、 上記延長パイプは入口及び出口を有し、上記入口は流体
供給源に結合され、上記出口は上記ファイバ研摩用パッ
ドの上面に向けられ、上記流体供給源は平坦になったフ
ァイバを上記研摩用パッドに対してほぼ垂直に起こし、
そして研摩用パッドから研摩物質及び副産物を吹き飛ば
すために上記出口を介して流体が与えられるようにされ
た表面に物質の層を有する半導体ウェーハを研摩する半
導体ウェーハ研摩装置。8. A rotatable platen, a polishing pad supported on the platen, and an extension pipe supported with a space with respect to the polishing pad. The surface-treated fibers of the polishing pad have fibers adapted to extend substantially perpendicular to the surface of the polishing pad and be coated with a material that removes debris, the surface-treated fiber of the polishing pad being a material during polishing of a semiconductor wafer. Contacting the surface of the semiconductor wafer for selective removal of the polishing pad, the polishing pad tends to embed spent polishing material and byproducts in the pad, and the fiber contacts the surface of the semiconductor wafer. Tends to lie flat against the surface of the polishing pad during, the extension pipe has an inlet and an outlet, and the inlet is connected to a fluid source. The outlet is directed to the upper surface of the fiber polishing pad, the fluid supply source undergoes substantially vertically fibers flattened against the polishing pad,
And a semiconductor wafer polishing apparatus for polishing a semiconductor wafer having a layer of material on the surface thereof which is provided with fluid through the outlet to blow off polishing material and byproducts from the polishing pad.
ぼ垂直に延び、半導体ウェーハの研摩の間に表面に対し
て平坦になる傾向のあるファイバを上面に有する研摩用
パッドと、 上記研摩用パッドの表面に対して空間を持って支持され
る流体分配装置とから成り、 上記流体分配装置は入口及び出口を有し、上記入口は流
体発生手段に結合され、上記出口は上記研摩用パッドの
表面に向けられ、上記流体発生手段は上記研摩用パッド
上の平坦になったファイバを上記パッドの表面に対して
ほぼ垂直に起こすために上記出口を介して流体を与えら
れるようにされた半導体ウェーハを研摩する半導体ウェ
ーハ研摩装置。9. A polishing pad having a fiber on its top surface, which usually extends substantially perpendicular to the surface of the polishing pad and tends to be flat against the surface during polishing of a semiconductor wafer; A fluid distribution device that is supported in space with respect to the surface of the pad, the fluid distribution device having an inlet and an outlet, the inlet being coupled to a fluid generating means, and the outlet being of the polishing pad. A semiconductor wafer directed to a surface such that the fluid generating means is provided with fluid through the outlet to raise the flattened fibers on the polishing pad substantially perpendicular to the surface of the pad. Semiconductor wafer polishing equipment for polishing wafers.
するステップと、 上記研摩用パッドの表面に対して空間を持って延長パイ
プを支持するステップと、 流体を上記入口を介して上記延長パイプに送り込み出口
を介して出すステップとから成り、 上記出口は平坦になった上記ファイバを上記研摩用パッ
ドの表面に対してほぼ垂直に起こすために流体を研摩用
パッドに対向して向けられるようにした平坦になったフ
ァイバを有する研摩用パッドを再生するための半導体ウ
ェーハを研摩する半導体ウェーハ研摩方法。10. A step of rotating a polishing pad having a fiber, a step of supporting an extension pipe with a space with respect to a surface of the polishing pad, and a fluid being fed into the extension pipe through the inlet. Exiting through an outlet, the outlet being adapted to direct fluid toward the polishing pad to raise the flattened fiber substantially perpendicular to the surface of the polishing pad. Method for polishing a semiconductor wafer for reclaiming a polishing pad having a finished fiber.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US72173391A | 1991-06-26 | 1991-06-26 | |
| US721733 | 1991-06-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05129256A true JPH05129256A (en) | 1993-05-25 |
| JPH0760812B2 JPH0760812B2 (en) | 1995-06-28 |
Family
ID=24899091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4095708A Expired - Fee Related JPH0760812B2 (en) | 1991-06-26 | 1992-04-16 | Semiconductor wafer polishing apparatus and polishing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0760812B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009542450A (en) * | 2006-06-27 | 2009-12-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Pad cleaning method |
| CN104102174A (en) * | 2014-06-30 | 2014-10-15 | 北京七星华创电子股份有限公司 | Method for restoring state of semiconductor equipment software after restart |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02119136A (en) * | 1988-10-28 | 1990-05-07 | Sony Corp | Abrasive surface plate for semiconductor layer |
| JPH02199832A (en) * | 1989-01-30 | 1990-08-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Wafer polishing apparatus |
| JPH03228569A (en) * | 1990-02-02 | 1991-10-09 | Fujikoshi Kikai Kogyo Kk | Polishing device and method |
-
1992
- 1992-04-16 JP JP4095708A patent/JPH0760812B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN104102174B (en) * | 2014-06-30 | 2016-09-07 | 北京七星华创电子股份有限公司 | A kind of method that after semiconductor equipment software restarting, state is recovered |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0760812B2 (en) | 1995-06-28 |
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