JPH05126906A - Storing medium analyzing device - Google Patents
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- JPH05126906A JPH05126906A JP3288415A JP28841591A JPH05126906A JP H05126906 A JPH05126906 A JP H05126906A JP 3288415 A JP3288415 A JP 3288415A JP 28841591 A JP28841591 A JP 28841591A JP H05126906 A JPH05126906 A JP H05126906A
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Landscapes
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、たとえば、半導体記
憶素子の記憶素子不良の分布状況を解析する半導体記憶
素子解析装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to, for example, a semiconductor memory element analyzing apparatus for analyzing a distribution state of memory element defects of a semiconductor memory element.
【0002】[0002]
【従来の技術】図3は一般的な半導体記憶素子解析装置
を示す構成図である。図において、1は半導体記憶装置
の機能試験を行う事が出来る機能を有した半導体試験装
置、2は半導体試験装置の構成の1つの機能で半導体記
憶装置に入力するアドレスとデータのパターンをアルゴ
リズミックに発生するアルゴリズミック・パターン・ジ
ェネレータ、3は機能を試験される被測定素子、4は被
測定素子3からの出力をアルゴリズムミック・パターン
・ジェネレータ2の出力する期待値と比較判定を行い良
否判定を行う比較判定器、5は半導体試験装置の各構成
部分を制御するコンピュータ、6は試験結果と半導体記
憶素子の不良分布状態を表示する表示装置、7は被測定
素子3が持つ記憶空間のうち任意の空間を選択するアド
レス線の選択機能を有したブロック選択器、8は比較判
定器4が出力した良否情報をアドレス情報と共に記憶す
る不良情報記憶器、図4は従来の構成においての不良信
号取り込み時の方法を示したタイミング図であり、ブロ
ック選択器7がアドレス0〜Nを選択している場合の不
良信号取り込み時のタイミング図である。2. Description of the Related Art FIG. 3 is a block diagram showing a general semiconductor memory element analyzing apparatus. In the figure, reference numeral 1 is a semiconductor test device having a function capable of performing a functional test of a semiconductor memory device, and 2 is one function of the configuration of the semiconductor test device, and is an algorithmic pattern of addresses and data to be input to the semiconductor memory device. Generated by the algorithmic pattern generator, 3 is the device under test whose function is to be tested, 4 is the pass / fail judgment by comparing the output from the device under test 3 with the expected value output from the algorithmic pattern generator 2. 5 is a computer for controlling each component of the semiconductor test device, 6 is a display device for displaying the test result and the defective distribution state of the semiconductor memory device, and 7 is a storage space of the device under test 3. A block selector having a function of selecting an address line for selecting an arbitrary space, and 8 indicates whether the pass / fail information output from the comparison / determination unit 4 is the address information. FIG. 4 is a timing chart showing a method for fetching a defective signal in the conventional configuration, and a defective information storage unit for storing the defective signal in the case where the block selector 7 selects addresses 0 to N. FIG.
【0003】次に動作について説明する。アルゴリズミ
ック・パターン・ジェネレータ2から発生されたアドレ
スとデータは、被測定素子3に入力されてそれぞれのア
ドレスに対応してデータが記憶される。続いてアルゴリ
ズミック・パターン・ジェネレータ2から発生したアド
レスを被測定素子3に入力し、出力されたデータとアル
ゴリズミック・パターン・ジェネレータ2の期待値とを
比較判定器4により判定を行う。その良否の情報は不良
情報記憶器8に記憶されるが、その際、被測定素子3に
入力されるアドレスの範囲の内、ブロック選択器7で選
択されたブロックの不良情報のみ記憶する。つまり、不
良情報はその選択されたブロック内でのアドレスの変化
に対応して不良情報記憶器8の記憶位置に記憶される。
次に、不良情報記憶器8に蓄えた情報をコンピュータ5
上で動作しているプログラムにより、データ・バスを介
して読み取り、表示装置6に表示する。Next, the operation will be described. The address and data generated from the algorithmic pattern generator 2 are input to the device under test 3 and the data is stored corresponding to each address. Subsequently, the address generated from the algorithmic pattern generator 2 is input to the device under test 3, and the output data and the expected value of the algorithmic pattern generator 2 are judged by the comparison and judgment device 4. The pass / fail information is stored in the defect information storage unit 8, but at this time, only the defect information of the block selected by the block selector 7 is stored within the range of addresses input to the device under test 3. That is, the defect information is stored in the storage position of the defect information storage device 8 in correspondence with the change of the address in the selected block.
Next, the information stored in the defect information storage 8 is stored in the computer 5
The program running above reads through the data bus and displays on the display device 6.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体記憶素子
解析装置は以上のように構成されているので、大容量半
導体記憶素子の一部分づつの解析を状態設定、情報採
取、表示の繰り返しで行う事が必要で、多数回の条件設
定と情報の蓄積を行い、解析に多くの時間がかかり、ま
た、表示の際、メモリ・データをコンピュータが読み取
り表示するための時間がかかり、また、一度に解析出来
る解析空間を大きくしようとすると良否判定情報を蓄積
する高速な記憶器も大きくなり装置自体が高価になると
いう問題点があった。Since the conventional semiconductor memory element analysis apparatus is configured as described above, it is possible to analyze each part of a large capacity semiconductor memory element by repeating the state setting, information collection, and display. It requires a lot of time to set conditions and accumulate information, and it takes a lot of time for analysis. Also, it takes time for the computer to read and display the memory data at the time of display. If an attempt is made to increase the available analysis space, there is a problem in that a high-speed memory for accumulating pass / fail judgment information also becomes large and the apparatus itself becomes expensive.
【0005】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、実時間で、解析空間の変更と表
示速度の容易な変更が可能であり、高価な記憶器を増加
させることなく大容量記憶媒体の解析を行える記憶媒体
解析装置を得ることを目的とする。The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is possible to change the analysis space and the display speed easily in real time, and increase the number of expensive storage devices. It is an object of the present invention to obtain a storage medium analysis device that can analyze a large-capacity storage medium.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】この発明に係る記憶媒体
解析装置は、たとえば、半導体試験装置のアルゴリズミ
ック・パターン・ジェネレーターから発生する一連のア
ドレス信号を無限ループ状態で被測定素子へ印加してア
クセスし続けた状態にして、発生アドレスと解析対象ア
ドレスの一致比較手段とその一致信号の入力を設定数値
の回数分だけカウント・ダウンを行ったのち一致信号を
取り込み信号として出力する分周手段と解析対象アドレ
スを順次指定する指定手段を有するものである。A storage medium analysis apparatus according to the present invention applies, for example, a series of address signals generated from an algorithmic pattern generator of a semiconductor test apparatus to an element under test in an infinite loop state. With the access continued, the coincidence comparing means of the generated address and the analysis target address and the frequency dividing means for counting down the input of the coincidence signal by the set number of times and then outputting the coincidence signal as a capture signal It has a specifying means for sequentially specifying the addresses to be analyzed.
【0007】[0007]
【作用】この発明においては、試験装置内のアルゴリズ
ミック・パターン・ジェネレータが発生するアドレスと
指定手段により指定された任意のアドレスとを比較し、
一致比較手段によりアドレスが一致した時のみ良否情報
を取り込むと共に、分周手段がその情報の読み取りを許
可する取り込み信号の発生を行い、次に一致するアドレ
スが発生するまでの時間内に読み取りと表示処理等の利
用のための出力を行う。In the present invention, the address generated by the algorithmic pattern generator in the test apparatus is compared with the arbitrary address designated by the designating means,
The pass / fail information is fetched only when the addresses are matched by the match / comparison means, and the frequency dividing means generates a fetch signal for permitting the reading of the information, and the reading / display is performed within the time until the next matching address is generated. Outputs for processing etc.
【0008】[0008]
実施例1.図1はこの発明の実施例1を示す構成図であ
る。1〜6は前述と同様のものである。9はこの発明の
構成の1つである半導体記憶素子解析装置、10は不良
素子の分布状態を表示する表示手段、11は半導体試験
装置1が発生するアドレスと半導体記憶素子解析装置9
内で対象としているアドレスとを比較して一致の検出を
行う一致比較器、12は一致比較器11からの一致信号
を設定回数入力されると出力を一度行う動作の分周をす
る事で一致信号の発生する間隔を変える分周器、13は
半導体試験装置1内の比較判定器4からの良否情報とそ
の良否情報に対応するアドレスの情報を保持するレジス
タ(保持手段)、14は解析の対象とする範囲の初期ア
ドレスを保持するオフセット・アドレス・レジスタ、1
5は決められた値までを1カウントずつ順次、加算し前
記の値まで来ると最初の値から再度、加算を繰り返すリ
ングカウンタ、16は前記オフセット・アドレス・レジ
スタ14とリングカウンタ15の値を加算する加算器、
17はレジスタ13の情報を表示手段10上に読み取る
事が出来る事とそれを許可する事を知らせるレジスタ読
み取り許可信号生成器、18は表示手段10を構成する
要素の1つで任意のプログラムを実行でき、半導体記憶
素子解析装置9への各機能部分に対する設定及び情報の
読み取りをおこなうコンピュータ、19は表示手段10
の構成の1つで不良素子の分布状態を表示する表示装
置、20はアドレス指定手段、21は出力手段である。
図2はこの発明における半導体記憶素子解析装置がサイ
クリックに発生するアドレス0〜Nまでの情報の取り込
みをどのように行うかを示したタイミング図であり、2
aはアルゴリズミック・パターン・ジェネレータが発生
する入力アドレス、4aは比較判定器が出力する判定出
力、12aは分周器12が発生する不良情報取り込み信
号、17aはレジスタ読み取り許可信号生成器17が発
生するレジスタ読み取り許可信号である。Example 1. 1 is a block diagram showing a first embodiment of the present invention. 1 to 6 are the same as those described above. Reference numeral 9 is a semiconductor memory element analyzing apparatus which is one of the configurations of the present invention, 10 is a display means for displaying the distribution state of defective elements, and 11 is an address generated by the semiconductor test apparatus 1 and the semiconductor memory element analyzing apparatus 9
A match comparator that compares a target address within the match detector to detect a match, and a match comparator 12 performs an output once when the match signal from the match comparator 11 is input a set number of times. A frequency divider that changes the interval at which signals are generated, 13 is a register (holding means) that holds pass / fail information from the comparison / determination unit 4 in the semiconductor test apparatus 1 and an address corresponding to the pass / fail information, and 14 is an analysis unit. Offset address register that holds the initial address of the range of interest, 1
5 is a ring counter which sequentially increments by 1 count up to a predetermined value and repeats the addition again from the first value when the above value is reached, 16 is the value of the offset address register 14 and the ring counter 15 Adder,
Reference numeral 17 is a register read permission signal generator for notifying that the information in the register 13 can be read on the display means 10 and permission thereof, and 18 is one of the elements constituting the display means 10 and executes an arbitrary program. A computer that can perform setting and reading of information for each functional portion of the semiconductor memory element analysis device 9, and 19 is a display means 10.
1 is a display device for displaying the distribution state of defective elements, 20 is addressing means, and 21 is output means.
FIG. 2 is a timing chart showing how the semiconductor memory element analyzing apparatus according to the present invention fetches information of cyclically generated addresses 0 to N. 2
a is an input address generated by the algorithmic pattern generator, 4a is a determination output output by the comparison / determination unit, 12a is a defect information fetch signal generated by the frequency divider 12, and 17a is a register read permission signal generator 17. Register read permission signal.
【0009】前記のように構成された半導体記憶素子解
析装置において、半導体試験装置1内のアルゴリズミッ
ク・パターン・ジェネレータ2はあらかじめ入力アドレ
ス0〜Nをサイクリックに発生するものとし、このアド
レス信号2aと比較判定器4の発生する良否信号4aが
半導体記憶素子解析装置9に入力される。半導体記憶素
子解析装置9は表示手段10により、内部に持つ情報の
読み取りと表示を行うもので、この表示手段10は安価
なパーソナル・コンピュータ等で実現できる。続いて、
半導体記憶素子解析装置9はアルゴリズミック・パター
ン・ジェネレータ2から無限な繰り返しで発生している
アドレス信号2aを受け取り、半導体記憶素子解析装置
9内のオフセット・アドレス・レジスタ14とリングカ
ウンタ15と加算器16により発生したアドレスと比較
する。例えば、オフセット・アドレス・レジスタ14に
零が書き込まれており、リングカウンタ15が初期状態
で零にあった場合、加算器16により加算され零が出力
される。この零とアルゴリズムミック・パターン・ジェ
ネレータ2からのアドレス信号の比較を行い、一致信号
を発生する。アルゴリズミック・パターン・ジェネレー
タ2は対象メモリエリア全体のスキャンを無限に繰り返
してアドレス信号を発生しているので同アドレスは一定
の間隔を持って出現する事になる。次に、一致比較器1
1から発生した一致信号は分周器12に入力される。分
周器12では入力された一致信号を出力側に出すのを制
御しており、予め設定された回数の入力があった場合、
出力側に入力された一致信号を不良情報読み取り信号1
2aとして出すようにする。したがって、この回数の設
定を変える事により分周器12からの一致信号入力の出
力間隔を一定間隔の整数倍で変える事を可能にしてい
る。一致比較器11の入力を分周器12により分周した
不良情報取り込み信号12aはレジスタ13とリングカ
ウンタ15とレジスタ読み取り許可信号生成器17に入
力される。レジスタ13では分周器12からの不良情報
取り込み信号12aが発生すると、その一致比較を行っ
たアルゴリズミック・パターン・ジェネレータ2の発生
したアドレスと比較判定器4が発生した良否信号を保持
する。リングカウンタ15は現在の数値を1つ繰り上げ
る。レジスタ読み取り許可信号生成器17は分周器12
からの不良情報取り込み信号12a入力が行われると、
表示手段10に対して情報の読み取りを促すレジスタ読
み取り許可信号17aを発生する。レジスタ読み取り許
可信号生成器17からの入力がコンピュータ18に発生
するとコンピュータ18は自己内で動作しているプログ
ラムによりレジスタ13が持っている情報を読み取り表
示装置19上に表示を行う。こうした一連の動作を繰り
返し行う事により、リングカウンタ15が順次、1ずつ
繰り上がっていくことでレジスタ13に保持される情報
は注目アドレスを変えながら、そのアドレスでの良否情
報を持つ。In the semiconductor memory element analyzing apparatus configured as described above, it is assumed that the algorithmic pattern generator 2 in the semiconductor testing apparatus 1 cyclically generates input addresses 0 to N beforehand, and the address signal 2a And the pass / fail signal 4a generated by the comparison / determination unit 4 are input to the semiconductor memory element analysis device 9. The semiconductor memory element analysis device 9 reads and displays the information contained therein by the display means 10, and the display means 10 can be realized by an inexpensive personal computer or the like. continue,
The semiconductor memory element analysis device 9 receives the address signal 2a generated infinitely repeatedly from the algorithmic pattern generator 2, and the offset address register 14, ring counter 15 and adder in the semiconductor memory element analysis device 9 are received. Compare with the address generated by 16. For example, when zero is written in the offset address register 14 and the ring counter 15 is at zero in the initial state, the adder 16 adds the zero and outputs zero. This zero is compared with the address signal from the algorithmic pattern generator 2 to generate a coincidence signal. Since the algorithmic pattern generator 2 infinitely repeats the scanning of the entire target memory area to generate the address signal, the same address appears with a certain interval. Next, the coincidence comparator 1
The coincidence signal generated from 1 is input to the frequency divider 12. The frequency divider 12 controls the output of the input coincidence signal to the output side, and when there is a preset number of inputs,
The match signal input to the output side is the defect information read signal 1
I will put it out as 2a. Therefore, by changing the setting of the number of times, the output interval of the coincidence signal input from the frequency divider 12 can be changed by an integral multiple of the fixed interval. The defect information fetch signal 12a obtained by dividing the input of the coincidence comparator 11 by the frequency divider 12 is input to the register 13, the ring counter 15, and the register read permission signal generator 17. When the defective information fetch signal 12a from the frequency divider 12 is generated, the register 13 holds the address generated by the algorithmic pattern generator 2 which performed the coincidence comparison and the pass / fail signal generated by the comparison / determination unit 4. The ring counter 15 increments the present numerical value by one. The register read permission signal generator 17 is the frequency divider 12
When the defect information acquisition signal 12a from
A register read permission signal 17a that prompts the display means 10 to read information is generated. When an input from the register read permission signal generator 17 is generated in the computer 18, the computer 18 reads the information held in the register 13 by the program operating in the computer 18 and displays it on the display device 19. By repeating such a series of operations, the ring counter 15 is sequentially incremented by one, so that the information held in the register 13 has the pass / fail information at that address while changing the address of interest.
【0010】上記実施例では、半導体記憶素子の機能試
験を行う半導体試験装置に接続され半導体記憶素子の不
良セルの分布状態の表示を行う機能を備えた半導体記憶
素子解析装置において、解析しようとする解析対象アド
レスと上記試験装置で試験しているセルのアドレスとの
一致を検出する回路と、一致の検出時に判定情報を取り
込む回路と、表示装置へのデータ転送時間の間隔を変更
するための上記一致信号をカウントして取り込み信号を
つくる一致信号分周回路と、解析対象アドレスを変える
ための加算回路を持ち、半導体試験装置のアルゴリズミ
ック・パターン・ジェネレーターを無限ループさせ複数
回の繰り返し試験する状態において対象の1セルづつ表
示させることを特徴とする半導体記憶素子解析装置を説
明した。そして、この実施例によれば、低速な表示手段
を用いる事と、解析速度を任意に変更が出来る事を特徴
とした、実時間で半導体記憶素子の解析が行える安価な
半導体記憶素子解析装置を得ることが出来る。また、繰
り返し状態で発生されるアドレス信号に対し、一致比較
器11とリングカウンタ15により、処理対象とするア
ドレスを順次変えながら解析に必要な情報を得る事と、
前記構成と分周器12により表示手段に対して十分な処
理時間の確報と処理間隔の変更が出来る事を特徴として
おり、低速で安価な表示手段の利用が出来て、解析の情
報を得る間隔を自由に変更可能な半導体記憶素子解析装
置を得られる効果がある。In the above embodiment, an attempt is made to analyze in a semiconductor memory element analyzing apparatus having a function of displaying a distribution state of defective cells of the semiconductor memory element, which is connected to a semiconductor test apparatus for performing a functional test of the semiconductor memory element. A circuit for detecting a match between the address to be analyzed and the address of the cell being tested by the test device, a circuit for fetching the judgment information when the match is detected, and a circuit for changing the data transfer time interval to the display device. A state in which a match signal frequency divider circuit that counts match signals and creates a fetch signal and an adder circuit that changes the analysis target address are used, and the algorithmic pattern generator of the semiconductor test equipment is infinitely looped and tested repeatedly multiple times. In the above, the semiconductor memory element analysis apparatus characterized by displaying the target cells one by one has been described. Further, according to this embodiment, there is provided an inexpensive semiconductor memory element analysis device capable of analyzing a semiconductor memory element in real time, which is characterized by using a low-speed display means and capable of arbitrarily changing an analysis speed. You can get it. Further, with respect to the address signal generated in the repeated state, the coincidence comparator 11 and the ring counter 15 obtain the information necessary for the analysis while sequentially changing the address to be processed,
The configuration and the frequency divider 12 are characterized in that the display means can be notified of a sufficient processing time and the processing interval can be changed, and an inexpensive display means can be used at a low speed and an interval for obtaining analysis information. There is an effect that it is possible to obtain a semiconductor memory element analysis device that can freely change
【0011】実施例2.上記実施例1では、半導体記憶
素子を解析する場合を示したが所定のアドレス空間を有
する記憶媒体であれば、メインメモリ、ICカード、磁
気ディスク、光ディスク、CDROM等その他の記憶媒
体であってもかまわない。Embodiment 2. In the first embodiment, the case where the semiconductor memory element is analyzed is shown, but any other storage medium such as a main memory, an IC card, a magnetic disk, an optical disk, a CDROM, etc. may be used as long as the storage medium has a predetermined address space. I don't care.
【0012】実施例3.上記実施例1では、アルゴリズ
ミック・パターン・ジェネレータを無限ループさせる場
合を示したが、1度のみ実行させて、ひとつのアドレス
の良否判定を行なう場合でもかまわない。Embodiment 3. In the above-described first embodiment, the case where the algorithmic pattern generator is looped infinitely has been described, but it may be executed only once to make a pass / fail judgment for one address.
【0013】実施例4.上記実施例1ではリングカウン
タが解析対象アドレスをひとつづカウントアップする場
合を示したが、解析したい解析対象アドレスを外部から
入力してそのアドレスのみを解析するようにしてもよ
く、解析対象アドレスを指定する指定手段があればよ
い。Embodiment 4. Although the ring counter counts up the analysis target address one by one in the first embodiment, the analysis target address to be analyzed may be input from the outside and only that address may be analyzed. It suffices if there is a specifying means for specifying.
【0014】実施例5.上記実施例1では、レジスタ1
3は不良情報取り込み信号12aが発生する時点で不良
情報を保持する場合を示したが、レジスタ13は、一致
比較器11の一致信号が発生する時点で不良情報を保持
するようにし、不良情報取り込み信号12aが発生する
時点で出力手段21がそのレジスタ13に保持された不
良情報を出力するようにしてもかまわない。Example 5. In the first embodiment, the register 1
3 shows the case where the defect information is held at the time when the defect information fetching signal 12a is generated, the register 13 is made to hold the defect information at the time when the coincidence signal of the coincidence comparator 11 is generated, and the defect information fetching is performed. The output means 21 may output the defect information held in the register 13 at the time when the signal 12a is generated.
【0015】[0015]
【発明の効果】以上のように、この発明によれば情報の
保持を分周手段と一致比較手段により操作するように構
成したので、不良情報記憶器が不要となり、安価で、か
つ表示速度の変更と解析の空間を実時間で変化させるこ
とができる装置が得られる効果がある。As described above, according to the present invention, since the holding of information is configured to be operated by the frequency dividing means and the coincidence comparing means, a defective information storage device is not required, the cost is low and the display speed is high. There is an effect that a device that can change the space for change and analysis in real time can be obtained.
【図1】この発明の実施例1を示す構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram showing a first embodiment of the present invention.
【図2】この発明の実施例1の動作状態を示すタイミン
グ図である。FIG. 2 is a timing chart showing an operating state of the first embodiment of the present invention.
【図3】従来の半導体記憶素子解析装置を示す構成図で
ある。FIG. 3 is a configuration diagram showing a conventional semiconductor memory element analysis apparatus.
【図4】従来の半導体記憶素子解析装置での動作状態を
示すタイミング図である。FIG. 4 is a timing chart showing an operating state in the conventional semiconductor memory element analysis apparatus.
1 半導体試験装置 2 アルゴリズミック・パターン・ジェネレータ 3 被測定素子 4 比較判定器 9 半導体記憶素子解析装置 10 表示手段 11 一致比較器(一致比較手段) 12 分周器(分周手段) 13 レジスタ(保持手段) 14 オフセット・アドレス・レジスタ 15 リングカウンタ 16 加算器 17 レジスタ読み取り許可信号生成器 18 コンピュータ 19 表示装置 20 アドレス指定手段 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor test apparatus 2 Algorithmic pattern generator 3 Element to be measured 4 Comparison judgment device 9 Semiconductor memory element analysis device 10 Display means 11 Matching comparator (matching comparing means) 12 Divider (dividing means) 13 Register (hold) Means) 14 offset address register 15 ring counter 16 adder 17 register read permission signal generator 18 computer 19 display device 20 addressing means
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G06F 11/22 310 K 9290−5B 330 B 9290−5B 350 F 9290−5B G11C 29/00 303 A 9288−5L ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification number Internal reference number FI Technical display location G06F 11/22 310 K 9290-5B 330 B 9290-5B 350 F 9290-5B G11C 29/00 303 A 9288-5L
Claims (1)
指定する指定手段、(b)記憶媒体を解析した解析情報
とそのアドレスを入力し、そのアドレスが指定手段で指
定した解析対象アドレスと一致するかを検出し、一致信
号を出力する一致比較手段、(c)一致比較手段により
出力された一致信号を所定の割合で分周した取り込み信
号を出力する分周手段、(d)少なくとも一致比較手段
により出力された一致信号と分周手段により出力された
取り込み信号とのいずれかに基づいて、入力した解析情
報の中から記憶媒体の解析対象アドレスの解析情報を保
持する保持手段。1. A storage medium analysis device having the following elements: (a) a designation means for designating an analysis target address of a storage medium to be analyzed; (b) inputting analysis information obtained by analyzing the storage medium and its address; A coincidence comparison unit that detects whether the address matches the analysis target address designated by the designation unit and outputs a coincidence signal, and (c) a capture signal obtained by dividing the coincidence signal output by the coincidence comparison unit at a predetermined ratio. (D) an object to be analyzed in the storage medium from among the input analysis information based on either the coincidence signal output by at least the coincidence comparing means or the capture signal output by the frequency dividing means. Holding means for holding the analysis information of the address.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3288415A JPH05126906A (en) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | Storing medium analyzing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP3288415A JPH05126906A (en) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | Storing medium analyzing device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05126906A true JPH05126906A (en) | 1993-05-25 |
Family
ID=17729919
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3288415A Pending JPH05126906A (en) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | Storing medium analyzing device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05126906A (en) |
-
1991
- 1991-11-05 JP JP3288415A patent/JPH05126906A/en active Pending
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