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JPH051130Y2 - - Google Patents

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Publication number
JPH051130Y2
JPH051130Y2 JP12056587U JP12056587U JPH051130Y2 JP H051130 Y2 JPH051130 Y2 JP H051130Y2 JP 12056587 U JP12056587 U JP 12056587U JP 12056587 U JP12056587 U JP 12056587U JP H051130 Y2 JPH051130 Y2 JP H051130Y2
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JP
Japan
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output
circuit
variable attenuator
envelope detector
directional coupler
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JP12056587U
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Japanese (ja)
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JPS6425215U (en
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Publication of JPS6425215U publication Critical patent/JPS6425215U/ja
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Publication of JPH051130Y2 publication Critical patent/JPH051130Y2/ja
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Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は振幅変調回路に関し、無線機、測定
器等で振幅変調を行なう場合に有用な振幅変調回
路に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Field of Application] This invention relates to an amplitude modulation circuit, and more particularly, to an amplitude modulation circuit useful when performing amplitude modulation in radio equipment, measuring instruments, etc.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、振幅変調回路として第8図、又は第9図
に示す回路が知られている。
Conventionally, a circuit shown in FIG. 8 or 9 is known as an amplitude modulation circuit.

上記第8図に示す振幅変調回路は、入力整合回
路A、高周波電力増幅トランジスタB、出力整合
回路C、及び低周波増幅器Dより構成され、トラ
ンジスタBのコレクタ電圧に変調信号を重畳させ
ることにより高周波電力増幅トランジスタの利得
を変調信号に応じて変化させ、振幅変調波を出力
させるものである。
The amplitude modulation circuit shown in FIG. 8 is composed of an input matching circuit A, a high frequency power amplification transistor B, an output matching circuit C, and a low frequency amplifier D. The gain of the power amplification transistor is changed according to the modulation signal to output an amplitude modulated wave.

一方、第9図に示したものは、バランスドミキ
サE、直線増幅器F、及び変調信号に応じてバイ
アス電圧を入力する回路Gより成り、バランスド
ミキサEの整流作用の非直線性を利用し、主に周
波数変換、両側波帯信号の発生等に利用されてい
る。
On the other hand, the one shown in Fig. 9 consists of a balanced mixer E, a linear amplifier F, and a circuit G that inputs a bias voltage according to the modulation signal, and utilizes the nonlinearity of the rectifying action of the balanced mixer E. It is mainly used for frequency conversion, generation of double sideband signals, etc.

〔従来技術の問題点〕[Problems with conventional technology]

しかしながら、第9図に示した回路において、
低周波増幅器の出力電力は、トランジスタBの入
力電力の約半分の電力を必要とするため、大電力
送信機の場合、大電力の低周波増幅器を必要と
し、大型で重くなり、かつ、消費電力が大きくな
る欠点が有つた。
However, in the circuit shown in FIG.
The output power of the low-frequency amplifier requires approximately half the input power of transistor B, so in the case of a high-power transmitter, a high-power low-frequency amplifier is required, making it large and heavy, and reducing power consumption. It has the disadvantage that it becomes large.

また、トランジスタBのコレクタ電圧が零Vに
なつても、ベース.コレクタ間の結合容量を通じ
て搬送波が出力側に洩れるため、第11図に示す
ようにこの種振幅変調回路にあつては複数段に変
調をかけ、深い変調度を得ることが行なわれる。
この場合、低歪率で深い変調度を得るため各段の
トランジスタBの利得を調整する必要が有るが、
高周波電力増幅トランジスタBの利得は素子によ
るばらつきが大きく、搬送波の周波数が変わると
利得も変動するため調整は非常に困難となる欠点
が有つた。
Also, even if the collector voltage of transistor B becomes 0V, the base. Since the carrier wave leaks to the output side through the coupling capacitance between the collectors, as shown in FIG. 11, in this type of amplitude modulation circuit, modulation is applied in multiple stages to obtain a deep modulation degree.
In this case, it is necessary to adjust the gain of transistor B in each stage in order to obtain a deep modulation depth with low distortion.
The gain of the high-frequency power amplification transistor B has a large variation depending on the element, and the gain also changes when the frequency of the carrier wave changes, so that adjustment is extremely difficult.

また、高周波電力増幅トランジスタBは、コレ
クタ電圧に変調信号を重畳するので定格電圧の半
分の電圧で作動させる必要が有り、この分(約−
6dB)トランジスタの利得が低下し、被変調増幅
回路の段数の増加がやむなくされ、大型となる欠
点が有つた。
In addition, since the high frequency power amplification transistor B superimposes a modulation signal on the collector voltage, it must be operated at half the rated voltage, and this amount (approximately -
6dB) The gain of the transistor was reduced, and the number of stages of the modulated amplifier circuit had to be increased, resulting in a larger size.

さらに搬送波の周波数が広範囲にわたり変化す
る広帯或の振幅変調器としては高周波電力増幅ト
ランジスタの利得変化に伴つて変調特性も変動す
るため、不向きである欠点が有つた。
Further, it has the disadvantage that it is unsuitable for use as a broadband amplitude modulator in which the frequency of the carrier wave varies over a wide range, since the modulation characteristics also vary as the gain of the high-frequency power amplification transistor changes.

次に第9図に示す回路において、バランスドミ
キサEは第11図に示すように整流器H1,H2
び高周波トランスT1,T2で構成され、整流器の
非直線特性を利用して変調を行なうものであるた
め、整流器H1,H2の非直線特性に起因し、高周
波の発生が多い、整流器H1,H2、高周波トラン
スT1,T2の不整合に起因するR端子、L端子間
の絶縁不足により深い変調度が得られない、さら
にはR端子、L端子の絶縁が搬送波の周波数によ
り変動するので広帯或の振幅変調器として使用し
た場合、出力、変調度が変化するといつた種々の
欠点が有つた。
Next, in the circuit shown in Fig. 9, the balanced mixer E is composed of rectifiers H 1 and H 2 and high-frequency transformers T 1 and T 2 as shown in Fig. 11, and is modulated using the nonlinear characteristics of the rectifier. Due to the non-linear characteristics of the rectifiers H 1 and H 2 , high frequencies are often generated . Deep modulation depth cannot be obtained due to insufficient insulation between the L terminals.Furthermore, the insulation between the R and L terminals varies depending on the frequency of the carrier wave, so when used as a broadband or amplitude modulator, the output and modulation depth will change. However, there were various drawbacks.

〔考案が解決する問題点〕[Problems solved by invention]

この考案は、上記欠点を解消するため、不要波
の発生を防止し、また、搬送周波数が広範囲に変
化しても変調度が変化することなく、かつ、装置
もコンパクト化できる振幅変調回路を提供するこ
とを目的としてなされたものである。
In order to eliminate the above-mentioned drawbacks, this invention provides an amplitude modulation circuit that prevents the generation of unnecessary waves, does not change the degree of modulation even if the carrier frequency changes over a wide range, and can be made compact. It was done for the purpose of

〔問題点を解決する技術〕[Technology to solve problems]

即ち、この考案の振幅変調回路は制御電圧に比
例して減衰量が変化する可変減衰器と、該可変減
衰器出力を増幅する高周波電力直線増幅器と、該
増幅器出力状態を検出する方向性結合器と、該方
向性結合器よりの出力を、そのエンベロープに比
例した電圧に変換する包絡線検波器と、前記方向
性結合器、包絡線検波器及び該包絡線検波器より
直流分を検出し、基準電圧と比較する比較増幅器
より成る自動出力制御回路と、前記方向性結合
器、包絡線検波器及び該包絡線検波器より出力を
変調信号と比較し、交流分を取出す比較増幅器よ
り成る整流帰還回路と、前記自動出力制御回路並
びに整流帰還回路が前記可変減衰器にフイードバ
ツクされ、前記可変減衰器が搬送波入力部、前記
方向性結合器が出力部とされて成ることを特徴と
するものである。
That is, the amplitude modulation circuit of this invention includes a variable attenuator whose attenuation changes in proportion to a control voltage, a high frequency power linear amplifier that amplifies the output of the variable attenuator, and a directional coupler that detects the output state of the amplifier. and an envelope detector that converts the output from the directional coupler into a voltage proportional to its envelope; detecting a DC component from the directional coupler, the envelope detector, and the envelope detector; an automatic output control circuit consisting of a comparison amplifier that compares it with a reference voltage; a rectification feedback consisting of the directional coupler, an envelope detector, and a comparison amplifier that compares the output from the envelope detector with a modulation signal and extracts an alternating current component; The automatic output control circuit and the rectification feedback circuit are fed back to the variable attenuator, and the variable attenuator is used as a carrier wave input section and the directional coupler is used as an output section. .

〔実施例〕〔Example〕

次にこの考案を実施例により説明する。 Next, this invention will be explained using examples.

第1図はこの考案の回路図である。 FIG. 1 is a circuit diagram of this invention.

この考案の振幅変調回路は第1図に示すように
制御電圧Ecに比例して減衰量が変化する、例え
ば第2図に示す回路構成の可変減衰器1と、この
可変減衰器出力の高周波電力直線増幅器2と、こ
の増幅器2の出力状態を検出する方向性結合器3
と、この方向性結合器3よりの出力を、そのエン
ベロープに比例した電圧Eeに変換する包絡線検
波器4と、方向性結合器3、包絡線検波器4、及
びこの包絡線検波器4よりの直流分を検出し、基
準電圧Eoとを比較する比較増幅器5より成る出
力制御回路6と、方向性結合器3、包絡線検波器
4及び包絡線検波器4よりの出力を変調信号em
と比較し、交流分を取り出す比較増幅器7より成
る整流帰還回路8と、前記出力制御回路6並びに
整流帰還回路8が前記可変減衰器1にフイードバ
ツクされ、可変減衰器1が搬送波入力部、方向性
結合器3が出力部として構成されている。
The amplitude modulation circuit of this invention includes a variable attenuator 1 whose attenuation changes in proportion to the control voltage Ec as shown in FIG. A linear amplifier 2 and a directional coupler 3 that detects the output state of this amplifier 2
, an envelope detector 4 that converts the output from the directional coupler 3 into a voltage Ee proportional to its envelope, the directional coupler 3, the envelope detector 4, and the envelope detector 4. An output control circuit 6 consisting of a comparator amplifier 5 that detects the DC component of and compares it with a reference voltage Eo, a directional coupler 3, an envelope detector 4, and an output from the envelope detector 4 as a modulation signal em
The output control circuit 6 and the rectification feedback circuit 8 are fed back to the variable attenuator 1, and the variable attenuator 1 is a carrier wave input section, a directivity A coupler 3 is configured as an output.

上記実施例の可変減衰器1は制御電圧に比例し
て減衰量が変化する可変減衰器であればいかなる
回路でも適用可能であるが、第2図に示すように
高周波可変抵抗素子として知られるPINダイオー
ドCR1,CR2を使用して構成することが最も望
ましい。
The variable attenuator 1 of the above embodiment can be applied to any circuit as long as it is a variable attenuator whose attenuation changes in proportion to the control voltage, but as shown in FIG. It is most desirable to use diodes CR1 and CR2.

PINダイオードは一定周波数以上では直線性の
非常に良い純抵抗特性を有し、かつ、端子間容量
が極めて小さいため、高い周波数まで絶縁性が良
く、周波数特性が良好であり、広い範囲にわたり
搬送周波数の減衰が可能となるからである。
PIN diodes have pure resistance characteristics with very good linearity above a certain frequency, and the capacitance between terminals is extremely small, so they have good insulation up to high frequencies and good frequency characteristics, and can be used at carrier frequencies over a wide range. This is because it becomes possible to attenuate the

また、PINダイオードは小型軽量であるから、
装置の小型化の面からも望ましい。
In addition, since PIN diodes are small and lightweight,
This is also desirable from the standpoint of downsizing the device.

また、上記実施例において、自動出力制御回路
6及び整流帰還回路8はそれぞれ従来公知の回路
であるが、自動出力制御回路6では抵抗器RIと
容量C1とで決まる時定数を変調信号の最低周波
数の周期より十分長く設定しておくとEeの直流
分の検出が可能となる。
Further, in the above embodiment, the automatic output control circuit 6 and the rectification feedback circuit 8 are each conventionally known circuits, but in the automatic output control circuit 6, the time constant determined by the resistor RI and the capacitance C1 is set to the lowest value of the modulation signal. If it is set sufficiently longer than the frequency period, it becomes possible to detect the DC component of Ee.

また、上記実施例においてフイードバツク系を
加算(図の9)して可変減衰器1の制御電圧Ec
を作るものを示したが、第3図に示すようにそれ
ぞれのフイードバツク系の信号Em,Edを直列配
置した可変減衰器1A,1Bに入力させても良
い。
In addition, in the above embodiment, the control voltage Ec of the variable attenuator 1 is calculated by adding the feedback system (9 in the figure).
However, as shown in FIG. 3, the respective feedback system signals Em and Ed may be input to variable attenuators 1A and 1B arranged in series.

また、この場合Em,Edの入力は図示の逆配置
とされていても良い。
Further, in this case, the inputs of Em and Ed may be arranged in the reverse order as shown in the figure.

〔作用〕[Effect]

次にこの考案の実施例の作用を説明する。 Next, the operation of the embodiment of this invention will be explained.

第1図において搬送波ecは電圧制御可変減衰器
1で制御電圧に比例した減衰量が与えられ
(ec′)、高周波電力直線増幅器2で増幅され、方
向性結合器3を介して出力される。
In FIG. 1, the carrier wave e c is given an attenuation amount proportional to the control voltage (e c ') by a voltage-controlled variable attenuator 1, amplified by a high-frequency power linear amplifier 2, and outputted via a directional coupler 3. Ru.

次に、出力制御回路6の作用について説明す
る。
Next, the operation of the output control circuit 6 will be explained.

説明の簡略化のため、変調信号enの無い場合に
ついて説明すると高周波電力直線増幅器2の出力
の一部は、方向性結合器3で検出され、包絡線検
波器4で出力のエンベロープに比例した電圧の信
号Eeに変換される。
To simplify the explanation, we will explain the case where there is no modulation signal e n . A part of the output of the high frequency power linear amplifier 2 is detected by the directional coupler 3, and detected by the envelope detector 4 in proportion to the envelope of the output. It is converted into a voltage signal Ee.

比較器増幅器5ではEeの直流分が基準電圧Eo
に等しくなるような制御電圧Edを発生する。
In the comparator amplifier 5, the DC component of Ee becomes the reference voltage Eo
Generate a control voltage Ed that is equal to .

可変減衰器1はこのEdに基づく制御電圧Ecに
比例した減衰量を搬送波ecに与える。
The variable attenuator 1 gives the carrier wave e c an amount of attenuation proportional to the control voltage E c based on this Ed.

従つて出力は、基準電圧Eoに比例する。即ち、
基準電圧が一定であれば高周波電力直線増幅器の
利得が変化しても出力は一定に保たれる。
The output is therefore proportional to the reference voltage Eo. That is,
If the reference voltage is constant, the output will remain constant even if the gain of the high frequency power linear amplifier changes.

また、方向性結合器3の出力が周波数に関係な
く一定であれば、搬送波の周波数が変化しても出
力は一定に保たれる。
Further, if the output of the directional coupler 3 is constant regardless of the frequency, the output will be kept constant even if the frequency of the carrier wave changes.

次に整流帰還回路8の作用について説明する。 Next, the operation of the rectifier feedback circuit 8 will be explained.

第1図において、コンデンサC2は包絡線検波
器4の出力Eeの交流分を取り出すためのもので、
比較増幅器7において変調信号enと比較され、制
御信号Emを発生する。
In Fig. 1, the capacitor C2 is for extracting the AC component of the output Ee of the envelope detector 4.
It is compared with the modulation signal e n in a comparator amplifier 7 to generate a control signal Em.

従つて可変減衰器1は、このEmに基づく制御
信号により制御され、搬送波ecが振幅変調を受け
る。
Therefore, the variable attenuator 1 is controlled by a control signal based on this Em, and the carrier wave e c is subjected to amplitude modulation.

また、このとき比較増幅器7では出力の包絡線
と変調信号enが比較されるため、可変減衰器1、
高周波電力直線増幅器2等で生じた歪が改善され
る。
Also, at this time, since the comparator amplifier 7 compares the output envelope and the modulation signal e n , the variable attenuator 1,
Distortion caused by the high frequency power linear amplifier 2 and the like is improved.

次に電圧制御可変減衰器1の作用について説明
する。
Next, the operation of the voltage controlled variable attenuator 1 will be explained.

既述のように可変減衰器1は制御電圧信号Ec
に基づいて振幅変調を行なう。
As mentioned above, the variable attenuator 1 receives the control voltage signal Ec
Amplitude modulation is performed based on

第4図において、Cは無変調時の振幅(搬送波
レベル)、aは100%変調時の最大振幅とすれば a=2c 20 log c/a=−6dB 従つて第5図に示すように、電圧制御可変減衰
器1の動作点は制御電圧がVo以下の点Aでなけ
ればならない。
In Fig. 4, C is the amplitude when no modulation (carrier level), and a is the maximum amplitude when modulated at 100%, then a=2c 20 log c/a=-6dB Therefore, as shown in Fig. 5, The operating point of the voltage-controlled variable attenuator 1 must be a point A where the control voltage is less than or equal to Vo.

そして振幅変調信号の最大変調度における振幅
最大点は電圧制御可変減衰器の最小減衰量のと
き、及び振幅最小点は最大減衰量のときとなる。
The amplitude maximum point at the maximum modulation degree of the amplitude modulation signal occurs when the voltage-controlled variable attenuator has the minimum attenuation amount, and the amplitude minimum point occurs when the voltage-controlled variable attenuator has the maximum attenuation amount.

即ち、上記変調度は電圧制御可変減衰器1の減
衰量により定まることとなる。
That is, the degree of modulation is determined by the amount of attenuation of the voltage controlled variable attenuator 1.

この場合において、振幅変調信号の各振幅値を
第4図のa,bとすれば変調度(m)は m=a−b/a+b×100(%) …… となる。
In this case, if the amplitude values of the amplitude modulation signal are a and b in FIG. 4, the degree of modulation (m) is m=a-b/a+b×100(%)...

各振幅と電圧制御可変減衰器1の減衰量との関
係は、 a:減衰量最小時の振幅 b:減衰量最大時の振幅 とし、最小時の減衰量を1/a0最大時の振幅を
1/Ka0とすれば、式は m=1/a0−1/Ka0/1/a0+1/Ka0×100=100(1
−2/K+1) となる。
The relationship between each amplitude and the attenuation amount of the voltage-controlled variable attenuator 1 is as follows: a: amplitude at the minimum attenuation b: amplitude at the maximum attenuation, the attenuation at the minimum is 1/a 0 the amplitude at the maximum 1/Ka 0 , the formula is m=1/a 0 -1/Ka 0 /1/a 0 +1/Ka 0 ×100=100 (1
-2/K+1).

そして、この場合において第6図に示すように
電圧制御可変減衰器1の減衰量をαとすると出力
は αVc cosωct …… またαは制御電圧に比例するから比例定数をkと
すると α=k(Vo+Vmcosωst) …… をに代入して KVc(Vo+Vm cosωst)cosωct =k VcVocosωct +(kVcVm/2)×cos(ωc+ωs)t +(kVcVm/2)〔cos(ωc−ωs)t〕…… 式の第1項は搬送波成分、第2及び第3項は上
下側帯波である。
In this case, as shown in Fig. 6, if the attenuation amount of the voltage-controlled variable attenuator 1 is α, the output is αVc cosω c t...Also, since α is proportional to the control voltage, if the proportionality constant is k, then α= k(Vo+Vmcosω s t) ... Substitute KVc(Vo+Vm cosω s t)cosω c t =k VcVocosω c t +(kVcVm/2)×cos(ω cs )t +(kVcVm/2) [ cos(ω c −ω s )t]... The first term in the equation is a carrier wave component, and the second and third terms are upper and lower sideband waves.

従つて、変調にあたつて不要波の発生は全く生
じない。
Therefore, no unnecessary waves are generated during modulation.

ちなみに、第6図に示すような非線形素子10
による従来の振幅変調について同様に解析する
と、トランジスタ、真空管、ダイオード等の非線
形素子10は、入力電圧VIと出力電圧Voとの間
に一例として Vo=a1Vi+a2Vi2 …… (a1,a2は比例定数) の関係が有り、第7図に示すように入力電圧Vi
は Vi=Vccosωct+Vscosωst …… で表わされる。
By the way, the nonlinear element 10 as shown in FIG.
Analyzing the conventional amplitude modulation according to a 2 is a proportionality constant), and as shown in Figure 7, the input voltage Vi
is expressed as Vi=Vccosω c t+Vscosω s t .

式にを代入すれば、 Vo=a1Vccosωct(1+2a2Vscosωst/a1) +a1Vscosωst +a2Vc2cos2ωst +a2Vs2cos2ωst =a1Vccosωct+a2VcVscos(ωc+ωs)t +a2VcVscos(ωc−ωs)t+a1Vscosωst +a2Vs2/2+(a2Vs2cos2 ωst)/2 +a2Vc2cosωct/2 …… となる。 Substituting into the equation, Vo=a 1 Vscosω c t (1+2a 2 Vscosω s t/a 1 ) +a 1 Vscosω s t +a 2 Vc 2 cos 2 ω s t +a 2 Vs 2 cos 2 ω s t =a 1 Vccosω c t+a 2 VcVscos (ω cs )t +a 2 VcVscos (ω c −ω s )t+a 1 Vscosω s t +a 2 Vs 2 /2+(a 2 Vs 2 cos2 ω s t)/2 +a 2 Vc 2 cosω c t/2...

式において、第1項は搬送波成分、第2及び第
3項は上下の側波帯でこれらが目的とする振幅変
調波であるが、ではこれ以外に第8項まで有
り、特に第8項は搬送波の第2高調波即ち、不要
波となる。
In the equation, the first term is the carrier wave component, and the second and third terms are the upper and lower sidebands, which are the intended amplitude modulated waves, but in addition to this, there are up to 8 terms, and especially the 8th term is This becomes the second harmonic of the carrier wave, that is, an unnecessary wave.

当例では簡単のため式で示すようにVi2の項
で止めたが、実際には、さらに高次の項が存在す
るため、さらに多くの不要波を生ずる。
In this example, for simplicity, we stopped at the Vi 2 term as shown in the equation, but in reality, there are higher-order terms, so even more unnecessary waves are generated.

以上より明らかなように本考案回路では、不要
波の発生は殆ど発生しない。
As is clear from the above, in the circuit of the present invention, almost no unnecessary waves are generated.

〔効果〕〔effect〕

この考案は以上のように構成され、かつ、作用
するので以下の効果を有する。
This invention is constructed and operates as described above, and has the following effects.

(1) 本考案の回路は線形素子である可変減衰器を
用い、搬送波の振幅を変調信号で変化させるの
で変調回路での不要波を発生させない。
(1) The circuit of the present invention uses a variable attenuator, which is a linear element, and changes the amplitude of the carrier wave with a modulation signal, so that unnecessary waves are not generated in the modulation circuit.

(2) 変調度は可変減衰器の減衰量で決まるため搬
送周波数の広範囲の変化に対し変調度が変化し
ないばかりでなく、送信出力を可変としても変
調度が変化しない。即ち、広帯或特性に優れ
る。
(2) Since the modulation degree is determined by the amount of attenuation of the variable attenuator, not only does the modulation degree not change over a wide range of changes in the carrier frequency, but also the modulation degree does not change even if the transmission output is varied. That is, it has excellent broadband characteristics.

(3) 本考案回路はフイードバツク系で構成されて
いるため温度変化、電源電圧変動及び経年変化
による増幅利得や、変換利得の変化に対し自動
的に補正されるので調整は出力調整のみで非常
に簡単となる。
(3) Since the circuit of this invention is composed of a feedback system, it automatically compensates for changes in amplification gain and conversion gain due to temperature changes, power supply voltage fluctuations, and secular changes, so adjustment is very simple and requires only output adjustment. It becomes easy.

(4) 出力が連続的に変化でき、出力を変化させて
も不要波は発生しない。
(4) The output can be changed continuously, and unnecessary waves are not generated even when the output is changed.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの考案の回路図、第2図は可変減衰
器の部分回路図、第3図は他の実施例の回路図、
第4図〜第5図は可変減衰器の作用説明図、第6
図、第7図は従来例の作用説明図、第8図〜第1
1図は従来例の回路図を示す。
Figure 1 is a circuit diagram of this invention, Figure 2 is a partial circuit diagram of a variable attenuator, Figure 3 is a circuit diagram of another embodiment,
Figures 4 and 5 are explanatory diagrams of the operation of the variable attenuator, and Figure 6
Fig. 7 is an explanatory diagram of the operation of the conventional example, and Figs. 8 to 1
FIG. 1 shows a circuit diagram of a conventional example.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 制御電圧に比例して減衰量が変化する可変減衰
器と、該可変減衰器出力と増幅する高周波電力直
線増幅器と、該増幅器出力状態を検出する方向性
結合器と、該方向性結合器よりの出力を、そのエ
ンベロープに比例した電圧に変換する包絡線検波
器と、前記方向性結合器、包絡線検波器及び該包
絡線検波器より直流分を検出し、基準電圧とを比
較する比較増幅器より成る自動出力制御回路と、
前記方向性結合器、包絡線検波器及び該包絡線検
波器より出力を変調信号と比較し、交流分を取出
す比較増幅器より成る整流帰還回路と、前記自動
出力制御回路並びに整流帰還回路が前記可変減衰
器にフイードバツクされ、前記可変減衰器が搬送
波入力部、前記方向性結合器が出力部とされて成
ることを特徴とする振幅変調回路。
a variable attenuator whose attenuation changes in proportion to the control voltage; a high-frequency power linear amplifier that amplifies the output of the variable attenuator; a directional coupler that detects the output state of the amplifier; An envelope detector that converts the output into a voltage proportional to its envelope, and a comparison amplifier that detects the DC component from the directional coupler, the envelope detector, and the envelope detector, and compares it with a reference voltage. An automatic output control circuit consisting of;
a rectifier feedback circuit comprising the directional coupler, an envelope detector, and a comparator amplifier that compares the output from the envelope detector with a modulation signal and extracts an alternating current component; the automatic output control circuit and the rectifier feedback circuit are connected to the variable 1. An amplitude modulation circuit, wherein feedback is provided to an attenuator, the variable attenuator being a carrier wave input section, and the directional coupler being an output section.
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