JPH05112870A - 縦型減圧ｃｖｄ装置 - Google Patents
縦型減圧ｃｖｄ装置Info
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- JPH05112870A JPH05112870A JP30246291A JP30246291A JPH05112870A JP H05112870 A JPH05112870 A JP H05112870A JP 30246291 A JP30246291 A JP 30246291A JP 30246291 A JP30246291 A JP 30246291A JP H05112870 A JPH05112870 A JP H05112870A
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- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims description 5
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 6
- 230000006837 decompression Effects 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 6
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 5
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ボート上部のウェーハ上のパーティクル数を
低減させ、ボート上方空間部付近の壁面への膜の異常堆
積を軽減する。 【構成】 ボート４の上方空間部に膜前駆体ラジカルの
吸着材１を設置する。
低減させ、ボート上方空間部付近の壁面への膜の異常堆
積を軽減する。 【構成】 ボート４の上方空間部に膜前駆体ラジカルの
吸着材１を設置する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は内，外部反応管を垂設し
て炉口部を蓋で密封し、内部反応管内にボートを設けて
該ボートに載置されたウェーハに薄膜を堆積する縦型減
圧ＣＶＤ装置に関する。
て炉口部を蓋で密封し、内部反応管内にボートを設けて
該ボートに載置されたウェーハに薄膜を堆積する縦型減
圧ＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６は従来装置の１例の構成を示す簡略
断面図である。この従来装置は内，外部反応管３，２を
垂設して炉口部を蓋６で密封し、内部反応管３内にボー
ト４を設けてこれに多数のウェーハ７を載置し、減圧下
で反応ガスをガス導入口８より内部反応管３内に導入
し、内，外部反応管３，２間を経て排気口９より排気す
ることによりウェーハ７に薄膜を堆積するものである。
断面図である。この従来装置は内，外部反応管３，２を
垂設して炉口部を蓋６で密封し、内部反応管３内にボー
ト４を設けてこれに多数のウェーハ７を載置し、減圧下
で反応ガスをガス導入口８より内部反応管３内に導入
し、内，外部反応管３，２間を経て排気口９より排気す
ることによりウェーハ７に薄膜を堆積するものである。
【０００３】このような従来装置において膜前駆体ラジ
カル（膜を生成するために流した反応ガスが加熱されエ
ネルギーが高くなって励起状態になり、ウェーハなどに
膜を堆積する寸前のガスの状態をいう）は反応管２，３
内のすべての部分に発生するが、ウェーハ７などのある
ボート４の部分のラジカルはウェーハ７に正常な膜を生
成する。
カル（膜を生成するために流した反応ガスが加熱されエ
ネルギーが高くなって励起状態になり、ウェーハなどに
膜を堆積する寸前のガスの状態をいう）は反応管２，３
内のすべての部分に発生するが、ウェーハ７などのある
ボート４の部分のラジカルはウェーハ７に正常な膜を生
成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
例にあっては、ボート４の上方の外部反応管２との間の
広い空間に発生しているラジカルがボート４上部、内，
外部反応管３，２の上部の各面に異常堆積して膜１０を
生成しパーティクルの原因になるばかりでなく、ボート
４上部のウェーハ７上のパーティクル数が増加するとい
う課題があった。
例にあっては、ボート４の上方の外部反応管２との間の
広い空間に発生しているラジカルがボート４上部、内，
外部反応管３，２の上部の各面に異常堆積して膜１０を
生成しパーティクルの原因になるばかりでなく、ボート
４上部のウェーハ７上のパーティクル数が増加するとい
う課題があった。
【０００５】本発明の目的はボート４上部のウェーハ７
上のパーティクル数を低減し、かつボート４上部、内，
外部反応管３，２の上部の各面への膜１０の異常堆積を
軽減することである。
上のパーティクル数を低減し、かつボート４上部、内，
外部反応管３，２の上部の各面への膜１０の異常堆積を
軽減することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明装置は上記の課題
を解決し、上記の目的を達成するため、図１に示すよう
にボート４に載置されたウェーハ７に薄膜を形成する縦
型減圧ＣＶＤ装置において、ボート４の上方空間部に膜
前駆体ラジカルの吸着材１を設置してなる。
を解決し、上記の目的を達成するため、図１に示すよう
にボート４に載置されたウェーハ７に薄膜を形成する縦
型減圧ＣＶＤ装置において、ボート４の上方空間部に膜
前駆体ラジカルの吸着材１を設置してなる。
【０００７】
【作用】このような構成とすることによりボート４の上
方の空間で生成される膜前駆体ラジカルは吸着材１に吸
着され、パーティクルの発生、膜の異常堆積等が軽減さ
れることになる。
方の空間で生成される膜前駆体ラジカルは吸着材１に吸
着され、パーティクルの発生、膜の異常堆積等が軽減さ
れることになる。
【０００８】
【実施例】図１は本発明装置の１実施例の構成を示す簡
略断面図である。図１において内，外部反応管３，２が
垂設され、炉口部は蓋６で密封されている。内部反応管
３内には多数のウェーハ７を載置したボート４が設けら
れ、そのキャップ５は蓋６上に設置されている。８は反
応ガスのガス導入口、９は排気口で排気装置に連結され
ている。
略断面図である。図１において内，外部反応管３，２が
垂設され、炉口部は蓋６で密封されている。内部反応管
３内には多数のウェーハ７を載置したボート４が設けら
れ、そのキャップ５は蓋６上に設置されている。８は反
応ガスのガス導入口、９は排気口で排気装置に連結され
ている。
【０００９】本実施例はこのような縦型減圧ＣＶＤ装置
において、ボート４の上方空間部で内部反応管３の上部
に膜前駆体ラジカルの吸着材１を設置し、この吸着材１
をリング基材１Ａとこれに取付けた５枚の垂直板１Ｂと
で構成する。
において、ボート４の上方空間部で内部反応管３の上部
に膜前駆体ラジカルの吸着材１を設置し、この吸着材１
をリング基材１Ａとこれに取付けた５枚の垂直板１Ｂと
で構成する。
【００１０】図２は本発明における吸着材の第２例の正
面図、図３はその平面図である。この第２例の吸着材１
は、リング基材１Ａにこれと同心に直径の異なる３個の
円筒体１Ｃを配置し、これらを４分割する仕切材１Ｄで
連結して多数のガス流通路１１を有するものとした例で
ある。
面図、図３はその平面図である。この第２例の吸着材１
は、リング基材１Ａにこれと同心に直径の異なる３個の
円筒体１Ｃを配置し、これらを４分割する仕切材１Ｄで
連結して多数のガス流通路１１を有するものとした例で
ある。
【００１１】図４は本発明における吸着材の第３例の正
面図、図５はその平面図である。この第３例の吸着材１
は、リング基材１Ａにこれを４箇所に分けて仕切る仕切
材１Ｄを連結して多数のガス流通路１１を有するものと
した例である。
面図、図５はその平面図である。この第３例の吸着材１
は、リング基材１Ａにこれを４箇所に分けて仕切る仕切
材１Ｄを連結して多数のガス流通路１１を有するものと
した例である。
【００１２】なお、吸着材１、内，外部反応管３，２、
ボート４及びキャップ５は石英で作られており、蓋６は
ステンレスで作られている。
ボート４及びキャップ５は石英で作られており、蓋６は
ステンレスで作られている。
【００１３】上記構成の実施例において減圧下で反応ガ
スをガス導入口８より内部反応管３内に導入すると、反
応ガスは内部反応管３とボート４との間を上昇し、吸着
材１の間又はそのガス流通路１１を通過し、内，外部反
応管３，２間を下降して排気口９より排気され、ボート
４に載置された多数のウェーハ７に薄膜を堆積すること
になる。
スをガス導入口８より内部反応管３内に導入すると、反
応ガスは内部反応管３とボート４との間を上昇し、吸着
材１の間又はそのガス流通路１１を通過し、内，外部反
応管３，２間を下降して排気口９より排気され、ボート
４に載置された多数のウェーハ７に薄膜を堆積すること
になる。
【００１４】この場合、ボート４の上方空間部に生成さ
れる膜前駆体ラジカルは吸着材１に吸着されて該空間部
付近のボート４上部，内，外部反応管３，２の上部の各
面に異常堆積することが軽減され、パーティクルの発生
が抑制されると共にボート４上部のウェーハ７上のパー
ティクル数が低減されることになる。
れる膜前駆体ラジカルは吸着材１に吸着されて該空間部
付近のボート４上部，内，外部反応管３，２の上部の各
面に異常堆積することが軽減され、パーティクルの発生
が抑制されると共にボート４上部のウェーハ７上のパー
ティクル数が低減されることになる。
【００１５】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、ボート４
に載置されたウェーハ７に薄膜を形成する縦型減圧ＣＶ
Ｄ装置において、ボート４の上方空間部に膜前駆体ラジ
カルの吸着材１を設置してなるので、ボート４の上方空
間で生成される膜前駆体ラジカルを吸着材１に吸着する
ことができ、ボート４上部のウェーハ７上のパーティク
ル数を大幅に減少させることができるばかりでなく、ボ
ート４上部、内，外部反応管３，２の上部の各面への膜
の異常堆積を軽減することができる。
に載置されたウェーハ７に薄膜を形成する縦型減圧ＣＶ
Ｄ装置において、ボート４の上方空間部に膜前駆体ラジ
カルの吸着材１を設置してなるので、ボート４の上方空
間で生成される膜前駆体ラジカルを吸着材１に吸着する
ことができ、ボート４上部のウェーハ７上のパーティク
ル数を大幅に減少させることができるばかりでなく、ボ
ート４上部、内，外部反応管３，２の上部の各面への膜
の異常堆積を軽減することができる。
【００１６】そのため、外部反応管２及びボート４等の
洗浄頻度を大幅に低減することができ、又吸着材１は使
用頻度に応じて堆積した膜，パーティクル等を洗浄して
再使用することができる。
洗浄頻度を大幅に低減することができ、又吸着材１は使
用頻度に応じて堆積した膜，パーティクル等を洗浄して
再使用することができる。
【図１】本発明装置の１実施例の構成を示す簡略断面図
である。
である。
【図２】本発明における吸着材の第２例の正面図であ
る。
る。
【図３】その平面図である。
【図４】本発明における吸着材の第３例の正面図であ
る。
る。
【図５】その平面図である。
【図６】従来装置の１例の構成を示す簡略断面図であ
る。
る。
１ 吸着材 ２ 外部反応管 ３ 内部反応管 ４ ボート ６ 蓋 ７ ウェーハ ８ ガス導入口 ９ 排気口 １１ ガス流通路
Claims (2)
- 【請求項１】 ボート（４）に載置されたウェーハ
（７）に薄膜を形成する縦型減圧ＣＶＤ装置において、
ボート（４）の上方空間部に膜前駆体ラジカルの吸着材
（１）を設置してなる縦型減圧ＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 吸着材（１）は複数のガス流通路（１
１）を有するものである請求項１の縦型減圧ＣＶＤ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30246291A JPH05112870A (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 縦型減圧ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30246291A JPH05112870A (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 縦型減圧ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05112870A true JPH05112870A (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=17909237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30246291A Pending JPH05112870A (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 縦型減圧ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05112870A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6495473B2 (en) | 2001-05-14 | 2002-12-17 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
| US8268439B2 (en) | 2003-05-22 | 2012-09-18 | Propex Operating Company, Llc | Process for fabricating polymeric articles |
-
1991
- 1991-10-21 JP JP30246291A patent/JPH05112870A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6495473B2 (en) | 2001-05-14 | 2002-12-17 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
| US8268439B2 (en) | 2003-05-22 | 2012-09-18 | Propex Operating Company, Llc | Process for fabricating polymeric articles |
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