JPH05100236A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH05100236A JPH05100236A JP28951191A JP28951191A JPH05100236A JP H05100236 A JPH05100236 A JP H05100236A JP 28951191 A JP28951191 A JP 28951191A JP 28951191 A JP28951191 A JP 28951191A JP H05100236 A JPH05100236 A JP H05100236A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal wiring
- etching
- liquid crystal
- pattern
- manufacturing
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 金属配線パターン残欠陥を確実に修復でき、
再度の修復を必要とせず、工程を簡略化し得る製造方法
を提供する。 【構成】 表面にストライプ状の透明電極２および金属
配線パターン１からなる電極群を形成した２枚の基板３
と、その間に挟持された液晶層を有する液晶素子の製造
方法において、前記金属配線のストライプパターンをエ
ッチングにより形成した際のストライプパターン間エッ
チング残欠陥４を、金属配線用エッチング液を粒径１０
μ以下の微細な霧状にして吹き付けることにより修復す
る。
再度の修復を必要とせず、工程を簡略化し得る製造方法
を提供する。 【構成】 表面にストライプ状の透明電極２および金属
配線パターン１からなる電極群を形成した２枚の基板３
と、その間に挟持された液晶層を有する液晶素子の製造
方法において、前記金属配線のストライプパターンをエ
ッチングにより形成した際のストライプパターン間エッ
チング残欠陥４を、金属配線用エッチング液を粒径１０
μ以下の微細な霧状にして吹き付けることにより修復す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、エッチング液を微細な
霧状にすることで、金属配線間のエッチング残欠陥を修
復する、液晶表示素子の製造方法に関する。
霧状にすることで、金属配線間のエッチング残欠陥を修
復する、液晶表示素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ドットマトリックス型液晶表示素
子による大容量の大画面フラット型液晶表示装置が注目
されている。ドットマトリックスの絵素数の増加にとも
ない、電極間の隙間が狭められてきており、パターニン
グ時における歩留りの向上とともに、欠陥の修復技術が
重要になってきた。
子による大容量の大画面フラット型液晶表示装置が注目
されている。ドットマトリックスの絵素数の増加にとも
ない、電極間の隙間が狭められてきており、パターニン
グ時における歩留りの向上とともに、欠陥の修復技術が
重要になってきた。
【０００３】そこで、従来の修復方法としては、金属配
線パターン残欠陥に対して、エッチング液を流下する
か、または単に液を吹き付けて欠陥部の修復を行なって
いた。
線パターン残欠陥に対して、エッチング液を流下する
か、または単に液を吹き付けて欠陥部の修復を行なって
いた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
例では、金属配線パターン残欠陥部分への前記エッチン
グ液浸透が不安定であり、そのため浸透しない箇所は、
修復されないという欠点があった。
例では、金属配線パターン残欠陥部分への前記エッチン
グ液浸透が不安定であり、そのため浸透しない箇所は、
修復されないという欠点があった。
【０００５】このため、上記修復後に残った残欠陥を、
再度レジスト像を形成し再度前記エッチング液に浸漬し
て、金属配線パターン残欠陥を再度修復するという複雑
なプロセス工程を行なう必要があるという欠点もあっ
た。
再度レジスト像を形成し再度前記エッチング液に浸漬し
て、金属配線パターン残欠陥を再度修復するという複雑
なプロセス工程を行なう必要があるという欠点もあっ
た。
【０００６】また、エッチング残欠陥部をレーザにより
切断するという方法もあるが、切断時の飛散物や切断箇
所のめくれなどが副作用として生じ、パネルのギャップ
不良、上下基板間ショートの原因となる場合があった。
切断するという方法もあるが、切断時の飛散物や切断箇
所のめくれなどが副作用として生じ、パネルのギャップ
不良、上下基板間ショートの原因となる場合があった。
【０００７】本発明は、上述の従来例における問題点に
鑑みてなされたもので、金属配線パターン残欠陥を確実
に修復でき、再度の修復を必要とせず、工程を簡略化し
得る製造方法を提供することを目的とする。
鑑みてなされたもので、金属配線パターン残欠陥を確実
に修復でき、再度の修復を必要とせず、工程を簡略化し
得る製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明では、金属配線のエッチング残欠陥を修復す
る際に、前記金属配線のエッチング残欠陥部に、金属配
線用エッチング液を単に吹き付けるのではなく、粒径１
０μ以下の微細な霧状にして噴霧することを特徴とす
る。
め、本発明では、金属配線のエッチング残欠陥を修復す
る際に、前記金属配線のエッチング残欠陥部に、金属配
線用エッチング液を単に吹き付けるのではなく、粒径１
０μ以下の微細な霧状にして噴霧することを特徴とす
る。
【０００９】
【作用】上記構成によれば、エッチング液を容易かつ確
実にエッチング残欠陥部に浸透させることができる。し
たがって、前記金属配線のエッチング残欠陥部を、簡略
な工程で確実に修復することができる。
実にエッチング残欠陥部に浸透させることができる。し
たがって、前記金属配線のエッチング残欠陥部を、簡略
な工程で確実に修復することができる。
【００１０】
【実施例】以下、図１を参照しながら本発明の一実施例
に係る金属配線パターン間残欠陥修復方法を説明する。
に係る金属配線パターン間残欠陥修復方法を説明する。
【００１１】硝子基板３上に膜厚１５００Åのインジュ
ウム・錫酸化物（ＩＴＯ）をスパッタリング法で成膜し
た基板に、フォトレジストを約１μｍの厚みに塗布し、
画素電極パターンマスクを用いて露光した後、現像し、
塩化第二鉄３０ｖｏｌ％を含んだヨウ化水素酸でエッチ
ングして画素電極パターン２を形成した。次に、上記画
素電極パターン付き基板上に、上記と同様のスパッタリ
ング法でモリブデン（Ｍｏ）薄膜を膜厚１５００Åの厚
さに成膜した。上記Ｍｏ薄膜成膜済みの基板上に、再度
フォトレジストを約１μｍの厚みに塗布し、金属配線パ
ターンマスクを用いて露光した後現像し、燐酸／酢酸／
硝酸系エッチング液により室温で６０秒間エッチングを
行ない、金属配線パターン１を形成した（図１ａ参
照）。
ウム・錫酸化物（ＩＴＯ）をスパッタリング法で成膜し
た基板に、フォトレジストを約１μｍの厚みに塗布し、
画素電極パターンマスクを用いて露光した後、現像し、
塩化第二鉄３０ｖｏｌ％を含んだヨウ化水素酸でエッチ
ングして画素電極パターン２を形成した。次に、上記画
素電極パターン付き基板上に、上記と同様のスパッタリ
ング法でモリブデン（Ｍｏ）薄膜を膜厚１５００Åの厚
さに成膜した。上記Ｍｏ薄膜成膜済みの基板上に、再度
フォトレジストを約１μｍの厚みに塗布し、金属配線パ
ターンマスクを用いて露光した後現像し、燐酸／酢酸／
硝酸系エッチング液により室温で６０秒間エッチングを
行ない、金属配線パターン１を形成した（図１ａ参
照）。
【００１２】次に、上記金属配線パターン形成済みの基
板に、再度フォトレジスト５を約１μｍの厚に塗布し
（図１ｂ参照）、画素電極パターンマスクと同じか、ま
たはそれより電極間が狭いパターンマスクを用いて露光
した後現像し、金属配線パターン残欠陥修復用レジスト
パターン５ａを形成した（図１ｃ参照）。
板に、再度フォトレジスト５を約１μｍの厚に塗布し
（図１ｂ参照）、画素電極パターンマスクと同じか、ま
たはそれより電極間が狭いパターンマスクを用いて露光
した後現像し、金属配線パターン残欠陥修復用レジスト
パターン５ａを形成した（図１ｃ参照）。
【００１３】この後、図１ｄに示すように、燐酸／酢酸
／硝酸系エッチャント６を粒径約５μの微細な霧状にし
て噴霧し（例えば株式会社いけうち製ＳＴＡ−１使
用）、金属配線パターン間残欠陥４の修復を行なった。
その結果、金属配線パターン間残欠陥は全て修復され
た。
／硝酸系エッチャント６を粒径約５μの微細な霧状にし
て噴霧し（例えば株式会社いけうち製ＳＴＡ−１使
用）、金属配線パターン間残欠陥４の修復を行なった。
その結果、金属配線パターン間残欠陥は全て修復され
た。
【００１４】
【他の実施例】前記金属配線パターン間残欠陥４を修復
する際、燐酸／酢酸／硝酸系エッチャントをスプレーノ
ズルにより微細な霧状にして、金属配線パターン間残欠
陥部に対して吹き付けた。また、上記燐酸／酢酸／硝酸
系エッチャントを加熱し蒸気化したエッチャントを前記
金属配線パターン間残欠陥部に対して吹き付けた。いず
れの場合も上記噴霧と同様な効果が得られ、良好な結果
が得られた。
する際、燐酸／酢酸／硝酸系エッチャントをスプレーノ
ズルにより微細な霧状にして、金属配線パターン間残欠
陥部に対して吹き付けた。また、上記燐酸／酢酸／硝酸
系エッチャントを加熱し蒸気化したエッチャントを前記
金属配線パターン間残欠陥部に対して吹き付けた。いず
れの場合も上記噴霧と同様な効果が得られ、良好な結果
が得られた。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、金属配
線のパターン間残欠陥部に対して、燐酸／酢酸／硝酸系
エッチャント等の金属配線用エッチング液を、微細な霧
状にして噴霧することにより、確実に欠陥部の修復が行
なえ、再度の欠陥修復作業を必要とせず、工程の簡略化
および、生産性向上に多大な効果を有するものである。
線のパターン間残欠陥部に対して、燐酸／酢酸／硝酸系
エッチャント等の金属配線用エッチング液を、微細な霧
状にして噴霧することにより、確実に欠陥部の修復が行
なえ、再度の欠陥修復作業を必要とせず、工程の簡略化
および、生産性向上に多大な効果を有するものである。
【図１】 本発明の液晶表示素子の製造方法における金
属配線パターン間残欠陥修復方法を示す工程図である。 １：金属配線であるところのＭｏ（モリブデン）、２：
透明電極であるところのＩＴＯ、３：ガラス基板、４：
Ｍｏ残欠陥、５：フォトレジスト。
属配線パターン間残欠陥修復方法を示す工程図である。 １：金属配線であるところのＭｏ（モリブデン）、２：
透明電極であるところのＩＴＯ、３：ガラス基板、４：
Ｍｏ残欠陥、５：フォトレジスト。
Claims (5)
- 【請求項１】 表面にストライプ状の透明電極および金
属配線パターンからなる電極群を形成した２枚の基板
と、その間に挟持された液晶層を有する液晶素子の製造
方法において、前記金属配線のストライプパターンをエ
ッチングにより形成した際のストライプパターン間エッ
チング残欠陥を、金属配線用エッチング液を粒径１０μ
以下の微細な霧状にして吹き付けることにより修復する
ことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記電極である透明導電被膜がインジュ
ウム・錫酸化物であり、金属配線パターンがモリブデ
ン、モリブデン合金、アルミニウムまたはアルミニウム
合金のいずれかである請求項１記載の製造方法。 - 【請求項３】 前記金属配線パターン残欠陥の修復時に
用いるエッチング液が、燐酸／酢酸／硝酸系エッチング
液である請求項２記載の製造方法。 - 【請求項４】 前記噴霧に先立ち、前記基板上に金属配
線エッチング残欠陥修復用レジストパターンを形成する
請求項１記載の製造方法。 - 【請求項５】 前記金属配線エッチング残欠陥修復用レ
ジストパターンが前記透明電極パターン形成用マスクを
用いて形成される請求項４記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28951191A JPH05100236A (ja) | 1991-10-09 | 1991-10-09 | 液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28951191A JPH05100236A (ja) | 1991-10-09 | 1991-10-09 | 液晶表示素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05100236A true JPH05100236A (ja) | 1993-04-23 |
Family
ID=17744218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28951191A Pending JPH05100236A (ja) | 1991-10-09 | 1991-10-09 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05100236A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003311400A (ja) * | 2002-04-16 | 2003-11-05 | Agilent Technol Inc | 通気孔を設けた空洞の気密はんだ封止法 |
| KR101103015B1 (ko) * | 2011-09-07 | 2012-01-05 | 주식회사 조양이에스 | 투명전극층 및 금속전극층 에칭 방법 |
| US11650469B2 (en) | 2018-03-28 | 2023-05-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for producing display device |
| US12114540B2 (en) | 2018-08-24 | 2024-10-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing display device, and display device |
-
1991
- 1991-10-09 JP JP28951191A patent/JPH05100236A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003311400A (ja) * | 2002-04-16 | 2003-11-05 | Agilent Technol Inc | 通気孔を設けた空洞の気密はんだ封止法 |
| KR101103015B1 (ko) * | 2011-09-07 | 2012-01-05 | 주식회사 조양이에스 | 투명전극층 및 금속전극층 에칭 방법 |
| US11650469B2 (en) | 2018-03-28 | 2023-05-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for producing display device |
| US12114540B2 (en) | 2018-08-24 | 2024-10-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing display device, and display device |
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