JPH0472658A - Lead frame - Google Patents
Lead frameInfo
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- JPH0472658A JPH0472658A JP2186206A JP18620690A JPH0472658A JP H0472658 A JPH0472658 A JP H0472658A JP 2186206 A JP2186206 A JP 2186206A JP 18620690 A JP18620690 A JP 18620690A JP H0472658 A JPH0472658 A JP H0472658A
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- stage
- lead frame
- dam
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- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
特に両面に各種デバイスが搭載された基板がマウントさ
れるリードフレームに関し、
支持バーを折曲してステージを一段下げ、さらにステー
ジ間に架設された連結バーを折曲して一段下げた際に起
こるリードフレームの変形を防ぐことを目的とし、
外枠の中に設けられたダムバーと、ダムバーの交差する
2辺から内方向に突出した支持バーに設けられた4つの
ステージと、ステージの隣接同士の間に架設された連結
バーを有し、かつ該ステージがダムバーから一段下方向
に位置するように支持バーが折曲され、かつ該連結バー
がステージから一段下方向に位置するように折曲されて
なるリードフレームであって、前記外枠とダムバーとの
間の、支持バーと背向する外方向に、少なくとも支持バ
ーより太い補強バーが架設されているように構成する。[Detailed Description of the Invention] [Summary] In particular, regarding a lead frame on which a substrate with various devices mounted on both sides is mounted, the stage is lowered one step by bending the support bar, and the connecting bar is installed between the stages. In order to prevent the deformation of the lead frame that occurs when the lead frame is bent and lowered one step, a dam bar is installed inside the outer frame and a support bar protrudes inward from the two intersecting sides of the dam bar. The support bar is bent so that the stage is positioned one step below the dam bar, and the connecting bar is bent so that the stage is located one step below the dam bar. The lead frame is bent so as to be positioned one step downward, and a reinforcing bar that is at least thicker than the support bar is installed between the outer frame and the dam bar in an outward direction facing away from the support bar. Configure it so that
本発明は、リードフレームに係わり、特に両面に種々の
デバイスが搭載された基板のマウントに用いられ、かつ
ダムバーの変形をなくして連結バーの撓みを防いでなる
リードフレームに関する。The present invention relates to a lead frame, and more particularly to a lead frame that is used for mounting a substrate on which various devices are mounted on both sides, and that eliminates deformation of dam bars to prevent deflection of connecting bars.
近年、モノリシック集積回路(モノリシックIC)の進
展は目ざましいものがあり、あらゆる産業、民生分野で
IC化が行われている。このモノリシックICの高機能
化に伴って、モノリシックICのような能動デバイスと
、厚膜・薄膜回路やチップ部品などの受動デバイスを混
成集積させたハイブリッド集積回路(ハイブリッドIC
)も、大きな基板に大規模な機能を集積することが行わ
れるようになってきている。In recent years, monolithic integrated circuits (monolithic ICs) have made remarkable progress, and ICs are being used in all industrial and consumer fields. With the increasing functionality of monolithic ICs, hybrid integrated circuits (hybrid ICs), which are hybrid integrated circuits of active devices such as monolithic ICs and passive devices such as thick-film/thin-film circuits and chip components, are becoming more and more sophisticated.
) has also begun to integrate large-scale functions onto large substrates.
そして、モノリシックICが、ウェーハの段階から半導
体装置として仕上げるまでの一連の製造工程の中で、ま
ずプロセス技術が重要であるのと同様に、ハイブリッド
ICにおいてもプロセス技術が重要である。Just as process technology is important in a series of manufacturing steps for monolithic ICs from the wafer stage to completion as a semiconductor device, process technology is also important for hybrid ICs.
しかし、ハイブリッドICは、モノリシックICにおけ
るシリコンチップよりも大きいセラミックなどの基板の
上に、モノリシックICチップや他のいろいろなデバイ
ス類を混成して組み込み、しかも基板の両面が実装に用
いられる形態も多様されている。However, hybrid ICs incorporate a mixture of monolithic IC chips and various other devices on a ceramic substrate that is larger than the silicon chip in monolithic ICs, and there are also various forms in which both sides of the substrate are used for mounting. has been done.
従って、このような基板のパッケージにはモノリシンク
ICとは違った難しさがある。そして、この基板をパッ
ケージする工程が、信韻性を左右することはもちろん、
ハイブリッドICなどの製品価格を決するともいわれ、
組立工程の合理化、効率化が重要視されている。Therefore, packaging such a substrate has different difficulties than monolithic ICs. Of course, the process of packaging this board affects its authenticity,
It is said that it determines the price of products such as hybrid ICs.
There is an emphasis on streamlining and increasing efficiency of the assembly process.
一般に、例えば抵抗素子を列設した抵抗アレーのような
受動デバイスのみからなるICもハイブリッドICと呼
ばれている。しかし、ハイブリッドICには通常、モノ
リシックICが混成して組み込まれる。そして、このモ
ノリシックICは、チップ状に樹脂封止された形態で組
み込まれる場合もあるが、ペアチップとも呼ばれる裸の
半導体素子の形態で組み込まれる場合も多い。Generally, an IC consisting only of passive devices, such as a resistor array in which resistive elements are arranged in a row, is also called a hybrid IC. However, a hybrid IC usually incorporates a mixture of monolithic ICs. Although this monolithic IC is sometimes installed in the form of a resin-sealed chip, it is also often installed in the form of a bare semiconductor element, also called a pair chip.
この半導体素子を組み込む方法には、ワイヤボンディン
グが最も広く採用されているが、半導体素子の安定化や
組込技術の向上によって、フリップチップとかTABと
かいった接続方法も採られるようになっている。Wire bonding is the most widely used method for incorporating semiconductor elements, but as semiconductor elements become more stable and integration technology improves, connection methods such as flip-chip and TAB are also being adopted. .
そして、ハイブリッドICの機能がそれ程高度でなく、
基板から導出されるリードの数が少ない場合には、例え
ば、直接基板の周縁部に端子をはんだ付けなどによって
ろう接し、封止もボッティングなどによって簡易なパッ
ケージで済ませることが行われている。And the functions of the hybrid IC are not that advanced,
When the number of leads led out from a board is small, for example, terminals are soldered directly to the periphery of the board, and sealing is done by botting, etc., to create a simple package.
ところが、高度な機能を有する大規模なハイブリッドI
Cになると、基板から導出されるリードの本数が数十本
〜数百本と多くなるので、モノリシックICにおいてよ
く行われるように、基板を枠状端子であるリードフレー
ムに搭載し、基板の周縁部のパッドからリードフレーム
の内部リードにワイヤボンディングし、トランスファモ
ールドによって樹脂封止するいわゆるプラスチックパフ
ケージが行われる。However, large-scale hybrid I with advanced functions
In the case of C, the number of leads led out from the board increases from tens to hundreds, so the board is mounted on a lead frame, which is a frame-shaped terminal, as is often done in monolithic ICs, and the periphery of the board is A so-called plastic puff cage is performed in which wire bonding is performed from the internal pad of the lead frame to the internal lead of the lead frame, and the resin is sealed using transfer molding.
第2図は樹脂封止されたハイブリッドICの一例の一部
切欠き斜視図、第3図は第2図の要部の封止前の分解斜
視図である。FIG. 2 is a partially cutaway perspective view of an example of a resin-sealed hybrid IC, and FIG. 3 is an exploded perspective view of the main part of FIG. 2 before sealing.
図中、Iはリードフレーム、12はステージ、13は外
部リード、14は内部リード、Iaはダムバー1bは支
持バー、lcは連結バー、2は基板、2aはデバイス、
2bはパッド、3はパッケージである。In the figure, I is a lead frame, 12 is a stage, 13 is an external lead, 14 is an internal lead, Ia is a dam bar, 1b is a support bar, lc is a connecting bar, 2 is a substrate, 2a is a device,
2b is a pad, and 3 is a package.
基板2には、アルミナセラミック板がよく用いられるが
、特殊な用途には窒化アルミニウムやベリリアの板など
も用いられる。そして、基板2は単層の場合もあるが、
高密度実装用としてスルホールやバイアホールを介して
層間接続された多層基板になっている場合もある。For the substrate 2, an alumina ceramic plate is often used, but aluminum nitride or beryllia plates may also be used for special purposes. Although the substrate 2 may be a single layer,
For high-density mounting, there are cases in which the board is a multilayer board in which layers are connected through through holes or via holes.
この基板2の上には、厚膜や1lJIlなどの膜形成技
術によって配線や膜抵抗などのデバイス2aと周縁部に
パッド2bが設けられ、さらにモノリシックICチップ
、チップコンデンサなどのいろいろなデバイス2aが組
み込まれている。On this substrate 2, devices 2a such as wiring and film resistors and pads 2b are provided on the periphery using film forming techniques such as thick film and 1lJIl, and various devices 2a such as monolithic IC chips and chip capacitors are provided. It has been incorporated.
一方、リードフレーム1は、例えば鉄系合金とか銅系合
金とかの薄い条や板などを加工した枠状の端子であり、
一般には打抜き加工と成形加工によって作られるが、精
密な構成が要求される場合には化学的なエツチングによ
って作られることもある。On the other hand, the lead frame 1 is a frame-shaped terminal made of a thin strip or plate of iron-based alloy or copper-based alloy, for example.
They are generally made by stamping and molding, but can also be made by chemical etching if a precise configuration is required.
そして、中央部に基板2がマウントされるようにステー
ジ12が設けられている。A stage 12 is provided at the center of the stage 12 so that the substrate 2 is mounted thereon.
このステージ12は、モノリシックICからなる半導体
装置の場合には、チップの表裏両面に素子が形成される
ことがほとんどない上に、チップの形状が小さくて一辺
が高々十数mmの方形なので、角皿状に設けられている
場合が多い。In the case of a semiconductor device consisting of a monolithic IC, this stage 12 has a square shape because elements are almost never formed on both the front and back sides of the chip, and the shape of the chip is small and rectangular with a side of at most 10-odd millimeters. It is often provided in a plate shape.
ところが、高密度実装を指向したハイブリッドICなど
の基板2の場合には、基板2の表側ばかりでなく裏側に
もデバイス2aが組み込まれており、しかも−辺が20
mmとか30mmとかいった大きな形状である。However, in the case of a board 2 such as a hybrid IC intended for high-density packaging, the device 2a is incorporated not only on the front side of the board 2 but also on the back side, and the − side is 20
It has a large shape such as mm or 30 mm.
そこで、ステージ12は、基板2の裏面が接触しないよ
うに中央部がくり抜かれた形状になっており、基板2の
4隅を支持するように設けられている。そして、この4
つのそれぞれのステージ12は、枠状のダムバー1aの
2辺から突き出た2本ずつの支持バー1bによって支え
られている。Therefore, the stage 12 is hollowed out in the center so that the back surface of the substrate 2 does not come into contact with it, and is provided to support the four corners of the substrate 2. And these 4
Each stage 12 is supported by two support bars 1b protruding from two sides of a frame-shaped dam bar 1a.
また、基板2と基板2に搭載された種々のデバイス2a
がリードフレーム1からあまり出っ張らないように、ス
テージ12は基板2の厚み分だけ下方に一段凹んだ構成
になっている。In addition, the substrate 2 and various devices 2a mounted on the substrate 2
The stage 12 is recessed one step downward by the thickness of the substrate 2 so that it does not protrude too much from the lead frame 1.
さらにステージ12を安定に位置決めさせるために、4
つの突出したステージ12の隣同士はそれぞれ連結バー
1cで結ばれている。Furthermore, in order to stably position the stage 12,
Neighbors of the two protruding stages 12 are connected to each other by connecting bars 1c.
一方、ダムバー1aには、中央部に向かって多数の内部
リード14が櫛歯状に列設されており、この内部リード
14に連なる外側は外部リード13になっている。On the other hand, in the dam bar 1a, a large number of internal leads 14 are arranged in a comb-teeth pattern toward the center, and external leads 13 are connected to the internal leads 14 on the outside.
いろいろなデバイス2aが搭載された基板2は、4つの
ステージ12に4隅が固着されてリードフレーム1に載
置される。そのあと、基板2のパッド2bと内部リード
14との間でワイヤボンディングがなされて接続される
0次いで、図示してない金型にセットされて例えばエポ
キシ系の封止樹脂によって、外部リード!3が突出する
ようにモールド形成される。次いで、外部リード13を
残し、ダムバー1 aを切り落として分離し、リードフ
レームlを切り落す。最後に、外部リード13を例えば
ガルウィング(かもめの翼)型などに整形すれば、QF
Pなどと呼ばれるパッケージ3ができあがる。A substrate 2 on which various devices 2a are mounted is mounted on a lead frame 1 with its four corners fixed to four stages 12. After that, wire bonding is performed between the pads 2b of the substrate 2 and the internal leads 14 to connect them.Then, the external leads are set in a mold (not shown) and sealed with, for example, an epoxy sealing resin. 3 is molded so that it protrudes. Next, leaving the external leads 13, the dam bar 1a is cut off and separated, and the lead frame l is cut off. Finally, if the external lead 13 is shaped into a gull wing shape, for example, the QF
A package 3 called P etc. is completed.
ところで、表裏両面に配線が行われており、デバイス2
aも表裏両面に組み込まれているハイブリッドICなど
の基板2の場合には、ステージ12同士を結んでいる連
結バー10が基板2の裏面に接触しないように、連結バ
ー10は、一段曲げて凹んだステージ12から第3図に
示したようにさらにもう一段曲げて凹ませ、二段曲げ加
工された構成になっている。By the way, wiring is done on both the front and back sides, and device 2
In the case of a board 2 such as a hybrid IC in which a is also incorporated on both the front and back sides, the link bar 10 is bent one step and recessed so that the link bar 10 connecting the stages 12 does not come into contact with the back surface of the board 2. As shown in FIG. 3 from the stage 12, it is bent one more step and concave, resulting in a two-step bending process.
ところが、ダムバー18と支持バー1bとステージ12
、及びステージ12と連結バーICはそれぞれ閉じた枠
状に連なっている。そのためζステージ12と連結バー
10が順次二段に曲げ加工されると、ダムバー18や連
結バー10に異常な引っ張り応力が加わる。However, the dam bar 18, the support bar 1b, and the stage 12
, the stage 12, and the connecting bar IC are each connected in a closed frame shape. Therefore, when the ζ stage 12 and the connecting bar 10 are sequentially bent into two stages, abnormal tensile stress is applied to the dam bar 18 and the connecting bar 10.
第4図は第2図の変形した要部の拡大斜視図である。 FIG. 4 is an enlarged perspective view of a modified main part of FIG. 2.
同図において、ステージ12を曲げ加工によって一段凹
ませ、さらに、連結バー10を曲げ加工によってもう一
段凹ませると、ステージ12が中央方向に引っ張られる
ので、ダムバー1aや連結バー10ニ異常な応力が加わ
ることが避けられない。In the figure, when the stage 12 is bent one step and the connecting bar 10 is bent another step, the stage 12 is pulled toward the center, which causes abnormal stress to be applied to the dam bar 1a and the connecting bar 10. Participation is inevitable.
そのため、ダムバー13が内側に引っ張られて変形し、
連結バー10が弛んで上方か下方に撓んでしまうことが
間々起こる。Therefore, the dam bar 13 is pulled inward and deformed,
Occasionally, the connecting bar 10 becomes slack and bends upward or downward.
このように、連結バー10が撓んでしまうと、ステージ
12を安定に位置決めできなくなるばかりでなく、上方
に撓むとステージ12にマウントされた基板の裏面に設
けられた配線やデバイスなどと接触して短絡してしまう
問題があった。If the connecting bar 10 bends in this way, not only will it become impossible to stably position the stage 12, but if it bends upward, it may come into contact with wiring or devices provided on the back side of the board mounted on the stage 12. There was a problem with a short circuit.
そこで本発明は、ダムバーの変形をなくして連結バーの
撓みを防いでなるリードフレームを提供することを目的
としている。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a lead frame that eliminates deformation of dam bars and prevents deflection of connecting bars.
CtJ、Mを解決するための手段〕
上で述べた課題は、
外枠の中に設けられたダムバーと、ダムバーの交差する
2辺から内方向に突出した支持バーに設けられた4つの
ステージと、ステージの隣接同士の間に架設された連結
バーを有し、かつ該ステージがダムバーから一段下方向
に位置するように支持バーが折曲され、かつ該連結バー
がステージから一段下方向に位置するように折曲されて
なるリードフレームであって、
前記外枠とダムバーとの間の、支持バーと背向する外方
向に、少なくとも支持バーより太い補強バーが架設され
ている
ように構成されたリードフレームによって解決される。[Means for solving CtJ, M] The problem described above is solved by the dam bar installed in the outer frame and the four stages installed on the support bar protruding inward from the two intersecting sides of the dam bar. , has a connecting bar installed between adjacent stages, the support bar is bent so that the stage is located one step below the dam bar, and the connecting bar is located one step below the stage. The lead frame is bent in such a manner that a reinforcing bar that is at least thicker than the support bar is installed between the outer frame and the dam bar in an outward direction facing away from the support bar. This is solved by a lead frame.
各種デバイスが表裏両面に組み込まれている基板がマウ
ントされるリードフレームは、ステージ同士を結んでい
る連結バーが二段曲げ加工された構成になっており、ス
テージが中央部に引っ張られてダムバーや連結バーに異
常な応力が加わって、ダムバーが変形し連結バーが撓ん
でしまうのに対して、本発明によれば、ダムバーが変形
しないようにしている。The lead frame on which the board with various devices installed on both sides is mounted has a structure in which the connecting bar connecting the stages is bent in two stages, so that the stage is pulled to the center and the dam bar or When abnormal stress is applied to the connecting bar, the dam bar is deformed and the connecting bar is bent. However, according to the present invention, the dam bar is prevented from being deformed.
すなわち、外枠とダムバーの間の、ステージを支持する
ためにダムバーの内方向に設けられた支持バーと背向す
る外方向に補強バーを架設するようにしている。そして
、この補強バーを少な(とも支持バーより太くして、引
っ張り強度が大きくなるようにしている。That is, a reinforcing bar is installed between the outer frame and the dam bar in an outward direction opposite to a support bar provided inward of the dam bar to support the stage. The reinforcing bar is made smaller (and thicker than the supporting bar) to increase tensile strength.
このように、外枠に連なる補強バーによってダムバーを
補強すると、ステージを一段凹ますために支持バーが折
曲したりあるいはステージを結ぶ連結バーを一段凹ます
ために折曲したり際に、ダムバーが内方向に引っ張られ
ても、支持バーや連結バーが適宜延伸するようになる。In this way, if the dam bar is reinforced with a reinforcing bar connected to the outer frame, the dam bar will be Even if it is pulled inward, the support bar and the connecting bar will stretch appropriately.
こうして、ダムバーが引っ張られて変形することが起こ
らないようにしている。This prevents the dam bar from being pulled and deformed.
ダムバーの変形が起こらなければ、中央方向に引っ張ら
れたステージ同士が相互に接近して連結バーに弛みが生
じ、撓んでしまうことを防ぐことができる。If the dam bar does not deform, it is possible to prevent the stages pulled toward the center from approaching each other and causing the connecting bar to loosen and bend.
〔実施例] 第1図は本発明の実施例の要部の拡大斜視図である。〔Example] FIG. 1 is an enlarged perspective view of essential parts of an embodiment of the present invention.
図中、1はリードフレーム、11は外枠、12はステー
ジ、13は外部リード、14は内部リード、1aはダム
バー、Ibは支持バー、1cは連結バー、I(Iは補強
バー、2は基板である。In the figure, 1 is a lead frame, 11 is an outer frame, 12 is a stage, 13 is an external lead, 14 is an internal lead, 1a is a dam bar, Ib is a support bar, 1c is a connecting bar, I (I is a reinforcing bar, 2 is a It is a board.
同図において、リードフレーム1は、例えば鉄系合金と
か銅系合金とかの薄い条や板などを加工した枠状の端子
である。In the figure, a lead frame 1 is a frame-shaped terminal formed by processing a thin strip or plate of, for example, an iron-based alloy or a copper-based alloy.
こ\で示した4辺からリードが導出されるQFPと呼ば
れるパッケージ用のリードフレーム1の場合には、方形
の外枠11の4辺から内方向に向かって櫛歯状に外部リ
ード13が突設されている。そして、外部リード13の
先の方は内部リード14になっており、中間部にダムバ
ー1aが櫛歯を横切るように方形に設けられている。In the case of a lead frame 1 for a package called QFP in which leads are led out from the four sides shown here, the external leads 13 protrude inward from the four sides of the rectangular outer frame 11 in a comb-like shape. It is set up. The tip of the external lead 13 is an internal lead 14, and a dam bar 1a is provided in a square shape in the middle so as to cross the comb teeth.
内部リード14は、基板2とワイヤポンディングして接
続されるもので、基板2から導出されるリードの数、例
えば1辺に数十本設けられ、例えば、幅が0.4mm、
ピッチが0.8mmの細かいものになっている。The internal leads 14 are connected to the board 2 by wire bonding, and the number of leads led out from the board 2 is, for example, several tens per side, and the width is, for example, 0.4 mm.
The pitch is as fine as 0.8mm.
一方、ダムバー1aの4隅の直交する2辺ずつから内方
向に対になった例えば幅が0.3mmの支持バー1bが
突出して設けられており、この支持バー1bのそれぞれ
に例えば1辺が2mmの方形のステージ12が設けられ
ている。On the other hand, a pair of supporting bars 1b having a width of, for example, 0.3 mm are provided inwardly protruding from two orthogonal sides of each of the four corners of the dam bar 1a, and each of the supporting bars 1b has, for example, one side. A 2 mm rectangular stage 12 is provided.
また、この4つのステージ12は、隣同士が例えば幅0
.4mmの連結バー10によって方形に結ばれている。In addition, these four stages 12 have a width of 0, for example.
.. They are connected in a square shape by a 4mm connecting bar 10.
さらに、ダムバー1aから内方向に突き出した支持バー
1bと背向する外方向には、ダムバー1aと外枠11と
の間に例えば幅が0.9mmの補強バー1dが設けられ
ている。Further, a reinforcing bar 1d having a width of, for example, 0.9 mm is provided between the dam bar 1a and the outer frame 11 in the outward direction opposite to the support bar 1b protruding inward from the dam bar 1a.
このような平面形状のリードフレームlは、精密な構成
が要求されるので、例えば化学エッチングによって作ら
れる。Since such a planar lead frame l requires a precise structure, it is made by chemical etching, for example.
一方、4隅にそれぞれ設けられているステージ12には
基板2が載つかって支持されるが、基板2の厚み、例え
ば9.5mm程度支持バー1bを折曲して下方に凹んだ
構成になっている。On the other hand, the substrate 2 is placed on and supported by the stages 12 provided at each of the four corners, but the thickness of the substrate 2, for example, is about 9.5 mm, and the support bar 1b is bent and recessed downward. ing.
また、ステージ12を結んでいる連結バー10は、基板
2の裏面に触れないように、例えば0.5mm折曲して
下方に凹んだ構成になっている。Further, the connecting bar 10 connecting the stages 12 is bent downward by, for example, 0.5 mm so as not to touch the back surface of the substrate 2.
こうした下方に凹ませる曲げ加工はプレスによって行わ
れるが、ダムバー1aが補強バー1dによって外枠11
に支持されているので、ダムバー1aが変形したり、そ
の結果連結バーICが撓んだりすることが皆無であった
。This downward bending process is performed by a press, but the dam bar 1a is attached to the outer frame 11 by the reinforcing bar 1d.
Since the dam bar 1a is supported by the dam bar 1a, there is no possibility that the dam bar 1a is deformed or that the connecting bar IC is bent as a result.
こ\で例示したリードフレームの形状や各部の寸法には
、種々の変形が可能である。Various modifications can be made to the shape and dimensions of each part of the lead frame illustrated here.
また、基板はハイブリッドICに限定されず、例えばモ
ノリシックICのシリコンチップである場合にも適用で
き、種々の変形が可能である。Further, the substrate is not limited to a hybrid IC, but can also be applied to, for example, a silicon chip of a monolithic IC, and various modifications are possible.
各種デバイスが表裏両面に組み込まれている基板がマウ
ントされるリードフレームは、ステージを凹ませ、さら
に連結バーを凹ませる二段曲げ加工されると、ダムバー
が変形したり連結バーが撓んでしまうのに対して、本発
明による補強バーの導入によって変形が皆無になる。If the lead frame on which the board with various devices installed on both sides is mounted is subjected to a two-step bending process that recesses the stage and then recesses the connecting bar, the dam bar may deform or the connecting bar may bend. On the other hand, the introduction of the reinforcing bar according to the present invention completely eliminates the deformation.
その結果、寸法精度が高くリードピッチが細かいために
エツチングによって構成されるリードフレームの曲げ加
工における歩留りの向上が図れ、本発明はリードフレー
ムの製造効率化に寄与するところが大である。As a result, since the dimensional accuracy is high and the lead pitch is fine, the yield in bending the lead frame formed by etching can be improved, and the present invention greatly contributes to improving the manufacturing efficiency of lead frames.
第1図は本発明の実施例の要部の拡大斜視図、第2図は
樹脂封止されたハイブリッドICの一例の一部切欠き斜
視図、
第3図は第2図の要部の封止前の分解斜視図、第4図は
第2図の変形した要部の拡大斜視図、である。
図において、
1はリードフレーム、
11は外枠、
1aはダムバー
1cは連結バー
である。
12はステージ、
1bは支持バー
ldは補強バ−
第
図
争う2図の変形しT二喝陀汚トの力及大j≧1!14第
図FIG. 1 is an enlarged perspective view of a main part of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a partially cutaway perspective view of an example of a hybrid IC sealed with resin, and FIG. 3 is a sealing of the main part of FIG. FIG. 4 is an exploded perspective view before stopping, and FIG. 4 is an enlarged perspective view of the main part of FIG. 2 which has been deformed. In the figure, 1 is a lead frame, 11 is an outer frame, and 1a is a dam bar 1c is a connecting bar. 12 is a stage, 1b is a support bar, ld is a reinforcing bar.
Claims (1)
該ダムバー(1a)の交差する2辺から内方向に突出し
た支持バー(1b)に設けられた4つのステージ(12
)と、該ステージ(12)の隣接同士の間に架設された
連結バー(1c)を有し、かつ該ステージ(12)が該
ダムバー(1a)から一段下方向に位置するように該支
持バー(1b)が折曲され、かつ該連結バー(1c)が
該ステージ(12)から一段下方向に位置するように折
曲されてなるリードフレーム(1)であって、前記外枠
(11)と前記ダムバー(1a)との間の、前記支持バ
ー(1b)と背向する外方向に、少なくとも該支持バー
(1b)より太い補強バー(1d)が架設されている ことを特徴とするリードフレーム。[Claims] A dam bar (1a) provided in an outer frame (11);
Four stages (12
) and a connecting bar (1c) installed between adjacent stages (12), and the support bar is arranged such that the stage (12) is located one step below the dam bar (1a). (1b) is bent, and the connecting bar (1c) is bent so as to be positioned one step below the stage (12), the outer frame (11) and the dam bar (1a), and a reinforcing bar (1d) that is at least thicker than the support bar (1b) is installed in an outward direction facing away from the support bar (1b). flame.
Priority Applications (1)
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Family Applications (1)
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JP2186206A Expired - Lifetime JP2737373B2 (en) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | Lead frame and integrated circuit manufacturing method |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100285917B1 (en) * | 1999-03-22 | 2001-03-15 | 한효용 | semiconductor package strip and forming method thereof |
JP2002334950A (en) * | 1994-03-18 | 2002-11-22 | Hitachi Chem Co Ltd | Method of manufacturing semiconductor package and semiconductor package |
US6746897B2 (en) | 1994-03-18 | 2004-06-08 | Naoki Fukutomi | Fabrication process of semiconductor package and semiconductor package |
-
1990
- 1990-07-12 JP JP2186206A patent/JP2737373B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002334950A (en) * | 1994-03-18 | 2002-11-22 | Hitachi Chem Co Ltd | Method of manufacturing semiconductor package and semiconductor package |
US6746897B2 (en) | 1994-03-18 | 2004-06-08 | Naoki Fukutomi | Fabrication process of semiconductor package and semiconductor package |
US7187072B2 (en) | 1994-03-18 | 2007-03-06 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Fabrication process of semiconductor package and semiconductor package |
KR100285917B1 (en) * | 1999-03-22 | 2001-03-15 | 한효용 | semiconductor package strip and forming method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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