JPH04505520A - magnetic bubble reader - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。 (57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】 磁気バブル続出装置 発明の分野 本発明は磁気記憶素子を使用するデジタルメモリに関し、より詳細には磁気バブ ル続出装置に関する。[Detailed description of the invention] Magnetic bubble successive device field of invention The present invention relates to digital memories using magnetic storage elements, and more particularly to magnetic bubbles. The present invention relates to a file succession device.
従来の技術 当該技術において知られている磁気バブル続出装置(JP−A−60−3755 0)は、磁気バブル拡張素子と磁気抵抗性読出素子とを上下方向にマウントする 磁性単軸層を備えている。この磁気バブル拡張素子は半ループ状導体の形態をし ており、磁気バブルをストライプドメインに変換するように意図されている。Conventional technology Magnetic bubble successive device known in the art (JP-A-60-3755 0) mounts the magnetic bubble expansion element and the magnetoresistive readout element in the vertical direction It has a magnetic uniaxial layer. This magnetic bubble expansion element is in the form of a half-loop conductor. It is intended to transform magnetic bubbles into striped domains.
導体内の電流の流れは、半ループエリアにおいて磁性単軸層内に静磁トラップを 作り出す。The current flow in the conductor creates a magnetostatic trap in the magnetic uniaxial layer in the half-loop area. produce.
半ループ内に破断部分が存在すると、その結果として静磁トラップが半ループの 内側に全く集中されずにその外側へ広がり、半ループの開口側への磁気バブル拡 張が促進される。If there is a break in the half-loop, the result is that the magnetostatic trap The magnetic bubble expands to the outside without being concentrated inside, and to the opening side of the half-loop. tension is promoted.
この結果として、電流の遮断後にストライブドメインが磁気バブルに変換される エリアは正確には規定されず、これが続出の信頼性を損ねている。As a result of this, the stripe domains are converted into magnetic bubbles after the current is interrupted. The area is not precisely defined, which undermines the reliability of the series.
当該技術において別に知られている磁気バブル続出装置(LIS−A−4412 307)は、磁気抵抗性続出素子と磁気バブル拡張素子とを上下方向にマウント する磁性車軸層を備えており、この後者(磁気バブル拡張素子)は互いに電気的 に絶縁された2つのπ型導体が2箇所で分断されて伸長されたループを構成して いる。Magnetic bubble successive device (LIS-A-4412) which is separately known in the art 307) mounts a magnetoresistive continuous element and a magnetic bubble expansion element in the vertical direction. This latter (magnetic bubble expansion element) is electrically connected to each other. Two π-type conductors insulated are separated at two points to form an extended loop. There is.
導体内の電流は、ループエリアにおいて磁性車軸層内に静磁トラップを作り出す 。The current in the conductor creates a magnetostatic trap in the magnetic axle layer in the loop area .
このループは2箇所で分断されているために、静磁トラップはこの分断エリアで 拘束されず、ループエリアに到達後にその分断位置に向かって無制限に広がる磁 気バブルとなる。Since this loop is divided in two places, the magnetostatic trap is placed in this divided area. A magnetic field that is not constrained and expands indefinitely toward the breaking point after reaching the loop area. It becomes a bubble.
電流の遮断後に、ストライブドメインは、拡張素子の外側、ループの分断部分の エリアでバブルに変わる可能性があり、これか磁気バブル続出装置の信頼性を損 ねている。After the current is interrupted, the stripe domain is located outside the expansion element, at the broken part of the loop. area may turn into bubbles, which may damage the reliability of the magnetic bubble series device. Sleeping.
発明の開示 本発明の目的は、閉じた静磁トラップを確実なものにする磁気バブル拡張素子を 特徴とする磁気バブル続出装置を提供し、これにより磁気バブル続出装置の信頼 性を改善することである。Disclosure of invention The object of the present invention is to provide a magnetic bubble expansion element that ensures a closed magnetostatic trap. We provide a magnetic bubble successive device with characteristics, thereby increasing the reliability of the magnetic bubble successive device. It is to improve one's sexuality.
これは、磁気バブル続出装置において、磁気バブルをもつ磁性単軸層を備え、こ の層が磁気抵抗性続出素子と、互いに電気的に絶縁された2つの導体の形態をし た磁気バブル拡張素子とを上下方向にマウントすることにより達成される。本発 明によれば、磁気バブル拡張素子の導体は、長方形の形状をしており、導体の対 称軸の磁性単軸層上への投影が互いに一致するように導体を上下方向にマウント している。また、一方の導体の長辺側から取り除かれたセクションおよび対向す る第2の導体の長辺側から取り除かれたセクションとを備え、これらセクション の対称軸に関し各導体の長辺と垂直な磁性車軸層表面上への投影が互いに一致す るように構成されている。更に、各導体のセクションの境界を備え、この境界は 導体の長辺側面と平行であり、導体の各々の対称軸と一致しており、その長さは kdである。ここでkは1より大きい係数であり、dは磁気バブルの直径である 。This is a magnetic bubble successive device that has a magnetic uniaxial layer with magnetic bubbles. The layer is in the form of a magnetoresistive sequence element and two conductors electrically insulated from each other. This is accomplished by vertically mounting the magnetic bubble expansion element. Main departure According to Akira, the conductor of the magnetic bubble expansion element has a rectangular shape, and the pair of conductors Mount the conductors vertically so that their projections onto the magnetic uniaxial layer coincide with each other are doing. Also, the section removed from the long side of one conductor and the opposite a section removed from the long side of the second conductor; The projections onto the surface of the magnetic axle layer perpendicular to the long side of each conductor with respect to the symmetry axis of It is configured to Additionally, a boundary for each conductor section is provided, which boundary is It is parallel to the long side of the conductor, coincides with the axis of symmetry of each conductor, and its length is It is kd. where k is a coefficient greater than 1 and d is the diameter of the magnetic bubble .
この導体から取り除かれたセクションは長方形であることが望ましい。Preferably, the section removed from this conductor is rectangular.
本発明は、高速性、小型化、低電力消費および製造の容易性を特徴とするメモリ の製造を可能にする。The present invention provides a memory that is characterized by high speed, small size, low power consumption and ease of manufacture. enables the production of
図面の概要 本発明に関する他の目的および優位性は、添付図面と関連して取り上げられる以 下の好ましい実施例の詳細な記述から明らかになるであろう。ここで、 第1図は、本発明に係る磁気バブル続出装置の設計を示し第2図は、本発明に係 る第1図のII=II線に沿った断面図を示し、 第3図は、本発明に係る第1図のIII=III線に沿った断面図を示す。Drawing overview Other objects and advantages of the present invention will be discussed in connection with the accompanying drawings. It will become clear from the detailed description of the preferred embodiment below. here, FIG. 1 shows the design of the magnetic bubble successive device according to the present invention, and FIG. 2 shows the design of the magnetic bubble successive device according to the present invention. 1 shows a cross-sectional view along line II=II in FIG. 1, FIG. 3 shows a cross-sectional view along the line III=III of FIG. 1 according to the present invention.
発明の好ましい実施例 本磁気バブル続出装置は磁気バブルをもつ磁性車軸層1 (第1図)を備え、こ の層の表面に絶縁層2をマウントし、その上方には磁気バブル拡張素子3.磁気 抵抗性続出素子4とが絶縁層5により分離されて上下方向に配置されている。磁 気バブル拡張素子3は、長方形導体6.絶縁層7および長方形導体8が上下方向 に置かれるように設計されている。長方形導体6,8は、これら導体の対称軸9 ,10の磁性単軸層1表面上への投影が互いに一致するように上下方向にマウン トされている。Preferred embodiments of the invention This magnetic bubble successive device is equipped with a magnetic axle layer 1 (Fig. 1) having magnetic bubbles. An insulating layer 2 is mounted on the surface of the layer 3, and a magnetic bubble expansion element 3 is mounted above it. magnetic A series of resistive elements 4 are separated from each other by an insulating layer 5 and arranged in the vertical direction. magnetic The air bubble expansion element 3 includes a rectangular conductor 6. Insulating layer 7 and rectangular conductor 8 are in vertical direction It is designed to be placed in The rectangular conductors 6, 8 have an axis of symmetry 9 of these conductors. , 10 are mounted in the vertical direction so that their projections onto the surface of the magnetic uniaxial layer 1 coincide with each other. has been recorded.
セクション11.12は、長方形導体6.8の向かいあう各長辺側から外側へ取 り除かれている。Sections 11.12 are taken outwardly from each opposite long side of the rectangular conductor 6.8. removed.
これらのセクションは長方形の形状であることが好ましく、なぜならこの形状は セクション11.12の境界15,16の磁性単軸層1表面上への投影に関して 最大の一致エリアを与えるからである。これによって、最大長さの閉じた静磁ト ラップを作り出しているので、その結果、磁気バブル拡張素子3の効率を改善し ている。These sections are preferably rectangular in shape, since this shape Concerning the projection of boundaries 15, 16 of Section 11.12 onto the surface of magnetic uniaxial layer 1 This is because it gives the largest matching area. This provides a maximum length of closed magnetostatic As a result, the efficiency of the magnetic bubble expansion element 3 is improved. ing.
セクション11.12は長方形導体6,8の長辺側面と垂直であり、セクション の対称軸13.14の磁性単軸層1表面上への投影は互いに一致する。セクショ ン11.12の境界15.16は導体6,8の各長辺側面と平行であり、導体の 対称軸9.10と一致する。各セクション11.12の長さはkdであり、二〇 には1より大きい比例係数、そしてdは磁気バブルの直径である。Sections 11.12 are perpendicular to the long sides of the rectangular conductors 6, 8, and the sections The projections of the symmetry axes 13, 14 onto the surface of the magnetic uniaxial layer 1 coincide with each other. section Boundaries 15.16 of conductors 11.12 are parallel to each long side surface of conductors 6 and 8, and coincides with the axis of symmetry 9.10. The length of each section 11.12 is kd, 20 is a proportionality coefficient greater than 1, and d is the diameter of the magnetic bubble.
磁気抵抗性続出素子4は、出力電圧Uが生成される端子17.18を備えており 、この電圧Uが磁気バブルの存在を規定してこれらの続出を実現している。The magnetoresistive sequence element 4 is provided with terminals 17, 18 at which an output voltage U is generated. , this voltage U defines the existence of magnetic bubbles and realizes their successive appearance.
磁性単軸層1は一定のバイアス磁界Hがかけられている。A constant bias magnetic field H is applied to the magnetic uniaxial layer 1.
(バイアス磁界Hの供給源は図示せず)この長方形導体は電流パルスドライバに 接続されている。(The source of the bias magnetic field H is not shown) This rectangular conductor is connected to the current pulse driver. It is connected.
(図示せず)。(not shown).
第2図はセクション11.12を離れた位置にてII=II線に沿った第1図の 設計配置の断面図であり、導体6,8周囲の磁力線の分布を示している。Figure 2 is a view of Figure 1 taken along line II=II away from section 11.12. It is a cross-sectional view of the designed layout, showing the distribution of magnetic lines of force around the conductors 6 and 8.
第3図はセクション11.12のエリアにてIII= III線に沿った第1図 の設計配置の断面図であり、このエリアの導体6.8の周囲の磁力線の分布を示 している。Figure 3 is Figure 1 along line III = III in the area of section 11.12. is a cross-sectional view of the design layout of 6.8, showing the distribution of magnetic field lines around conductor 6.8 in this area. are doing.
この磁気バブル続出装置は、磁気バブル拡張素子3内で磁気バブルをストライプ ドメイン内へ変換することによって機能し、磁気抵抗性続出素子4の磁化検知を 該続出素子の全長に沿って反転するために、この磁気ストライブドメインの長さ は磁気抵抗性続出素子4の長さと等しくされている。これは素子4の抵抗Rの変 化につながり、その後で、その結果として生じる続出素子4によって発生された 出力電圧の変化か記録される。This magnetic bubble successive device spreads magnetic bubbles in stripes within the magnetic bubble expansion element 3. It functions by converting into the domain, and detects the magnetization of the magnetoresistive element 4. The length of this magnetic stripe domain to flip along the entire length of the continuous element. is made equal to the length of the magnetoresistive continuous element 4. This is due to the change in resistance R of element 4. , and then generated by the resulting successive element 4. Changes in output voltage are recorded.
これは、2つの長方形導体6,8から構成される磁気バブル拡張素子3への電流 パルスの供給を必要とする。この電流・は、磁気バブルをストライプドメインに 拡張するのに十分な深さの磁気バブル拡張素子3のエリアにおいて、磁性単軸層 l内に静磁トラップを生成するのに十分な値でなければならず、これにより磁気 抵抗性素子4に磁化検知の反転を与えて磁気バブルの続出を確実にする。This is the current to the magnetic bubble expansion element 3, which consists of two rectangular conductors 6, 8. Requires pulse supply. This current causes the magnetic bubble to become a striped domain. In the area of the magnetic bubble expansion element 3 deep enough to expand, the magnetic uniaxial layer The value must be sufficient to create a magnetostatic trap in l, thereby causing the magnetic Reversal of magnetization detection is applied to the resistive element 4 to ensure successive generation of magnetic bubbles.
好ましい実施例において、磁気バブル拡張素子3の長方形導体6,8は、これら の対称軸9,10の磁性単軸層1表面上への投影が互いに一致するように上下方 向に配置されている。この結果、これら導体を流れる異なる大きさで且つ反対方 向の電流1+、Itの通電は、該導体の周囲に磁界を発生する。磁力線H’ 、 H”として第2図に示されるように、Z軸に沿ったH’ z成分とH″22成分 対方向で、且つ互いに打ち消している。In a preferred embodiment, the rectangular conductors 6, 8 of the magnetic bubble expansion element 3 are vertically so that the projections of the symmetry axes 9 and 10 onto the surface of the magnetic uniaxial layer 1 coincide with each other. It is placed in the opposite direction. As a result, the flow through these conductors is of different magnitude and in opposite directions. The conduction of a current 1+, It in the direction generates a magnetic field around the conductor. Magnetic field lines H', H’z component and H″22 component along the Z axis, as shown in Figure 2 as H” They are in opposite directions and cancel each other out.
この結果は磁性車軸層1に静磁トラップの無い状態である。導体6.8が異なる 間隔で磁性単軸層lから分離されているので、磁性単軸層1にて局部的磁界の完 全な打ち消しには、導体6.8において異なる大きさの電流を必要とする。導体 8ては磁性車軸層1から更に離れているのでより大きい電流を必要とする。This result is a state in which there are no magnetostatic traps in the magnetic axle layer 1. Conductor 6.8 is different Since it is separated from the magnetic uniaxial layer 1 by a distance, the local magnetic field is completely suppressed in the magnetic uniaxial layer 1. Complete cancellation requires different magnitudes of current in conductor 6.8. conductor 8 is further away from the magnetic axle layer 1 and therefore requires a larger current.
導体6,8にセクション11.12(第3図)を設け、これら切除部分の設計配 置を行えば、その結果として磁力線H′ 3.H”、として第3図に示されるよ うに、磁界を発生する同じ電流パルスが得られ、同時に導体6.8周囲のセクシ ョン11.12においても同じになる。Z軸と平行な磁界の成分は、ベクトルH ’Zl+H’z1で示され、セクション11.12の境界15.16同一方向で あり、そしてバイアス磁界Hとは反対であり、ゆえに静磁トラップを生成する。Conductors 6, 8 are provided with sections 11.12 (Fig. 3) and the design layout of these cut-outs is As a result, the lines of magnetic force H'3. H”, as shown in Figure 3. Thus, the same current pulse that generates the magnetic field is obtained and at the same time the magnetic field around the conductor 6.8 is The same holds true for versions 11 and 12. The component of the magnetic field parallel to the Z axis is the vector H ’Zl+H’ z1 and in the same direction as Section 11.12 Boundary 15.16 , and opposite to the bias field H, thus creating a magnetostatic trap.
セクション11.12の境界15.16と反対の導体6゜8の側面では、磁界成 分H′工In H″2.は一方向に指向され、バイアス磁界Hの方向と一致して いる。この結果、強い磁界強度が得られ、従って磁気トラップは発生されない。On the side of the conductor 6°8 opposite the boundary 15.16 of section 11.12, the magnetic field formation Minute H'In H''2. is oriented in one direction, coinciding with the direction of the bias magnetic field H. There is. This results in a strong magnetic field strength and therefore no magnetic traps are generated.
このセクション15.16の長さは、長さkdのストライプドメインを作るよう に選択され、ここでkは1よりも大きく、dは磁気バブルの直径であり、磁気抵 抗性素子4の抵抗の所要の変化量△Rを作り出すことかできる。The length of this Section 15.16 is such that it creates a striped domain of length kd. , where k is greater than 1, d is the diameter of the magnetic bubble, and the magnetoresistive It is possible to create the required amount of change ΔR in the resistance of the resistive element 4.
一般的な場合、磁気バブル続出装置の出力電圧Uは正確にΔRに比例しており、 それは磁気抵抗性素子4の長さに依存し、この長さは、磁化検知の反転の影響を 受け、kdに等しい。ゆえに、U〜ΔR−kdの関係となる。In the general case, the output voltage U of the magnetic bubble successive device is exactly proportional to ΔR, It depends on the length of the magnetoresistive element 4, which length influences the effect of magnetization sensing reversal. equal to kd. Therefore, the relationship is U~ΔR-kd.
このようにして、磁気バブルをストライプドメインへ拡張するのに十分な深さの 静磁トラップは、セクション11,12の付近で生成され、これらの部分11. 12の境界を越える無制限な磁気バブル拡張の可能性が排除される。In this way, the A magnetostatic trap is created in the vicinity of sections 11, 12, and these sections 11. The possibility of unlimited magnetic bubble expansion beyond the 12 boundaries is eliminated.
この結果、電流が切られるとストライプドメインは長方形導体6,8のセクショ ン11.12の磁性車軸層1内で磁気バブルに変えられる。As a result, when the current is turned off, the striped domains form sections of rectangular conductors 6 and 8. are converted into magnetic bubbles within the magnetic axle layer 1 of the tubes 11,12.
磁気バブル続出装置を機能させるためには、エリアを空にして次のバブルを受け 取るようにすることが欠かせない。進行するバブルのエリアはセクション11. 12のエリアに単一に規定されるので、バブルの除去は無理が無く、まさにこれ が磁気バブル続出装置の性能の信頼性を改善する。In order for the magnetic bubble successive device to work, the area must be emptied to receive the next bubble. It is essential that you take it. The area where the bubble progresses is shown in section 11. Since bubbles are defined in a single area in 12 areas, it is easy to remove bubbles, and this is exactly what it is. improves the reliability of the performance of the magnetic bubble series device.
当該技術において知られている方法を用いれば、磁気バブルは装置の縦方向の対 称軸9,10に向かってセクション11.12のエリア内に伝播される。その後 、セクション12の方向からバイアス磁界Hと反対の方向への磁界H″21(第 3図)を作り出す極性の電流I、か導体8へ供給される。同時に、導体6は、磁 界H′21がセクション11からバイアス磁界Hと対向するように生成される逆 極性の電流I2を供給される。電流1.、Lは導体6,8(第2図)によって生 成された磁界H’z、H″2の外側に完全な相互の打ち消しをセクション11. 12の外側で与えるように選択される。Using methods known in the art, the magnetic bubbles are aligned vertically in the device. It is propagated into the area of section 11.12 towards the nominal axes 9,10. after that , a magnetic field H″21 (the first 3) is supplied to the conductor 8. At the same time, the conductor 6 A reverse field H'21 is generated from section 11 opposing the bias magnetic field H. A polar current I2 is supplied. Current 1. , L are produced by conductors 6 and 8 (Fig. 2). Complete mutual cancellation of the magnetic fields H'z, H''2 created in section 11. is chosen to be given outside of 12.
その一方で、これらのセクションの範囲では、磁界H′21および H″21( 第3図)は加えられてバイアス磁界に対向する。磁気バブルはセクション11. 12の境界15.16E沿ってストライプドメインに変換される。ストライプド メインはその漏れ磁界の助けにより磁気抵抗性素子4の磁化検知を反転させ、そ れによってこの素子の抵抗Rの減少を引き起こしている。ストライプドメインが 配置されている静磁トラップか導体6,8のセクション11.12のエツジによ って生成されるために、このトラップはこれらのセクション部のスペース内に集 中される。より大きい電流H,,H2およびより長い動作時間のいずれもセクシ ョン11.12を越えるストライプドメインの無制限な拡張を導かない。On the other hand, in the range of these sections, the magnetic fields H′21 and H″21 ( FIG. 3) is applied and opposes the bias magnetic field. Magnetic bubbles are described in section 11. 12 along the boundary 15.16E into a striped domain. striped The main thing is to reverse the magnetization detection of the magnetoresistive element 4 with the help of the leakage magnetic field, and This causes a decrease in the resistance R of this element. striped domain By the edges of sections 11.12 of the magnetostatic traps or conductors 6, 8 located This trap collects within the space of these sections to It will be inside. Both the larger current H, , H2 and the longer operating time does not lead to unlimited expansion of striped domains beyond version 11.12.
本発明の磁気バブル続出装置の設計配置は、セクション領域に磁気バブルの位置 を集中させることを可能にし、これか本装置の性能の信頼性を改善する。The design arrangement of the magnetic bubble successive device of the present invention is such that the position of the magnetic bubbles is in the section area. This improves the reliability of the device's performance.
工業上の応用性 本発明は、記憶装置、ロボット装置、数値制御工作機械。industrial applicability The present invention relates to a storage device, a robot device, and a numerically controlled machine tool.
航空宇宙工学2通信装置、およびパーソナルコンピュータ装置の分野で有効に使 用され得る。Effectively used in the field of aerospace engineering 2 communication equipment and personal computer equipment. can be used.
Claims (2)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR9107235A FR2677795A1 (en) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | Readout device for magnetic bubbles |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04505520A true JPH04505520A (en) | 1992-09-24 |
Family
ID=9413805
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP50073290A Pending JPH04505520A (en) | 1991-06-13 | 1990-02-26 | magnetic bubble reader |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04505520A (en) |
FR (1) | FR2677795A1 (en) |
WO (1) | WO1991013438A1 (en) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4097802A (en) * | 1975-06-30 | 1978-06-27 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive field sensor with a magnetic shield which prevents sensor response at fields below saturation of the shield |
US4162537A (en) * | 1978-06-12 | 1979-07-24 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Magnetic bubble memory |
JPS56140583A (en) * | 1980-04-04 | 1981-11-02 | Nec Corp | Current access type bubble magnetic domain element |
JPS5891582A (en) * | 1981-11-25 | 1983-05-31 | Nec Corp | Magnetic bubble transfer pattern |
JPS58159288A (en) * | 1982-03-17 | 1983-09-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | Magnetic bubble element |
FR2544121B1 (en) * | 1983-04-08 | 1988-06-10 | Commissariat Energie Atomique | MAGNETIC BUBBLE MEMORY |
FR2548430B1 (en) * | 1983-06-28 | 1985-10-18 | Commissariat Energie Atomique | MAGNETIC BUBBLE MEMORY |
-
1990
- 1990-02-26 WO PCT/SU1990/000053 patent/WO1991013438A1/en unknown
- 1990-02-26 JP JP50073290A patent/JPH04505520A/en active Pending
-
1991
- 1991-06-13 FR FR9107235A patent/FR2677795A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO1991013438A1 (en) | 1991-09-05 |
FR2677795A1 (en) | 1992-12-18 |
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