JPH04366819A - アクティブマトリックス液晶ディスプレイ装置 - Google Patents
アクティブマトリックス液晶ディスプレイ装置Info
- Publication number
- JPH04366819A JPH04366819A JP3140533A JP14053391A JPH04366819A JP H04366819 A JPH04366819 A JP H04366819A JP 3140533 A JP3140533 A JP 3140533A JP 14053391 A JP14053391 A JP 14053391A JP H04366819 A JPH04366819 A JP H04366819A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- tft
- tfts
- counter electrode
- active matrix
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリック
ス液晶ディスプレイ装置(LCD)に関し、特に高安定
,高信頼性を有する液晶上のカラーフィルタ側の電極構
造に関する。
ス液晶ディスプレイ装置(LCD)に関し、特に高安定
,高信頼性を有する液晶上のカラーフィルタ側の電極構
造に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種のアクティブマトリックス
LCDは、図4に示すようにカラーフィルタ側ガラス基
板2の上に、赤,緑,青のカラーフィルタ3と光遮蔽部
4を設け、その表面に透明な対向電極5を設けたカラー
フィルタ基板と、TFT側ガラス基板9上にTFT7と
画素電極8を設けたTFT基板を対向させ、その間に液
晶6を挾んだ構造を有している。ここでそれぞれの画素
電極8上には液晶をはさんで赤,緑,青のカラーフィル
タ3が真上に位置するように設計されている。TFT7
あるいは図には示していないが配線部等の真上は、光遮
蔽部4が位置している。対向電極5と画素電極8間に電
圧を印加し、液晶を配向させて表示を行う。
LCDは、図4に示すようにカラーフィルタ側ガラス基
板2の上に、赤,緑,青のカラーフィルタ3と光遮蔽部
4を設け、その表面に透明な対向電極5を設けたカラー
フィルタ基板と、TFT側ガラス基板9上にTFT7と
画素電極8を設けたTFT基板を対向させ、その間に液
晶6を挾んだ構造を有している。ここでそれぞれの画素
電極8上には液晶をはさんで赤,緑,青のカラーフィル
タ3が真上に位置するように設計されている。TFT7
あるいは図には示していないが配線部等の真上は、光遮
蔽部4が位置している。対向電極5と画素電極8間に電
圧を印加し、液晶を配向させて表示を行う。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のアクテ
ィブマトリックスLCDでは、対向電極5が液晶6上の
全面に被覆されているため、TFT7あるいは配線部上
の液晶6にも電圧が印加されていた。それ故、対向電極
の電圧をVc ,TFTのゲート電圧をVG ,ドレイ
ン電圧をVD とすると、VC −VG ,VC −V
D の電位差に起因する電圧降下がTFT7上部の液晶
6にも生じ、アルカリイオン等の可動電荷をTFT7の
表面に蓄積し、信頼性を劣化させる。通常のn−チャネ
ル,逆スタガードTFTでは、Vc −VG が正の時
がタイミング的に多いため、バックチャネルSiをn反
転させ、TFTリーク電流の原因となり、表示ムラ,コ
ントラスト等の不良につながるという欠点がある。
ィブマトリックスLCDでは、対向電極5が液晶6上の
全面に被覆されているため、TFT7あるいは配線部上
の液晶6にも電圧が印加されていた。それ故、対向電極
の電圧をVc ,TFTのゲート電圧をVG ,ドレイ
ン電圧をVD とすると、VC −VG ,VC −V
D の電位差に起因する電圧降下がTFT7上部の液晶
6にも生じ、アルカリイオン等の可動電荷をTFT7の
表面に蓄積し、信頼性を劣化させる。通常のn−チャネ
ル,逆スタガードTFTでは、Vc −VG が正の時
がタイミング的に多いため、バックチャネルSiをn反
転させ、TFTリーク電流の原因となり、表示ムラ,コ
ントラスト等の不良につながるという欠点がある。
【0004】この対策として、従来のTFT7のバック
チャネル側には表面保護膜としてシリコン窒化膜,シリ
コンオキシナイトライド膜を形成し、可動電荷が直接T
FTSiのバックチャネル側には到達しないようにして
いる。しかし、液晶と表面保護膜の界面に蓄積した可動
電荷は、表面保護膜容量》液晶容量のためSiバックチ
ャネル側に電荷を誘起することを無視できない。その上
、シリコンオキシナイトライドの場合には、可動電荷に
対するベリア効果自体も不充分であるという欠点がある
。
チャネル側には表面保護膜としてシリコン窒化膜,シリ
コンオキシナイトライド膜を形成し、可動電荷が直接T
FTSiのバックチャネル側には到達しないようにして
いる。しかし、液晶と表面保護膜の界面に蓄積した可動
電荷は、表面保護膜容量》液晶容量のためSiバックチ
ャネル側に電荷を誘起することを無視できない。その上
、シリコンオキシナイトライドの場合には、可動電荷に
対するベリア効果自体も不充分であるという欠点がある
。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、カラーフィル
タ基板と薄膜トランジスタ基板を液晶をはさんで対向さ
せたアクティブマトリックス液晶ディスプレイ装置にお
いて、カラーフィルタ側の対向電極の少なくとも薄膜ト
ランジスタに対向する部分が選択的に除去されているこ
とを特徴とする。
タ基板と薄膜トランジスタ基板を液晶をはさんで対向さ
せたアクティブマトリックス液晶ディスプレイ装置にお
いて、カラーフィルタ側の対向電極の少なくとも薄膜ト
ランジスタに対向する部分が選択的に除去されているこ
とを特徴とする。
【0006】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図1は本発明の第1の実施例の断面図であり、図2は
その平面図である。画素電極8上には従来通り対向電極
5aが位置している。一方、TFT7上は選択的にエッ
チング除去されて対向電極は位置しない構造5bとして
いる。
。図1は本発明の第1の実施例の断面図であり、図2は
その平面図である。画素電極8上には従来通り対向電極
5aが位置している。一方、TFT7上は選択的にエッ
チング除去されて対向電極は位置しない構造5bとして
いる。
【0007】このように本実施例では、TFT上の対向
電極を除去しているのでTFT上の液晶に電圧がかから
ない。したがって、製造部材中に含まれるアルカリイオ
ン等の可動電荷がTFTに集中するのを避けることがで
きる。さらに、TFTバックチャネル上の表面保護膜被
覆と協動してより一層効果をあげられる。
電極を除去しているのでTFT上の液晶に電圧がかから
ない。したがって、製造部材中に含まれるアルカリイオ
ン等の可動電荷がTFTに集中するのを避けることがで
きる。さらに、TFTバックチャネル上の表面保護膜被
覆と協動してより一層効果をあげられる。
【0008】図3は本発明の第2の実施例の平面図であ
る。この実施例では、対向電極でTFT真上部が選択的
にエッチング除去された部分5cは、ドレイン配線10
とゲート配線11のTFT周辺部も含めて除去されてい
る。したがって、この実施例ではTFT部のみではなく
TFT周辺部も液晶に電圧が印加されず、さらに高信頼
性が保証される。
る。この実施例では、対向電極でTFT真上部が選択的
にエッチング除去された部分5cは、ドレイン配線10
とゲート配線11のTFT周辺部も含めて除去されてい
る。したがって、この実施例ではTFT部のみではなく
TFT周辺部も液晶に電圧が印加されず、さらに高信頼
性が保証される。
【0009】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、TFTの
真上部に位置する対向電極を選択的に除去することによ
り、TFT部上の液晶に不必要な電圧がかかることを無
くしている。このため製造工程中あるいは製造部材中に
含まれたNa+ 等のアルカリイオン,あるいはH+
等の可動電荷がTFT部に局材集中することを無くすこ
とができる。
真上部に位置する対向電極を選択的に除去することによ
り、TFT部上の液晶に不必要な電圧がかかることを無
くしている。このため製造工程中あるいは製造部材中に
含まれたNa+ 等のアルカリイオン,あるいはH+
等の可動電荷がTFT部に局材集中することを無くすこ
とができる。
【0010】対向電極中選択的に除去される部分の面積
は全面積に比べ一桁以上小さいので、抵抗増大に伴う場
所による対向電極の電圧VC の変動が無視できる。
は全面積に比べ一桁以上小さいので、抵抗増大に伴う場
所による対向電極の電圧VC の変動が無視できる。
【図1】本発明の第1の実施例のアクティブマトリック
スLCDの断面図である。
スLCDの断面図である。
【図2】本発明の第1の実施例の平面図である。
【図3】本発明の第2の実施例の平面図である。
【図4】従来のアクティブマトリックスLCDの断面図
である。
である。
1 偏光板
2 カラーフィルタ側ガラス基板3 カラ
ーフィルタ 4 カラーフィルタの光遮蔽部 5 対向電極 5a TFT真上部を除去した対向電極5b,5
c 対向電極でTFT真上部が除去された部分 6 液晶 7 薄膜トランジスタ(TFT)8 画素
電極 9 TFT側ガラス基板 10 ドレイン配線 11 ゲート配線
ーフィルタ 4 カラーフィルタの光遮蔽部 5 対向電極 5a TFT真上部を除去した対向電極5b,5
c 対向電極でTFT真上部が除去された部分 6 液晶 7 薄膜トランジスタ(TFT)8 画素
電極 9 TFT側ガラス基板 10 ドレイン配線 11 ゲート配線
Claims (1)
- 【請求項1】 カラーフィルタ基板と薄膜トランジス
タ基板を液晶をはさんで対向させたアクティブマトリッ
クス液晶ディスプレイ装置において、カラーフィルタ側
の対向電極の少なくとも薄膜トランジスタに対向する部
分が選択的に除去されていることを特徴とするアクティ
ブマトリックス液晶ディスプレイ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3140533A JPH04366819A (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | アクティブマトリックス液晶ディスプレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3140533A JPH04366819A (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | アクティブマトリックス液晶ディスプレイ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04366819A true JPH04366819A (ja) | 1992-12-18 |
Family
ID=15270886
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3140533A Pending JPH04366819A (ja) | 1991-06-13 | 1991-06-13 | アクティブマトリックス液晶ディスプレイ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04366819A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07175087A (ja) * | 1993-12-20 | 1995-07-14 | Nec Corp | 液晶表示装置 |
JP2002131740A (ja) * | 2000-10-20 | 2002-05-09 | Nec Corp | カラーフィルタ基板、その製造方法、アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 |
WO2004010741A1 (ja) * | 2002-07-24 | 2004-01-29 | Nec Corporation | アクティブマトリクス有機el表示装置及びその製造方法 |
CN106054480A (zh) * | 2016-08-04 | 2016-10-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种液晶显示面板及装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6280626A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-14 | Hosiden Electronics Co Ltd | 液晶表示素子 |
JPH02100022A (ja) * | 1988-10-07 | 1990-04-12 | Ricoh Co Ltd | 液晶表示装置 |
-
1991
- 1991-06-13 JP JP3140533A patent/JPH04366819A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6280626A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-14 | Hosiden Electronics Co Ltd | 液晶表示素子 |
JPH02100022A (ja) * | 1988-10-07 | 1990-04-12 | Ricoh Co Ltd | 液晶表示装置 |
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WO2004010741A1 (ja) * | 2002-07-24 | 2004-01-29 | Nec Corporation | アクティブマトリクス有機el表示装置及びその製造方法 |
US7417251B2 (en) | 2002-07-24 | 2008-08-26 | Nec Corporation | Active matrix organic EL display device and manufacturing method thereof |
US7785942B2 (en) | 2002-07-24 | 2010-08-31 | Nec Corporation | Active matrix organic EL display device and manufacturing method thereof |
CN106054480A (zh) * | 2016-08-04 | 2016-10-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种液晶显示面板及装置 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970805 |