JPH04362121A - 熱処理コーティング装置 - Google Patents
熱処理コーティング装置Info
- Publication number
- JPH04362121A JPH04362121A JP16389191A JP16389191A JPH04362121A JP H04362121 A JPH04362121 A JP H04362121A JP 16389191 A JP16389191 A JP 16389191A JP 16389191 A JP16389191 A JP 16389191A JP H04362121 A JPH04362121 A JP H04362121A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- holder
- substrate
- coating
- vacuum container
- hardening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 12
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 claims description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 abstract description 13
- 238000005496 tempering Methods 0.000 abstract description 10
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 238000005262 decarbonization Methods 0.000 abstract 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 abstract 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 abstract 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 12
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 12
- 238000005261 decarburization Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000746 Structural steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、一つの装置で例えば
機械構造用鋼等から成る基体に対して焼入れ、焼戻しお
よびコーティング処理を施すことができるようにした熱
処理コーティング装置に関する。
機械構造用鋼等から成る基体に対して焼入れ、焼戻しお
よびコーティング処理を施すことができるようにした熱
処理コーティング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】上記のような基体に例えばＴｉＮ等のコ
ーティングを行う場合、従来は通常、コーティング前の
処理として焼入れおよび焼戻しの処理を行っている。
ーティングを行う場合、従来は通常、コーティング前の
処理として焼入れおよび焼戻しの処理を行っている。
【０００３】これを詳述すると、基体を所望の形状に機
械加工した後、それを焼入れ炉中に入れて焼入れ温度以
上に加熱して焼入れを行う。特別な場合は炉中での酸化
、脱炭を防止するため、真空熱処理、あるいは、ＣＯ、
Ｈ２ およびＮ２ を主体とする保護性のガス中で加熱
を行う。その後急冷して焼入れを行う。
械加工した後、それを焼入れ炉中に入れて焼入れ温度以
上に加熱して焼入れを行う。特別な場合は炉中での酸化
、脱炭を防止するため、真空熱処理、あるいは、ＣＯ、
Ｈ２ およびＮ２ を主体とする保護性のガス中で加熱
を行う。その後急冷して焼入れを行う。
【０００４】焼入れ後は、基体の寸法変化、焼入れ応力
除去および硬度調整のため、Ａｃ１点以下の適当な温度
で一定時間加熱し、焼戻し処理を施す。
除去および硬度調整のため、Ａｃ１点以下の適当な温度
で一定時間加熱し、焼戻し処理を施す。
【０００５】そして上記のような前処理を施した後、基
体の耐摩耗性、耐食性等の向上を目的として、ＰＶＤ法
（物理気相成長法）やＣＶＤ法（化学気相成長法）によ
るＴｉＮ等のコーティング処理を行うようにしている。
体の耐摩耗性、耐食性等の向上を目的として、ＰＶＤ法
（物理気相成長法）やＣＶＤ法（化学気相成長法）によ
るＴｉＮ等のコーティング処理を行うようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な従来の方法だと、焼入れ時に基体の表面に酸化、脱炭
が生じる場合があり、そうなると、その後にコーティン
グ処理を行っても、コーティング膜の基体に対する密着
性が悪くなるため、良好な耐摩耗性向上が実現できない
という問題がある。
な従来の方法だと、焼入れ時に基体の表面に酸化、脱炭
が生じる場合があり、そうなると、その後にコーティン
グ処理を行っても、コーティング膜の基体に対する密着
性が悪くなるため、良好な耐摩耗性向上が実現できない
という問題がある。
【０００７】また、従来は焼入れ、焼戻しおよびコーテ
ィング処理をそれぞれ別の装置で独立した工程として行
っているため、工程が多くなり製品を作るのに時間がか
かり、コスト高になるという問題もある。
ィング処理をそれぞれ別の装置で独立した工程として行
っているため、工程が多くなり製品を作るのに時間がか
かり、コスト高になるという問題もある。
【０００８】そこでこの発明は、基体に対する焼入れ、
焼戻しおよびコーティング処理を一つの装置で実現する
ことができ、しかも焼入れ時に基体表面で酸化および脱
炭が起こらない装置を提供することを主たる目的とする
。
焼戻しおよびコーティング処理を一つの装置で実現する
ことができ、しかも焼入れ時に基体表面で酸化および脱
炭が起こらない装置を提供することを主たる目的とする
。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
、この発明の熱処理コーティング装置は、真空容器と、
この真空容器内に収納されていて基体を保持する回転式
のホルダと、前記真空容器に取り付けられていてホルダ
上の基体に向けてレーザ光を照射するレーザ光源と、前
記真空容器に取り付けられていてアーク放電によってカ
ソードを局部的に溶解させてホルダ上の基体に向けて蒸
発粒子を蒸発させるアーク式の蒸発源と、前記ホルダ上
の基体に負のバイアス電圧を印加するバイアス電源とを
備えることを特徴とする。
、この発明の熱処理コーティング装置は、真空容器と、
この真空容器内に収納されていて基体を保持する回転式
のホルダと、前記真空容器に取り付けられていてホルダ
上の基体に向けてレーザ光を照射するレーザ光源と、前
記真空容器に取り付けられていてアーク放電によってカ
ソードを局部的に溶解させてホルダ上の基体に向けて蒸
発粒子を蒸発させるアーク式の蒸発源と、前記ホルダ上
の基体に負のバイアス電圧を印加するバイアス電源とを
備えることを特徴とする。
【００１０】
【作用】上記構成によれば、ホルダを回転させた状態で
、それに取り付けられた基体にレーザ光源からのレーザ
光を照射すると、レーザ光照射部分は急速加熱され、レ
ーザ光が当たらなくなると基体の熱拡散による自己冷却
作用で急冷され、その結果レーザ光照射部分が焼入れさ
れる。
、それに取り付けられた基体にレーザ光源からのレーザ
光を照射すると、レーザ光照射部分は急速加熱され、レ
ーザ光が当たらなくなると基体の熱拡散による自己冷却
作用で急冷され、その結果レーザ光照射部分が焼入れさ
れる。
【００１１】焼入れ後は、ホルダ上の基体にバイアス電
源からバイアス電圧を印加した状態で、アーク式の蒸発
源を働かせて蒸発粒子を蒸発させると、基体の表面に膜
がコーティングされる。しかもアーク式の蒸発源の場合
は、それからの蒸発粒子にはイオン化されているものも
かなりの割合で含まれているため、このイオンによるボ
ンバードによって基体をある程度加熱することができ、
それによってコーティングと同時に焼戻し処理を行うこ
とが可能である。
源からバイアス電圧を印加した状態で、アーク式の蒸発
源を働かせて蒸発粒子を蒸発させると、基体の表面に膜
がコーティングされる。しかもアーク式の蒸発源の場合
は、それからの蒸発粒子にはイオン化されているものも
かなりの割合で含まれているため、このイオンによるボ
ンバードによって基体をある程度加熱することができ、
それによってコーティングと同時に焼戻し処理を行うこ
とが可能である。
【００１２】また、上記焼入れは真空中での処理である
ため、基体表面の酸化および脱炭は起こらない。
ため、基体表面の酸化および脱炭は起こらない。
【００１３】
【実施例】図１は、この発明の一実施例に係る熱処理コ
ーティング装置を示す概略図である。この実施例の装置
は、図示しない真空排気装置によって真空排気される真
空容器２を備えており、この真空容器２内には、弁４お
よびガス導入口６を経由して、所要の反応ガス８（例え
ば窒化物セラミックスをコーティングする場合は窒素ガ
ス、炭化物セラミックスをコーティングする場合はメタ
ンガス等）を導入することができる。
ーティング装置を示す概略図である。この実施例の装置
は、図示しない真空排気装置によって真空排気される真
空容器２を備えており、この真空容器２内には、弁４お
よびガス導入口６を経由して、所要の反応ガス８（例え
ば窒化物セラミックスをコーティングする場合は窒素ガ
ス、炭化物セラミックスをコーティングする場合はメタ
ンガス等）を導入することができる。
【００１４】この真空容器２内には、回転式のホルダ１
２が収納されている。このホルダ１２は、その側面に１
個あるいは複数個の基体１０を保持可能であり、しかも
真空容器２外のモータ１８によって真空シール部１６を
介して例えば矢印Ａのように回転させられる。１４は回
転軸である。
２が収納されている。このホルダ１２は、その側面に１
個あるいは複数個の基体１０を保持可能であり、しかも
真空容器２外のモータ１８によって真空シール部１６を
介して例えば矢印Ａのように回転させられる。１４は回
転軸である。
【００１５】この例では、真空シール部１６は回転軸１
４を真空容器２との間で電気絶縁する機能も有しており
、バイアス電源１９からこの回転軸１４を介してホルダ
１２上の基体１０に負のバイアス電圧を印加することが
できるようにしている。
４を真空容器２との間で電気絶縁する機能も有しており
、バイアス電源１９からこの回転軸１４を介してホルダ
１２上の基体１０に負のバイアス電圧を印加することが
できるようにしている。
【００１６】真空容器２の側面部には、ホルダ１２上の
基体１０に向けてレーザ光２２を照射するレーザ光源２
０が取り付けられている。このレーザ光源２０は、例え
ば炭酸ガスレーザでも良いし、ＹＡＧレーザ等でも良い
。またレーザ光源２０は、１台でも良いし、必要に応じ
て複数台設けても良い。
基体１０に向けてレーザ光２２を照射するレーザ光源２
０が取り付けられている。このレーザ光源２０は、例え
ば炭酸ガスレーザでも良いし、ＹＡＧレーザ等でも良い
。またレーザ光源２０は、１台でも良いし、必要に応じ
て複数台設けても良い。
【００１７】更に真空容器２の側面部には、アーク式の
蒸発源２４が取り付けられている。この蒸発源２４は、
トリガ（図示省略）とカソード２６との間にアーク放電
を起こさせてカソード２６を局部的に溶解させて蒸発粒
子２８をホルダ１２上の基体１０に向けて蒸発させるも
のである。この蒸発源２４は、１台でも良いし、必要に
応じて複数台設けても良い。
蒸発源２４が取り付けられている。この蒸発源２４は、
トリガ（図示省略）とカソード２６との間にアーク放電
を起こさせてカソード２６を局部的に溶解させて蒸発粒
子２８をホルダ１２上の基体１０に向けて蒸発させるも
のである。この蒸発源２４は、１台でも良いし、必要に
応じて複数台設けても良い。
【００１８】上記装置における処理手順の一例を説明す
る。
る。
【００１９】まず弁４を閉じて真空容器２内を真空排気
した状態で、ホルダ１２を回転させながら、それに取り
付けられた基体１０にレーザ光源２０からのレーザ光２
２を照射すると、レーザ光照射部分は急速加熱され、基
体構成材料のＭｓ 点以上まで加熱される。そしてホル
ダ１２の回転によって基体１０にレーザ光２２が当たら
なくなると、基体１０はその熱拡散による自己冷却作用
で急冷され、その結果レーザ光照射部分が焼入れされる
。 勿論この場合は、従来の焼入れ作業に使用されていた冷
却液は不要である。
した状態で、ホルダ１２を回転させながら、それに取り
付けられた基体１０にレーザ光源２０からのレーザ光２
２を照射すると、レーザ光照射部分は急速加熱され、基
体構成材料のＭｓ 点以上まで加熱される。そしてホル
ダ１２の回転によって基体１０にレーザ光２２が当たら
なくなると、基体１０はその熱拡散による自己冷却作用
で急冷され、その結果レーザ光照射部分が焼入れされる
。 勿論この場合は、従来の焼入れ作業に使用されていた冷
却液は不要である。
【００２０】焼入れ後は、ホルダ１２上の基体１０にバ
イアス電源１９から負のバイアス電圧を印加した状態で
、アーク式の蒸発源２４を働かさせてそこから蒸発粒子
２８を蒸発させると、基体１０の表面に膜がコーティン
グされる。このとき、弁４を開いて真空容器２内に蒸発
粒子２８と反応する反応ガス８を導入しておくと、基体
１０の表面に化合物膜がコーティングされる。例えば、
反応ガス８を窒素ガスとし、蒸発粒子２８をＴｉ 、Ｗ
、Ｔａ 、Ｃｒ 、Ｚｒ 等とすると、それぞれ、Ｔｉ
Ｎ、ＷＮ、ＴａＮ、ＣｒＮ、ＺｒＮ等の窒化物セラミッ
クスがコーティングされる。また、反応ガス８をメタン
ガスとし、蒸発粒子２８をＴｉ 、Ｔａ 等とすると、
それぞれ、ＴｉＣ、ＴａＣ等の炭化物セラミックスがコ
ーティングされる。
イアス電源１９から負のバイアス電圧を印加した状態で
、アーク式の蒸発源２４を働かさせてそこから蒸発粒子
２８を蒸発させると、基体１０の表面に膜がコーティン
グされる。このとき、弁４を開いて真空容器２内に蒸発
粒子２８と反応する反応ガス８を導入しておくと、基体
１０の表面に化合物膜がコーティングされる。例えば、
反応ガス８を窒素ガスとし、蒸発粒子２８をＴｉ 、Ｗ
、Ｔａ 、Ｃｒ 、Ｚｒ 等とすると、それぞれ、Ｔｉ
Ｎ、ＷＮ、ＴａＮ、ＣｒＮ、ＺｒＮ等の窒化物セラミッ
クスがコーティングされる。また、反応ガス８をメタン
ガスとし、蒸発粒子２８をＴｉ 、Ｔａ 等とすると、
それぞれ、ＴｉＣ、ＴａＣ等の炭化物セラミックスがコ
ーティングされる。
【００２１】しかもアーク式の蒸発源２４の場合は、そ
れからの蒸発粒子２８にはイオン化されているものがか
なりの割合で含まれているため（例えば特公昭６０−３
６４６８号公報参照）、このイオンによるボンバードに
よって基体１０をある程度加熱することができる。しか
もこの加熱の程度は、バイアス電源１９から基体１０に
印加するバイアス電圧の大きさによって調整することが
できる。このようにして、コーティング時の基体１０の
温度を例えば２００℃程度以上にすることにより、コー
ティングと同時に基体１０の焼戻し処理を行うことが可
能である。ちなみに、焼戻し完了後のコーティング時に
は、バイアス電圧を適当に下げれば良い。
れからの蒸発粒子２８にはイオン化されているものがか
なりの割合で含まれているため（例えば特公昭６０−３
６４６８号公報参照）、このイオンによるボンバードに
よって基体１０をある程度加熱することができる。しか
もこの加熱の程度は、バイアス電源１９から基体１０に
印加するバイアス電圧の大きさによって調整することが
できる。このようにして、コーティング時の基体１０の
温度を例えば２００℃程度以上にすることにより、コー
ティングと同時に基体１０の焼戻し処理を行うことが可
能である。ちなみに、焼戻し完了後のコーティング時に
は、バイアス電圧を適当に下げれば良い。
【００２２】以上のようにこの熱処理コーティング装置
によれば、一つの装置で基体１０に対する焼入れ処理、
焼戻し処理およびコーティング処理の三処理が可能であ
り、従ってこれらを独立して行っていた従来技術に比べ
て製品製造までの時間を大幅に短縮することができる。 またそれによって製品のコストダウンも可能になる。
によれば、一つの装置で基体１０に対する焼入れ処理、
焼戻し処理およびコーティング処理の三処理が可能であ
り、従ってこれらを独立して行っていた従来技術に比べ
て製品製造までの時間を大幅に短縮することができる。 またそれによって製品のコストダウンも可能になる。
【００２３】しかも、上記焼入れは真空中での処理であ
るため、基体表面の酸化および脱炭は起こらない。その
結果、その後のコーティング膜の基体１０に対する密着
性も良好なものとなり、従って耐摩耗性等に優れた製品
を製造することができる。
るため、基体表面の酸化および脱炭は起こらない。その
結果、その後のコーティング膜の基体１０に対する密着
性も良好なものとなり、従って耐摩耗性等に優れた製品
を製造することができる。
【００２４】また、レーザ焼入れは局部焼入れであるた
め、基体１０の必要な部分（例えば特に耐摩耗性を要求
される部分）にだけ焼入れを行うことができ、それによ
って焼入れ面積が少なくて済むため、基体１０の熱歪み
や変形を小さくすることができるという利点もある。
め、基体１０の必要な部分（例えば特に耐摩耗性を要求
される部分）にだけ焼入れを行うことができ、それによ
って焼入れ面積が少なくて済むため、基体１０の熱歪み
や変形を小さくすることができるという利点もある。
【００２５】以上のようにこの発明によれば、基体に対
する焼入れ、焼戻しおよびコーティング処理を一つの装
置で実現することができ、その結果、これらを独立して
行っていた従来技術に比べて製品製造までの時間を大幅
に短縮することができる。またそれによって製品のコス
トダウンも可能になる。
する焼入れ、焼戻しおよびコーティング処理を一つの装
置で実現することができ、その結果、これらを独立して
行っていた従来技術に比べて製品製造までの時間を大幅
に短縮することができる。またそれによって製品のコス
トダウンも可能になる。
【００２６】しかも、上記焼入れは真空中での処理であ
るため、基体表面の酸化および脱炭は起こらず、その結
果、その後のコーティング膜の基体に対する密着性も良
好なものとなる。
るため、基体表面の酸化および脱炭は起こらず、その結
果、その後のコーティング膜の基体に対する密着性も良
好なものとなる。
【図１】 この発明の一実施例に係る熱処理コーティ
ング装置を示す概略図である。
ング装置を示す概略図である。
２ 真空容器
１０ 基体
１２ ホルダ
１９ バイアス電源
２０ レーザ光源
２２ レーザ光
２４ 蒸発源
２８ 蒸発粒子
Claims (1)
- 【請求項１】 真空容器と、この真空容器内に収納さ
れていて基体を保持する回転式のホルダと、前記真空容
器に取り付けられていてホルダ上の基体に向けてレーザ
光を照射するレーザ光源と、前記真空容器に取り付けら
れていてアーク放電によってカソードを局部的に溶解さ
せてホルダ上の基体に向けて蒸発粒子を蒸発させるアー
ク式の蒸発源と、前記ホルダ上の基体に負のバイアス電
圧を印加するバイアス電源とを備えることを特徴とする
熱処理コーティング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16389191A JPH04362121A (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 熱処理コーティング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16389191A JPH04362121A (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 熱処理コーティング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04362121A true JPH04362121A (ja) | 1992-12-15 |
Family
ID=15782771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16389191A Pending JPH04362121A (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 熱処理コーティング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04362121A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5478057A (en) * | 1994-01-07 | 1995-12-26 | Leybold Durferrit Gmbh | Apparatus for the heat treatment of workpieces |
-
1991
- 1991-06-07 JP JP16389191A patent/JPH04362121A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5478057A (en) * | 1994-01-07 | 1995-12-26 | Leybold Durferrit Gmbh | Apparatus for the heat treatment of workpieces |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107923037B (zh) | 真空处理设备和用于真空处理基底的方法 | |
| JP2002371351A (ja) | 皮膜形成装置 | |
| JP2002088465A (ja) | 金属基材への硬質炭素膜の成膜方法 | |
| JPH04362121A (ja) | 熱処理コーティング装置 | |
| JPH02125861A (ja) | 被処理物の表面に被膜を形成する方法 | |
| JPH0625835A (ja) | 真空蒸着方法及び真空蒸着装置 | |
| WO1992012274A1 (fr) | Procede de formation d'une couche d'oxyde | |
| JPS62161952A (ja) | 立方晶窒化硼素薄膜の形成方法 | |
| JPH07300665A (ja) | 金属基材のホウ素拡散浸透層・ホウ素膜形成方法 | |
| JPH08260126A (ja) | アルミニウム基材の表面溶融硬化方法 | |
| JP2600092B2 (ja) | 金属系材料の表面改質方法 | |
| JPS6320460A (ja) | イオンプレ−テイング処理材の熱処理方法 | |
| JP2003082450A (ja) | 表面改質方法及び装置 | |
| KR100295618B1 (ko) | 이온빔을이용한고진공마그네트론스퍼터링방법 | |
| JPH062937B2 (ja) | 表面被覆鋼材の製造方法 | |
| JPH08193261A (ja) | 金属加工治具及びその表面皮膜形成方法 | |
| JPS6320445A (ja) | イオンプレ−テイング | |
| JPS6293366A (ja) | 窒化ホウ素膜の作製方法 | |
| KR20000030256A (ko) | 레이저 애블레이션법, 고전압 방전 플라즈마 ｃｖｄ 법,두 방법의 혼합방식에 의한 박막 형성방법 | |
| JPH08225924A (ja) | 炭素−窒素化合物含有膜の形成方法 | |
| JPH0211762A (ja) | 表面加工容器中高エネルギーイオン注入法 | |
| JPS6335767A (ja) | 表面硬化法 | |
| JPH0551661B2 (ja) | ||
| JPH04350156A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH03232963A (ja) | セラミックス膜被覆方法 |