JPH0436100B2 - - Google Patents
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- JPH0436100B2 JPH0436100B2 JP7184A JP7184A JPH0436100B2 JP H0436100 B2 JPH0436100 B2 JP H0436100B2 JP 7184 A JP7184 A JP 7184A JP 7184 A JP7184 A JP 7184A JP H0436100 B2 JPH0436100 B2 JP H0436100B2
- Authority
- JP
- Japan
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- quartz
- tube
- base material
- furnace
- core tube
- Prior art date
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
- C03B37/0146—Furnaces therefor, e.g. muffle tubes, furnace linings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/08—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
- C03B2201/12—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant doped with fluorine
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Description
本発明はガラス母材に対する不純物元素の混入
を防止し、かつ耐久性の優れた光フアイバ用母材
の製造装置に関する。 光フアイバ用母材を大量生産する一般的な方法
としてVAD法が知られている。このVAD法は回
転する出発部材、例えばガラス板あるいはガラス
棒の上に酸水素炎中で生成したガラス微粒子を堆
積させて円柱状の多孔質母材をつくり、この多孔
質母材を焼結して透明な光フアイバ用母材を製造
する方法である。この方法において多孔質母材を
焼結し透明化するには母材をHeもしくはArガス
雰囲気で1600℃以上に加熱する必要がある。この
加熱炉としては通常カーボン炉が用いられてい
る。かかる加熱炉における焼結に際して時に留意
しなければならない点はCuやFeなどの遷移元素
の混入並びに水分の混入の防止である。遷移元素
が1ppb以上混入すると、光フアイバの損失波長
特性が全波長にわたり著しく損われ、、また水分
が0.1ppm以上混入すると長波長域におけるその
特性が損なわれるからである。そこで通常上記多
孔質母材を脱水することが行なわれ、この脱水処
理として該多孔質母材をフツ素ガスを添加した不
活性ガス雰囲気中で高温加熱する方法が知られて
いる。この方法は多孔質母材の脱水を行うのみな
らずフツ素を添加させる効果をも有している。多
孔質母材中にフツ素を添加すると光フアイバの必
須要素である屈折率分布の調整ができる利点があ
る。尚この点に関しては特公昭55−15682号、特
開昭55−67533号に詳しく説明されている。 上記フツ素ガスを用いた処理は通常、焼結と同
時にもしくは前工程としてカーボン炉内で行なわ
れる。カーボン炉にはカーボン発熱体が母材の加
熱処理中に発生する水分や酸素で消耗するのを防
ぐため、カーボン発熱体と焼結雰囲気とを隔離す
る炉心管が設置されており、従来アルミナ製のも
のが使用されていた。しかし、アルミナ製の炉心
管を用いるとアルミナの中に含まれるアルカリ成
分が高温で周囲に飛散し、これが多孔質母材表面
に付着し、クリストバライト層を形成するという
問題がある。そこで炉心管として石英ガラス製の
ものが実用化されつつある。しかし石英ガラス製
の炉心管にCuやFeが含有されてると、脱水処理
雰囲気中の塩素系のガスとCuあるいはFeとが容
易に化学反応し、下式に示すような揮散性の塩化
物として多孔質母材に侵入し、フアイバの損失特
性を著しく損なうという新たな問題も生じるてい
る。 CuOCl2 ――→ Cu2Cl2 Fe2O3Cl2 ――→ FeCl3 更に、炉心管が石英ガラスの単体である場合、
高温下にいて、Cuは容易に石英ガラス中に拡散
する性質があるため、炉本体や発熱体から揮散す
るCuが炉心管を透過し、ガラス母材中に混入す
るという問題もある。 更にフツ素ガスは高温で分解もしくは反応し、
F2やHFガスを生成する。これ等のガスは次式の
ように石英材と反応しSiF4ガスを生成して石英材
をエツチングする。 SiO2＋2F2→SiF4＋O2 SiO2＋4HF→SiF4＋2H2O このため石英材中に存在するCuFeが石英材の
表面に現われ多孔質母材へ混入する原因となる。
更には石英炉心管にピンホールを生じ、外気の混
入や雰囲気ガスが炉外へ漏出する原因ともなり製
造工程上悪影響を招く結果になる。 本発明は石英管がアルミナ管等に比べ稠密であ
り、しかも熱膨張係数が小さいため耐久性に優れ
るという利点を維持したまま、高温下における上
記不純物の混入と、フツ素ガスによる浸蝕とを確
実に防止した光フアイバ用母材の製造装置を提供
することを目的とするものであつて、その構成
は、加熱炉の炉心管に多孔質ガスル母材を挿入
し、フツ素化合物を含む雰囲気中で上記ガラス場
材を脱水焼結する装置において、加熱炉を具え、
該加熱炉に石英炉心管が内装され、該石英炉心管
の内壁に融点が石英より高くかつフツ素ガスに対
して耐蝕性を有するセラミツクスがコーテイング
されていることを特徴とする。 以下に本発明を図面に示す実施例に基づいて詳
細に説明する。 本発明の概略構成を図に示す。加熱炉本体６の
内側に発熱体５が設けられると共に炉体中心に炉
心管３が設けられる。該炉心管３は石英ガラス管
により形成され、その内周壁にアルミナ
（Al2O3）のセラミツクス層４がコーテイングさ
れている。尚該セラミツクス層４としては上記ア
ルミナ以外にも石英より融点が高くかつフツ素ガ
スに対して耐蝕性のあるセラミツクスを用いるこ
とができる。 該セラミツクス層として好適な材質を次表に示
す。
を防止し、かつ耐久性の優れた光フアイバ用母材
の製造装置に関する。 光フアイバ用母材を大量生産する一般的な方法
としてVAD法が知られている。このVAD法は回
転する出発部材、例えばガラス板あるいはガラス
棒の上に酸水素炎中で生成したガラス微粒子を堆
積させて円柱状の多孔質母材をつくり、この多孔
質母材を焼結して透明な光フアイバ用母材を製造
する方法である。この方法において多孔質母材を
焼結し透明化するには母材をHeもしくはArガス
雰囲気で1600℃以上に加熱する必要がある。この
加熱炉としては通常カーボン炉が用いられてい
る。かかる加熱炉における焼結に際して時に留意
しなければならない点はCuやFeなどの遷移元素
の混入並びに水分の混入の防止である。遷移元素
が1ppb以上混入すると、光フアイバの損失波長
特性が全波長にわたり著しく損われ、、また水分
が0.1ppm以上混入すると長波長域におけるその
特性が損なわれるからである。そこで通常上記多
孔質母材を脱水することが行なわれ、この脱水処
理として該多孔質母材をフツ素ガスを添加した不
活性ガス雰囲気中で高温加熱する方法が知られて
いる。この方法は多孔質母材の脱水を行うのみな
らずフツ素を添加させる効果をも有している。多
孔質母材中にフツ素を添加すると光フアイバの必
須要素である屈折率分布の調整ができる利点があ
る。尚この点に関しては特公昭55−15682号、特
開昭55−67533号に詳しく説明されている。 上記フツ素ガスを用いた処理は通常、焼結と同
時にもしくは前工程としてカーボン炉内で行なわ
れる。カーボン炉にはカーボン発熱体が母材の加
熱処理中に発生する水分や酸素で消耗するのを防
ぐため、カーボン発熱体と焼結雰囲気とを隔離す
る炉心管が設置されており、従来アルミナ製のも
のが使用されていた。しかし、アルミナ製の炉心
管を用いるとアルミナの中に含まれるアルカリ成
分が高温で周囲に飛散し、これが多孔質母材表面
に付着し、クリストバライト層を形成するという
問題がある。そこで炉心管として石英ガラス製の
ものが実用化されつつある。しかし石英ガラス製
の炉心管にCuやFeが含有されてると、脱水処理
雰囲気中の塩素系のガスとCuあるいはFeとが容
易に化学反応し、下式に示すような揮散性の塩化
物として多孔質母材に侵入し、フアイバの損失特
性を著しく損なうという新たな問題も生じるてい
る。 CuOCl2 ――→ Cu2Cl2 Fe2O3Cl2 ――→ FeCl3 更に、炉心管が石英ガラスの単体である場合、
高温下にいて、Cuは容易に石英ガラス中に拡散
する性質があるため、炉本体や発熱体から揮散す
るCuが炉心管を透過し、ガラス母材中に混入す
るという問題もある。 更にフツ素ガスは高温で分解もしくは反応し、
F2やHFガスを生成する。これ等のガスは次式の
ように石英材と反応しSiF4ガスを生成して石英材
をエツチングする。 SiO2＋2F2→SiF4＋O2 SiO2＋4HF→SiF4＋2H2O このため石英材中に存在するCuFeが石英材の
表面に現われ多孔質母材へ混入する原因となる。
更には石英炉心管にピンホールを生じ、外気の混
入や雰囲気ガスが炉外へ漏出する原因ともなり製
造工程上悪影響を招く結果になる。 本発明は石英管がアルミナ管等に比べ稠密であ
り、しかも熱膨張係数が小さいため耐久性に優れ
るという利点を維持したまま、高温下における上
記不純物の混入と、フツ素ガスによる浸蝕とを確
実に防止した光フアイバ用母材の製造装置を提供
することを目的とするものであつて、その構成
は、加熱炉の炉心管に多孔質ガスル母材を挿入
し、フツ素化合物を含む雰囲気中で上記ガラス場
材を脱水焼結する装置において、加熱炉を具え、
該加熱炉に石英炉心管が内装され、該石英炉心管
の内壁に融点が石英より高くかつフツ素ガスに対
して耐蝕性を有するセラミツクスがコーテイング
されていることを特徴とする。 以下に本発明を図面に示す実施例に基づいて詳
細に説明する。 本発明の概略構成を図に示す。加熱炉本体６の
内側に発熱体５が設けられると共に炉体中心に炉
心管３が設けられる。該炉心管３は石英ガラス管
により形成され、その内周壁にアルミナ
（Al2O3）のセラミツクス層４がコーテイングさ
れている。尚該セラミツクス層４としては上記ア
ルミナ以外にも石英より融点が高くかつフツ素ガ
スに対して耐蝕性のあるセラミツクスを用いるこ
とができる。 該セラミツクス層として好適な材質を次表に示
す。
【表】
尚、セラミツクスをコーテイングする方法とし
ては、気相反応による膜形成方法、例えばプラズ
マCVDコート、CVDコートなどが緻密な膜を形
成できるので好ましい。 上記セラミツクス層４の厚みは5μｍ〜２mm程
度が好ましい。２mm以上の層厚になると剥離し易
く、又、5μｍ以下の層厚では上記効果が充分で
はない。 次にセラミツクス層４は、予め石英炉心管の内
壁に下地層を形成しこの下地層の表面に積層させ
ると一層良好である。下地層としてはボロンナイ
トライド（BN）等を用いるとよい。尚他の下地
層としてはアルミナや炭化ケイ素が用いられる。
これら下地層は上記セラミツクス、石英と密着し
易いので下地層として好適である。該下地層の厚
さは、あまり厚いと石英管との間に歪を生じ剥離
するので２〜10μｍ程度でよい。 一方、上記炉本体６の側端にはAr、N2等のシ
ールドガスを導入する供給口７が設けられる。又
該炉心管３の下端にはHe、Ar、Cl2等の処理用
ガスを導入する供給口８が設けられると共に該炉
心管３の上方には支持棒２を介して多孔質ガラス
母材１が吊り下げられている。 上記構成において、セラミツクス層４が内張り
された石英管はアルミナ管やカーボン管に比べ稠
密であり、しかも熱膨張係数が小さく熱履歴によ
る破壊の虞がなく耐久性に優れる。この場合、石
英管自体に含まれる不純物が拡散して母材に混入
するのを防止するため、石英管としては高純度で
透明なものが望ましい。その程度としてはCuOが
0.5ppm以下、Fe2O3が１％以下となるよう特に銅
分を除去した透明石英管が適している。尚、一般
に石英管を1500℃以上に加熱すると、石英管が引
き伸びる現象がみられるが、肉厚を５mm以上とす
ると1600℃でも引き伸びを生ぜず又電気熔融法で
製作した肉厚６mmの石英管では1650℃でも引き伸
びを生ずることはない。更に、セラミツクス層４
として第１表に示す材質のものを用いれば石英に
比べて高温での粘性が小さく管の引伸びを抑える
ことができる。従つてこのような石英管を使用す
れば1500℃以上の焼結温度に対しても不都合を生
じない。又、Cu等の不純物はアルミナ等のセラ
ミツクス層４を透過できない。このため本発明の
石英炉心管においては外部の炉本体６や発熱体５
から拡散されるCu等の不純物はこのセラミツク
ス層４により遮蔽され、炉心管３内部に侵入する
ことがない。従つて、多孔質ガラス母材に対する
不純物の混入を確実に防止することができる。 更に上記石英管はその内周壁が第１表に示す材
質のセラミツクス層４により内張りされているの
でフツ素化合物を含むガス雰囲気でガラス母材を
焼結する場合でもF2ガスやHFガスによる腐蝕を
防止することができる。因にHF溶液による石英
とアルミナとのエツチング効果を次表に示す
ては、気相反応による膜形成方法、例えばプラズ
マCVDコート、CVDコートなどが緻密な膜を形
成できるので好ましい。 上記セラミツクス層４の厚みは5μｍ〜２mm程
度が好ましい。２mm以上の層厚になると剥離し易
く、又、5μｍ以下の層厚では上記効果が充分で
はない。 次にセラミツクス層４は、予め石英炉心管の内
壁に下地層を形成しこの下地層の表面に積層させ
ると一層良好である。下地層としてはボロンナイ
トライド（BN）等を用いるとよい。尚他の下地
層としてはアルミナや炭化ケイ素が用いられる。
これら下地層は上記セラミツクス、石英と密着し
易いので下地層として好適である。該下地層の厚
さは、あまり厚いと石英管との間に歪を生じ剥離
するので２〜10μｍ程度でよい。 一方、上記炉本体６の側端にはAr、N2等のシ
ールドガスを導入する供給口７が設けられる。又
該炉心管３の下端にはHe、Ar、Cl2等の処理用
ガスを導入する供給口８が設けられると共に該炉
心管３の上方には支持棒２を介して多孔質ガラス
母材１が吊り下げられている。 上記構成において、セラミツクス層４が内張り
された石英管はアルミナ管やカーボン管に比べ稠
密であり、しかも熱膨張係数が小さく熱履歴によ
る破壊の虞がなく耐久性に優れる。この場合、石
英管自体に含まれる不純物が拡散して母材に混入
するのを防止するため、石英管としては高純度で
透明なものが望ましい。その程度としてはCuOが
0.5ppm以下、Fe2O3が１％以下となるよう特に銅
分を除去した透明石英管が適している。尚、一般
に石英管を1500℃以上に加熱すると、石英管が引
き伸びる現象がみられるが、肉厚を５mm以上とす
ると1600℃でも引き伸びを生ぜず又電気熔融法で
製作した肉厚６mmの石英管では1650℃でも引き伸
びを生ずることはない。更に、セラミツクス層４
として第１表に示す材質のものを用いれば石英に
比べて高温での粘性が小さく管の引伸びを抑える
ことができる。従つてこのような石英管を使用す
れば1500℃以上の焼結温度に対しても不都合を生
じない。又、Cu等の不純物はアルミナ等のセラ
ミツクス層４を透過できない。このため本発明の
石英炉心管においては外部の炉本体６や発熱体５
から拡散されるCu等の不純物はこのセラミツク
ス層４により遮蔽され、炉心管３内部に侵入する
ことがない。従つて、多孔質ガラス母材に対する
不純物の混入を確実に防止することができる。 更に上記石英管はその内周壁が第１表に示す材
質のセラミツクス層４により内張りされているの
でフツ素化合物を含むガス雰囲気でガラス母材を
焼結する場合でもF2ガスやHFガスによる腐蝕を
防止することができる。因にHF溶液による石英
とアルミナとのエツチング効果を次表に示す
【表】
した場合の重量変化により測定
上記第２表から明らかなように本発明の炉心管
はF2ガス、HFガスに対する顕著な耐蝕性を有す
る。従つて石材中に存在するCu、Feが表面に露
出して不純物混入の原因となる虞れがなく一層高
純度のガラス母材を得ることができる。以上本発
明の装置例を例示する実施例に基づいて説明した
が本発明は上記実施例に限定されるものではな
く、例えばセラミツクス層を有する上記石英管を
更にカーボン炉心管内に挿入した構造としてもよ
い。 実施例 １ 発熱体で10μｍ厚のアルミナを内装した石英炉
心管を1600℃に加熱し、該管内にSF6を50c.c.／
分、Heを５／分の割合で流し、その中に多孔
質母材１の下降速度２mm／分で挿入した。得られ
た透明ガラス母材を引き続きフアイバに紡糸した
ところ、フアイバの残留水分は0.01ppmでありCu
やFeに由来する吸収は全くみられなかつた。 実施例 ２ 石英管の内周壁に予め2μｍ厚のBNを下地層と
してコーテイングし、その上に10μｍ厚のアルミ
ナをコーテイングした石英炉心管を用い、その他
は実施例１と同様の条件下でガラス母材を製造し
たところ炉温の昇降を繰り返した場合、実施例１
よりも更に10倍の寿命を保つことが可能となつ
た。 比較例 石英炉管として、1ppmのCuを含みかつセラミ
ツクス層を有しない石英管を使用し、その他は実
施例１と同じ条件でフアイバを製造した。得られ
たフアイバの残留水分は0.01ppmであつた。また
Cuに由来する吸収が〜1.30μｍ近傍まで存在した
が、この値は従前の吸収に比べると十分低く２〜
3dBであつた。しかしながら炉心管の内周壁は著
しくエツチングされており、耐蝕性のうえで問題
のあることが判明した。 以上、実施例に基づいて具体的に説明したよう
に本発明は、不純物特にCuや水分の混入しない
光フアイバ用母材を製造でき、伝送損失の小さな
光フアイバを得ることができる。 更にフツ素にる石英管の浸蝕消耗を防止でき、
耐久性に優れることから経済的であるという利点
もある。
上記第２表から明らかなように本発明の炉心管
はF2ガス、HFガスに対する顕著な耐蝕性を有す
る。従つて石材中に存在するCu、Feが表面に露
出して不純物混入の原因となる虞れがなく一層高
純度のガラス母材を得ることができる。以上本発
明の装置例を例示する実施例に基づいて説明した
が本発明は上記実施例に限定されるものではな
く、例えばセラミツクス層を有する上記石英管を
更にカーボン炉心管内に挿入した構造としてもよ
い。 実施例 １ 発熱体で10μｍ厚のアルミナを内装した石英炉
心管を1600℃に加熱し、該管内にSF6を50c.c.／
分、Heを５／分の割合で流し、その中に多孔
質母材１の下降速度２mm／分で挿入した。得られ
た透明ガラス母材を引き続きフアイバに紡糸した
ところ、フアイバの残留水分は0.01ppmでありCu
やFeに由来する吸収は全くみられなかつた。 実施例 ２ 石英管の内周壁に予め2μｍ厚のBNを下地層と
してコーテイングし、その上に10μｍ厚のアルミ
ナをコーテイングした石英炉心管を用い、その他
は実施例１と同様の条件下でガラス母材を製造し
たところ炉温の昇降を繰り返した場合、実施例１
よりも更に10倍の寿命を保つことが可能となつ
た。 比較例 石英炉管として、1ppmのCuを含みかつセラミ
ツクス層を有しない石英管を使用し、その他は実
施例１と同じ条件でフアイバを製造した。得られ
たフアイバの残留水分は0.01ppmであつた。また
Cuに由来する吸収が〜1.30μｍ近傍まで存在した
が、この値は従前の吸収に比べると十分低く２〜
3dBであつた。しかしながら炉心管の内周壁は著
しくエツチングされており、耐蝕性のうえで問題
のあることが判明した。 以上、実施例に基づいて具体的に説明したよう
に本発明は、不純物特にCuや水分の混入しない
光フアイバ用母材を製造でき、伝送損失の小さな
光フアイバを得ることができる。 更にフツ素にる石英管の浸蝕消耗を防止でき、
耐久性に優れることから経済的であるという利点
もある。
図は本発明にかかる光フアイバ用ガラス母材の
製造装置を示す概略構造図である。 図面中、１は多孔質母材、２は支持棒、３は炉
心管、４はセラミツクス層、５は発熱体、６は炉
本体、７，８は供給口である。
製造装置を示す概略構造図である。 図面中、１は多孔質母材、２は支持棒、３は炉
心管、４はセラミツクス層、５は発熱体、６は炉
本体、７，８は供給口である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 加熱炉の炉心管に多孔質ガラス母材を挿入
し、フツ素化合物を含む雰囲気中で上記ガラス母
材を脱水焼結する装置において、加熱炉を具え、
該加熱炉に石英炉心管が内装され、該石英炉心管
の内壁に融点が石英より高くかつフツ素ガスに対
して耐蝕性を有するセラミツクスがコーテイング
されていることを特徴とする光フアイバ用母材の
製造装置。 ２ 特許請求の範囲第１項において、上記石英管
は銅の混入割合が0.5ppm以下の高純度石英管で
あることを特徴とする光フアイバ用母材の製造装
置。 ３ 特許請求の範囲第１項において、上記石英炉
心管の内壁にはボロンナイトライドが予め下地層
としてコーテイングされており、上記セラミツク
スは該下地層の上面に形成されていることを特徴
とする光フアイバ用母材の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7184A JPS60145923A (ja) | 1984-01-05 | 1984-01-05 | 光フアイバ用母材の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7184A JPS60145923A (ja) | 1984-01-05 | 1984-01-05 | 光フアイバ用母材の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60145923A JPS60145923A (ja) | 1985-08-01 |
| JPH0436100B2 true JPH0436100B2 (ja) | 1992-06-15 |
Family
ID=11463945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7184A Granted JPS60145923A (ja) | 1984-01-05 | 1984-01-05 | 光フアイバ用母材の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60145923A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3855370T2 (de) * | 1987-02-16 | 1997-01-02 | Sumitomo Electric Industries | Ofen zum Erhitzen einer Glasvorform für optische Faser und Verfahren zum Herstellen einer Glasvorform |
| AU593724B2 (en) * | 1987-02-16 | 1990-02-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Furnace for heating glass preform for optical fiber and method for producing glass preform |
| JPH03131544A (ja) * | 1989-06-29 | 1991-06-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光ファイバ用ガラス母材の加熱炉および製法 |
| JP2622210B2 (ja) * | 1991-07-23 | 1997-06-18 | 信越化学工業株式会社 | 光ファイバ母材製造用タ−ゲット支持部材 |
| JP2622214B2 (ja) * | 1991-09-26 | 1997-06-18 | 信越化学工業株式会社 | 光ファイバ母材延伸用支持部材 |
-
1984
- 1984-01-05 JP JP7184A patent/JPS60145923A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60145923A (ja) | 1985-08-01 |
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