JPH04353848A - How to make a mask - Google Patents
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Landscapes
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
【０００１】0001
【産業上の利用分野】本発明はマスクの製造方法に関し
、特に電子ビーム露光の際に、接地するために接地治具
の導通ピンによって生じた損傷部が、パターニング工程
中に剥離してマスク不良が起こらないようになすマスク
の製造方法に関する。[Industrial Application Field] The present invention relates to a method of manufacturing a mask, and in particular, during electron beam exposure, a damaged part caused by a conductive pin of a grounding jig for grounding may peel off during the patterning process, resulting in a defective mask. This invention relates to a method of manufacturing a mask that prevents this from occurring.
【０００２】近年、半導体集積回路を中心とした半導体
装置の高集積化に伴い、デバイスパターンの微細化はサ
ブミクロンの領域に入ってきている。それに伴い、微細
パターンを形成するための各種微細加工技術の開発が精
力的に行われている。In recent years, as semiconductor devices, mainly semiconductor integrated circuits, have become highly integrated, device pattern miniaturization has entered the submicron range. Along with this, various microfabrication techniques for forming micropatterns are being actively developed.
【０００３】微細パターニングを行う各種加工技術の中
では、一般にホトリソグラフィ（写真蝕刻法）と呼ばれ
るホトエッチングを中核としたパターニング技術が、現
在最も活用されている。そして、このホトエッチングに
よるパターニング技術の中の要素技術の１つに露光があ
る。Among various processing techniques for performing fine patterning, a patterning technique centered on photoetching, generally called photolithography, is currently most utilized. Exposure is one of the elemental technologies in patterning technology using photoetching.
【０００４】露光には、光源（線源）の種類によって、
従来から最も一般的な転写に用いられている紫外線露光
とか今後が期待されるＸ線露光などの他に、電磁界によ
る偏向が可能なので、転写ばかりでなく直接描画にも用
いられる電子ビーム露光やイオンビーム露光などの方式
に分類できる。[0004] Exposure depends on the type of light source (line source).
In addition to ultraviolet exposure, which has traditionally been the most common method of transfer, and X-ray exposure, which is expected to develop in the future, electron beam exposure, which can be deflected by electromagnetic fields, can be used not only for transfer but also for direct writing. It can be classified into methods such as ion beam exposure.
【０００５】ところで、光露光に際してはマスクが不可
欠である。そして、半導体装置の製造工程におけるウェ
ーハプロセスに例を採ると、等倍投影の場合には、マス
クに描かれたパターンとウェーハ上に形成されたデバイ
スパターンは同じ大きさである。それに対して縮小投影
の場合には、ウェーハ上のデバイスパターンに対して、
５倍とか１０倍の大きさのパターンが描かれたマスク、
いわゆるレチクルが用いられ、５倍レチクルとか１０倍
レチクルとか呼ばれている。By the way, a mask is essential for light exposure. Taking an example of a wafer process in a semiconductor device manufacturing process, in the case of full-scale projection, a pattern drawn on a mask and a device pattern formed on a wafer have the same size. On the other hand, in the case of reduced projection, the device pattern on the wafer is
Masks with patterns 5 or 10 times larger,
A so-called reticle is used, and is called a 5x reticle or a 10x reticle.
【０００６】このレチクルは、かつては例えばパターン
ジェネレータ（ＰＧ）と呼ばれる露光装置によって、機
械的にスリットの幅を変えながら二次元に移動させて光
をフラッシュし、順次ブランクマスクに露光する方法が
採られていた。[0006] In the past, this reticle was produced using an exposure device called a pattern generator (PG), which mechanically moved the slit in two dimensions while changing its width to flash light and sequentially expose a blank mask. It was getting worse.
【０００７】ところが、半導体素子の高集積化に伴って
、光によるＰＧ露光ではフラッシュ数が例えば数十万に
もなっている。しかも露光中に一回でもミスフラッシュ
があれば致命的な欠陥となるに及んで、光によるＰＧに
よるレチクルのパターニングは限界に達した。そこで、
電子ビーム露光法が登場した。However, as semiconductor devices become more highly integrated, the number of flashes required for PG exposure using light has increased to, for example, several hundred thousand. Furthermore, even one misflash during exposure becomes a fatal defect, and reticle patterning using optical PG has reached its limit. Therefore,
Electron beam exposure method appeared.
【０００８】電子ビーム露光法は、光によるＰＧに比べ
て描画速度や精度がはるかに勝っており、現在の高密度
なマスクの描画には電子ビーム露光が欠かせない。しか
し、如何に微細パターンの描画が精度よくできても、最
終的にレチクル（以下、マスクと呼称）として仕上げる
ためには、レジストの現像、マスク材のエッチング、レ
ジスト剥離、洗浄といったパターニング工程が必要であ
り、製造技術的にはまだ改善の余地が残されている。[0008] The electron beam exposure method is far superior in writing speed and accuracy to the optical PG, and electron beam exposure is indispensable for the current high-density mask writing. However, no matter how precisely a fine pattern can be drawn, patterning steps such as resist development, mask material etching, resist peeling, and cleaning are required in order to finally create a reticle (hereinafter referred to as a mask). However, there is still room for improvement in terms of manufacturing technology.
【０００９】[0009]
【従来の技術】図３は電子ビーム露光の要部を模式的に
示した断面図、図４はパターニング中のマスクの拡大断
面図で、図４（Ａ）は現像・エッチングのあと、図４（
Ｂ）はレジスト剥離のあと、図４（Ｃ）は洗浄のあとの
マスクの断面図である。図において、１はマスク、１ａ
は基板、１ｂは遮光膜、１ｄは薄片、３ａは凹部、３ｂ
は押しばね、３ｃは抑え部材、２はレジスト膜、３はマ
スクホルダ、４は接地治具、４ａは導通ピン、４ｂは板
ばね、２ａは微小穿孔、６は電子ビームである。2. Description of the Related Art FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing essential parts of electron beam exposure, FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of a mask during patterning, and FIG. (
B) is a cross-sectional view of the mask after resist removal, and FIG. 4C is a cross-sectional view of the mask after cleaning. In the figure, 1 is a mask, 1a
is a substrate, 1b is a light shielding film, 1d is a thin piece, 3a is a recess, 3b
3c is a pressing member, 2 is a resist film, 3 is a mask holder, 4 is a grounding jig, 4a is a conductive pin, 4b is a plate spring, 2a is a minute perforation, and 6 is an electron beam.
【００１０】図３において、マスク１はマスクホルダ３
に支持される。このマスクホルダ３には、マスク１が納
まる凹部３ａが設けてある。そして、その凹部３ａの底
部には上方に弾付勢された押しばね３ｂが設けてあり、
凹部３ａの上縁部には抑え部材３ｃが突出した構成にな
っている。In FIG. 3, a mask 1 is attached to a mask holder 3.
Supported by This mask holder 3 is provided with a recess 3a in which the mask 1 is accommodated. A push spring 3b biased upward is provided at the bottom of the recess 3a.
A restraining member 3c is configured to protrude from the upper edge of the recess 3a.
【００１１】マスク１は、パターニングされる前はブラ
ンクマスクと呼ばれ、基板１ａは熱膨張係数が小さく、
厚みが数ｍｍの例えば石英板などからなる。その基板１
ａの上には、遮光膜１ｂとなるマスク材としてクロムな
どの金属膜がスパッタなどによって被着され、さらにそ
の上には、図示してないが反射防止膜となるクロム酸化
物が被着された構成になっている。The mask 1 is called a blank mask before patterning, and the substrate 1a has a small coefficient of thermal expansion.
It is made of, for example, a quartz plate with a thickness of several mm. The board 1
On top of a, a metal film such as chromium is deposited by sputtering or the like as a masking material to serve as the light-shielding film 1b, and on top of that, chromium oxide, which is not shown, is deposited as an anti-reflection film. The structure is as follows.
【００１２】レジスト膜２には電子ビーム６によく感光
するアクリル系などの電子線レジストが用いられる。こ
のレジスト膜２は、回転式のレジストコータなどによっ
て遮光膜１ｂの上に膜厚１μｍ程度に塗着されている。For the resist film 2, an electron beam resist such as acrylic which is highly sensitive to the electron beam 6 is used. This resist film 2 is coated on the light shielding film 1b to a thickness of about 1 μm using a rotary resist coater or the like.
【００１３】マスク１は、マスクホルダ３の凹部３ａに
納めると押しばね３ｂによって上方に付勢されるので、
抑え部材３ｃとの間に挟持されて固定されるようになっ
ている。ところで、このような構成になるマスク１は、
遮光膜１ｂが金属導体であるが、基板１ａも遮光膜１ｂ
の上に塗着されるレジスト膜２も絶縁物からなる。従っ
て、基板１ａとレジスト膜２の間に挟まれた遮光膜１ｂ
も接地電位から浮いた状態になっている。そのため、電
子ビーム６を照射して露光するとマスク１に電子が蓄積
し、特にレジスト膜２がチャージアップして斥力が働き
、電子ビーム６の照射位置が乱されることが間々起こる
。When the mask 1 is placed in the recess 3a of the mask holder 3, it is urged upward by the push spring 3b.
It is clamped and fixed between the holding member 3c. By the way, the mask 1 with such a configuration is
Although the light shielding film 1b is a metal conductor, the substrate 1a is also made of a light shielding film 1b.
The resist film 2 coated thereon is also made of an insulator. Therefore, the light shielding film 1b sandwiched between the substrate 1a and the resist film 2
is also floating from ground potential. Therefore, when exposed by irradiation with the electron beam 6, electrons accumulate in the mask 1, and in particular, the resist film 2 is charged up, a repulsive force acts, and the irradiation position of the electron beam 6 is sometimes disturbed.
【００１４】そこで、マスク１をマスクホルダ３に固定
した際、接地治具４を用いて遮光膜１ｂを接地して、マ
スク１のチャージアップを抑制することが行われている
。
この接地治具４は導通ピン４ａと板ばね４ｂから構成さ
れている。[0014] Therefore, when the mask 1 is fixed to the mask holder 3, the light shielding film 1b is grounded using the grounding jig 4 to suppress the charge-up of the mask 1. This grounding jig 4 is composed of a conductive pin 4a and a leaf spring 4b.
【００１５】導通ピン４ａは１ｍｍφ程度の金属製のピ
ンで、その先端部は、例えば、磨耗しないようにダイヤ
モンドの粒が嵌着されており、その表面にはグラファイ
ト化して導電性が付与されている。そして、導通ピン４
ａは、板ばね４ｂによって常に下方に付勢されている。The conductive pin 4a is a metal pin with a diameter of about 1 mm, and its tip is fitted with, for example, diamond grains to prevent wear, and its surface is graphitized to provide conductivity. There is. And conductive pin 4
a is always urged downward by the leaf spring 4b.
【００１６】遮光膜１ｂを接地する際には、接地された
導通ピン４ａの先端部でレジスト膜２を突き破って導通
ピン４ａと遮光膜１ｂの導通を取ることによって遮光膜
１ｂが接地されるようになっている。When the light-shielding film 1b is grounded, the tip of the grounded conductive pin 4a breaks through the resist film 2 to establish electrical continuity between the conductive pin 4a and the light-shielding film 1b, so that the light-shielding film 1b is grounded. It has become.
【００１７】このように、電子ビーム露光においては、
接地治具４の導通ピン４ａの先端部でレジスト膜２を突
き破って遮光膜１ｂを接地し、マスク１のチャージアッ
プによる電子ビーム６の軌跡の乱れを防いでいる。In this way, in electron beam exposure,
The tip of the conductive pin 4a of the grounding jig 4 pierces the resist film 2 to ground the light shielding film 1b, thereby preventing the trajectory of the electron beam 6 from being disturbed due to charge-up of the mask 1.
【００１８】ところが、このような方法によって遮光膜
１ｂを接地すると、露光済みのマスク１のレジスト膜２
には、導通ピン４ａによって図４（Ａ）に示したような
すり鉢状の微小穿孔２ａが明いてしまうことが避けられ
ない。
しかも、この微小穿孔２ａの周壁は、現像によって形成
されたレジストパターンの周壁と違って機械的に穿った
孔なので凹凸が激しく不安定である。However, when the light shielding film 1b is grounded by such a method, the resist film 2 of the exposed mask 1
In this case, it is unavoidable that the cone-shaped minute perforation 2a as shown in FIG. 4(A) becomes open due to the conductive pin 4a. Furthermore, unlike the peripheral wall of a resist pattern formed by development, the peripheral wall of the minute perforation 2a is a mechanically drilled hole, so it is highly uneven and unstable.
【００１９】[0019]
【発明が解決しようとする課題】図４（Ａ）において、
レジスト膜２を現像し、次いで遮光膜１ｂをエッチング
すると、レジスト膜２に生じた微小穿孔２ａは機械的に
突き破られた孔なので、遮光膜１ｂのエッチングが精度
よく行われない。[Problem to be solved by the invention] In FIG. 4(A),
When the resist film 2 is developed and then the light-shielding film 1b is etched, the light-shielding film 1b cannot be etched with high accuracy because the minute perforations 2a formed in the resist film 2 are mechanically punctured holes.
【００２０】次いで、レジスト膜２を剥離すると、図４
（Ｂ）に示したように遮光膜１ｂに損傷部１ｃが生じて
しまう。次いで、洗浄を行うと、損傷部１ｃの遮光膜１
ｂが剥離して微小薄片１ｄとなり、その微小薄片１ｄが
異物として肝心のデバイスパターン部分に移動して図４
（Ｃ）に示したように再付着し、マスク不良を起こして
しまう問題があった。Next, when the resist film 2 is peeled off, as shown in FIG.
As shown in (B), a damaged portion 1c is generated in the light shielding film 1b. Next, when cleaning is performed, the light shielding film 1 in the damaged area 1c is removed.
b is peeled off and becomes a minute flake 1d, and the minute flake 1d moves as a foreign object to the important device pattern part, as shown in Fig. 4.
As shown in (C), there was a problem in that it re-adhered and caused mask defects.
【００２１】そこで本発明は、遮光膜を接地するために
導通ピンによって付けられた遮光膜の損傷部を除去した
り保護膜で被覆したりして、この損傷部がパターニング
工程中に剥離してマスク不良が起こることを防止してな
るマスクの製造方法を提供することを目的としている。Therefore, the present invention removes the damaged part of the light shielding film attached by a conductive pin to ground the light shielding film or covers it with a protective film, and prevents this damaged part from peeling off during the patterning process. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a mask that prevents mask defects from occurring.
【００２２】[0022]
【課題を解決するための手段】上で述べた課題は、基板
にに被着された金属膜からなる遮光膜を具えたマスクに
レジスト膜を塗着し、該マスクをマスクホルダに支持し
、該遮光膜を、接地治具の導通ピンの先端部で該レジス
ト膜を突き破って形成された微小穿孔を通して接地治具
と導通を取って接地し、電子ビーム露光によって描画し
たあと該レジスト膜を現像し、該遮光膜をエッチングし
、該レジスト膜を剥離する工程からなるマスクの製造方
法において、前記接地治具の導通ピンによって生じた遮
光膜の損傷部を、レジスト膜を剥離したあと選択的に除
去するように構成されたマスクの製造方法と、前記遮光
膜の損傷部を、レジスト膜を剥離したあと保護膜によっ
て選択的に被覆するように構成されたマスクの製造方法
と、によって解決される。[Means for solving the problem] The problem described above is to apply a resist film to a mask provided with a light-shielding film made of a metal film adhered to a substrate, to support the mask on a mask holder, The light-shielding film is grounded by establishing electrical connection with the grounding jig through a minute hole formed by piercing the resist film with the tip of the conductive pin of the grounding jig, and after drawing by electron beam exposure, the resist film is developed. In a method for manufacturing a mask comprising the steps of etching the light shielding film and peeling off the resist film, the damaged portion of the light shielding film caused by the conductive pin of the grounding jig is selectively etched after the resist film is peeled off. The problem is solved by a method of manufacturing a mask configured to remove the resist film, and a method of manufacturing a mask configured to selectively cover the damaged portion of the light shielding film with a protective film after peeling off the resist film. .
【００２３】[0023]
【作用】本発明においては、電子ビームによって描画さ
れるマスクのチャージアップを防ぐために接地治具の導
通ピンでレジスト膜を突き破って生じたピンホールに起
因して遮光膜に損傷部が生じても、遮光膜が剥離してマ
スクが不良にならないようにしている。[Operation] In the present invention, in order to prevent charge-up of the mask drawn by the electron beam, even if a damaged part is generated in the light-shielding film due to a pinhole caused by piercing the resist film with the conductive pin of the grounding jig, This prevents the mask from becoming defective due to peeling of the light shielding film.
【００２４】すなわち、本発明の第一の方法においては
、遮光膜の損傷部をレジスト膜を剥離したあと選択的に
除去するようにしている。そうすると、損傷部が洗浄の
際などに剥離した遮光膜の薄片が肝心のデバイスパター
ンに移動してマスク不良を起こすという従来の障害を防
ぐことができる。、また、本発明の第二の方法において
は、遮光膜の損傷部を選択的に保護膜によって被覆する
ようにしている。このような選択的、局部的に膜を生成
するためには、いわゆるＣＶＤ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ 、化学蒸着）を適
用するようにしている。そうすると、損傷部が保護膜に
覆われて保護されるので、洗浄の際などに剥離してマス
ク不良を起こすことが防げる。That is, in the first method of the present invention, the damaged portion of the light shielding film is selectively removed after the resist film is peeled off. In this way, it is possible to prevent the conventional problem in which thin pieces of the light-shielding film, which are peeled off when the damaged part is cleaned, move to the important device pattern and cause mask defects. Furthermore, in the second method of the present invention, the damaged portion of the light-shielding film is selectively covered with a protective film. In order to selectively and locally produce such a film, so-called CVD (Chemical
Vapor Deposition (chemical vapor deposition) is applied. In this case, the damaged part is covered and protected by the protective film, which prevents it from peeling off during cleaning and causing mask defects.
【００２５】[0025]
【実施例】図１は本発明の第一の実施例の工程を示す断
面図で、図１（Ａ）は露光、図１（Ｂ）は損傷部の除去
、図２は本発明の第二の実施例の断面図である。図にお
いて、１はマスク、１ａは基板、１ｂは遮光膜、１ｃは
損傷部、２はレジスト膜、２ａは微小穿孔、３はマスク
ホルダ、４は接地治具、４ａは導通ピン、４ｂは板ばね
、５は保護膜である。[Example] Fig. 1 is a sectional view showing the steps of the first embodiment of the present invention, in which Fig. 1(A) is exposure, Fig. 1(B) is removal of damaged parts, and Fig. FIG. In the figure, 1 is a mask, 1a is a substrate, 1b is a light shielding film, 1c is a damaged area, 2 is a resist film, 2a is a micro-perforation, 3 is a mask holder, 4 is a grounding jig, 4a is a conductive pin, and 4b is a plate The spring 5 is a protective film.
【００２６】実施例：１
図（Ａ）において、マスク１は、透明な基板１ａに金属
薄膜からなる遮光膜１ｂが被着された構成になっている
。そして、マスク１の上には電子ビームレジストと呼ば
れるレジスト膜２が塗着されている。Embodiment 1 In FIG. 1A, a mask 1 has a structure in which a light-shielding film 1b made of a thin metal film is adhered to a transparent substrate 1a. A resist film 2 called an electron beam resist is applied onto the mask 1.
【００２７】電子ビーム露光に際しては、このレジスト
膜２が塗着されたマスク１は、マスクホルダ３に支持さ
れる。このマスクホルダ３には接地治具４が設けられて
おり、板ばね４ｂによって下方に付勢されている導通ピ
ン４ａの先端部でレジスト膜２を突き破って遮光膜１ｂ
と導通を取り、遮光膜１ｂを接地するようになっている
。そのために、レジスト膜２には微小穿孔２ａが明けら
れ、遮光膜１ｂには損傷部１ｃが生じるが、この損傷部
１ｃは従来どおり避けることができない。During electron beam exposure, the mask 1 coated with the resist film 2 is supported by a mask holder 3. This mask holder 3 is provided with a grounding jig 4, and the tip of a conductive pin 4a, which is urged downward by a leaf spring 4b, pierces the resist film 2 and connects the light shielding film 1b.
The light shielding film 1b is electrically connected to the light shielding film 1b and grounded. Therefore, minute perforations 2a are formed in the resist film 2, and a damaged portion 1c is generated in the light shielding film 1b, but this damaged portion 1c cannot be avoided as before.
【００２８】図１（Ｂ）において、露光、レジスト現像
、遮光膜エッチング、レジスト剥離のそれぞれの工程を
終えたマスク１は、イオン源として例えばＧａを用い、
よく絞られたいわゆるＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ
Ｂｅａｍ）のスパッタ効果によって、遮光膜１ｂの損
傷部１ｃを選択的に走査して取り除く。In FIG. 1(B), the mask 1 that has undergone each of the steps of exposure, resist development, light-shielding film etching, and resist peeling is ionized using, for example, Ga as an ion source.
The so-called FIB (Focused Ion)
The damaged portion 1c of the light-shielding film 1b is selectively scanned and removed by the sputtering effect of the beam.
【００２９】あるいは、例えばＹＡＧレーザを照射して
加熱し、損傷部１ｃを蒸発させて選択的に取り除く。こ
うすると、エッチングが充分に行われないためにそのあ
とに続く洗浄工程などで遮光膜１ｂが剥離してしまう恐
れのある損傷部１ｃが取り除かれるので、マスク１に不
具合が生じることを防ぐことができる。Alternatively, the damaged portion 1c is selectively removed by irradiating it with, for example, a YAG laser to heat it and evaporate the damaged portion 1c. In this way, the damaged part 1c where the light-shielding film 1b may be peeled off in the subsequent cleaning process due to insufficient etching is removed, so it is possible to prevent defects from occurring in the mask 1. can.
【００３０】実施例：２
図２において、ＣＶＤ装置を用い、Ｇａをイオン源とし
たＦＩＢによって、例えば芳香族炭化水素のピレンなど
を分解し、炭素の保護膜５を損傷部１ｃに選択に化学蒸
着する。Example 2 In FIG. 2, an aromatic hydrocarbon such as pyrene is decomposed by FIB with Ga as an ion source using a CVD apparatus, and a protective film 5 of carbon is selectively applied to the damaged area 1c. Deposit.
【００３１】あるいは、ＣＶＤ装置によって、例えばＣ
ｒ（ＣＯ）６やＭｏ （ＣＯ）６などの金属錯体のガス
を、例えばＹＡＧレーザによって分解し、ＣｒやＭｏの
金属膜を損傷部１ｃに選択的に化学蒸着する。Alternatively, for example, C
A metal complex gas such as r(CO)6 or Mo(CO)6 is decomposed by, for example, a YAG laser, and a metal film of Cr or Mo is selectively chemically vapor deposited on the damaged portion 1c.
【００３２】こうして、遮光膜１ｂの損傷部１ｃを選択
的に取り除いたり保護膜５を被覆したりすることによっ
て損傷部１ｃを安定化し、マスク不良を防ぐことができ
る。イオン源に用いるターゲットの材料、あるいは保護
膜を形成するために用いる炭化水素化合物や金属錯体な
どには、いろいろな材料を用いまことができ、種々の変
形が可能である。In this manner, by selectively removing the damaged portion 1c of the light shielding film 1b or covering it with the protective film 5, the damaged portion 1c can be stabilized and mask defects can be prevented. Various materials can be used for the target material used in the ion source, or the hydrocarbon compound or metal complex used to form the protective film, and various modifications are possible.
【００３３】[0033]
【発明の効果】遮光膜を接地するためにピンで導通を取
る方法では、遮光膜が損傷することが避けられず、その
損傷部が剥離してマスク不良が間々起こっていたが、本
発明によれば、スパッタによって損傷部を取り除いたり
、ＣＶＤによって保護膜で被覆することによって、損傷
部の剥離を防ぐことができる。[Effects of the Invention] In the method of grounding the light-shielding film using a pin, it was inevitable that the light-shielding film would be damaged, and the damaged part would peel off, resulting in frequent mask defects. According to the above, peeling of the damaged part can be prevented by removing the damaged part by sputtering or by covering it with a protective film by CVD.
【００３４】その結果、電子ビーム露光による描画によ
ってレチクルなどのマスクの製造工程の改善を図ること
ができ、本発明は、マスクの製造における生産性の向上
に対して寄与するところが大である。As a result, it is possible to improve the manufacturing process of masks such as reticles by drawing by electron beam exposure, and the present invention greatly contributes to improving productivity in mask manufacturing.
【図１】 本発明の第一の実施例の工程を示す断面図
で、（Ａ）は露光、（Ｂ）は損傷部の除去である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing the steps of a first embodiment of the present invention, in which (A) is exposure and (B) is removal of a damaged part.
【図２】 本発明の第二の実施例の断面図である。FIG. 2 is a sectional view of a second embodiment of the present invention.
【図３】 電子ビーム露光の要部を模式的に示した断
面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing essential parts of electron beam exposure.
【図４】 パターニング中のマスクの拡大断面図で、
（Ａ）は現像・エッチングのあと、（Ｂ）はレジスト剥
離のあと、（Ｃ）は洗浄のあとのマスクの断面図である
。[Figure 4] An enlarged cross-sectional view of the mask during patterning.
(A) is a cross-sectional view of the mask after development and etching, (B) is after resist peeling, and (C) is a cross-sectional view of the mask after cleaning.
１ マスク １ａ 基
板 １ｂ 遮光膜
１ｃ 損傷部
２ レジスト膜 ２ａ 微小穿
孔３ マスクホルダ
４ 接地治具 ４ａ 導通
ピン ４ｂ 板ばね
５ 保護膜1 Mask 1a Substrate 1b Light-shielding film 1c Damaged part 2 Resist film 2a Micro-perforation 3 Mask holder 4 Grounding jig 4a Conductive pin 4b Leaf spring 5 Protective film
Claims (6)
なる遮光膜（１ｂ）を具えたマスク（１） にレジスト
膜（２） を塗着し、該マスク（１） をマスクホルダ
（３） に支持し、該遮光膜（１ｂ）を、接地治具（４
） の導通ピン（４ａ）の先端部で該レジスト膜（２）
を突き破って形成された微小穿孔（２ａ）を通して該
接地治具（４） と導通を取って接地し、電子ビーム露
光によって描画したあと該レジスト膜（２） を現像し
、該遮光膜（１ｂ）をエッチングし、該レジスト膜（２
） を剥離する工程からなるマスクの製造方法において
、前記接地治具（４） の導通ピン（４ａ）によって生
じた前記遮光膜（１ｂ）の損傷部（１ｃ）を、前記レジ
スト膜（２） を剥離したあと選択的に除去することを
特徴とするマスクの製造方法。1. A resist film (2) is applied to a mask (1) provided with a light-shielding film (1b) made of a metal film adhered to a substrate (1a), and the mask (1) is mounted on a mask holder ( 3) Support the light shielding film (1b) on a grounding jig (4).
) at the tip of the conductive pin (4a) of the resist film (2).
The resist film (2) is developed by establishing conduction with the grounding jig (4) through the micro-perforations (2a) formed by piercing through the resist film (2a), and drawing by electron beam exposure. The resist film (2) is etched and the resist film (2
), a damaged portion (1c) of the light shielding film (1b) caused by the conductive pin (4a) of the grounding jig (4) is removed from the resist film (2). A method for manufacturing a mask characterized by selectively removing it after peeling.
を、イオンビームのスパッタによって除去する請求項１
記載のマスクの製造方法。2. Damaged portion (1c) of the light shielding film (1b)
Claim 1, wherein: is removed by ion beam sputtering.
Method of manufacturing the mask described.
を、レーザビームの加熱蒸発によって除去する請求項１
記載のマスクの製造方法。3. Damaged portion (1c) of the light shielding film (1b)
Claim 1, wherein the phosphor is removed by thermal evaporation of a laser beam.
Method of manufacturing the mask described.
部（１ｃ）を、前記レジスト膜（２） を剥離したあと
保護膜（５） によって選択的に被覆することを特徴と
するマスクの製造方法。4. A mask characterized in that the damaged portion (1c) of the light-shielding film (1b) according to claim 1 is selectively covered with a protective film (5) after the resist film (2) is peeled off. manufacturing method.
り、かつイオンビームによって励起された炭化水素化合
物の化学蒸着によって形成される請求項４記載のマスク
の製造方法。5. The method of manufacturing a mask according to claim 4, wherein the protective film (5) is made of a carbon film and is formed by chemical vapor deposition of a hydrocarbon compound excited by an ion beam.
り、かつレーザビームによって加熱分解された金属錯体
の化学蒸着によって形成される請求項４記載のマスクの
製造方法。6. The method of manufacturing a mask according to claim 4, wherein the protective film (5) is made of a metal film and is formed by chemical vapor deposition of a metal complex thermally decomposed by a laser beam.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3128121A JPH04353848A (en) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | How to make a mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3128121A JPH04353848A (en) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | How to make a mask |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04353848A true JPH04353848A (en) | 1992-12-08 |
Family
ID=14976910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3128121A Withdrawn JPH04353848A (en) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | How to make a mask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04353848A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999047977A1 (en) * | 1998-03-13 | 1999-09-23 | Infineon Technologies Ag | Retaining device for photo blanks |
| JP2013140236A (en) * | 2011-12-29 | 2013-07-18 | Hoya Corp | Mask blank and method for manufacturing phase shift mask |
-
1991
- 1991-05-31 JP JP3128121A patent/JPH04353848A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999047977A1 (en) * | 1998-03-13 | 1999-09-23 | Infineon Technologies Ag | Retaining device for photo blanks |
| US6972832B1 (en) | 1998-03-13 | 2005-12-06 | Infineon Technologies Ag | Method of grounding a photoblank to a holding device |
| JP2013140236A (en) * | 2011-12-29 | 2013-07-18 | Hoya Corp | Mask blank and method for manufacturing phase shift mask |
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