JPH04349683A - 分布帰還型半導体レーザ - Google Patents
分布帰還型半導体レーザInfo
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- JPH04349683A JPH04349683A JP12130991A JP12130991A JPH04349683A JP H04349683 A JPH04349683 A JP H04349683A JP 12130991 A JP12130991 A JP 12130991A JP 12130991 A JP12130991 A JP 12130991A JP H04349683 A JPH04349683 A JP H04349683A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1206—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers having a non constant or multiplicity of periods
- H01S5/1215—Multiplicity of periods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
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- H01S5/1225—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers with a varying coupling constant along the optical axis
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、分布帰還型半導体レー
ザ、特に、空間的ホールバーニングを低減して、低歪特
性をもつ分布帰還型半導体レーザに関する。
ザ、特に、空間的ホールバーニングを低減して、低歪特
性をもつ分布帰還型半導体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、山陰共聴、ビル陰共聴、地域コミ
ュニケーション等の要望に応じて、ケーブルテレビ（Ｃ
ＡＴＶ）システムが広く普及している。しかし、現在の
ＣＡＴＶシステムでは同軸ケーブルが用いられているた
めに、大幅な伝送容量の拡大および画質の向上は困難で
ある。
ュニケーション等の要望に応じて、ケーブルテレビ（Ｃ
ＡＴＶ）システムが広く普及している。しかし、現在の
ＣＡＴＶシステムでは同軸ケーブルが用いられているた
めに、大幅な伝送容量の拡大および画質の向上は困難で
ある。
【０００３】そこで、同軸ケーブルに代えて光ファイバ
ーケーブルを用いる光ＣＡＴＶシステムの構築が進めら
れている。そしてこの光ＣＡＴＶシステムの直接変調光
源として半導体レーザを用いることが考えられている。 直接変調光源としての半導体レーザには、高質画面の伝
送のために、特に、高出力時での低歪率特性が要求され
る。
ーケーブルを用いる光ＣＡＴＶシステムの構築が進めら
れている。そしてこの光ＣＡＴＶシステムの直接変調光
源として半導体レーザを用いることが考えられている。 直接変調光源としての半導体レーザには、高質画面の伝
送のために、特に、高出力時での低歪率特性が要求され
る。
【０００４】ところが、従来知られている、活性層と導
波路層の間に一つの回折格子を有する分布帰還型半導体
レーザを高出力動作させた場合、共振器方向で光強度の
不均一が生じ、光強度の強い部分でキャリア密度が大き
くなって、不均一なキャリア分布となることに起因する
空間的ホールバーニングと称される現象が生じる。その
ため、発振波長におけるしきい値利得レベルが変動し、
歪特性が劣化することが知られている。
波路層の間に一つの回折格子を有する分布帰還型半導体
レーザを高出力動作させた場合、共振器方向で光強度の
不均一が生じ、光強度の強い部分でキャリア密度が大き
くなって、不均一なキャリア分布となることに起因する
空間的ホールバーニングと称される現象が生じる。その
ため、発振波長におけるしきい値利得レベルが変動し、
歪特性が劣化することが知られている。
【０００５】したがって、低歪特性を実現するためには
、空間的ホールバーニングの抑制が重要な課題となる。 この空間的ホールバーニングを抑制するために、従来、
回折格子の深さを変化させ結合係数κを、光強度分布が
均一になるように制御する方法が用いられている。
、空間的ホールバーニングの抑制が重要な課題となる。 この空間的ホールバーニングを抑制するために、従来、
回折格子の深さを変化させ結合係数κを、光強度分布が
均一になるように制御する方法が用いられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、光ＣＡ
ＴＶ用分布帰還型半導体レーザでは、高出力特性を得る
ためにレーザの光放出側端面にＡＲ（反射防止用）コー
トを施し、反射側端面にＨＲ（高反射）コートを施して
いるために、結合係数κを制御しても、光強度はＨＲ側
で強くなってしまい、充分に空間的ホールバーニングを
抑制することができなかった。したがって、本発明は、
高出力時でも空間的ホールバーニングが抑制できる帰還
型半導体レーザを提供することを目的とする。
ＴＶ用分布帰還型半導体レーザでは、高出力特性を得る
ためにレーザの光放出側端面にＡＲ（反射防止用）コー
トを施し、反射側端面にＨＲ（高反射）コートを施して
いるために、結合係数κを制御しても、光強度はＨＲ側
で強くなってしまい、充分に空間的ホールバーニングを
抑制することができなかった。したがって、本発明は、
高出力時でも空間的ホールバーニングが抑制できる帰還
型半導体レーザを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のかかる分布帰還
型半導体レーザにおいては、一端面に高反射コートが施
され、他端面に低反射コートが施されてなり、活性層の
上側の導波路層に第１の回折格子が、該活性層の下側の
導波路層に第２の回折格子が形成されており、第１の回
折格子と第２の回折格子の周期が異なる構成を採用した
。
型半導体レーザにおいては、一端面に高反射コートが施
され、他端面に低反射コートが施されてなり、活性層の
上側の導波路層に第１の回折格子が、該活性層の下側の
導波路層に第２の回折格子が形成されており、第１の回
折格子と第２の回折格子の周期が異なる構成を採用した
。
【０００８】またこの場合、第１の回折格子と第２の回
折格子のいずれか一方の周期が、ブラッグ波長に相当す
る周期をΛ、共振器長をＬとするときΛ（１＋Λ／４Ｌ
）であり、他方の周期がΛ（１−Λ／４Ｌ）であって、
ＡＲ端面側で第１の回折格子と第２の回折格子の周期が
逆相となり、ＨＲ端面側で同相となっている構成を採用
した。
折格子のいずれか一方の周期が、ブラッグ波長に相当す
る周期をΛ、共振器長をＬとするときΛ（１＋Λ／４Ｌ
）であり、他方の周期がΛ（１−Λ／４Ｌ）であって、
ＡＲ端面側で第１の回折格子と第２の回折格子の周期が
逆相となり、ＨＲ端面側で同相となっている構成を採用
した。
【０００９】
【作用】図１（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の分布帰還型半
導体レーザの原理説明図であり、図１（Ａ）は概略構造
、図１（Ｂ）は等価屈折率ｎｅｑの共振器方向分布、図
１（Ｃ）は結合係数κの共振器方向分布を示している。
導体レーザの原理説明図であり、図１（Ａ）は概略構造
、図１（Ｂ）は等価屈折率ｎｅｑの共振器方向分布、図
１（Ｃ）は結合係数κの共振器方向分布を示している。
【００１０】この図において、１は第２のクラッド層、
２は第２の導波路層、３は第２の回折格子、４は活性層
、５は第１の導波路層、６は第１のクラッド層、７は第
１の回折格子、８はＡＲ（反射防止）コート、９はＨＲ
（高反射）コートである。
２は第２の導波路層、３は第２の回折格子、４は活性層
、５は第１の導波路層、６は第１のクラッド層、７は第
１の回折格子、８はＡＲ（反射防止）コート、９はＨＲ
（高反射）コートである。
【００１１】まず、本発明の分布帰還型半導体レーザの
構造を説明すると、図１（Ａ）に示されているように、
第２のクラッド層１の上に第２の導波路層２、活性層４
、第１の導波路層５、第１のクラッド層６が積層され、
第２のクラッド層１と第２の導波路層２の間に第２の回
折格子３が、また、第１の導波路層５と第１のクラッド
層６の間に第１の回折格子７が形成されている。そして
、光放出側にＡＲ（反射防止）コート８、反射側にＨＲ
（高反射）コート９が形成されている。
構造を説明すると、図１（Ａ）に示されているように、
第２のクラッド層１の上に第２の導波路層２、活性層４
、第１の導波路層５、第１のクラッド層６が積層され、
第２のクラッド層１と第２の導波路層２の間に第２の回
折格子３が、また、第１の導波路層５と第１のクラッド
層６の間に第１の回折格子７が形成されている。そして
、光放出側にＡＲ（反射防止）コート８、反射側にＨＲ
（高反射）コート９が形成されている。
【００１２】この場合、第１の導波路層５の厚さｄ１
と第２の導波路層２の厚さｄ２ は、第１の回折格子の
周期をΛ１ 、第２の回折格子の周期をΛ２ 、活性層
４と第１の回折格子７の中心までの距離をｄ０ 、第１
の回折格子の振幅をｄＭ１、第２の回折格子の振幅をｄ
Ｍ２、共振器の長さをＬ、共振器方向の距離をｚとする
と、ｄ１ ＝ｄ０ −ｄＭ１ｓｉｎ（２πｚ／Λ１ ）
ｄ２ ＝ｄ０ −ｄＭ２ｓｉｎ（２πｚ／Λ２ ）で表
され、第１の回折格子の周期と第２の回折格子の周期を
、ブラッグ波長に相当する周期Λを中心として±Λδ異
なるものとすると、 Λ１ ＝Λ（１＋δ） Λ２ ＝Λ（１−δ） で表され、この場合、δ＝Λ／４Ｌ（≪１） の関係
をもたせると、ｄ１ とｄ２ の波形はＡＲ端面側で逆
相になり、ＨＲ端面側で同相になる。
と第２の導波路層２の厚さｄ２ は、第１の回折格子の
周期をΛ１ 、第２の回折格子の周期をΛ２ 、活性層
４と第１の回折格子７の中心までの距離をｄ０ 、第１
の回折格子の振幅をｄＭ１、第２の回折格子の振幅をｄ
Ｍ２、共振器の長さをＬ、共振器方向の距離をｚとする
と、ｄ１ ＝ｄ０ −ｄＭ１ｓｉｎ（２πｚ／Λ１ ）
ｄ２ ＝ｄ０ −ｄＭ２ｓｉｎ（２πｚ／Λ２ ）で表
され、第１の回折格子の周期と第２の回折格子の周期を
、ブラッグ波長に相当する周期Λを中心として±Λδ異
なるものとすると、 Λ１ ＝Λ（１＋δ） Λ２ ＝Λ（１−δ） で表され、この場合、δ＝Λ／４Ｌ（≪１） の関係
をもたせると、ｄ１ とｄ２ の波形はＡＲ端面側で逆
相になり、ＨＲ端面側で同相になる。
【００１３】これを、第１の導波路層５と第２の導波路
層２の厚さについてみると、ＡＲ端面側で同相になり、
ＨＲ端面側で逆相になる。すなわち、第１の導波路層５
と第２の導波路層２を合わせた厚さの変化は、ＡＲ端面
側で大きく、ＨＲ端面側で小さくなる。
層２の厚さについてみると、ＡＲ端面側で同相になり、
ＨＲ端面側で逆相になる。すなわち、第１の導波路層５
と第２の導波路層２を合わせた厚さの変化は、ＡＲ端面
側で大きく、ＨＲ端面側で小さくなる。
【００１４】図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のような構成を
採用した場合の等価屈折率ｎｅｑの共振器方向分布を示
しているが、屈折率が大きい第１の導波路層５と第２の
導波路層２を合わせた厚さの上記の変化を反映して、Ａ
Ｒ端面側で大きく、ＨＲ端面側で小さく変化している。
採用した場合の等価屈折率ｎｅｑの共振器方向分布を示
しているが、屈折率が大きい第１の導波路層５と第２の
導波路層２を合わせた厚さの上記の変化を反映して、Ａ
Ｒ端面側で大きく、ＨＲ端面側で小さく変化している。
【００１５】この等価屈折率ｎｅｑの変化の振幅ｎＭ
は、ｍをｄＭ１とｄＭ２の差に関係する係数とすると、
ｎＭ ∝−〔ｓｉｎ（２πｚ／Λ１ ）＋ｓｉｎ （２
πｚ／Λ２ ）〕 −ｍ・ｓｉｎ
（２πｚ／Λ） ∝−〔ｓｉｎ（２πｚ（１−δ
）／Λ）＋ｓｉｎ （２πｚ（１＋δ）／Λ）〕
−ｍ・ｓｉｎ （２πｚ／Λ）
∝−２ｓｉｎ（２πｚ／Λ）〔ｃｏｓ （２πｚδ／Λ
）＋ｍ／２〕 ∝−２ｓｉｎ（２πｚ／Λ）〔ｃ
ｏｓ （πｚ／２Ｌ）＋ｍ／２〕となる。
は、ｍをｄＭ１とｄＭ２の差に関係する係数とすると、
ｎＭ ∝−〔ｓｉｎ（２πｚ／Λ１ ）＋ｓｉｎ （２
πｚ／Λ２ ）〕 −ｍ・ｓｉｎ
（２πｚ／Λ） ∝−〔ｓｉｎ（２πｚ（１−δ
）／Λ）＋ｓｉｎ （２πｚ（１＋δ）／Λ）〕
−ｍ・ｓｉｎ （２πｚ／Λ）
∝−２ｓｉｎ（２πｚ／Λ）〔ｃｏｓ （２πｚδ／Λ
）＋ｍ／２〕 ∝−２ｓｉｎ（２πｚ／Λ）〔ｃ
ｏｓ （πｚ／２Ｌ）＋ｍ／２〕となる。
【００１６】式中の（ｍ／２）は、ｄＭ１とｄＭ２が等
しくないことに起因する項であり、ｄＭ１＝ｄＭ２のと
き０になる。すなわち、レーザー共振器方向での等価屈
折率ｎｅｑの分布は、〔ｃｏｓ （πｚ／２Ｌ）＋ｍ／
２〕が、２πｚ／Λの周期で変化する２ｓｉｎ（２πｚ
／Λ）の曲線の包絡線となって、振幅がｚとともに漸減
する波形となることを示している。
しくないことに起因する項であり、ｄＭ１＝ｄＭ２のと
き０になる。すなわち、レーザー共振器方向での等価屈
折率ｎｅｑの分布は、〔ｃｏｓ （πｚ／２Ｌ）＋ｍ／
２〕が、２πｚ／Λの周期で変化する２ｓｉｎ（２πｚ
／Λ）の曲線の包絡線となって、振幅がｚとともに漸減
する波形となることを示している。
【００１７】図１（Ｃ）はこの場合の結合係数κの共振
器方向分布を示している。結合係数κは、等価屈折率ｎ
ｅｑの交流成分の振幅に比例するから、κ∝〔ｃｏｓ（
πｚ／２Ｌ）＋ｍ／２〕の波形のとおり、ＡＲ端面で大
きく、ＨＲ端面に向かって単純に減少することになる。
器方向分布を示している。結合係数κは、等価屈折率ｎ
ｅｑの交流成分の振幅に比例するから、κ∝〔ｃｏｓ（
πｚ／２Ｌ）＋ｍ／２〕の波形のとおり、ＡＲ端面で大
きく、ＨＲ端面に向かって単純に減少することになる。
【００１８】上記の説明から明らかなように、分布帰還
型半導体レーザのＨＲコートの反射率等の光学的条件に
応じて、前記の構成と結合係数κの関係を用い、回折格
子の周期あるいは、周期と振幅を変えて結合係数κの分
布を調節することによって、ＨＲ端面近傍への光強度の
集中を避け、空間的ホールバーニングを抑制し、歪特性
の劣化を低減することができる。
型半導体レーザのＨＲコートの反射率等の光学的条件に
応じて、前記の構成と結合係数κの関係を用い、回折格
子の周期あるいは、周期と振幅を変えて結合係数κの分
布を調節することによって、ＨＲ端面近傍への光強度の
集中を避け、空間的ホールバーニングを抑制し、歪特性
の劣化を低減することができる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図２は、
本発明の実施例の分布帰還型半導体レーザの構成説明図
である。この図において、１１は第２クラッド層を兼ね
るｎ−ＩｎＰ基板、１２はｐ−ＩｎＰからなる第２の導
波路層、１３はＩｎＧａＡｓＰからなる活性層、１４は
ＩｎＧａＡｓＰからなる第１の導波路層、１５はｐ−Ｉ
ｎＰからなる第１のクラッド層、１６はＡＲコート、１
７はＨＲコートである。
本発明の実施例の分布帰還型半導体レーザの構成説明図
である。この図において、１１は第２クラッド層を兼ね
るｎ−ＩｎＰ基板、１２はｐ−ＩｎＰからなる第２の導
波路層、１３はＩｎＧａＡｓＰからなる活性層、１４は
ＩｎＧａＡｓＰからなる第１の導波路層、１５はｐ−Ｉ
ｎＰからなる第１のクラッド層、１６はＡＲコート、１
７はＨＲコートである。
【００２０】本実施例の分布帰還型半導体レーザにおい
ては、長さＬが３００μｍのｎ型の第２クラッド層を兼
ねるｎ−ＩｎＰ基板１１の表面に周期Λ２ で深さ３０
０Å（２ｄＭ２）のコルゲーションを干渉露光法とエッ
チングによって設けて第１の回折格子を形成し、その上
に、厚さが０．１５μｍ（ｄｇｕｉｄｅ２）のｐ−Ｉｎ
Ｐからなる第２の導波路層１２を形成し、その上に、厚
さが０．１３μｍ（ｄａｃｔ ）のＩｎＧａＡｓＰから
なる活性層１３を形成し、その上に、厚さ０．１５μｍ
（ｄｇｕｉｄｅ１）のＩｎＧａＡｓＰからなる第１の導
波路層１４を形成し、その表面に周期Λ１ で深さ３０
０Å（２ｄＭ１）のコルゲーションを設けて第２の回折
格子を形成し、その上に、厚さ２．０μｍのｐ−ＩｎＰ
からなる第１のクラッド層１５を形成し、光放出側（図
の右側）端面にＡＲコート１６を、反射側（図の左側）
端面にＨＲコート１７を形成して構成される。
ては、長さＬが３００μｍのｎ型の第２クラッド層を兼
ねるｎ−ＩｎＰ基板１１の表面に周期Λ２ で深さ３０
０Å（２ｄＭ２）のコルゲーションを干渉露光法とエッ
チングによって設けて第１の回折格子を形成し、その上
に、厚さが０．１５μｍ（ｄｇｕｉｄｅ２）のｐ−Ｉｎ
Ｐからなる第２の導波路層１２を形成し、その上に、厚
さが０．１３μｍ（ｄａｃｔ ）のＩｎＧａＡｓＰから
なる活性層１３を形成し、その上に、厚さ０．１５μｍ
（ｄｇｕｉｄｅ１）のＩｎＧａＡｓＰからなる第１の導
波路層１４を形成し、その表面に周期Λ１ で深さ３０
０Å（２ｄＭ１）のコルゲーションを設けて第２の回折
格子を形成し、その上に、厚さ２．０μｍのｐ−ＩｎＰ
からなる第１のクラッド層１５を形成し、光放出側（図
の右側）端面にＡＲコート１６を、反射側（図の左側）
端面にＨＲコート１７を形成して構成される。
【００２１】そして、光の進行方向にストライプ構造を
形成し、上下に電極を形成して結合度κを変調した分布
帰還型半導体レーザーが完成する。この実施例において
は、波長λとして１．３１μｍを目指すため、ブラッグ
波長に相当する周期Λは２０２２．０Åであり、共振器
の長さＬが３００μｍであるため、δは１．６８５×１
０−４となっている。したがって、回折格子の周期Λ１
は２０２２．３４Åであり、周期Λ２ は２０２１．
６６Åとなる。このように、結合係数κが所望の分布で
変調されることにより空間的ホールバーニングが低減さ
れる。
形成し、上下に電極を形成して結合度κを変調した分布
帰還型半導体レーザーが完成する。この実施例において
は、波長λとして１．３１μｍを目指すため、ブラッグ
波長に相当する周期Λは２０２２．０Åであり、共振器
の長さＬが３００μｍであるため、δは１．６８５×１
０−４となっている。したがって、回折格子の周期Λ１
は２０２２．３４Åであり、周期Λ２ は２０２１．
６６Åとなる。このように、結合係数κが所望の分布で
変調されることにより空間的ホールバーニングが低減さ
れる。
【００２２】
【発明の効果】本発明によると、空間的ホールバーニン
グを低減でき、高出力時での歪特性の劣化を防止するこ
とができ、光ファイバーを使用した信号、情報等の伝送
、処理技術分野において寄与するところが大きい。
グを低減でき、高出力時での歪特性の劣化を防止するこ
とができ、光ファイバーを使用した信号、情報等の伝送
、処理技術分野において寄与するところが大きい。
【図１】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の分布帰還型半導体
レーザの原理説明図である。
レーザの原理説明図である。
【図２】本発明の実施例の分布帰還型半導体レーザの構
成説明図である。
成説明図である。
１ 第２のクラッド層
２ 第２の導波路層
３ 第２の回折格子
４ 活性層
５ 第１の導波路層
６ 第１のクラッド層
７ 第１の回折格子
８ ＡＲ（反射防止）コート
９ ＨＲ（高反射）コート
Claims (3)
- 【請求項１】 一端面に高反射コートが施され、他端
面に低反射コートが施されてなり、活性層の上側の導波
路層に第１の回折格子が、該活性層の下側の導波路層に
第２の回折格子が形成されており、該第１の回折格子と
第２の回折格子の周期が異なることを特徴とする分布帰
還型半導体レーザ。 - 【請求項２】 第１の回折格子と第２の回折格子のい
ずれか一方の周期が、ブラッグ波長に相当する周期をΛ
、共振器長をＬとするときΛ（１＋Λ／４Ｌ）であり、
他方の周期がΛ（１−Λ／４Ｌ）であって、ＡＲ端面側
で第１の回折格子と第２の回折格子の周期が逆相となり
、ＨＲ端面側で同相となっていることを特徴とする請求
項１記載の分布帰還型半導体レーザ。 - 【請求項３】 活性層の上側の導波路層に第１の回折
格子が、該活性層の下側の導波路層に第２の回折格子が
形成されており、該第１の回折格子と第２の回折格子の
周期と振幅が異なることを特徴とする分布帰還型半導体
レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12130991A JPH04349683A (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | 分布帰還型半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12130991A JPH04349683A (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | 分布帰還型半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04349683A true JPH04349683A (ja) | 1992-12-04 |
Family
ID=14808059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12130991A Withdrawn JPH04349683A (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | 分布帰還型半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04349683A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6885804B2 (en) * | 2002-02-07 | 2005-04-26 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Semiconductor optical devices with differential grating structure and method for manufacturing the same |
| FR3043852A1 (fr) * | 2015-11-13 | 2017-05-19 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif laser et procede de fabrication d’un tel dispositif laser |
-
1991
- 1991-05-27 JP JP12130991A patent/JPH04349683A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6885804B2 (en) * | 2002-02-07 | 2005-04-26 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Semiconductor optical devices with differential grating structure and method for manufacturing the same |
| FR3043852A1 (fr) * | 2015-11-13 | 2017-05-19 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif laser et procede de fabrication d’un tel dispositif laser |
| US9899800B2 (en) | 2015-11-13 | 2018-02-20 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Laser device and process for fabricating such a laser device |
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| Date | Code | Title | Description |
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