[go: up one dir, main page]

JPH04340263A - Lead frame - Google Patents

Lead frame

Info

Publication number
JPH04340263A
JPH04340263A JP3045187A JP4518791A JPH04340263A JP H04340263 A JPH04340263 A JP H04340263A JP 3045187 A JP3045187 A JP 3045187A JP 4518791 A JP4518791 A JP 4518791A JP H04340263 A JPH04340263 A JP H04340263A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
outer leads
lead
lead frame
leads
short
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3045187A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Atsuo Nouzumi
能隅 厚生
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui High Tec Inc
Original Assignee
Mitsui High Tec Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsui High Tec Inc filed Critical Mitsui High Tec Inc
Priority to JP3045187A priority Critical patent/JPH04340263A/en
Publication of JPH04340263A publication Critical patent/JPH04340263A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To eliminate a need of performing a bending operation and to prevent a defect such as a short circuit or the like between outer leads due to a stress by a method wherein the connection of the outer leads to interconnections on a mounting board is made short. CONSTITUTION:A lead frame is a lead frame for direct bonding use; it is provided with the following: inner leads 1 which are extended to four directions from the mounting part of a semiconductor-element chip; and outer leads 3. The length (l) of the outer leads 3 is formed to be short at about 1mm. The outer leads 3 are not bent from a resin package 4; they are formed so as to be extended straight to the outside by 1mm on the same plane. Since the bending process of the outer leads is not required, their positional accuracy can be maintained to be good. It is possible to obtain a semiconductor device whose dimensional accuracy is high, which does not cause a short-circuit defect between the outer leads and whose reliability is high.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームに係り
、特にパッケージからリードが曲げられることなく真っ
直ぐに伸長する構造のリードフレームに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead frame, and more particularly to a lead frame having a structure in which leads extend straight from a package without being bent.

【0002】0002

【従来の技術】IC,LSIなどの半導体装置用リ−ド
フレ−ムは、フォトエッチング法またはプレス加工のい
ずれかの方法によって、金属条材の不要部分を除去する
ことによって形状加工したのち、所定部分にめっきを行
うめっき工程、テープを貼着しインナーリード相互間を
固定するテーピング工程等を経て形成される。なお、こ
こではリードのうちパッケージラインよりも内側をイン
ナーリード、外側をアウターリードと指称することにす
る。
[Prior Art] Lead frames for semiconductor devices such as ICs and LSIs are shaped into a predetermined shape by removing unnecessary portions of metal strips by either photo-etching or press processing. It is formed through a plating process in which parts are plated, a taping process in which tape is attached and the inner leads are fixed together, etc. Here, the part of the lead inside the package line will be referred to as the inner lead, and the part outside the package line will be referred to as the outer lead.

【0003】ところで、近年、アウターリードの先端を
実装基板表面に形成された配線パターン上に接続する面
実装技術が盛んになってきているが、面実装技術の場合
、アウターリードをJ字型に曲げてアウターリードの表
面(半導体素子搭載面側)を配線パターン上に形成する
方法と、アウターリードをL字型に曲げてアウターリー
ドの裏面(半導体素子搭載面の裏側)を配線パターン上
に形成する方法とが、実用化されており、これらはいず
れもアウターリードを曲げる必要がある。
Incidentally, in recent years, surface mount technology in which the tips of the outer leads are connected to the wiring pattern formed on the surface of the mounting board has become popular. One method is to bend the outer lead to form the front side (semiconductor element mounting side) on the wiring pattern, and the other is to bend the outer lead into an L shape and form the back side of the outer lead (the back side of the semiconductor element mounting side) on the wiring pattern. Methods to do so have been put into practical use, and all of these methods require bending the outer lead.

【0004】例えばアウターリード13をL字型に曲げ
た半導体装置は図5(a) および(b)に示す通りで
ある。 このようにアウターリードを曲げ加工する場合、曲げ加
工時にかかる応力によってアウターリードの表面の半田
めっきあるいはパラジウムめっきが剥離し易くなったり
また、歪が生じたりさらには、この応力がインナーリー
ドにもおよびリード間の短絡の原因となったりすること
もあった。またアウターリードの歪による位置ずれは実
装基板の配線パターンとの接続不良の原因となる。
For example, a semiconductor device in which the outer lead 13 is bent into an L-shape is shown in FIGS. 5(a) and 5(b). When bending the outer leads in this way, the stress applied during the bending process may cause the solder plating or palladium plating on the surface of the outer leads to easily peel off, cause distortion, and furthermore, this stress may also extend to the inner leads. This could also cause a short circuit between the leads. Further, positional displacement due to distortion of the outer lead causes poor connection with the wiring pattern of the mounting board.

【0005】さらにこのときのアウターリードにかかる
応力によって樹脂パッケージからの抜けが生じたりする
こともあった。
[0005]Furthermore, the stress applied to the outer leads at this time may cause them to come off from the resin package.

【0006】このようにアウターリードの曲げ加工に起
因する歪が半導体装置の信頼性低下の大きな原因となっ
ていた。
[0006] As described above, the strain caused by the bending of the outer lead has been a major cause of deterioration in the reliability of semiconductor devices.

【0007】また、面実装の場合のみならず、アウター
リードの曲げ加工における問題は同様に信頼性低下の原
因となることが多かった。
[0007]Furthermore, problems not only in surface mounting but also in bending the outer leads often cause a decrease in reliability.

【0008】[0008]

【発明の解決しようとする課題】このように従来の半導
体装置は、アウターリードの曲げ加工に際してかかる応
力によって、アウターリードの変形や樹脂パッケージか
らの抜けが生じるなど、信頼性低下の原因となる種々の
問題があった。
[Problems to be Solved by the Invention] As described above, in conventional semiconductor devices, stress applied during bending of the outer leads causes various causes of deterioration in reliability, such as deformation of the outer leads or coming off from the resin package. There was a problem.

【0009】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で寸法精度が良好で信頼性の高い半導体装置を形成する
ためのリードフレームを提供することを目的とする。
The present invention was made in view of the above-mentioned circumstances, and an object of the present invention is to provide a lead frame for forming a highly reliable semiconductor device with good dimensional accuracy.

【0010】0010

【課題を解決するための手段】そこで本発明のリードフ
レームでは、アウターリードを実装基板上の配線との接
続が可能な程度に短くしたことを特徴とするものである
[Means for Solving the Problems] Therefore, the lead frame of the present invention is characterized in that the outer leads are short enough to be connected to wiring on a mounting board.

【0011】[0011]

【作用】上記構成によれば、アウターリードを実装基板
との接続が可能な程度に短くし、実装に際しても、樹脂
パッケージからリードが曲げられることなく真っ直ぐに
同一平面上を外側に伸長するようにしているため、アウ
ターリードに、曲げ加工をおこなう必要がないため、歪
が生じるのを防ぐことができ、この応力によるリード間
の短絡等の不良を防止することができる。
[Function] According to the above structure, the outer leads are short enough to be connected to the mounting board, and even during mounting, the leads extend straight outward on the same plane from the resin package without being bent. Therefore, there is no need to bend the outer leads, which prevents distortion from occurring, and prevents defects such as short circuits between the leads due to this stress.

【0012】また、アウターリードを短くした分だけ、
幅の狭い条材で形成でき、材料コストが低減される上、
金型も小さくすることができ金型コストの低減をはかる
ことができる。
[0012] Also, by shortening the outer lead,
It can be formed using narrow strips, reducing material costs, and
The mold can also be made smaller and the cost of the mold can be reduced.

【0013】またアウターリードに歪が生じるのを防ぐ
ことができるため位置ずれによる実装基板の配線パター
ンとの接続不良を防止することもできる。
Furthermore, since distortion can be prevented from occurring in the outer leads, it is also possible to prevent poor connection with the wiring pattern of the mounting board due to positional displacement.

【0014】さらには、アウターリードの半田めっきあ
るいはPdめっき後の成形工程がないため、製品の安定
化をはかることができる。
Furthermore, since there is no molding process after solder plating or Pd plating of the outer lead, the product can be stabilized.

【0015】また曲げ加工時にアウターリードにかかる
応力によって樹脂パッケージからの抜けが生じるのを防
止することができる。
Furthermore, it is possible to prevent the outer lead from coming off from the resin package due to the stress applied to the outer lead during bending.

【0016】さらには、アウターリードを大幅に短くす
ることができるため、実装基板上での半導体装置として
の占有面積を低減することができる。
Furthermore, since the outer leads can be significantly shortened, the area occupied by the semiconductor device on the mounting board can be reduced.

【0017】なお、インナーリードとアウターリードと
の間にダムバーを形成しても良くまたダムバーを省略し
インナーリードとアウターリードとを兼用としてもよい
Note that a dam bar may be formed between the inner lead and the outer lead, or the dam bar may be omitted and the inner lead and outer lead may be used together.

【0018】ダムバーを省略した場合は金型はよりコン
パクトになりコストも低減される。
[0018] If the dam bar is omitted, the mold becomes more compact and costs are reduced.

【0019】このアウターリードの長さは、0.5mm
〜3mm程度の長さにするのが望ましい。
[0019] The length of this outer lead is 0.5 mm.
It is desirable that the length be approximately 3 mm.

【0020】[0020]

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
つつ詳細に説明する。
Embodiments Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0021】本発明実施例のリードフレームは図1(a
) に示すように、ダイレクトボンディング用のリード
フレームであり、半導体素チップ載置部から4方向に伸
長するインナーリード1およびアウターリード3とを具
備し、このアウターリード3の長さlが1mm程度と短
く形成されていることを特徴とするものである。
A lead frame according to an embodiment of the present invention is shown in FIG.
), it is a lead frame for direct bonding, and is equipped with an inner lead 1 and an outer lead 3 extending in four directions from a semiconductor chip mounting part, and the length l of the outer lead 3 is about 1 mm. It is characterized by its short shape.

【0022】このリードフレームを用いて形成される半
導体装置は図1(b)に斜視図、図1(c) に断面図
を示すように、樹脂パッケージ4からアウターリード3
が曲げられることなく真っ直ぐに同一平面上を外側に1
mm伸長するように形成される。
A semiconductor device formed using this lead frame is shown in a perspective view in FIG. 1(b) and in a sectional view in FIG. 1(c).
1 straight outward on the same plane without being bent
It is formed to extend by mm.

【0023】図2(a) 乃至図2(d) は本発明実
施例のリードフレームおよびこれを用いた半導体装置の
製造工程を示す図である。
FIGS. 2(a) to 2(d) are diagrams showing a lead frame according to an embodiment of the present invention and a manufacturing process of a semiconductor device using the lead frame.

【0024】まず、図2(a) に示すようにアロイ4
2と指称されている帯状材料を、順送り金型を用いてイ
ンナーリード1やアウターリード3を形成する。2はダ
ムバー、7はサイドバーである。このリードフレームは
アウターリード3が短く形成されているため、帯状材料
は幅の狭いものでよく、また金型も小さいものが用いら
れる。
First, as shown in FIG. 2(a), the alloy 4
Inner leads 1 and outer leads 3 are formed from a strip-shaped material designated as 2 using a progressive die. 2 is a dumb bar, and 7 is a side bar. Since the outer leads 3 of this lead frame are formed short, the strip material may be narrow in width, and a small mold may be used.

【0025】このようにして、リードフレームの形状加
工を行った後、貴金属めっき工程やテーピング工程、焼
鈍工程などを行い、リードフレームの形成が完了する。
After the lead frame is shaped in this way, a noble metal plating process, a taping process, an annealing process, etc. are performed to complete the formation of the lead frame.

【0026】ついで図2(b) に示すようにこのリー
ドフレームのインナーリード先端の肉薄部を、半導体チ
ップのボンディングパッド上に当接するように位置決め
した後、肉薄部側からボンディングヘッド(図示せず)
によって加圧しつつ加熱して、リードフレームの先端肉
薄部と半導体チップ5の各ボンディングパッドとをバン
プによって直接接合せしめる。
Next, as shown in FIG. 2(b), the thin end of the inner lead of this lead frame is positioned so as to come into contact with the bonding pad of the semiconductor chip, and then a bonding head (not shown) is inserted from the thin end side. )
By applying pressure and heating, the thin end portion of the lead frame and each bonding pad of the semiconductor chip 5 are directly bonded to each other by bumps.

【0027】そしてこの後、図2(c) に示すように
、金型内に設置して、封止樹脂を充填し、モ−ルドを行
う。
After that, as shown in FIG. 2(c), it is placed in a mold, filled with sealing resin, and molded.

【0028】そして最後に、図2(d) に示すように
、アウターリード2を真っ直ぐに維持した状態でタイバ
ー2およびサイドバー7を切除し、図1に示したような
半導体装置が完成する。
Finally, as shown in FIG. 2(d), the tie bars 2 and side bars 7 are cut out while keeping the outer leads 2 straight, thereby completing the semiconductor device shown in FIG.

【0029】この半導体装置は図3に示すように配線パ
ターンPの形成された実装用のプリント基板8に形成さ
れた穴hのパッケージ4が半分程度埋まるようにし、所
望のアウターリード2と配線パターンPとがシルバーペ
ーストなどの導電性接着剤Sで接続固定される。
As shown in FIG. 3, in this semiconductor device, the hole h formed in the printed circuit board 8 for mounting on which the wiring pattern P is formed is filled about half of the package 4, and the desired outer lead 2 and wiring pattern are formed. P is connected and fixed with a conductive adhesive S such as silver paste.

【0030】このリードフレームによれば、アウターリ
ードを短くした分だけ、幅の狭い条材で形成でき、材料
コストが低減される上、金型も小さくすることができ金
型コストの低減をはかることができる。
[0030] According to this lead frame, the outer lead can be formed with a narrow strip material corresponding to the length of the shortened outer lead, which reduces material cost and also allows the mold to be made smaller, thereby reducing mold cost. be able to.

【0031】また、このようにして得られた半導体装置
は従来の面実装型の半導体装置に比べて大幅に小さくな
っており、実装基板上での実装密度を上げることができ
る。
Furthermore, the semiconductor device obtained in this manner is significantly smaller than a conventional surface-mounted semiconductor device, and the packaging density on the mounting board can be increased.

【0032】さらにまたアウターリードの曲げ加工工程
が不要であるため、位置精度を良好に維持することがで
き、寸法精度が高くかつアウターリード間での短絡不良
のない信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
Furthermore, since the bending process of the outer leads is not required, it is possible to maintain good positional accuracy, and to obtain a highly reliable semiconductor device with high dimensional accuracy and no short-circuit defects between the outer leads. be able to.

【0033】また、アウターリードの貴金属めっき後に
曲げ加工を行う必要がないことから、めっき層の剥離な
どもなく製品性の安定化をはかることができる。
Furthermore, since there is no need to bend the outer lead after precious metal plating, the product quality can be stabilized without peeling of the plating layer.

【0034】なお、前記実施例ではダムバーを有するリ
ードフレームについて説明したが、アウターリードは極
めて短いため、図4(a) に示すようにダムバーを省
略しアウターリードとインナーリードの一体化をはかる
ようにしてもよい。13はこのアウターリードとインナ
ーリードが一体化されたリードを示す。このリードフレ
ームを用いた場合、サイドバー7が樹脂封止工程におい
てはダムバーの役割を果たし、このサイドバーの位置で
樹脂が止められる。従って樹脂ばりがこのサイドバーの
位置まで達しているが、樹脂封止工程終了後、サイドバ
ー7の切除と同時にばりの除去を行うようにするとよい
In the above embodiment, a lead frame having a dam bar was described, but since the outer lead is extremely short, the dam bar is omitted and the outer lead and inner lead are integrated as shown in FIG. 4(a). You can also do this. Reference numeral 13 indicates a lead in which the outer lead and the inner lead are integrated. When this lead frame is used, the side bar 7 plays the role of a dam bar during the resin sealing process, and the resin is stopped at the position of this side bar. Therefore, the resin burr has reached the position of this side bar, but it is preferable to remove the burr at the same time as cutting out the side bar 7 after the resin sealing process is completed.

【0035】さらに、ダムバーを省略したリードフレー
ムの変形例として、図4(b) に示すようにパッケー
ジラインの内側(インナーリード)のみを成形し、アウ
ターリードとなる部分はサイドバー17として残したも
のもある。この場合も、サイドバー17が樹脂封止工程
においてはダムバーの役割を果たし、このサイドバーの
位置で樹脂が止められる。そして、樹脂封止工程終了後
、サイドバー17の一部をアウターリード23として残
して、(ハッチング領域Kを含む)残りの領域を打ち抜
き切除すると同時にばりの除去を行うようにするとよい
。 この例では、樹脂封止後、アウターリードの形状加工が
なされることになる。そして、アウターリードの形状加
工を良好にするために、ここではあらかじめ、アウター
リードの先端となる領域にスリットを形成しておくよう
にしている。
Furthermore, as a modification of the lead frame in which the dam bar is omitted, as shown in FIG. 4(b), only the inside of the package line (inner lead) is molded, and the part that will become the outer lead is left as a side bar 17. There are some things. In this case as well, the side bar 17 plays the role of a dam bar during the resin sealing process, and the resin is stopped at the position of this side bar. Then, after the resin sealing process is completed, it is preferable to leave a part of the side bar 17 as the outer lead 23 and remove the burr at the same time as punching out the remaining area (including the hatched area K). In this example, the shape of the outer lead is processed after resin sealing. In order to improve the shape processing of the outer lead, a slit is previously formed in the region that will become the tip of the outer lead.

【0036】また、前記実施例ではダイレクトボンディ
ング用のリードフレームについて説明したが、ワイヤボ
ンディング用のリードフレームについても適用可能であ
ることはいうまでもなく、、またフィルムキャリアなど
にも適用可能である。
[0036] In the above embodiment, a lead frame for direct bonding was explained, but it goes without saying that the present invention can also be applied to a lead frame for wire bonding, and also to a film carrier. .

【0037】[0037]

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、アウターリードが、配線との接続が可能な程度に短
く形成され、実装に際してアウターリードはパッケージ
から真っ直ぐに伸長し、曲げ加工がなされないため、歪
や位置ずれもなく極めて信頼性の高い半導体装置を得る
ことが可能となる。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, the outer leads are formed short enough to be connected to wiring, and during mounting, the outer leads extend straight from the package, and bending is not required. Therefore, it is possible to obtain an extremely reliable semiconductor device without distortion or positional deviation.

【0038】【[0038]

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

【0039】[0039]

【図1】本発明実施例のリードフレームおよびこれを用
いて形成した半導体装置を示す図
FIG. 1 is a diagram showing a lead frame according to an embodiment of the present invention and a semiconductor device formed using the same.

【0040】[0040]

【図2】本発明実施例のリードフレームおよび半導体装
置の製造工程図
[Fig. 2] Manufacturing process diagram of a lead frame and a semiconductor device according to an embodiment of the present invention

【0041】[0041]

【図3】本発明実施例の半導体装置の実装状態を示す図
FIG. 3 is a diagram showing a mounting state of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

【0042】[0042]

【図4】本発明の他の実施例の半導体装置に用いられる
リードフレームを示す図
FIG. 4 is a diagram showing a lead frame used in a semiconductor device according to another embodiment of the present invention.

【0043】[0043]

【図5】従来例の半導体装置を示す図[Fig. 5] Diagram showing a conventional semiconductor device

【0044】[0044]

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1  インナーリード 2  ダムバー 3  アウターリード 4  パッケージ 5  半導体チップ 7  サイドバー 8  プリント基板 S  導電性接着剤 P  配線パターン h  穴 13  リード 17  サイドバー K  切除される領域 23  アウターリード 1 Inner lead 2 Dam bar 3 Outer lead 4 Package 5 Semiconductor chip 7 Sidebar 8 Printed circuit board S Conductive adhesive P Wiring pattern h hole 13. Lead 17 Sidebar K Area to be excised 23 Outer lead

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】半導体素子搭載部の周りから外方に伸張す
る複数のリードを具備してなるリードフレームにおいて
前記リードのアウターリード部が、実装基板上の配線と
の接続が可能な程度に短く形成されていることを特徴と
するリードフレーム。
1. A lead frame comprising a plurality of leads extending outward from around a semiconductor element mounting portion, wherein an outer lead portion of the lead is short enough to be connected to wiring on a mounting board. A lead frame characterized by:
JP3045187A 1991-03-11 1991-03-11 Lead frame Pending JPH04340263A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3045187A JPH04340263A (en) 1991-03-11 1991-03-11 Lead frame

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3045187A JPH04340263A (en) 1991-03-11 1991-03-11 Lead frame

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04340263A true JPH04340263A (en) 1992-11-26

Family

ID=12712271

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3045187A Pending JPH04340263A (en) 1991-03-11 1991-03-11 Lead frame

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04340263A (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01128888A (en) * 1987-11-14 1989-05-22 Matsushita Electric Works Ltd Semiconductor ic device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01128888A (en) * 1987-11-14 1989-05-22 Matsushita Electric Works Ltd Semiconductor ic device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7019388B2 (en) Semiconductor device
JP4173346B2 (en) Semiconductor device
KR20040030283A (en) Lead frame and method of manufacturing the same
JP2936769B2 (en) Lead frame for semiconductor device
JP4243270B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JPH04340263A (en) Lead frame
JP3691790B2 (en) Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufactured by the method
JP3959898B2 (en) Manufacturing method of resin-encapsulated semiconductor device
JPH0537121A (en) Semiconductor device packaging substrate and package method of semiconductor device using it
JPH05121618A (en) Lead frame for semiconductor device and manufacture thereof
JP2001077285A (en) Lead frame and manufacture of resin-sealed semiconductor device using the same
JP2816757B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device
JP3230318B2 (en) Lead frame for semiconductor device
JP2524645B2 (en) Lead frame and manufacturing method thereof
JP4747188B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP2756857B2 (en) Lead frame manufacturing method
JP2923012B2 (en) Printed wiring board
JPH05315518A (en) Semiconductor device and manufacture thereof
JP2002164496A (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP3915338B2 (en) Lead frame and method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device using the same
JP2727251B2 (en) Lead frame and manufacturing method thereof
JPH06104314A (en) Film carrier
JPH0547985A (en) Manufacture of semiconductor device
JPH05251619A (en) Resin seal semiconductor device and manufacture thereof
JPH04297058A (en) Connector for semiconductor device