[go: up one dir, main page]

JPH04334056A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents

固体撮像装置の製造方法

Info

Publication number
JPH04334056A
JPH04334056A JP3104112A JP10411291A JPH04334056A JP H04334056 A JPH04334056 A JP H04334056A JP 3104112 A JP3104112 A JP 3104112A JP 10411291 A JP10411291 A JP 10411291A JP H04334056 A JPH04334056 A JP H04334056A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
transparent resin
imaging device
state imaging
solid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3104112A
Other languages
English (en)
Inventor
Takehiko Imai
今　井　竹　彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP3104112A priority Critical patent/JPH04334056A/ja
Priority to US07/879,013 priority patent/US5266501A/en
Priority to KR1019920007786D priority patent/KR950010205B1/ko
Publication of JPH04334056A publication Critical patent/JPH04334056A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/011—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
    • H10F39/024—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12 of coatings or optical elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/806—Optical elements or arrangements associated with the image sensors
    • H10F39/8063—Microlenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/30—Coatings
    • H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
    • H10F77/331—Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/40—Optical elements or arrangements
    • H10F77/413—Optical elements or arrangements directly associated or integrated with the devices, e.g. back reflectors

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Color Television Image Signal Generators (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は放送用三枚式カメラやス
チルカメラ等に好適な固体撮像装置およびその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３から図６は放送用三枚式カメラある
いはスチルカメラ等に使用される固体撮像装置の構造を
示したものであり、図３および図５は断面構造を示す断
面図、また図４および図６はそれらの平面図である。
【０００３】図３は２次元配列された感光部の列間に黒
色フィルタ等の光反射防止膜４を設けた構造を示してい
る。この光反射防止膜４を設けることにより、感光部以
外の場所に設けられた図示しない光遮蔽膜が反射する光
を遮り、フレア特性を改善する。このような光反射防止
膜４を有する固体撮像装置は主として放送用等の高性能
固体撮像装置に使用される。半導体基板１０の表面には
フォトダイオード部１とＣＣＤ部２とが形成され、その
表面は光架橋性を有する透明な平滑層３により平担に形
成される。ついでその表面に光反射防止膜４がＣＣＤ部
２の上面に位置するように配設される。さらにその表面
は平滑層３と同様の平滑層５により平担化され、その上
方にはフォトダイオード部１の直上に位置するように集
光レンズ層６が形成される。
【０００４】その後平滑層３、５と同様の透明樹脂層に
より保護層７が形成される。集光レンス層６はフォトダ
イオード部１で形成される感光部の感度向上を図るため
に設けられるもので、断面半円状のストライプレンズが
光反射防止膜４と平行に設けられている。
【０００５】図５は緑、赤、青の三原色色フィルタ９ａ
、９ｂ、９ｃがストライプ状に２次元配列された感光部
の列方向に、平滑層３、防染層８ａ、８ｂ及び保護層７
ａを介して配設された断面構造を、図６はその平面構造
を示している。この色フィルタ９ａ、９ｂ、９ｃはフォ
トダイオード部１の上面に位置するように配設される。 さらにこの色フィルタ９ａ、９ｂ、９ｃの上面には保護
層７ａを介して集光レンズ層６が形成され、さらにその
表面には保護層７ｂが形成されている。
【０００６】図４に示す構造は色再現性を重視した製品
、例えばスチルカメラ用ＣＣＤ等に使用されている。 なお電極取り出しのためのボンディングパッド１１はフ
ォトダイオード部１およびＣＣＤ部２より離れた位置に
形成され、その上面は電極取り出しのために平滑層、防
染層および保護層が除去された構造となっている。なお
、図３の構造と図５の構造とを同時に組み合わせて構成
することも可能である。
【０００７】図２は図３に示す従来の固体撮像装置の製
造方法を説明する工程別素子断面図である。まず図２（
ａ）に示すようにフォトダイオード部１とＣＣＤ部２と
を覆い、表面を平担化するための光架橋性を有する透明
な平滑層３を形成する。この平滑層３の形成に当たって
は、例えば、富士薬品製の商品名ＦＶＲを全面塗布して
選択露光し、アルミニウムボンディグパッド部１１のみ
が露出するように、例えば、メチルエチルケトン液によ
って現像して選択マスク層を形成する。
【０００８】ついで、図２（ｂ）に示すようにＣＣＤ部
２の上面にカゼインまたはゼラチンを塗布して選択露光
と現像を行い、黒色の光反射防止膜層４を形成する。つ
いで表面に平滑層５を選択形成する。このような工程を
繰り返すことにより図２（ｃ）に示すような構造を得る
ことができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来の固
体撮像装置とその製造方法では、半導体基板１０の表面
に色フィルタを加工する過程で、固体撮像素子に対する
電気的接続を確保するためのボンディングパッド１１上
のフィルタ構成材料を除去する必要があった。このため
光反射防止膜４あるいは光フィルタ９ａ、９ｂ、９ｃお
よび集光レンズ層６以外の平滑層３、５、、防染層８ａ
、８ｂ及び保護層７、７ａ、７ｂ等の透明樹脂層に光架
橋特性をもった材料を使用することが必要であった。 しかし前述した富士薬品製のＦＶＲのような光架橋性透
明樹脂では現在のところ露光による架橋度は完全とは言
えず、また、パターニング後の熱履歴により、この透明
樹脂層が収縮するという問題がある。したがって露光後
の熱収縮率をあらかじめ考慮してパターン設計をする必
要があった。
【００１０】このように、光反射防止膜、色フィルタま
たは集光レンズの寸法は、それを取り囲む平滑層、防染
層および保護層の収縮によって変化を受けるため、これ
を考慮したパターン設計が必要であった。この場合熱工
程、管理条件の変動および材料製造ロット間のばらつき
等であらかじめ見込んだ収縮率が変動してしまうことが
ある。固体撮像装置においては、色フィルタや光反射防
止膜及び集光レンズがそれらの相対位置が設計値から外
れた場合、画像品質へ非常に敏感に影響を与える。例え
ば１／３インチ４０万画素のＣＣＤの場合、画素ピッチ
自体は１０μｍのオーダであるが、相対位置変動がサブ
ミクロンのオーダで発生した場合、図７に示すように、
画像画面１００に縦方向の明るいまたは暗い線状の傷１
０１となって観察され製品不良を招く。
【００１１】本発明は上述した問題点を解消するために
なされたもので、製造工程や材料のばらつきに対して画
像不良の発生の少ない固体撮像装置とその製造方法を提
供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像装置は
、感光部上面に色フィルタ層と集光レンズ層とを配設し
、感光部以外の上面に光反射防止膜層を透明樹脂層によ
って所定位置に配設保持した固体撮像装置において、前
記透明樹脂層を熱硬化型透明樹脂層とした構造を用いて
いる。
【００１３】また本発明による固体撮像装置の製造方法
では、色フィルタ層、集光レンズ層及び／または光反射
防止膜層を熱硬化型透明樹脂層を介して半導体基板表面
の所定位置に配設保持する工程と、前記配設保持工程終
了後の半導体基板表面の電極取り出し面を露出させるよ
う光架橋性樹脂によりマスク層を形成する工程と、前記
マスク層を用いて前記熱硬化型透明樹脂層を選択除去し
て電極面を露出する工程とから構成されている。
【００１４】
【作用】本発明では相対位置の微妙な変動が撮像画面の
欠陥となって現れやすい固体撮像装置の構成材料を、従
来の光架橋型透明樹脂から熱硬化型透明樹脂に代えるこ
とにより架橋度を十分に与え不安定性を改善している。 また光フィルタ層、集光レンズ層及び／または光反射防
止膜層を形成するに際し、従来のように透明樹脂層を露
出することなく、これらの各層を形成した最終段階で熱
硬化型透明樹脂層を一括して選択除去してボンディング
パッドの電極面を露出するようにしている。
【００１５】
【実施例】図１は本発明による固体撮像装置の製造方法
を説明するための工程別素子断面図である。なお、従来
と同じ要素には同じ参照番号を付してある。
【００１６】図１（ａ）に示すようにフォトダイオード
１とＣＣＤ部２およびアルミニウムボンディングパッド
部１１が形成された半導体基板１０の表面に熱硬化型透
明樹脂層３０として、例えば、日本合成ゴム社製の商品
名オプトマーＳＳを全面塗布する。その後熱ベークを１
３０℃で１０分間行って、この熱硬化型透明樹脂層３０
を硬化させる。
【００１７】ついで図１（ｂ）に示すようにカゼインま
たはゼラチンを塗布し、選択露光を行うことにより光反
射防止膜４をＣＣＤ部２の上部に形成する。ついで再び
熱硬化型透明樹脂層で平滑層５０を形成する。次にフォ
トダイオード部１の上面に集光レンズ層６を形成する。 さらに、図１（ｃ）に示すように表面に熱硬化型透明樹
脂層により保護層７０を全面塗布して形成する。
【００１８】ついで電極取り出し用のボンディングパッ
ド１１を露出させるため、図１（ｄ）に示すように例え
ばカゼインのみの水溶性膜等のバッファ水溶性膜８０を
塗布し、ついで例えば東ソ−社製の商品名ＢＭＳ膜のよ
うな対酸素性エッチング性膜９０を塗布して選択露光を
施し、電極取出し面のみを露光させるマスクを形成し、
このマスクを用いて熱硬化型透明樹脂層である保護層７
０、防染層５０及び平滑層３０を酸素アッシングにより
除去して半導体基板１０の表面に形成されたボンディン
グパッド部１１を露出させる。
【００１９】なお、図１に示す実施例では色フィルタが
形成されていない構造であったが、色フィルタが形成さ
れる構造の物であっても同様に熱硬化型透明樹脂層を用
いることにより本発明の構造とその製造方法が適用でき
るのは言うまでもない。
【００２０】本発明を適用した結果、従来の光硬化性の
透明樹脂層を使用した場合には、図７に示したような不
良は１００個中８０個発生していたが、本発明の固体撮
像装置では透明樹脂層が熱硬化型に変更された結果１０
０個中皆無となった。これは熱硬化型樹脂の使用により
光反射防止膜、集光レンズ、色フィルタ等が安定に保持
され、相対位置変動が減少したためである。
【００２１】
【発明の効果】このように、本発明では熱硬化型透明樹
脂層を介して色フィルタ層、集光レンズ層及び／または
光反射防止膜層を所定位置に配設保持してすべての層形
成が終了した後に一括してこの熱硬化型透明樹脂層の必
要部分のエッチングを行うようにしたため平滑層、防止
感染層および保護層の収縮によって色フィルタ層、集光
レンズ層、光反射防止膜層等が位置変動を受けることが
無くなった。このため不良の発生を激減させることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の固体撮像装置の製造方法を説明する工
程別素子断面図。
【図２】従来の固体撮像装置の製造方法を説明する工程
別素子断面図。
【図３】従来の固体撮像装置の一例を示す素子断面図。
【図４】従来の固体撮像装置の一例を示す素子平面図。
【図５】従来の固体撮像装置のさらに他の構造例を示す
素子断面図。
【図６】従来の固体撮像装置のさらに他の構造例を示す
素子平面図。
【図７】固体撮像装置の不良によるテレビ画面上の不良
状態を示す図。
【符号の説明】
１　　フォトダイオード部 ２　　ＣＣＤ部 ４　　光反射防止膜 ６　　集光レンズ層 １０　　半導体基板 １１　　アルミニウムボンディングパッド部３０　　平
滑層 ５０　　平滑層 ７０　　保護層 ８０　　バッファ水溶性膜 ９０　　耐酸化性エッチング膜

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】感光部上方に色フィルタ層と集光レンズ層
    を配設し、感光部以外の上方に光反射防止膜層を透明樹
    脂層によって所定位置に配設保持した固体撮像装置にお
    いて、前記透明樹脂層を熱硬化型透明樹脂層としたこと
    を特徴とする固体撮像装置。
  2. 【請求項２】色フィルタ層、集光レンズ層および／又は
    光反射防止膜層を熱硬化型透明樹脂層を介して半導体基
    板表面の所定位置に配設保持する工程と、前記配設保持
    工程終了後の半導体基板表面の電極取出し面を露出させ
    るよう光架橋性樹脂によりマスク層を形成する工程と、
    前記マスク層を用いて、前記熱硬化型透明樹脂層を選択
    除去して電極面を露出させる工程とを備えた固体撮像装
    置の製造方法。
JP3104112A 1991-05-09 1991-05-09 固体撮像装置の製造方法 Pending JPH04334056A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3104112A JPH04334056A (ja) 1991-05-09 1991-05-09 固体撮像装置の製造方法
US07/879,013 US5266501A (en) 1991-05-09 1992-05-06 Method for manufacturing a solid state image sensing device using transparent thermosetting resin layers
KR1019920007786D KR950010205B1 (ko) 1991-05-09 1992-05-08 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3104112A JPH04334056A (ja) 1991-05-09 1991-05-09 固体撮像装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04334056A true JPH04334056A (ja) 1992-11-20

Family

ID=14372047

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3104112A Pending JPH04334056A (ja) 1991-05-09 1991-05-09 固体撮像装置の製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5266501A (ja)
JP (1) JPH04334056A (ja)
KR (1) KR950010205B1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0593197A1 (en) * 1992-10-06 1994-04-20 Matsushita Electronics Corporation Solid state colour imaging device and method of manufacturing the same
JP2002512436A (ja) * 1998-02-06 2002-04-23 シェルケース リミティド 集積回路デバイス
KR100533166B1 (ko) * 2000-08-18 2005-12-02 매그나칩 반도체 유한회사 마이크로렌즈 보호용 저온산화막을 갖는 씨모스이미지센서및 그 제조방법

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5529936A (en) * 1992-09-30 1996-06-25 Lsi Logic Corporation Method of etching a lens for a semiconductor solid state image sensor
JPH06244392A (ja) * 1993-02-17 1994-09-02 Sharp Corp 固体撮像装置およびその製造方法
JP2601148B2 (ja) * 1993-07-23 1997-04-16 日本電気株式会社 固体撮像装置
JP2950714B2 (ja) * 1993-09-28 1999-09-20 シャープ株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
JP3405620B2 (ja) * 1995-05-22 2003-05-12 松下電器産業株式会社 固体撮像装置
KR0151258B1 (ko) * 1995-06-22 1998-10-01 문정환 씨씨디 영상센서 및 그 제조방법
JP3308778B2 (ja) * 1995-09-29 2002-07-29 株式会社東芝 固体撮像装置の製造方法
JP3695082B2 (ja) * 1997-07-11 2005-09-14 ソニー株式会社 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法および撮像装置
US6057586A (en) * 1997-09-26 2000-05-02 Intel Corporation Method and apparatus for employing a light shield to modulate pixel color responsivity
US7408249B2 (en) * 1998-02-06 2008-08-05 Tessera Technologies Hungary Kft. Packaged integrated circuits and methods of producing thereof
EP0959505A3 (en) * 1998-05-18 2000-01-26 Eastman Kodak Company Method for planarising the device topography on solid state imagers
TW400657B (en) * 1998-06-09 2000-08-01 United Microelectronics Corp The manufacture method of CMOS sensor device
TW396645B (en) * 1998-06-16 2000-07-01 United Microelectronics Corp Manufacturing method of CMOS sensor devices
DE10109787A1 (de) * 2001-02-28 2002-10-02 Infineon Technologies Ag Digitale Kamera mit einem lichtempfindlichen Sensor
JP2002289904A (ja) * 2001-03-23 2002-10-04 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体受光素子とその製造方法
KR100410693B1 (ko) * 2001-06-30 2003-12-18 주식회사 하이닉스반도체 이미지센서 및 그 제조 방법
US6765276B2 (en) * 2001-08-23 2004-07-20 Agilent Technologies, Inc. Bottom antireflection coating color filter process for fabricating solid state image sensors
US6856007B2 (en) 2001-08-28 2005-02-15 Tessera, Inc. High-frequency chip packages
US7033664B2 (en) 2002-10-22 2006-04-25 Tessera Technologies Hungary Kft Methods for producing packaged integrated circuit devices and packaged integrated circuit devices produced thereby
JP2004304152A (ja) * 2003-03-20 2004-10-28 Seiko Epson Corp 半導体ウエハ、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
US7507598B2 (en) 2003-06-06 2009-03-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Image sensor fabrication method and structure
US6972480B2 (en) 2003-06-16 2005-12-06 Shellcase Ltd. Methods and apparatus for packaging integrated circuit devices
KR101078621B1 (ko) * 2003-07-03 2011-11-01 테쎄라 테크놀로지스 아일랜드 리미티드 집적회로 디바이스를 패키징하기 위한 방법 및 장치
US7224056B2 (en) 2003-09-26 2007-05-29 Tessera, Inc. Back-face and edge interconnects for lidded package
US8143095B2 (en) 2005-03-22 2012-03-27 Tessera, Inc. Sequential fabrication of vertical conductive interconnects in capped chips
JP4984634B2 (ja) * 2005-07-21 2012-07-25 ソニー株式会社 物理情報取得方法および物理情報取得装置
US7566853B2 (en) * 2005-08-12 2009-07-28 Tessera, Inc. Image sensor employing a plurality of photodetector arrays and/or rear-illuminated architecture
KR100731132B1 (ko) * 2005-12-29 2007-06-22 동부일렉트로닉스 주식회사 Ｃｍｏｓ 이미지 센서 및 그 제조 방법
US7936062B2 (en) 2006-01-23 2011-05-03 Tessera Technologies Ireland Limited Wafer level chip packaging
US8604605B2 (en) 2007-01-05 2013-12-10 Invensas Corp. Microelectronic assembly with multi-layer support structure
JP2013004859A (ja) * 2011-06-20 2013-01-07 Toshiba Corp 固体撮像装置及びその製造方法
FR3126170B1 (fr) * 2021-08-10 2024-10-04 St Microelectronics Crolles 2 Sas Procédé de fabrication d'un capteur d'images

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4523102A (en) * 1980-03-17 1985-06-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid-state color-image sensor and process for fabricating the same
US4388128A (en) * 1980-03-17 1983-06-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid-state color-image sensor and process for fabricating the same
JPS57105472A (en) * 1980-12-19 1982-06-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Adhesive for optical device
JPS60111461A (ja) * 1983-11-22 1985-06-17 Sharp Corp 画像読取素子

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0593197A1 (en) * 1992-10-06 1994-04-20 Matsushita Electronics Corporation Solid state colour imaging device and method of manufacturing the same
US5404005A (en) * 1992-10-06 1995-04-04 Matsushita Electronic Corporation Solid state imaging device and method of manufacturing same
JP2002512436A (ja) * 1998-02-06 2002-04-23 シェルケース リミティド 集積回路デバイス
US9530945B2 (en) 1998-02-06 2016-12-27 Invensas Corporation Integrated circuit device
KR100533166B1 (ko) * 2000-08-18 2005-12-02 매그나칩 반도체 유한회사 마이크로렌즈 보호용 저온산화막을 갖는 씨모스이미지센서및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR950010205B1 (ko) 1995-09-11
US5266501A (en) 1993-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH04334056A (ja) 固体撮像装置の製造方法
CN100365820C (zh) 固体摄像器件、固体摄像器件的制造方法、摄影机
JP2996958B2 (ja) 半導体光電素子に対して、合焦及びカラーフィルタリングする構造およびその構造の製造方法
US7986019B2 (en) Solid-state imaging device and its manufacturing method
JPH05134109A (ja) カラーフイルタの製造方法
US6582988B1 (en) Method for forming micro lens structures
US20050270594A1 (en) Solid-state imaging device, method for manufacturing the same and camera
JPH06224398A (ja) 固体撮像素子及びその製造方法
US6251700B1 (en) Method of manufacturing complementary metal-oxide-semiconductor photosensitive device
JP3711211B2 (ja) 固体撮像装置
JPH11150252A (ja) カラー固体撮像素子とその製造方法
JP2004356585A (ja) 固体撮像装置の製造方法および固体撮像装置。
JPH04229802A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
TW201444069A (zh) 固體攝像裝置及其製造方法、以及電子機器
JPH0624232B2 (ja) 固体撮像装置の製造方法
JP2992515B1 (ja) 相補形金属−酸化物−半導体（ｃｍｏｓ）センサデバイスの製造方法
US6429038B2 (en) Solid-state imaging device and method of manufacturing the same
US5426058A (en) Method of manufacturing solid-state imaging device
JP2892865B2 (ja) 固体撮像素子の製造方法
JPH03190168A (ja) 固体撮像装置の製造方法
KR960006203B1 (ko) 고체 촬상 소자 제조방법
JPH06112454A (ja) マイクロレンズの製造方法および半導体装置の製造方法
JPH10209410A (ja) 固体撮像素子の製造方法
JPH06140610A (ja) 固体撮像素子及びその製造方法
JP2680598B2 (ja) マイクロ集光レンズの形成方法