JPH04331920A

JPH04331920A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JPH04331920A
Application number: JP3130269A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Nishio; 浩西尾; Ken Ikeuchi; 謙池内
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1991-05-07
Filing date: 1991-05-07
Publication date: 1992-11-19

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に関し、詳
細には、アクティブマトリクス型液晶表示装置のドレイ
ン断線を修復する技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】薄膜トランジスタを備えるＴＶ用等の液
晶表示装置はガラス基板にゲート電極、絶縁膜、アモル
ファスミリコン層、イオンをドープしたアモルファスシ
リコン層、ソース電極、およびドレイン電極を順次形成
し、ソース電極と表示電極とを接続した一画素単位の表
示領域を約３０万個〜１５０万個単位基板上に形成して
所定の表示を行う。この液晶表示装置を製造する場合、
特に薄膜トランジスタを形成する基板製造工程にゴミ等
の付着によりドレインバスあるいはゲートバスが断線し
、かかる断線したバスの薄膜トランジスタには所定の信
号電圧が印加されず、不良品となる問題がある。かかる
問題を解決するべく、あらかじめ基板上に各バスを修正
するための修正ラインを設けて断線不良となったバスを
再生する方法が知られている。

【０００３】図６を参照してアクティブマトリクス型液
晶表示装置のドレイン断線の修復技術を説明する。同図
は薄膜トランジスタ、画素並びに補助容量を等価回路で
示す液晶表示装置の概略平面図であって、液晶表示装置
はＴＦＴ基板（５０）上に平行配列された複数のドレイ
ンバス（５２ａ）〜（５２ｎ）、このドレインバス（５
２ａ）〜（５２ｎ）のそれぞれの端子（５４ａ）〜（５
４ｎ）、ドレインバス（５２ａ）〜（５２ｎ）と直交す
る複数のゲートバス（５６ａ）〜（５６ｎ）、ドレイン
バス（５２ａ）〜（５２ｎ）とゲートバス（５６ａ）〜
（５６ｎ）の交点毎に配列され、ドレインバス（５２ａ
）〜（５２ｎ）、ゲートバス（５６ａ）〜（５６ｎ）に
それぞれドレイン、ゲートが接続される薄膜トランジス
タ（５８ｉｊ）、薄膜トランジスタ（５８ｉｊ）のソー
スに接続続された液晶セル（６０ｉｊ）および補助容量
（６２ｉｊ）で表現されている。この液晶表示装置では
基板（５０）上の周辺部にコの字状のドレイン修正ライ
ン（６４）が形成されている。

【０００４】端子（５４ａ）〜（５４ｎ）よりドレイン
バス（５２ａ）〜（５２ｎ）の電位が制御される図示の
液晶表示装置において、上記したように、例えばドレイ
ンバス（５２ｉ）のａ点に断線障害が発生すると、液晶
セル（６０ｉｊ＋１）〜（６０ｉｎ）が表示不能となる
。この場合、ドレインバス（５２ｉ）とドレイン修正ラ
イン（６４）の２個所の交点の絶縁層（図示されていな
い）を、例えばレーザ照射によって除去すると共にドレ
インバス（５２ｉ）とドレイン修正ライン（６４）を溶
融、接続すると、液晶セル（６０ｉａ）〜（６０ｉｊ）
は元のドレインバス（５２ｉ）により電位制御され、液
晶セル（６０ｉｊ＋１）〜（６０ｉｎ）はドレイン修正
ライン（６４）を介して電位制御される結果、ドレイン
バス（５２ｉ）が修復される。なお、複数のドレイン修
正ライン（６４）を並列形成すれば複数のドレイン断線
に対応できる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本件の発明者は液晶表
示パネルを小型化するために、上記した修正ラインを液
晶表示領域内に配置した。しかし、かかる構造では、本
願発明で問題としているライン断線が生じ、レーザで修
正したとき、断線ラインが選択されて所定の信号電圧が
印加されるため、対向基板側に設けられた共通電極との
間の浮遊容量により表示品位が悪化する問題があった。

【０００６】そこで、この問題を解決するために修正ラ
インを図７に示すように、液晶表示領域外、即ち、薄膜
トランジスタ側の基板（５０）の露出領域上に形成しな
ければならなかった。しかしながら、表示領域外の基板
露出領域上に修正ライン（６４）が形成されているため
、例えば半田付工程において使用されるフラックスによ
りドレイン修正ライン（６４）が腐食、断線するおそれ
があった。また、些細な取扱いの誤りによりドレイン修
正ライン（６４）を断線させるおそれがあった。さらに
は、ドレイン修正ライン（６４）の引き回しのためにＴ
ＦＴ基板サイズが大きくなる欠点を有する。本発明は上
記したドレイン修正ラインの保護および修復時の液晶表
示装置に対する影響を考慮してなされたものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、ＴＦＴ基板上
のデットスペースである液晶封着シール部に修正ライン
を形成したことを主要な特徴とする。

【０００８】

【作用】ＴＦＴ基板上の液晶封着シール部に修正ライン
を形成したためＴＦＴ基板サイズが縮小されるとともに
修正ラインの耐候性が向上する。また、修復処理時のガ
ス発生および熱衝撃から液晶表示装置の機能が保護され
る。

【０００９】

【実施例】図１乃至図５を参照して本発明の一実施例を
説明する。なお、図１は実施例の概略平面図であり、図
２は側面図である。また、図３はドレイン修正ラインと
ドレインバスの交点近傍の拡大断面図であり、図４およ
び図５はドレイン復処理前後のドレイン修正ラインとド
レインバスの交点近傍の断図である。表示装置自体の構
造、機能並びにドレイン断線修復原理は従来例と変わら
ないので説明を省略する。

【００１０】図１および図２を参照すると、本発明の液
晶表示装置はドレインバス（１２ａ）〜（１２ｎ）、（
１３ａ）〜（１３ｎ）およびその端子（１４ａ）〜（１
４ｎ）、（１５ａ）〜（１５ｎ）、ドレイン修正ライン
（１６）、ゲート電極（１７）等が形成されたＴＦＴ基
板（１０）と、対向基板（３０）と、これらＴＦＴ基板
（１０）と対向基板（３０）を所定間隔で離間配置し、
内部に充填された液晶を封止する封着シール部（４０）
から構成される。ドレインバス（１２ａ）〜（１２ｎ）
、（１３ａ）〜（１３ｎ）は、図示するように、ＴＦＴ
基板（１０）の対向辺に交互に導出される。

【００１１】図３を参照すると、ＴＦＴ基板（１０）の
中央部から導出されたドレインバス（１２ａ）は第１の
コンタクト（２０）、第１の金属層（１８）、第２のコ
ンタクト（２１）を介してドレイン端子（１４ａ）に電
気的に接続され、ドレイン修正ライン（１６）とは絶縁
層（１９）（２２）（２３）で絶縁される。

【００１２】第１の金属層（１８）はクロム（Ｃｒ）ス
パッタによるＴＦＴのゲート形成時に、ドレイン修正ラ
イン（１６）の近傍をパターン化したものであり、絶縁
層（１９）にはＳｉＮｘ等をＣＶＤ形成したゲート絶縁
膜が使用される。また、絶縁層（２２）（２３）は同様
に形成した、それぞれアモルファスシリコン、ＳｉＮｘ
であり、ＴＦＴの半導体活性層およびパシベーション層
形成時に同時形成されたものである。これらの絶縁層（
２２）（２３）はドレイン修正ライン（１６）と第１の
金属層（１８）間の絶縁をより確保するために形成され
る。さらに、第１および第２のコンタクト（２０）（２
１）、ドレイン修正ライン（１６）はＴＦＴのドレイン
電極、ドレインバス（１２ａ）を形成するアルミニウム
スパッタにより形成される。このドレイン修正ライン（
１６）の線巾は約５０μｍである。

【００１３】図４に示すように、上述したドレイン修正
ライン（１６）上には対向基板との接着を行うための接
着シール部（４０）により完全密封される。本実施例で
はシール部（４０）の巾は約１ｍｍ〜２ｍｍ程度である
ため複数の修正ライン（１６）を設けることが可能であ
る。また、本発明ではドレイン修正ライン（１６）とド
レインバス（１２ａ）〜（１２ｎ）の上下の配置並びに
修正すべきバスは問わない。同図より、従来例に比較し
て、ＴＦＴ基板（１０）のサイズがドレイン修正ライン
（１６）の引き回しスペースだけ縮小されているのが明
らかである。

【００１４】次に、図４および図５を参照してドレイン
修復処理を説明する。ＴＦＴ基板（１０）および対向基
板（３０）の基体としてガラス基板を使用する液晶表示
装置では、ＴＦＴ基板（１０）および対向基板（３０）
間に形成したドレイン修正ライン（１６）の機械的処理
が不可能であり、従来例の説明で述べたように、ＹＡＧ
等の赤外線レーザによる処理対象の蒸発、溶融が利用さ
れる。

【００１５】今、ＴＦＴ基板（１０）のガラス基板（１
１）の裏面より高エネルギーの赤外線レーザを照射する
と、ゲート電極材料（クロム・モリブデン）で形成され
、ドレインバスを構成する第１の金属層（１８）がまず
溶融し、絶縁層（１９）（２２）（２３）が順次、爆発
的に蒸発する。そして、この蒸発がドレイン修正ライン
（１６）に達して、ドレイン修正ライン（１６）が溶融
を開始すると、溶融金属の表面張力により先に溶融して
いる第１の金属層（１８）の金属材料とアロイ化して、
ドレイン修正ライン（１６）と第１の金属層（１８）が
電気的に接続される。この修復処理は極めて短時間内に
行われ、また封着シール部（４０）が存在するためガス
化の圧力および熱衝撃は緩和され液晶表示装置の機能は
損なわれない。

【００１６】本発明では、上記したように、デッドスペ
ースである液晶封着シール部に修正ラインが配置される
ために対極基板とＴＦＴ基板とを一体化した後、あるい
は基板間に液晶を注入し完成品とした状態でレーザ修正
が可能でありその効果は大である。また、レーザ修正後
の図５を見るとレーザ修正は１個所のように見えるが、
修正の確実性を求める場合には複数個所の修正がよい。以上に述べた実施例では、断線が生じやすいドレインバ
スの修正について説明したが、本発明はドレインバスの
修正のみならずゲートバスの修正も同様に行える。

【００１７】

【発明の効果】本発明の液晶表示装置は、ドレインある
いはゲート修正ラインを、ＴＦＴ基板と対向基板を所定
間隔で離間配置し、内部の充填液晶を封止する封着シー
ル部に配置、形成したためＴＦＴ基板のサイズがドレイ
ン修正ラインの引き回しスペースだけ縮小される。また
、修正ラインが密封封止されるため、機械的強度が向上
すると共に耐薬品能も向上する。

【００１８】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の平面図。

【図２】実施例の側面図。

【図３】ドレイン修正ラインとドレインバスの交点近傍
の拡大断面図。

【図４】ドレイン修復前の実施例の断面図。

【図５】ドレイン修復後の実施例の断面図。

【図６】ドレイン修復を説明する液晶表示素子の等価回
路図。

【図７】従来例の平面図。

【符号の説明】

１０　　ＴＦＴ基板１６　　ドレイン修正ライン３０　　対向基板４０　　封着シール部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】　　薄膜トランジスタおよびこの薄膜トラ
ンジスタにより電位制御される表示電極を備えるＴＦＴ
基板と前記表示電極の対向電極を備える対向基板との間
隙に液晶を充填した液晶表示装置であって、ＴＦＴ基板
上の、液晶封着シール部に修正ラインを配置したことを
特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】　　前記修正ラインはドレイン用修正ライ
ンであることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置
。
【請求項３】　　前記ドレイン修正ラインとドレインバ
スとの接続をレーザ照射により行ったことを特徴とする
請求項１の液晶表示装置。