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JPH04319610A - Inspecting apparatus of flip chip - Google Patents

Inspecting apparatus of flip chip

Info

Publication number
JPH04319610A
JPH04319610A JP8671491A JP8671491A JPH04319610A JP H04319610 A JPH04319610 A JP H04319610A JP 8671491 A JP8671491 A JP 8671491A JP 8671491 A JP8671491 A JP 8671491A JP H04319610 A JPH04319610 A JP H04319610A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
image
sensor
optical image
tdi
stage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP8671491A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Satoshi Iwata
敏 岩田
Moritoshi Ando
護俊 安藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP8671491A priority Critical patent/JPH04319610A/en
Publication of JPH04319610A publication Critical patent/JPH04319610A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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  • Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)

Abstract

PURPOSE:To detect an X-ray fluoroscopic image at a high speed and with high resolution and high sensitivity by a method wherein an optical image corresponding to an image of X-rays transmitted through a substance to be inspected is applied to a TDI(time delayed integrated) sensor having a plurality of pixel lines. CONSTITUTION:An image of X-rays transmitted through a substance 3 to be inspected is received and turned into an optical image by a fluorescent screen. The optical axis of the optical image is changed by a mirror 5 and the image is formed and condensed by lens systems 6 and 8. This optical image is applied to a TDI sensor 9 comprising a plurality of pixel lines and having an image superposing function. An image processing means 11 receives as an input an electric charge generated in the sensor 9, executes an image processing and outputs a two-dimensional image. A stage control means 12 makes a stage 2 run straight so that the optical image of the substance 3 applied onto the sensor 9 be shifted in the same direction with that of charge transfer between adjacent pixel lines of the sensor 9 so that it corresponds to the speed of the charge transfer. Besides, it is effective to provide a microchannel plate 7 which reinforces the luminance of the optical image sensed by the sensor 9.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、フリップチップ検査装
置、特に、基板上の電極に接続されたフリップチップの
マイクロバンプの欠陥の検査に必要なX線透視画像を検
出する装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flip chip inspection device, and more particularly to a device for detecting X-ray fluoroscopic images necessary for inspecting microbumps on a flip chip connected to electrodes on a substrate for defects.

【0002】プリント基板に実装される電子部品は近年
益々微小化し、また、電子部品の実装密度も高くなって
いる。これに伴って、外観検査では検査不可能な部分が
多くなってきている。例えば、フリップチップの接続部
には半径200μm程度の微小なマイクロバンプが多数
形成されているが、これらのマイクロバンプはLSIパ
ッケージの陰に隠れているため、光学的手法をもってし
ては検査することができない。X線を使用した透視によ
る検査手法は、このような場合の有効な検査手法である
[0002] In recent years, electronic components mounted on printed circuit boards have become increasingly miniaturized, and the mounting density of electronic components has also increased. Along with this, there are an increasing number of parts that cannot be inspected by visual inspection. For example, many tiny microbumps with a radius of about 200 μm are formed at the connection part of a flip chip, but since these microbumps are hidden behind the LSI package, they cannot be inspected using optical methods. I can't. A fluoroscopic inspection method using X-rays is an effective inspection method in such cases.

【0003】0003

【従来の技術】図4に、フリップチップの斜視図を示す
。フリップチップ21は半径200μm程度の多数のマ
イクロバンプ22を介して基板23上の電極に接続され
ている。
2. Description of the Related Art FIG. 4 shows a perspective view of a flip chip. The flip chip 21 is connected to an electrode on a substrate 23 via a large number of microbumps 22 with a radius of about 200 μm.

【0004】図5と図6とに、フリップチップの接続部
のマイクロバンプの形状の例を示す。図5に示すものは
正常なマイクロバンプの外形図であり、図6に示すもの
は不良なマイクロバンプの外形図である。すなわち、図
6の(a)はバンプ間の融合が不十分であり、同図の(
b)(c)(d)は局部的にくびれており、同図の(e
)は内部にボイドがあり、同図の(f)は位置ずれがあ
り、同図の(g)は上部が細くなっている。
[0004] FIGS. 5 and 6 show examples of the shape of microbumps at the connection portion of a flip chip. What is shown in FIG. 5 is an external view of a normal microbump, and what is shown in FIG. 6 is an external view of a defective microbump. In other words, in (a) of FIG. 6, the fusion between the bumps is insufficient, and (
b) (c) and (d) are locally constricted, and (e in the same figure)
) has a void inside, (f) in the same figure has a positional shift, and (g) in the same figure has a narrow upper part.

【0005】したがって、フリップチップの接続後に、
接続部におけるマイクロバンプの欠陥の有無を検査する
必要があるが、このような欠陥を検査するのに適した光
学的検査技術は現在のところ見当たらない。
[0005] Therefore, after connecting the flip chip,
Although it is necessary to inspect the presence or absence of microbump defects in the connection portion, there is currently no optical inspection technique suitable for inspecting such defects.

【0006】X線を使用して高速に検査する方法として
は、CCDラインセンサを使用してマイクロバンプのX
線透視画像に対応する信号電荷を取り出し、それを画像
化して欠陥を検出する方法が検討されている。
[0006] A high-speed inspection method using X-rays uses a CCD line sensor to
A method of extracting a signal charge corresponding to a line perspective image and converting it into an image to detect defects is being considered.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】CCDラインセンサを
使用する方法は、検査速度の向上は期待できるが、反面
、ラインセンサの画素当りの電荷蓄積時間が減少する。 マイクロバンプの検査に使用するX線量は約1R(レン
トゲン)/min と微量であるため、蓄積時間が少な
いとX線画像特有の量子ノイズが増加し、検査可能なS
/N比を得ることは困難となる。
The method using a CCD line sensor is expected to improve the inspection speed, but on the other hand, the charge accumulation time per pixel of the line sensor is reduced. The amount of X-rays used to inspect microbumps is as small as approximately 1R (roentgen)/min, so if the accumulation time is short, quantum noise specific to the
/N ratio becomes difficult to obtain.

【0008】本発明の目的は、これらの欠点を解消する
ことにあり、高速、高分解能、高感度をもってフリップ
チップ接続部のマイクロバンプのX線透視画像を検出で
きるフリップチップ検査装置を提供することにある。
An object of the present invention is to eliminate these drawbacks, and to provide a flip-chip inspection device that can detect X-ray fluoroscopic images of microbumps on flip-chip connections at high speed, high resolution, and high sensitivity. It is in.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記の目的は、下記いず
れの手段によっても達成される。
[Means for Solving the Problems] The above object can be achieved by any of the following means.

【0010】第1の手段は、微小焦点X線源(1)と、
この微小焦点X線源(1)に対向して設けられ、フリッ
プチップの接続された被検査物(3)を載置して移動す
るステージ(2)と、前記の被検査物(3)を透過した
X線像を受光して光学像に変換する蛍光板(4)と、こ
の蛍光板(4)で変換された光学像の光軸を変更するミ
ラー(5)と、前記の光学像を結像・集光するレンズ系
(6・8)と、このレンズ系(6・8)によって結像・
集光された光学像を照射されて電荷を発生する複数の画
素ラインよりなり、画像重畳機能を有するTDI(Ti
me Delayed Integrated )セン
サ(9)と、このTDIセンサ(9)の出力信号を入力
されて画像処理をなし、二次元画像を出力する画像処理
手段(11)と、前記のTDIセンサ(9)上に照射さ
れる被検査物(3)の光学像が、TDIセンサ(9)の
隣接する画素ライン間の電荷移送速度に対応して電荷移
送方向と同じ方向に移動するように、前記のステージ(
2)を直線走行させるステージ制御手段(12)とを有
するフリップチップ検査装置である。なお、TDIセン
サ(9)の受光する光学像の輝度を増強するMCP(M
icro Channel Plate )(7)が設
けられると効果的である。
[0010] The first means includes a minute focus X-ray source (1);
A stage (2) is provided to face the fine focus X-ray source (1), and a stage (2) on which an object to be inspected (3) to which a flip chip is connected is placed and moves; A fluorescent screen (4) that receives the transmitted X-ray image and converts it into an optical image, a mirror (5) that changes the optical axis of the optical image converted by the fluorescent screen (4), and a mirror (5) that forms the optical image.・The lens system (6, 8) that condenses the light and the image formed by this lens system (6, 8)
TDI (Ti
an image processing means (11) that receives the output signal of the TDI sensor (9), performs image processing, and outputs a two-dimensional image; The said stage (
2) and a stage control means (12) for causing the stage to travel in a straight line. In addition, MCP (M
It is effective if an icro Channel Plate (7) is provided.

【0011】第2の手段は、微小焦点X線源(1)と、
この微小焦点X線源(1)に対向して設けられ、フリッ
プチップの接続された被検査物(3)を載置して移動す
るステージ(2)と、前記の被検査物(3)を透過した
X線像を受光して輝度の増強された光学像を出力するX
線イメージインテンシファイア(13)と、このX線イ
メージインテンシファイア(13)の出力する光学像を
集光する集光レンズ(8)と、この集光レンズ(8)に
よって集光された前記光学像を照射されて電荷を発生す
る複数の画素ラインよりなり、画像重畳機能を有するT
DI(Time DelayedIntegrated
 )センサ(9)と、このTDIセンサ(9)の出力信
号を入力されて画像処理をなし、二次元画像を出力する
画像処理手段(11)と、前記のTDIセンサ(9)上
に照射される被検査物(3)の光学像が、TDIセンサ
(9)の隣接する画素ライン間の電荷移送速度に対応し
て電荷移送方向と同じ方向に移動するように、前記のス
テージ(2)を直線走行させるステージ制御手段(12
)とを有するフリップチップ検査装置である。
The second means includes a fine focus X-ray source (1);
A stage (2) is provided to face the fine focus X-ray source (1), and a stage (2) on which an object to be inspected (3) to which a flip chip is connected is placed and moves; X that receives the transmitted X-ray image and outputs an optical image with enhanced brightness
a ray image intensifier (13), a condenser lens (8) that condenses the optical image output from the X-ray image intensifier (13), and a condenser lens (8) that condenses the optical image output from the X-ray image intensifier (13); T is made up of multiple pixel lines that generate electric charges when irradiated with an optical image, and has an image superimposition function.
DI (Time Delayed Integrated
) sensor (9), an image processing means (11) that receives the output signal of this TDI sensor (9), performs image processing, and outputs a two-dimensional image; The stage (2) is moved such that the optical image of the object (3) to be inspected moves in the same direction as the charge transfer direction in accordance with the charge transfer speed between adjacent pixel lines of the TDI sensor (9). Stage control means (12) for running in a straight line
) is a flip chip inspection device.

【0012】なお、ステージ制御手段(12)に代えて
、TDIセンサ(9)の隣接する画素ライン間の電荷移
送速度に対応して電荷移送方向と逆方向に前記のTDI
センサ(9)を移動させるTDIセンサ制御手段を設け
るようにしてもよい。また、前記のTDIセンサ(9)
はタップ付TDIセンサであることが好ましい。
[0012] Instead of the stage control means (12), the TDI sensor (9) is operated in a direction opposite to the charge transfer direction in accordance with the charge transfer speed between adjacent pixel lines of the TDI sensor (9).
TDI sensor control means for moving the sensor (9) may be provided. In addition, the TDI sensor (9)
is preferably a tapped TDI sensor.

【0013】[0013]

【作用】図1の原理図を参照して本発明の作用を説明す
る。図において3はフリップチップの接続された被検査
物であり、4は被検査物3を透過したX線像を光学像に
変換する蛍光板であり、9はTDI(Time Del
ayed Integral )CCDセンサである。
[Operation] The operation of the present invention will be explained with reference to the principle diagram shown in FIG. In the figure, 3 is a test object to which a flip chip is connected, 4 is a fluorescent screen that converts the X-ray image transmitted through the test object 3 into an optical image, and 9 is a TDI (Time Del
ayed Integral) CCD sensor.

【0014】TDICCDセンサ9は、図に示すように
、受光部に光を照射されると電荷を発生する多数の画素
がライン状に配列されたものがn本並列に配置されてい
るもので、例えば1番目の画素ラインに発生した電荷は
一定時間後に隣接する2番目の画素ラインに移送される
。このようにして順次隣接する画素ラインに移送された
電荷は最後にn番目の画素ラインに移送され、そこから
外部に取り出される。
As shown in the figure, the TDICCD sensor 9 has a number of pixels arranged in a line, each of which generates an electric charge when the light receiving portion is irradiated with light, and is arranged in parallel. For example, charges generated in a first pixel line are transferred to an adjacent second pixel line after a certain period of time. The charges sequentially transferred to adjacent pixel lines in this manner are finally transferred to the n-th pixel line and taken out from there.

【0015】被検査物3のA点に対応する光がTDIC
CDセンサ9の1番目の画素ライン上のa点に照射され
たとする。a点に発生した電荷は或一定時間後に2番目
の画素ラインのa’点に移送される。電荷の移送に合わ
せて被検査物3を図において右方向(電荷の移送方向と
同じ方向)に移動してA点をA’点まで移動させると、
2番目の画素ライン上のa’点に、先に1番目の画素ラ
イン上のa点に照射された光と同じ光(被検査物3のA
点に対応する光)が照射されて電荷を発生し、1番目の
画素ラインのa点から2番目の画素ラインのa’点に移
送された電荷に重畳される。
The light corresponding to point A of the object to be inspected 3 is TDIC.
Suppose that point a on the first pixel line of the CD sensor 9 is irradiated. The charge generated at point a is transferred to point a' of the second pixel line after a certain period of time. When the inspected object 3 is moved to the right in the figure (the same direction as the charge transfer direction) in accordance with the charge transfer, and the point A is moved to the point A',
The same light that was previously applied to point a on the first pixel line (A of object 3) is applied to point a' on the second pixel line.
The light corresponding to the point) is irradiated to generate a charge, which is superimposed on the charge transferred from point a of the first pixel line to point a' of the second pixel line.

【0016】上記の工程をn番目の画素ラインまで順次
繰り返すことによって、被検査物3に対応する光学像に
よるTDICCDセンサ9の電荷蓄積時間は通常のCC
Dラインセンサのn倍になる。一般に、量子ノイズは画
像信号の収集時間がn倍になると1/√nに減少するの
で、S/N比の良好な画像の検出が可能になる。
By sequentially repeating the above steps up to the n-th pixel line, the charge accumulation time of the TDICCD sensor 9 due to the optical image corresponding to the object 3 to be inspected is equal to that of the normal CC
It is n times as large as the D line sensor. In general, quantum noise decreases to 1/√n when the image signal acquisition time increases n times, so it becomes possible to detect an image with a good S/N ratio.

【0017】また、信号取り出し部にタップが設けられ
ているタップ付TDICCDセンサを使用すれば、タッ
プで分割された信号取り出し部の複数の領域の画像信号
が同時に並行して取り出されるので画像信号の取り出し
が高速化される。その結果、例えば16タップ付のTD
ICCDセンサを使用すれば約1桁検査速度が高速化す
る。
Furthermore, if a tapped TDICCD sensor in which a tap is provided in the signal extraction section is used, the image signals of a plurality of regions of the signal extraction section divided by the taps are simultaneously extracted in parallel. Retrieval is faster. As a result, for example, a TD with 16 taps
If an ICCD sensor is used, the inspection speed will be increased by about one order of magnitude.

【0018】なお、微小焦点タイプのX線源、すなわち
、X線焦点が直径10μm以下のX線源を使用すること
によって10μm程度の分解能を得ることができる。
Note that a resolution of about 10 μm can be obtained by using a microfocus type X-ray source, that is, an X-ray source with an X-ray focal point of 10 μm or less in diameter.

【0019】[0019]

【実施例】以下、図面を参照して、本発明の三つの実施
例に係るフリップチップ検査装置について説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Referring to the drawings, flip chip inspection apparatuses according to three embodiments of the present invention will be described below.

【0020】第1例 図2にフリップチップ検査装置の構成図を示す。図にお
いて、1はX線焦点が10μm程度の微小焦点X線源で
あり、2はフリップチップの接続された被検査物3を載
置し、X・Y・Z方向に移動可能なステージであり、4
は被検査物3を透過した微小焦点X線源1の発生するX
線像を光学像に変換する蛍光板(希土類蛍光材、プラス
ティックシンチレータなど)である。5は光学像をX線
放射路外に取り出すためのミラーであり、6は結像レン
ズであり、7は光学像の輝度を増強するMCP(Mic
ro Channel Plate )であり、8は集
光レンズであり、9はTDICCDセンサである。こゝ
で、ミラー5が必要な理由は、もし、MCPを、蛍光板
の下に直接置くことゝすると、X線によるノイズが混入
すると云う欠点があるので、この欠点を解消するためで
ある。
First Example FIG. 2 shows a configuration diagram of a flip chip inspection apparatus. In the figure, 1 is a micro-focus X-ray source with an X-ray focus of about 10 μm, and 2 is a stage on which an object to be inspected 3 to which a flip chip is connected is placed and is movable in the X, Y, and Z directions. ,4
is the X generated by the minute focus X-ray source 1 that has passed through the inspected object 3
A fluorescent screen (rare earth fluorescent material, plastic scintillator, etc.) that converts a line image into an optical image. 5 is a mirror for taking the optical image out of the X-ray radiation path, 6 is an imaging lens, and 7 is an MCP (Mic) that enhances the brightness of the optical image.
ro Channel Plate), 8 is a condenser lens, and 9 is a TDICCD sensor. Here, the reason why the mirror 5 is necessary is to eliminate the drawback that if the MCP is placed directly under the fluorescent screen, noise due to X-rays will be mixed in.

【0021】10はA/D変換器であり、複数のタップ
によって複数の領域に分割されたTDICCDセンサ9
の電荷取り出し領域のそれぞれから同時に並行して短時
間に取り出された信号電荷をA/D変換するものである
。 11はA/D変換器10から出力されるデジタル信号を
入力されて二次元画像を出力する画像処理手段である。 この二次元画像を使用して、別途設けられる検査回路を
使用してフリップチップ接続部の検査がなされる。
10 is an A/D converter, and the TDICCD sensor 9 is divided into a plurality of regions by a plurality of taps.
The signal charges taken out simultaneously and in parallel from each of the charge extraction regions in a short period of time are A/D converted. Reference numeral 11 denotes an image processing means that receives the digital signal output from the A/D converter 10 and outputs a two-dimensional image. Using this two-dimensional image, the flip chip connection is inspected using a separately provided inspection circuit.

【0022】12はステージ制御手段であり、集光レン
ズ8を介してTDICCDセンサ9上に照射される被検
査物3の光学像が、TDICCDセンサ9上をTDIC
CDセンサ9の電荷移送方向と同じ方向に電荷移送速度
に対応する速度をもって移動するように、ステージ2を
X・Y面において直線送行させるものである。
Reference numeral 12 denotes a stage control means, in which an optical image of the object to be inspected 3 irradiated onto the TDICCD sensor 9 through the condensing lens 8 passes over the TDICCD sensor 9.
The stage 2 is moved linearly in the X and Y planes so as to move in the same direction as the charge transfer direction of the CD sensor 9 at a speed corresponding to the charge transfer speed.

【0023】なお、ステージ2をZ軸方向に移動するこ
とによってX線画像の拡大倍率を変えることができる。
Note that the magnification of the X-ray image can be changed by moving the stage 2 in the Z-axis direction.

【0024】また、十分な輝度を有する光学像が得られ
る場合にはMCP7は必ずしも設けなくてもよい。
Furthermore, if an optical image with sufficient brightness can be obtained, the MCP 7 may not necessarily be provided.

【0025】第2例 図3にフリップチップ検査装置の構成図を示す。図中、
図2で示したものと同一のものは同一記号で示してあり
、13は被検査物3を透過したX線像を受光して輝度の
増強された光学像を出力するX線イメージインテンシフ
ァイアである。なお、X線イメージインテンシファイア
13を透過して下方に漏れてくるX線は微量であるので
、光学像の光軸をX線照射路から外すミラー5は必ずし
も必要ではない。
Second Example FIG. 3 shows a configuration diagram of a flip chip inspection apparatus. In the figure,
Components that are the same as those shown in FIG. 2 are indicated by the same symbols, and 13 is an X-ray image intensifier that receives the X-ray image transmitted through the inspection object 3 and outputs an optical image with enhanced brightness. It is. Note that since the amount of X-rays that pass through the X-ray image intensifier 13 and leak downward is very small, the mirror 5 that removes the optical axis of the optical image from the X-ray irradiation path is not necessarily required.

【0026】第3例 第1例及び第2例と同一の構成を有するフリップチップ
検査装置において、ステージ2を直線送行させるのに代
えて、TDICCDセンサ9を電荷移送方向とは逆の方
向に、電荷移送速度に対応する速度をもって移動させる
TDIセンサ制御手段(図示せず)を設けるものとする
Third Example In a flip chip inspection apparatus having the same configuration as the first and second examples, instead of moving the stage 2 in a straight line, the TDICCD sensor 9 is moved in the opposite direction to the charge transfer direction. A TDI sensor control means (not shown) is provided to move the TDI sensor at a speed corresponding to the charge transfer speed.

【0027】[0027]

【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係るフリ
ップチップ検査装置においては、被検査物を透過したX
線像に対応する光学像をn本の画素ラインを有するTD
ICCDセンサに照射し、TDICCDセンサの画素ラ
イン間の電荷移送速度に対応する速度をもって光学像を
移動するのでTDICCDセンサに照射される光学像に
よる電荷蓄積時間がn倍に増加して良好なS/N比のX
線透視画像が得られ、また、微小焦点X線源を使用する
ことによって分解能も向上するので、高速、高分解能、
高感度をもってフリップチップ接続部のマイクロバンプ
のX線透視画像が得られることになり、この画像を使用
してマイクロバンプの欠陥の自動検査が可能になる。
Effects of the Invention As explained above, in the flip chip inspection device according to the present invention,
An optical image corresponding to a line image is created using a TD having n pixel lines.
Since the ICCD sensor is irradiated and the optical image is moved at a speed corresponding to the charge transfer speed between pixel lines of the TDICCD sensor, the charge accumulation time due to the optical image irradiated to the TDICCD sensor is increased by n times, resulting in a good S/ X of N ratio
Fluoroscopic images can be obtained, and resolution is improved by using a microfocus X-ray source, so high speed, high resolution,
X-ray fluoroscopic images of microbumps in flip-chip connections can be obtained with high sensitivity, and this image can be used to automatically inspect microbumps for defects.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

【図1】本発明の原理図である。FIG. 1 is a diagram showing the principle of the present invention.

【図2】本発明に係るフリップチップ検査装置の構成図
である。(第1実施例対応)
FIG. 2 is a configuration diagram of a flip chip inspection device according to the present invention. (Compatible with the first embodiment)

【図3】本発明に係るフリップチップ検査装置の構成図
である。(第2実施例対応)
FIG. 3 is a configuration diagram of a flip chip inspection device according to the present invention. (Compatible with the second embodiment)

【図4】フリップチップの説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of a flip chip.

【図5】フリップチップ接続部のマイクロバンプの形状
図である。(正常バンプ)
FIG. 5 is a diagram illustrating the shape of microbumps in a flip-chip connection. (normal bump)

【図6】フリップチップ接続部のマイクロバンプの形状
図である。(不良バンプ)
FIG. 6 is a diagram illustrating the shape of microbumps in a flip-chip connection. (Bad bump)

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1    微小焦点X線源 2    ステージ 3    被検査物 4    蛍光板 5    ミラー 6    結像レンズ 7    MCP 8    集光レンズ 9    TDICCDセンサ 10    A/D変換器 11    画像処理手段 12    ステージ制御手段 1. Microfocus X-ray source 2 Stage 3. Object to be inspected 4 Fluorescent screen 5 Mirror 6 Imaging lens 7 MCP 8 Condensing lens 9 TDICCD sensor 10 A/D converter 11 Image processing means 12 Stage control means

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  微小焦点X線源(1)と、該微小焦点
X線源(1)に対向して設けられ、フリップチップの接
続された被検査物(3)を載置して移動するステージ(
2)と、前記被検査物(3)を透過したX線像を受光し
て光学像に変換する蛍光板(4)と、該蛍光板(4)で
変換された前記光学像の光軸を変更するミラー(5)と
、前記光学像を結像・集光するレンズ系(6・8)と、
該レンズ系(6・8)によって結像・集光された前記光
学像を照射されて電荷を発生する複数の画素ラインより
なり、画像重畳機能を有するTDI(Time Del
ayed Integrated )センサ(9)と、
該TDIセンサ(9)の出力信号を入力されて画像処理
をなし、二次元画像を出力する画像処理手段(11)と
、前記TDIセンサ(9)上に照射される前記被検査物
(3)の前記光学像が、前記TDIセンサ(9)の隣接
する画素ライン間の電荷移送速度に対応して該電荷移送
方向と同じ方向に移動するように、前記ステージ(2)
を直線走行させるステージ制御手段(12)とを有する
ことを特徴とするフリップチップ検査装置。
Claim 1: A microfocus X-ray source (1) and an object (3) provided opposite to the microfocus X-ray source (1) to which a flip chip is connected are placed and moved. stage(
2), a fluorescent screen (4) that receives the X-ray image transmitted through the inspection object (3) and converts it into an optical image, and changes the optical axis of the optical image converted by the fluorescent screen (4). a mirror (5), a lens system (6, 8) that forms and focuses the optical image;
A TDI (Time Del) is composed of a plurality of pixel lines that generate electric charges when irradiated with the optical image formed and focused by the lens system (6, 8), and has an image superimposition function.
ayed Integrated) sensor (9);
an image processing means (11) that receives the output signal of the TDI sensor (9), processes the image, and outputs a two-dimensional image; and the object to be inspected (3) that is irradiated onto the TDI sensor (9). the stage (2) such that the optical image of the TDI sensor (9) moves in the same direction as the charge transfer direction corresponding to the charge transfer speed between adjacent pixel lines of the TDI sensor (9);
1. A flip-chip inspection apparatus comprising: stage control means (12) for causing the stage to travel in a straight line.
【請求項2】  微小焦点X線源(1)と、該微小焦点
X線源(1)に対向して設けられ、フリップチップの接
続された被検査物(3)を載置して移動するステージ(
2)と、前記被検査物(3)を透過したX線像を受光し
て輝度の増強された光学像を出力するX線イメージイン
テンシファイア(13)と、該X線イメージインテンシ
ファイア(13)の出力する光学像を集光する集光レン
ズ(8)と、該集光レンズ(8)によって集光された前
記光学像を照射されて電荷を発生する複数の画素ライン
よりなり、画像重畳機能を有するTDI(TimeDe
layed Integrated )センサ(9)と
、該TDIセンサ(9)の出力信号を入力されて画像処
理をなし、二次元画像を出力する画像処理手段(11)
と、前記TDIセンサ(9)上に照射される前記被検査
物(3)の前記光学像が、前記TDIセンサ(9)の隣
接する画素ライン間の電荷移送速度に対応して該電荷移
送方向と同じ方向に移動するように、前記ステージ(2
)を直線走行させるステージ制御手段(12)とを有す
ることを特徴とするフリップチップ検査装置。
2. A fine focus X-ray source (1) and an object to be inspected (3) provided opposite to the fine focus X-ray source (1) and connected to a flip chip are placed and moved. stage(
2), an X-ray image intensifier (13) that receives the X-ray image transmitted through the object to be inspected (3) and outputs an optical image with enhanced brightness, and the X-ray image intensifier ( 13), and a plurality of pixel lines that generate electric charges when irradiated with the optical image focused by the focusing lens (8). TDI (TimeDe) with superimposition function
a layered integrated) sensor (9), and an image processing means (11) that receives the output signal of the TDI sensor (9), performs image processing, and outputs a two-dimensional image.
The optical image of the object to be inspected (3) irradiated onto the TDI sensor (9) is arranged in the charge transfer direction corresponding to the charge transfer speed between adjacent pixel lines of the TDI sensor (9). The stage (2) is moved in the same direction as the
1. A flip chip inspection device comprising: a stage control means (12) for causing a stage control device (12) to move the device (12) in a straight line;
【請求項3】  請求項1、2または3に記載のフリッ
プチップ検査装置において、TDIセンサ(9)の隣接
する画素ライン間の電荷移送速度に対応して該電荷移送
方向と逆方向に前記TDIセンサ(9)を移動させるT
DIセンサ制御手段が設けられてなることを特徴とする
フリップチップ検査装置。
3. The flip-chip inspection apparatus according to claim 1, wherein the TDI sensor (9) is arranged such that the TDI sensor (9) is configured to conduct the TDI sensor (9) in a direction opposite to the charge transfer direction in accordance with a charge transfer speed between adjacent pixel lines of the TDI sensor (9). T to move the sensor (9)
A flip chip inspection device characterized by being provided with a DI sensor control means.
【請求項4】  前記TDIセンサ(9)はタップ付T
DIセンサであることを特徴とする請求項1、2、また
は、3記載のフリップチップ検査装置。
4. The TDI sensor (9) is a tapped T.
4. The flip chip inspection device according to claim 1, 2, or 3, wherein the flip chip inspection device is a DI sensor.
JP8671491A 1991-04-18 1991-04-18 Inspecting apparatus of flip chip Withdrawn JPH04319610A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7384193B2 (en) * 2006-10-27 2008-06-10 Agilent Technologies, Inc. Method for relocating the range of focus in a line scan camera having time domain integration image sensors
JP2011149701A (en) * 2010-01-19 2011-08-04 Shonai Create Kogyo:Kk X-ray inspection apparatus using line sensor camera

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