JPH04316356A - 樹脂封止形半導体装置 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置Info
- Publication number
- JPH04316356A JPH04316356A JP3110943A JP11094391A JPH04316356A JP H04316356 A JPH04316356 A JP H04316356A JP 3110943 A JP3110943 A JP 3110943A JP 11094391 A JP11094391 A JP 11094391A JP H04316356 A JPH04316356 A JP H04316356A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- chip
- semiconductor device
- resin thickness
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、樹脂封止形半導体装
置、特にその封止樹脂の構成に関するものである。
置、特にその封止樹脂の構成に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の通常の樹脂封止形半導体装
置の断面図であり、図において、１はリードフレーム、
２はこのリードフレームにボンディングされている半導
体チップ、３はチップからリードフレームに配線されて
いるワイヤー、４は封止樹脂である。この図４の例では
、チップ２はリードフレーム１のダイパッド部１Ａ部に
ボンディングされ、その後、ワイヤー３でチップとリー
ドフレーム間を配線し、樹脂４にて一体に封止する。 ここで図中、Ｃ寸法はＡ寸法に比べ同一か又は小さく、
Ｂ寸法はＡ寸法より大、Ｄ寸法はＣ寸法より大となって
いる。
置の断面図であり、図において、１はリードフレーム、
２はこのリードフレームにボンディングされている半導
体チップ、３はチップからリードフレームに配線されて
いるワイヤー、４は封止樹脂である。この図４の例では
、チップ２はリードフレーム１のダイパッド部１Ａ部に
ボンディングされ、その後、ワイヤー３でチップとリー
ドフレーム間を配線し、樹脂４にて一体に封止する。 ここで図中、Ｃ寸法はＡ寸法に比べ同一か又は小さく、
Ｂ寸法はＡ寸法より大、Ｄ寸法はＣ寸法より大となって
いる。
【０００３】また図５は従来の通常のＴＡＢ方式の樹脂
封止形半導体装置の断面図であり、図において、１はテ
ープ、２はチップ、４は封止樹脂、５はリードである。 この図５の例では、チップ２とリード５がボンディング
され、その後、樹脂４にて一体に封止する。ここで図中
、Ｃ寸法はＡ寸法に比べ同一か又は小さく、Ｄ寸法はＣ
寸法より大きく構成されている。
封止形半導体装置の断面図であり、図において、１はテ
ープ、２はチップ、４は封止樹脂、５はリードである。 この図５の例では、チップ２とリード５がボンディング
され、その後、樹脂４にて一体に封止する。ここで図中
、Ｃ寸法はＡ寸法に比べ同一か又は小さく、Ｄ寸法はＣ
寸法より大きく構成されている。
【０００４】なお、図４，図５において、６は樹脂注入
口（ゲート）を示しており、樹脂はこのゲート６より注
入されて順次キャビティ内に充填されていくが、このと
き、Ｂ寸法、Ｄ寸法部に早く充填され、Ｃ寸法、Ａ寸法
部がおくれて充填されるようになる。
口（ゲート）を示しており、樹脂はこのゲート６より注
入されて順次キャビティ内に充填されていくが、このと
き、Ｂ寸法、Ｄ寸法部に早く充填され、Ｃ寸法、Ａ寸法
部がおくれて充填されるようになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は以
上の様に構成されているが、樹脂注入時、寸法Ｂ部やＤ
部が大きいので、この部分の流動抵抗が他と比較して小
さくなり、このため、Ｂ部，Ｄ部が早い時期に樹脂が充
填される結果、チップ２の上、下面側の一部に、周囲を
樹脂で囲まれて外部に排出できない空気溜りが発生し、
これがボイドとなって半導体装置の信頼性低下の原因と
なっていた。
上の様に構成されているが、樹脂注入時、寸法Ｂ部やＤ
部が大きいので、この部分の流動抵抗が他と比較して小
さくなり、このため、Ｂ部，Ｄ部が早い時期に樹脂が充
填される結果、チップ２の上、下面側の一部に、周囲を
樹脂で囲まれて外部に排出できない空気溜りが発生し、
これがボイドとなって半導体装置の信頼性低下の原因と
なっていた。
【０００６】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、空気溜りの発生がなく、信頼性
の高い半導体装置を得ることを目的とする。
ためになされたもので、空気溜りの発生がなく、信頼性
の高い半導体装置を得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置は、リードフレーム部分の樹脂厚さと、チップ部分の
樹脂厚さを、略同一となるように設定したものである。
置は、リードフレーム部分の樹脂厚さと、チップ部分の
樹脂厚さを、略同一となるように設定したものである。
【０００８】
【作用】この発明においては、リードフレーム部分の樹
脂厚さとチップ部分の樹脂厚さを略同一にしたので、樹
脂の注入口から順次樹脂が充填され、空気溜りが発生し
ない。このため、ボイド等の発生がなく、信頼性の高い
半導体装置を得ることができる。
脂厚さとチップ部分の樹脂厚さを略同一にしたので、樹
脂の注入口から順次樹脂が充填され、空気溜りが発生し
ない。このため、ボイド等の発生がなく、信頼性の高い
半導体装置を得ることができる。
【０００９】
実施例１．図１はこの発明の一実施例を示すもので、図
１において、１〜４，６は図４と同一構成部品を示して
いるのでその説明は省略する。ここでリード部１の樹脂
厚さＥとチップ上の樹脂厚さＦ及びダイパッド１Ａ下の
樹脂厚さＧは略同一寸法となっている。
１において、１〜４，６は図４と同一構成部品を示して
いるのでその説明は省略する。ここでリード部１の樹脂
厚さＥとチップ上の樹脂厚さＦ及びダイパッド１Ａ下の
樹脂厚さＧは略同一寸法となっている。
【００１０】実施例２．図２はＴＡＢ方式の実施例を示
したものであり、１，２〜６は図５と同一構成部品を示
しているのでその説明は省略する。ここではチップ２上
の樹脂厚さＨとチップ２下の樹脂厚さＩ及びテープ部分
の樹脂厚さＪは略同一寸法となっている。
したものであり、１，２〜６は図５と同一構成部品を示
しているのでその説明は省略する。ここではチップ２上
の樹脂厚さＨとチップ２下の樹脂厚さＩ及びテープ部分
の樹脂厚さＪは略同一寸法となっている。
【００１１】次に製作工程について説明する。チップ２
がリードフレーム１にボンディングされ、更にワイヤボ
ンドされて、樹脂封止工程に入る。封止樹脂４はゲート
部６より注入されるが、このとき樹脂はゲート部６より
順次広がってキャビティ内に充填されていく。そこで本
発明の場合、リードフレーム１上の樹脂厚さとチップ上
部及びダイパッド下部の樹脂厚さを略同一としているの
で、不均一な充填パターンとはならず、ゲート側より順
次均一に充填されるので、空気溜りが発生せず、このた
め、ボイド発生もなく、信頼性の高い半導体装置が得ら
れる。なお図３は本実施例の充填パターンを図示したも
ので、各部の流動抵抗が均一なため空気溜りの発生がな
い。特にパッケージ厚さが薄いものについてその効果は
大である。
がリードフレーム１にボンディングされ、更にワイヤボ
ンドされて、樹脂封止工程に入る。封止樹脂４はゲート
部６より注入されるが、このとき樹脂はゲート部６より
順次広がってキャビティ内に充填されていく。そこで本
発明の場合、リードフレーム１上の樹脂厚さとチップ上
部及びダイパッド下部の樹脂厚さを略同一としているの
で、不均一な充填パターンとはならず、ゲート側より順
次均一に充填されるので、空気溜りが発生せず、このた
め、ボイド発生もなく、信頼性の高い半導体装置が得ら
れる。なお図３は本実施例の充填パターンを図示したも
ので、各部の流動抵抗が均一なため空気溜りの発生がな
い。特にパッケージ厚さが薄いものについてその効果は
大である。
【００１２】上記実施例では、半導体装置そのものにつ
いて説明したが、樹脂封止装置のキャビティ部の形状、
寸法を本方式の様に製作し、封止処理後、封止部の段差
Ｙ部に別の樹脂をモールドするか、又は別の部材を接着
して外形の平坦性を確保することも可能である。
いて説明したが、樹脂封止装置のキャビティ部の形状、
寸法を本方式の様に製作し、封止処理後、封止部の段差
Ｙ部に別の樹脂をモールドするか、又は別の部材を接着
して外形の平坦性を確保することも可能である。
【００１３】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、封止樹
脂の厚さを均一としたので、樹脂が注入口から順次均一
に充填されるようになり、このためボイド等の発生がな
く、高品質のパッケージが得られる効果がある。
脂の厚さを均一としたので、樹脂が注入口から順次均一
に充填されるようになり、このためボイド等の発生がな
く、高品質のパッケージが得られる効果がある。
【図１】この発明の一実施例による半導体装置を示す断
面図である。
面図である。
【図２】ＴＡＢ方式の場合の本発明の一実施例を示す断
面図である。
面図である。
【図３】本発明の充填パターンを示す図である。
【図４】従来の半導体装置を示す断面図である。
【図５】従来のＴＡＢ方式の場合の断面図である。
１ リードフレーム
１Ａ ダイパッド
２ チップ
３ 配線ワイヤー
４ 封止樹脂
５ リード
６ ゲート
Claims (2)
- 【請求項１】 リードフレームのダイパッド上に半導
体チップを実装し、このチップとリードフレーム間をワ
イヤーで配線し、これらを樹脂で封止した半導体装置に
おいて、上記リードフレーム部分の樹脂厚さと、チップ
部分の樹脂厚さ及びダイパッドの樹脂厚さが略同一とな
るように構成したことを特徴とする樹脂封止形半導体装
置。 - 【請求項２】テープと半導体チップをリードでつなぎ、
これらを樹脂で封止したＴＡＢ方式の半導体装置におい
て、ボンディングされた側のチップ上面樹脂厚さと、そ
の反対側のテープ部分の樹脂厚さと、チップ裏面側の樹
脂厚さとを略同一となるように構成したことを特徴とす
る樹脂封止形半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3110943A JPH04316356A (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 樹脂封止形半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3110943A JPH04316356A (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 樹脂封止形半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04316356A true JPH04316356A (ja) | 1992-11-06 |
Family
ID=14548490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3110943A Pending JPH04316356A (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 樹脂封止形半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04316356A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0600501A1 (en) * | 1992-12-03 | 1994-06-08 | Nec Corporation | Resin molded semiconductor device |
| US6396159B1 (en) | 1997-06-27 | 2002-05-28 | Nec Corporation | Semiconductor device |
| JP2015032705A (ja) * | 2013-08-02 | 2015-02-16 | 株式会社デンソー | モールドパッケージ |
| JP2018081947A (ja) * | 2016-11-14 | 2018-05-24 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュールおよびその製造方法 |
-
1991
- 1991-04-15 JP JP3110943A patent/JPH04316356A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0600501A1 (en) * | 1992-12-03 | 1994-06-08 | Nec Corporation | Resin molded semiconductor device |
| US6396159B1 (en) | 1997-06-27 | 2002-05-28 | Nec Corporation | Semiconductor device |
| JP2015032705A (ja) * | 2013-08-02 | 2015-02-16 | 株式会社デンソー | モールドパッケージ |
| JP2018081947A (ja) * | 2016-11-14 | 2018-05-24 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュールおよびその製造方法 |
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