JPH04316325A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH04316325A JPH04316325A JP11094691A JP11094691A JPH04316325A JP H04316325 A JPH04316325 A JP H04316325A JP 11094691 A JP11094691 A JP 11094691A JP 11094691 A JP11094691 A JP 11094691A JP H04316325 A JPH04316325 A JP H04316325A
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- JP
- Japan
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- upper electrode
- plasma
- electrode plate
- alumina
- hole
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 208000029152 Small face Diseases 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 description 1
- 230000003334 potential effect Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、プラズマ処理装置に
係り、特に半導体素子基板をプラズマによりエッチング
処理するのに好適なプラズマ処理装置に関するものであ
る。
係り、特に半導体素子基板をプラズマによりエッチング
処理するのに好適なプラズマ処理装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来のプラズマ処理装置の概略断
面図であり、まずこの図を用いて概略的なプラズマ処理
について説明する。１は処理室で、高真空状態に保たれ
ている。２は上電極で、その下面には上部電極板３が締
付ネジ（材質はアルミナ等）４により締付固定され、導
通面５により電気的に通電できる構造になっている。６
は上電極２に設けられた処理ガス供給孔、７は上部電極
板３にあけられた多数の処理ガス吹出孔である。８は上
記上電極２と並行かつ一定間隔を保って配置された下電
極で、その上に半導体ウエハ９を載置し、アルミナ等の
絶縁物からなるウエハ押え１０で圧力変動等により動か
ないようにしている。この下電極８には同軸ケーブル１
１を介して高周波電源１２が接続されている。
面図であり、まずこの図を用いて概略的なプラズマ処理
について説明する。１は処理室で、高真空状態に保たれ
ている。２は上電極で、その下面には上部電極板３が締
付ネジ（材質はアルミナ等）４により締付固定され、導
通面５により電気的に通電できる構造になっている。６
は上電極２に設けられた処理ガス供給孔、７は上部電極
板３にあけられた多数の処理ガス吹出孔である。８は上
記上電極２と並行かつ一定間隔を保って配置された下電
極で、その上に半導体ウエハ９を載置し、アルミナ等の
絶縁物からなるウエハ押え１０で圧力変動等により動か
ないようにしている。この下電極８には同軸ケーブル１
１を介して高周波電源１２が接続されている。
【０００３】次に動作について説明する。上電極２を接
地した状態で高周波電源１２を印加すると、上電極２と
下電極８との間にプラズマが生成され、これにより処理
ガスのイオンが活性化され、半導体ウエハ９表面に到達
し、反応生成物を発生させながら半導体ウエハ表面のパ
ターンを垂直にエッチングしていく。
地した状態で高周波電源１２を印加すると、上電極２と
下電極８との間にプラズマが生成され、これにより処理
ガスのイオンが活性化され、半導体ウエハ９表面に到達
し、反応生成物を発生させながら半導体ウエハ表面のパ
ターンを垂直にエッチングしていく。
【０００４】ところでこの際、エッチングにより発生す
る反応生成物が処理室１内に堆積物として付着し、この
堆積物が発塵源となるので、エッチング終了時に半導体
ウエハ９のダミーを下電極８に載置し、クリーニング用
の処理ガスをエッチング時と類似のシーケンスでプラズ
マを生成させ、処理室１内の堆積物を除去し（これをプ
ラズマクリーニングという）、処理室１内をクリーンな
状態にして、再び半導体ウエハ９のエッチングを行なう
のが通常である。
る反応生成物が処理室１内に堆積物として付着し、この
堆積物が発塵源となるので、エッチング終了時に半導体
ウエハ９のダミーを下電極８に載置し、クリーニング用
の処理ガスをエッチング時と類似のシーケンスでプラズ
マを生成させ、処理室１内の堆積物を除去し（これをプ
ラズマクリーニングという）、処理室１内をクリーンな
状態にして、再び半導体ウエハ９のエッチングを行なう
のが通常である。
【０００５】図３は上電極２と上部電極板３との取付状
態を示す部分拡大断面図であり、Ａｌ，ＳＵＳ等の導電
体からなる上部電極板３の表面はプラズマに直接露呈し
ているので、高周波通電面を除いてアルミナ等の絶縁膜
１３を被覆し、プラズマによるスパッタを防いでいる。 この絶縁膜１３はアルミナ粒をプラズマ溶射法（詳細は
省略）で形成されるが、処理ガス吹出孔７は垂直な形状
のため、吹出孔内面７ａにプラズマ溶射が回りきらず、
このため充分に被覆されていない。
態を示す部分拡大断面図であり、Ａｌ，ＳＵＳ等の導電
体からなる上部電極板３の表面はプラズマに直接露呈し
ているので、高周波通電面を除いてアルミナ等の絶縁膜
１３を被覆し、プラズマによるスパッタを防いでいる。 この絶縁膜１３はアルミナ粒をプラズマ溶射法（詳細は
省略）で形成されるが、処理ガス吹出孔７は垂直な形状
のため、吹出孔内面７ａにプラズマ溶射が回りきらず、
このため充分に被覆されていない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上のように従来のも
のでは、プラズマに直接露呈されている部分、この場合
特に上部電極板３の処理ガス吹出孔７の内面については
充分にアルミナ絶縁膜が被覆されず、従ってプラズマに
露呈されると、プラズマ発生時にスパッタされ、このス
パッタ物はプラズマ処理時に処理室内に付着した反応生
成物の堆積物中に取りこまれてしまう。処理室内に付着
した堆積物は、プラズマクリーニングにより除去される
が、しかし堆積物中に取りこまれたスパッタ物（例えば
アルミニューム）は除去されずに残存し、これが発塵源
となるという問題があった。
のでは、プラズマに直接露呈されている部分、この場合
特に上部電極板３の処理ガス吹出孔７の内面については
充分にアルミナ絶縁膜が被覆されず、従ってプラズマに
露呈されると、プラズマ発生時にスパッタされ、このス
パッタ物はプラズマ処理時に処理室内に付着した反応生
成物の堆積物中に取りこまれてしまう。処理室内に付着
した堆積物は、プラズマクリーニングにより除去される
が、しかし堆積物中に取りこまれたスパッタ物（例えば
アルミニューム）は除去されずに残存し、これが発塵源
となるという問題があった。
【０００７】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、上部電極板表面をアルミナ膜で
完全に被覆し、装置の低発塵化を図ることを目的とする
。
ためになされたもので、上部電極板表面をアルミナ膜で
完全に被覆し、装置の低発塵化を図ることを目的とする
。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係るプラズマ
処理装置は、上部電極板の処理ガス吹出孔の形状を、両
面からテーパ形状に形成して、吹出孔内面に真直面が小
さい構造にする事により、垂直方向にとんでくるアルミ
ナ粒を上部電極板の両面からプラズマ溶謝したとき吹出
孔内面にも充分に付着するようにしたものである。
処理装置は、上部電極板の処理ガス吹出孔の形状を、両
面からテーパ形状に形成して、吹出孔内面に真直面が小
さい構造にする事により、垂直方向にとんでくるアルミ
ナ粒を上部電極板の両面からプラズマ溶謝したとき吹出
孔内面にも充分に付着するようにしたものである。
【０００９】
【作用】この発明においては、ガス吹出孔の形状を両面
からテーパ状に形成し、吹出孔内面に真直面が小さい構
造にする事によりプラズマに直接露呈されているＡｌ，
ＳＵＳ等の材質からなる上記電極板の表面はアルミナ膜
で完全に被覆されるので、プラズマ発生中に上記電極板
のＡｌ，ＳＵＳ等がスパッタされることがなく、プラズ
マクリーニングによって除去できないスパッタ物が処理
室内に付着した堆積物に取りこまれることがなくなる。 このためプラズマクリーニング後の発塵源となる残存物
が少なくなり、発塵を防止できる。
からテーパ状に形成し、吹出孔内面に真直面が小さい構
造にする事によりプラズマに直接露呈されているＡｌ，
ＳＵＳ等の材質からなる上記電極板の表面はアルミナ膜
で完全に被覆されるので、プラズマ発生中に上記電極板
のＡｌ，ＳＵＳ等がスパッタされることがなく、プラズ
マクリーニングによって除去できないスパッタ物が処理
室内に付着した堆積物に取りこまれることがなくなる。 このためプラズマクリーニング後の発塵源となる残存物
が少なくなり、発塵を防止できる。
【００１０】
【実施例】以下この発明の一実施例を図１により説明す
る。なおガス吹出孔７部分を除き全体のプラズマ処理装
置は図２と同じ構造であるので説明は省略する。図１は
図３に対応する図で、上部電極板３にあけられたガス吹
出孔７は７ａ，７ｂのように中へいくに従って狭い形で
両面からテーパ状に形成され、アルミナの絶縁膜１３が
充分にガス吹出孔の内部まで被覆されるようにしている
。５は導通面で上電極２とＡｌ，ＳＵＳ等からなる上部
電極３材と電気的に導通している。
る。なおガス吹出孔７部分を除き全体のプラズマ処理装
置は図２と同じ構造であるので説明は省略する。図１は
図３に対応する図で、上部電極板３にあけられたガス吹
出孔７は７ａ，７ｂのように中へいくに従って狭い形で
両面からテーパ状に形成され、アルミナの絶縁膜１３が
充分にガス吹出孔の内部まで被覆されるようにしている
。５は導通面で上電極２とＡｌ，ＳＵＳ等からなる上部
電極３材と電気的に導通している。
【００１１】この装置を用いてプラズマ処理を行なうと
、上部電極３母材のＡｌ，ＳＵＳ等がプラズマに直接露
呈されないので、スパッタされることが少なくなり、前
述で説明したようにＡｌ，ＳＵＳ等のスパッタ物が処理
室内に付着した堆積物が取り込まれることがなくなり、
プラズマクリーニング後の発塵源となる残存物が少なく
なり、発塵が防止できる。
、上部電極３母材のＡｌ，ＳＵＳ等がプラズマに直接露
呈されないので、スパッタされることが少なくなり、前
述で説明したようにＡｌ，ＳＵＳ等のスパッタ物が処理
室内に付着した堆積物が取り込まれることがなくなり、
プラズマクリーニング後の発塵源となる残存物が少なく
なり、発塵が防止できる。
【００１２】なお上記実施例では、並行平板のプラズマ
エッチング装置について説明したが、スパッタ装置、プ
ラズマＣＶＤ装置にも適用できるのは当然である。
エッチング装置について説明したが、スパッタ装置、プ
ラズマＣＶＤ装置にも適用できるのは当然である。
【００１３】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、簡単な
構成にてプラズマクリーニング後の残存物を低減させる
ことができ、従って低発塵化が達成され、半導体デバイ
スの歩留りの向上に寄与し得る効果がある。
構成にてプラズマクリーニング後の残存物を低減させる
ことができ、従って低発塵化が達成され、半導体デバイ
スの歩留りの向上に寄与し得る効果がある。
【図１】この発明の一実施例を示すもので、上部電極を
上電極に取付けた状態を示す部分拡大断面図である。
上電極に取付けた状態を示す部分拡大断面図である。
【図２】従来のプラズマ処理装置全体の概略的な断面図
である。
である。
【図３】従来例における上部電極板を上電極に取付けた
状態を示す部分拡大断面図である。
状態を示す部分拡大断面図である。
１ 処理室
２ 上電極
３ 上部電極板
７ 処理ガス吹出孔７ｂ，７ｃ
テーパ面 ８ 下電極 ９ 半導体ウエハ １３ 絶縁膜
テーパ面 ８ 下電極 ９ 半導体ウエハ １３ 絶縁膜
Claims (1)
- 【請求項１】 高真空が維持できる処理室内に、処理
ガス吹出孔を有する上部電極板と、基板を載置する下部
電極を備え、上記上部電極板には通電面を除いてアルミ
ナなどの絶縁膜を被覆するものにおいて、上記処理ガス
吹出孔の形状を上部電極板の両面からテーパー状に形成
し、吹出孔内面に真直面が小さい構造にしたことを特徴
とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11094691A JPH04316325A (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11094691A JPH04316325A (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04316325A true JPH04316325A (ja) | 1992-11-06 |
Family
ID=14548559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11094691A Pending JPH04316325A (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04316325A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002518842A (ja) * | 1998-06-19 | 2002-06-25 | ラム リサーチ コーポレーション | 半導体処理室用電極及びその製造方法 |
| US7264850B1 (en) | 1992-12-28 | 2007-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for treating a substrate with a plasma |
| JP2011054781A (ja) * | 2009-09-02 | 2011-03-17 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2012060101A (ja) * | 2010-08-12 | 2012-03-22 | Toshiba Corp | ガス供給部材、プラズマ処理装置およびイットリア含有膜の形成方法 |
| JP2013084997A (ja) * | 2010-08-12 | 2013-05-09 | Toshiba Corp | ガス供給部材、プラズマ処理装置およびイットリア含有膜の形成方法 |
| JP2014078755A (ja) * | 2014-01-09 | 2014-05-01 | Tokyo Electron Ltd | インジェクターブロック |
-
1991
- 1991-04-15 JP JP11094691A patent/JPH04316325A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7264850B1 (en) | 1992-12-28 | 2007-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for treating a substrate with a plasma |
| JP2002518842A (ja) * | 1998-06-19 | 2002-06-25 | ラム リサーチ コーポレーション | 半導体処理室用電極及びその製造方法 |
| JP2011054781A (ja) * | 2009-09-02 | 2011-03-17 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| US8920596B2 (en) | 2009-09-02 | 2014-12-30 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| US10062547B2 (en) | 2009-09-02 | 2018-08-28 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| JP2012060101A (ja) * | 2010-08-12 | 2012-03-22 | Toshiba Corp | ガス供給部材、プラズマ処理装置およびイットリア含有膜の形成方法 |
| JP2013084997A (ja) * | 2010-08-12 | 2013-05-09 | Toshiba Corp | ガス供給部材、プラズマ処理装置およびイットリア含有膜の形成方法 |
| JP2014078755A (ja) * | 2014-01-09 | 2014-05-01 | Tokyo Electron Ltd | インジェクターブロック |
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