JPH04313220A - 有機金属気相成長装置 - Google Patents
有機金属気相成長装置Info
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- JPH04313220A JPH04313220A JP10688291A JP10688291A JPH04313220A JP H04313220 A JPH04313220 A JP H04313220A JP 10688291 A JP10688291 A JP 10688291A JP 10688291 A JP10688291 A JP 10688291A JP H04313220 A JPH04313220 A JP H04313220A
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- Japan
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- susceptor
- rotating
- tray
- wafer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は有機金属気相成長装置
に関する。特にウエハの面内での成長膜の均一性に優れ
た有機金属気相成長装置に関する。
に関する。特にウエハの面内での成長膜の均一性に優れ
た有機金属気相成長装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機金属気相成長装置は、縦長の反応管
の中に回転するサセプタを有し、これに基板を置いて加
熱し上方から原料ガスを流すことによって気相反応を起
こさせ反応生成物を基板の上に堆積させるものである。 サセプタの側面に複数枚のウエハを装着する型式のもの
、サセプタの上頂面に１枚のウエハを戴置するもの、サ
セプタの上頂面に複数枚のウエハを戴置するもの、の３
種類のものがある。いずれの場合であってもウエハが静
止していると、原料ガスの流れの不均一性などがあって
膜厚などが不均一になるから、サセプタは回転するよう
になっている。サセプタの上頂面に１枚のウエハ（枚葉
式）を置く場合は仕方がないのであるが、サセプタの上
頂面に複数のウエハを置く場合は、回転軸によってサセ
プタが回転していてもなお成長した薄膜の膜厚や欠陥密
度、抵抗率などの特性が半径方向の位置によって異なる
。
の中に回転するサセプタを有し、これに基板を置いて加
熱し上方から原料ガスを流すことによって気相反応を起
こさせ反応生成物を基板の上に堆積させるものである。 サセプタの側面に複数枚のウエハを装着する型式のもの
、サセプタの上頂面に１枚のウエハを戴置するもの、サ
セプタの上頂面に複数枚のウエハを戴置するもの、の３
種類のものがある。いずれの場合であってもウエハが静
止していると、原料ガスの流れの不均一性などがあって
膜厚などが不均一になるから、サセプタは回転するよう
になっている。サセプタの上頂面に１枚のウエハ（枚葉
式）を置く場合は仕方がないのであるが、サセプタの上
頂面に複数のウエハを置く場合は、回転軸によってサセ
プタが回転していてもなお成長した薄膜の膜厚や欠陥密
度、抵抗率などの特性が半径方向の位置によって異なる
。
【０００３】原料は全てガスであるが、これがサセプタ
の上頂面に当たって周辺部へ向きを換えて流れてゆく。 複数枚のウエハがサセプタの上に乗っていて、これらが
公転していても、ウエハの中心に近い部分と中心から遠
い部分では、温度も風速もガス濃度も異なる。このため
エピタキシャル成長させた膜の諸特性が相違するわけで
ある。
の上頂面に当たって周辺部へ向きを換えて流れてゆく。 複数枚のウエハがサセプタの上に乗っていて、これらが
公転していても、ウエハの中心に近い部分と中心から遠
い部分では、温度も風速もガス濃度も異なる。このため
エピタキシャル成長させた膜の諸特性が相違するわけで
ある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明はサセプタの上
頂面に複数枚のウエハが戴せられる装置を対象とする。 原料ガスの流れ、濃度、温度の不均一性を克服するため
にはウエハがそれ自身の軸のまわりに自転できればよい
と考えられる。そうすればウエハのどの部位もサセプタ
の中心軸からの距離が時間的平均をした場合には同一に
なる。このため原料ガスの流速、濃度、温度の変化があ
っても時間的に平均化される。従ってエピタキシャル成
長させた薄膜の特性は均一になる筈である。しかしなが
ら従来、個々のウエハをサセプタに対して自転できるよ
うにしたものは存在しなかった。回転軸によってサセプ
タ全体を公転させるための機構だけでもかなり複雑であ
る。回転軸は下方で軸受によって支持され、しかも回転
導入機によって回転するようになっている。回転軸は高
温に加熱されるからカーボン、Ｍｏなど加工性の悪い耐
熱材料で作られる。回転導入機は、反応管の真空を破ら
ないようにベローズ、マグネットなどを組み合わせた複
雑な構造を持つ。またベベルギアなどから金属粉が出て
反応管の内部を汚さないようにしなければならない。
頂面に複数枚のウエハが戴せられる装置を対象とする。 原料ガスの流れ、濃度、温度の不均一性を克服するため
にはウエハがそれ自身の軸のまわりに自転できればよい
と考えられる。そうすればウエハのどの部位もサセプタ
の中心軸からの距離が時間的平均をした場合には同一に
なる。このため原料ガスの流速、濃度、温度の変化があ
っても時間的に平均化される。従ってエピタキシャル成
長させた薄膜の特性は均一になる筈である。しかしなが
ら従来、個々のウエハをサセプタに対して自転できるよ
うにしたものは存在しなかった。回転軸によってサセプ
タ全体を公転させるための機構だけでもかなり複雑であ
る。回転軸は下方で軸受によって支持され、しかも回転
導入機によって回転するようになっている。回転軸は高
温に加熱されるからカーボン、Ｍｏなど加工性の悪い耐
熱材料で作られる。回転導入機は、反応管の真空を破ら
ないようにベローズ、マグネットなどを組み合わせた複
雑な構造を持つ。またベベルギアなどから金属粉が出て
反応管の内部を汚さないようにしなければならない。
【０００５】もしも複数のウエハを自転させようとすれ
ばサセプタの内部にモータを備えるか、或は回転軸を同
軸の２軸にして自転用の駆動力を伝達するようにしなけ
ればならない。サセプタは高温に加熱されるのでモータ
を設けるということは不可能に近い。同軸の駆動力伝達
機構というのも実現は容易ではない。
ばサセプタの内部にモータを備えるか、或は回転軸を同
軸の２軸にして自転用の駆動力を伝達するようにしなけ
ればならない。サセプタは高温に加熱されるのでモータ
を設けるということは不可能に近い。同軸の駆動力伝達
機構というのも実現は容易ではない。
【０００６】さらにサセプタは高周波誘導加熱によって
外部から加熱することもあるが、内部に抵抗加熱ヒータ
を設けてこれによって加熱することもある。この場合、
サセプタの内部構造が複雑になり、回転軸の内部に電源
線を通さなければならない。従って公転以外にもうひと
つ余分な駆動力をサセプタに与えるということは難しい
。しかしウエハを自転させようとすれば自転用の駆動力
が必要である。
外部から加熱することもあるが、内部に抵抗加熱ヒータ
を設けてこれによって加熱することもある。この場合、
サセプタの内部構造が複雑になり、回転軸の内部に電源
線を通さなければならない。従って公転以外にもうひと
つ余分な駆動力をサセプタに与えるということは難しい
。しかしウエハを自転させようとすれば自転用の駆動力
が必要である。
【０００７】複数のウエハをサセプタの上頂面に置いて
気相成長させる装置に於いてウエハを公転とともに自転
させることができるようにした有機金属気相合成装置を
提供することが本発明の目的である。
気相成長させる装置に於いてウエハを公転とともに自転
させることができるようにした有機金属気相合成装置を
提供することが本発明の目的である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の有機金属気相合
成装置は、略円筒形の容器であって上方に原料ガス入口
を有し下方に排ガス出口を有し真空に引くことのできる
反応管と、反応管の内部に縦方向に設けられ回転可能な
回転軸と、回転軸の上端に支持され側周にリング溝を有
し上頂部に複数のトレイ差込穴を有するサセプタと、下
半に外歯歯車を有し上面にはウエハ又はウエハトレイを
戴置する台を有しサセプタのトレイ差込穴に回転可能に
挿入される複数の回転トレイと、外周に羽根を有し内周
には内歯歯車を有しサセプタ溝に滑動自在に嵌装される
回転羽根リングとを含み、回転羽根リングの内歯歯車が
回転トレイ下半の外歯歯車に噛合し、上方からの原料ガ
スの流れによって回転羽根リングがサセプタに対して相
対的に回転し、回転トレイが各々の中心軸の周りに自転
するようにしたことを特徴とする。
成装置は、略円筒形の容器であって上方に原料ガス入口
を有し下方に排ガス出口を有し真空に引くことのできる
反応管と、反応管の内部に縦方向に設けられ回転可能な
回転軸と、回転軸の上端に支持され側周にリング溝を有
し上頂部に複数のトレイ差込穴を有するサセプタと、下
半に外歯歯車を有し上面にはウエハ又はウエハトレイを
戴置する台を有しサセプタのトレイ差込穴に回転可能に
挿入される複数の回転トレイと、外周に羽根を有し内周
には内歯歯車を有しサセプタ溝に滑動自在に嵌装される
回転羽根リングとを含み、回転羽根リングの内歯歯車が
回転トレイ下半の外歯歯車に噛合し、上方からの原料ガ
スの流れによって回転羽根リングがサセプタに対して相
対的に回転し、回転トレイが各々の中心軸の周りに自転
するようにしたことを特徴とする。
【０００９】
【作用】回転羽根リングがサセプタに対して水平方向に
回転可能であり、これの内歯歯車が回転トレイの外歯歯
車に噛み合っている構造である。原料ガスは反応管の上
から下へと流れるので、回転羽根リングを通過するとき
にこれに対して回転力を与える。原料ガスの風力をエネ
ルギ−として回転羽根リングが回転するのである。他に
機械的な力を必要としない。回転羽根リングが回転する
とこれに歯車同士で噛み合っている回転トレイが回転す
る。回転トレイの上には直接に或はトレイを介して間接
的にウエハが戴かれている。回転トレイが回転すればウ
エハも回転する。サセプタは回転しているのでありその
サセプタの上で回転トレイが各自の軸のまわりを自転す
る。そうするとウエハは公転とともに自転するというこ
とになる。
回転可能であり、これの内歯歯車が回転トレイの外歯歯
車に噛み合っている構造である。原料ガスは反応管の上
から下へと流れるので、回転羽根リングを通過するとき
にこれに対して回転力を与える。原料ガスの風力をエネ
ルギ−として回転羽根リングが回転するのである。他に
機械的な力を必要としない。回転羽根リングが回転する
とこれに歯車同士で噛み合っている回転トレイが回転す
る。回転トレイの上には直接に或はトレイを介して間接
的にウエハが戴かれている。回転トレイが回転すればウ
エハも回転する。サセプタは回転しているのでありその
サセプタの上で回転トレイが各自の軸のまわりを自転す
る。そうするとウエハは公転とともに自転するというこ
とになる。
【００１０】自転するのでウエハの各部位が均等に原料
ガスやヒータの影響を受けることになる。従ってこうし
てエピタキシャル成長させた薄膜の特性が均一になるの
である。回転羽根リングのために原料ガスの流れは乱れ
るが、ウエハ面上を通過した後のガスであるからこれは
差し支えのないことである。
ガスやヒータの影響を受けることになる。従ってこうし
てエピタキシャル成長させた薄膜の特性が均一になるの
である。回転羽根リングのために原料ガスの流れは乱れ
るが、ウエハ面上を通過した後のガスであるからこれは
差し支えのないことである。
【００１１】図１は本発明の有機金属気相成長装置の全
体図である。縦長の略円筒形の容器である反応管１の内
部で気相成長が行われる。反応管１の上頂部は半球形又
は円錐状になっておりここに原料ガス入口２があって、
原料ガスが導入される。これは目的によって違うがトリ
メチルガリウム（ＴＭＧ）、トリエチルインジウム（Ｔ
ＥＩ）などＩＩＩ 族元素の有機化合物ガスと、アルシ
ン、ホスフィンなどＶ族元素の水素化物ガスと、水素ガ
スとを混合したものである。排ガスは反応管１の下部の
排ガス出口（図示せず）から真空排気装置（図示せず）
を経て排出される。
体図である。縦長の略円筒形の容器である反応管１の内
部で気相成長が行われる。反応管１の上頂部は半球形又
は円錐状になっておりここに原料ガス入口２があって、
原料ガスが導入される。これは目的によって違うがトリ
メチルガリウム（ＴＭＧ）、トリエチルインジウム（Ｔ
ＥＩ）などＩＩＩ 族元素の有機化合物ガスと、アルシ
ン、ホスフィンなどＶ族元素の水素化物ガスと、水素ガ
スとを混合したものである。排ガスは反応管１の下部の
排ガス出口（図示せず）から真空排気装置（図示せず）
を経て排出される。
【００１２】反応管１の内部には回転軸３があってこれ
は鉛直軸のまわりに回転できるようになっている。回転
軸３は下方で軸受によって支持され回転導入機によって
回転するようになっているがこれらの機構は簡単のため
図示しない。回転軸３の上端には円柱（円筒）形のサセ
プタ４が固定されている。
は鉛直軸のまわりに回転できるようになっている。回転
軸３は下方で軸受によって支持され回転導入機によって
回転するようになっているがこれらの機構は簡単のため
図示しない。回転軸３の上端には円柱（円筒）形のサセ
プタ４が固定されている。
【００１３】サセプタ４の側周にはこれに対して回転可
能であるように回転羽根リング５が設けられる。サセプ
タ４の上頂部には、ウエハ７を上に置いたウエハトレイ
８が回転可能に設けられる。メイントレイ９がサセプタ
４の上面を覆う。回転羽根リング５が原料ガスの風力に
よって回転し、これによってウエハトレイ８が自転する
のであるが、各部材の形状をさらに図２〜図７によって
説明する。
能であるように回転羽根リング５が設けられる。サセプ
タ４の上頂部には、ウエハ７を上に置いたウエハトレイ
８が回転可能に設けられる。メイントレイ９がサセプタ
４の上面を覆う。回転羽根リング５が原料ガスの風力に
よって回転し、これによってウエハトレイ８が自転する
のであるが、各部材の形状をさらに図２〜図７によって
説明する。
【００１４】サセプタ４は下方のサセプタ主体１０と、
上方の水平な上頂部１１と、サセプタ主体１０と上頂部
１１の間にあるリング溝１２とを有する。上頂部１１に
は複数のトレイ差込穴１３が回転対称の位置に穿たれる
。これは円形の穴である。
上方の水平な上頂部１１と、サセプタ主体１０と上頂部
１１の間にあるリング溝１２とを有する。上頂部１１に
は複数のトレイ差込穴１３が回転対称の位置に穿たれる
。これは円形の穴である。
【００１５】回転羽根リング５はリング状のリム部１４
の外周に複数の羽根部１５を設けたものである。リム部
１４の内周には内歯歯車１６が設けられている。回転羽
根リング５のリム部１４は、サセプタとほぼ同径で、回
転羽根リング５はサセプタ４のリング溝１２の中へ嵌込
まれる。この中で回転羽根リング５は自由に回転できる
。回転トレイ６はこの例では３つある。もちろん２つで
あっても、４つ以上であってもよい。回転トレイ平坦な
上台１７と、その下方により小径の円筒部があって、こ
の円筒部には外歯歯車１８が刻まれている。外歯歯車１
８のモジュールは、回転羽根リング５の内歯歯車１６と
同一である。上台１７にウエハ又はウエハトレイが置か
れる。
の外周に複数の羽根部１５を設けたものである。リム部
１４の内周には内歯歯車１６が設けられている。回転羽
根リング５のリム部１４は、サセプタとほぼ同径で、回
転羽根リング５はサセプタ４のリング溝１２の中へ嵌込
まれる。この中で回転羽根リング５は自由に回転できる
。回転トレイ６はこの例では３つある。もちろん２つで
あっても、４つ以上であってもよい。回転トレイ平坦な
上台１７と、その下方により小径の円筒部があって、こ
の円筒部には外歯歯車１８が刻まれている。外歯歯車１
８のモジュールは、回転羽根リング５の内歯歯車１６と
同一である。上台１７にウエハ又はウエハトレイが置か
れる。
【００１６】ウエハトレイ８はメイントレイ９の孔部の
上に戴せることができるようになっており、図８のよう
に、メイントレイ９に戴せた状態で搬送される。メイン
トレイ９はサセプタ４の上に戴せられるが、これは自転
しない。サセプタ４と一体となって公転するだけである
。メイントレイ９をサセプタ４の上に置くと、トレイ９
の孔２０から、下方の回転トレイが突出して上台１７に
ウエハトレイが乗るようになるのである。
上に戴せることができるようになっており、図８のよう
に、メイントレイ９に戴せた状態で搬送される。メイン
トレイ９はサセプタ４の上に戴せられるが、これは自転
しない。サセプタ４と一体となって公転するだけである
。メイントレイ９をサセプタ４の上に置くと、トレイ９
の孔２０から、下方の回転トレイが突出して上台１７に
ウエハトレイが乗るようになるのである。
【００１７】原料ガスが上から下へ流れると、回転羽根
リング５の羽根部１５が回転方向の力を受けるので、回
転羽根リング５が回転する。これの内歯歯車１６は回転
トレイ６の外歯歯車１８に噛み合っているから、回転ト
レイ６が回転する。この上にウエハトレイとウエハが戴
っているのであるから。ウエハも回転トレイ６とともに
回転する。
リング５の羽根部１５が回転方向の力を受けるので、回
転羽根リング５が回転する。これの内歯歯車１６は回転
トレイ６の外歯歯車１８に噛み合っているから、回転ト
レイ６が回転する。この上にウエハトレイとウエハが戴
っているのであるから。ウエハも回転トレイ６とともに
回転する。
【００１８】結局ウエハは、サセプタ４の回転軸３が回
転することにより公転し、回転羽根リング５が回転する
ことにより自転するのである。外歯歯車の歯数をＰ、回
転角速度をｐ、回転羽根リング５の内歯歯車の歯数をＩ
、回転角速度をｉとすると、 ｐＰ＝ｉＩ
（１）という関係式が成り立つので、ウ
エハの自転角速度ｐはｉＩ／Ｐによって与えられる。回
転トレイや回転羽根リングの軸受が問題になる。これら
には工夫を要する。汚染を避けるためボールベアリング
などを使うことが難しい。滑り面を利用した滑り軸受と
なる。回転トレイはサセプタのトレイ差込穴１３と上台
１７の側周の摺接によって支持される。またトレイの下
にピンを出してサセプタによって支持するようにもでき
る。
転することにより公転し、回転羽根リング５が回転する
ことにより自転するのである。外歯歯車の歯数をＰ、回
転角速度をｐ、回転羽根リング５の内歯歯車の歯数をＩ
、回転角速度をｉとすると、 ｐＰ＝ｉＩ
（１）という関係式が成り立つので、ウ
エハの自転角速度ｐはｉＩ／Ｐによって与えられる。回
転トレイや回転羽根リングの軸受が問題になる。これら
には工夫を要する。汚染を避けるためボールベアリング
などを使うことが難しい。滑り面を利用した滑り軸受と
なる。回転トレイはサセプタのトレイ差込穴１３と上台
１７の側周の摺接によって支持される。またトレイの下
にピンを出してサセプタによって支持するようにもでき
る。
【００１９】これだけでは回転トレイにねじれ力が発生
しやすいので、回転トレイの外歯歯車１８で囲まれる中
心の空間に、太陽歯車２１を入れるようにしてもよい。 こうすると図７に示すような構造になって回転は円滑に
なる。回転トレイには両側から均等な圧力がかかること
になり、ねじり力が生じないからである。
しやすいので、回転トレイの外歯歯車１８で囲まれる中
心の空間に、太陽歯車２１を入れるようにしてもよい。 こうすると図７に示すような構造になって回転は円滑に
なる。回転トレイには両側から均等な圧力がかかること
になり、ねじり力が生じないからである。
【００２０】
【実施例】ＧａＡｓウエハ上にＧａＡｓ薄膜をエピタキ
シャル成長させるのに本発明を用いた。 サセプタ外径：
１８０ｍｍ回転リングの羽根の径方向の長
さ： ２０ｍｍ反応管の内径：
２５０ｍｍウエ
ハサイズ：
３インチＧａＡｓ ウエハ枚数：
３枚原料ガス流量：
２０ＳＬＭサセプタ公
転速度（左廻り）： ３〜４ｒｐｍ
圧力：
７６Ｔｏｒｒこのような条件で気
相成長させたところ、回転羽根リングは原料ガスの作用
によって右廻りに２〜３ｒｐｍの速度で回転し、ウエハ
は右廻りに４〜６ｒｐｍの速度で回転した。約１μｍの
ＧａＡｓ薄膜をエピタキシャル成長させた。膜厚の面内
分布は自転させない場合、約１０％のバラツキがあった
が、自転を行わせたところ１％以下のバラツキに抑えら
れた。極めて均一性の高いエピタキシャル成長膜を得る
ことができる。
シャル成長させるのに本発明を用いた。 サセプタ外径：
１８０ｍｍ回転リングの羽根の径方向の長
さ： ２０ｍｍ反応管の内径：
２５０ｍｍウエ
ハサイズ：
３インチＧａＡｓ ウエハ枚数：
３枚原料ガス流量：
２０ＳＬＭサセプタ公
転速度（左廻り）： ３〜４ｒｐｍ
圧力：
７６Ｔｏｒｒこのような条件で気
相成長させたところ、回転羽根リングは原料ガスの作用
によって右廻りに２〜３ｒｐｍの速度で回転し、ウエハ
は右廻りに４〜６ｒｐｍの速度で回転した。約１μｍの
ＧａＡｓ薄膜をエピタキシャル成長させた。膜厚の面内
分布は自転させない場合、約１０％のバラツキがあった
が、自転を行わせたところ１％以下のバラツキに抑えら
れた。極めて均一性の高いエピタキシャル成長膜を得る
ことができる。
【００２１】
【発明の効果】本発明の装置に於いて、ウエハはサセプ
タの上で自転することができる。このためウエハの面内
に於ける膜厚、不純物濃度、膜質などが均一になり、高
品質のエピタキシャル膜を得ることができる。しかも自
転させるために、サセプタの回転機構を複雑にすること
もない。駆動力として原料ガスの流れを用いているから
構造は比較的簡単である。これらの機械的部品はウエハ
よりも下流側にあるので摩耗粉などによりウエハが汚染
されるということもない。
タの上で自転することができる。このためウエハの面内
に於ける膜厚、不純物濃度、膜質などが均一になり、高
品質のエピタキシャル膜を得ることができる。しかも自
転させるために、サセプタの回転機構を複雑にすること
もない。駆動力として原料ガスの流れを用いているから
構造は比較的簡単である。これらの機械的部品はウエハ
よりも下流側にあるので摩耗粉などによりウエハが汚染
されるということもない。
【図１】本発明の気相成長装置の概略斜視図。
【図２】メイントレイの斜視図。
【図３】回転羽根リングの斜視図。
【図４】サセプタの斜視図。
【図５】ウエハトレイの斜視図。
【図６】回転トレイの斜視図。
【図７】太陽歯車を回転トレイ中心に入れた他の実施例
の断面図。
の断面図。
【図８】本発明のサセプタの部分の組立図。
１ 反応管
２ 原料ガス入口
３ 回転軸
４ サセプタ
５ 回転羽根リング
６ 回転トレイ
７ ウエハ
８ ウエハトレイ
９ メイントレイ
１０ サセプタ主体
１１ 上頂部
１２ リング溝
１３ トレイ差込穴
１４ リム部
１５ 羽根部
１６ 内歯歯車
１７ 上台
１８ 外歯歯車
Claims (3)
- 【請求項１】 略円筒形の容器であって上方に原料ガ
ス入口を有し下方に排ガス出口を有し真空に引くことの
できる反応管と、反応管の内部に縦方向に設けられ回転
可能な回転軸と、回転軸の上端に支持され側周にリング
溝を有し上頂部に複数のトレイ差込穴を有するサセプタ
と、下半に外歯歯車を有し上面にはウエハ又はウエハト
レイを戴置する台を有しサセプタのトレイ差込穴に回転
可能に挿入される複数の回転トレイと、外周に羽根を有
し内周には内歯歯車を有しサセプタ溝に滑動自在に嵌装
される回転羽根リングとを含み、回転羽根リングの内歯
歯車が回転トレイ下半の外歯歯車に噛合し、上方からの
原料ガスの流れによって回転羽根リングがサセプタに対
して相対的に回転し、回転トレイが各々の中心軸の周り
に自転するようにしたことを特徴とする有機金属気相成
長装置。 - 【請求項２】 略円筒形の容器であって上方に原料ガ
ス入口を有し下方に排ガス出口を有し真空に引くことの
できる反応管と、反応管の内部に縦方向に設けられ回転
可能な回転軸と、回転軸の上端に支持され側周にリング
溝を有し上頂部に複数のトレイ差込穴を有するサセプタ
と、下半に外歯歯車を有し上面にはウエハ又はウエハト
レイを戴置する台を有しサセプタのトレイ差込穴に回転
可能に挿入される複数の回転トレイと、外周に羽根を有
し内周には内歯歯車を有しサセプタ溝に滑動自在に嵌装
される回転羽根リングと、サセプタのリング溝と同じ高
さであってサセプタの中心に回転可能に支持される太陽
歯車とを含み、回転羽根リングの内歯歯車が回転トレイ
下半の外歯歯車に噛合し、回転トレイ下半の歯車は中心
の太陽歯車に噛合し、上方からの原料ガスの流れによっ
て回転羽根リングがサセプタに対して相対的に回転し、
回転トレイが各々の中心軸の周りに自転するようにした
ことを特徴とする有機金属気相成長装置。 - 【請求項３】 回転羽根リングの内歯歯車が片側又は
両側にそのピッチ円に等しい内円筒面を有し、回転トレ
イの外歯歯車がその片側又は両側にそのピッチ円に等し
い外円周面を有し、太陽歯車がその片側又は両側にその
ピッチ円に等しい外円周面を有し、回転トレイの円周面
が、太陽歯車の外円周面と回転羽根リングの内円筒面に
接触転動するようにしたことを特徴とする請求項２に記
載の有機金属気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10688291A JPH04313220A (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | 有機金属気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10688291A JPH04313220A (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | 有機金属気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04313220A true JPH04313220A (ja) | 1992-11-05 |
Family
ID=14444875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10688291A Pending JPH04313220A (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | 有機金属気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04313220A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5782979A (en) * | 1993-04-22 | 1998-07-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Substrate holder for MOCVD |
| KR100539452B1 (ko) * | 1998-10-20 | 2006-03-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조용 스피너 |
| JP2007109770A (ja) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| US7736528B2 (en) | 2005-10-12 | 2010-06-15 | Panasonic Corporation | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| WO2010134471A1 (ja) * | 2009-05-22 | 2010-11-25 | 大陽日酸株式会社 | 気相成長装置 |
-
1991
- 1991-04-10 JP JP10688291A patent/JPH04313220A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US8231798B2 (en) | 2005-10-12 | 2012-07-31 | Panasonic Corporation | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| US8591754B2 (en) | 2005-10-12 | 2013-11-26 | Panasonic Corporation | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
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| JP2010272708A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 気相成長装置 |
| KR20120024798A (ko) * | 2009-05-22 | 2012-03-14 | 다이요 닛산 가부시키가이샤 | 기상 성장 장치 |
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