JPH04301921A - Inverter circuit - Google Patents
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- JPH04301921A JPH04301921A JP3091293A JP9129391A JPH04301921A JP H04301921 A JPH04301921 A JP H04301921A JP 3091293 A JP3091293 A JP 3091293A JP 9129391 A JP9129391 A JP 9129391A JP H04301921 A JPH04301921 A JP H04301921A
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Abstract
Description
【0001】0001
【産業上の利用分野】本発明はMOSトランジスタ等に
より構成されるインバータ回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an inverter circuit composed of MOS transistors and the like.
【0002】0002
【従来の技術】図5は従来のこの種のインバータ回路を
示す回路図である。PチャネルMOSトランジスタ(以
下、Pchトランジスタという)5はそのソースが電源
端子3に接続されている。NチャネルMOSトランジス
タ(以下、Nchトランジスタという)6はそのソース
がGND端子4に接続されている。そして、Pchトラ
ンジスタ5及びNchトランジスタ6の各ゲートは入力
端子1に共通接続されている。また、Pchトランジス
タ5及びNchトランジスタ6の各ドレインは出力端子
2に共通接続されている。2. Description of the Related Art FIG. 5 is a circuit diagram showing a conventional inverter circuit of this type. A P-channel MOS transistor (hereinafter referred to as Pch transistor) 5 has its source connected to the power supply terminal 3. An N-channel MOS transistor (hereinafter referred to as Nch transistor) 6 has its source connected to the GND terminal 4. The gates of the Pch transistor 5 and the Nch transistor 6 are commonly connected to the input terminal 1. Furthermore, the drains of the Pch transistor 5 and the Nch transistor 6 are commonly connected to the output terminal 2.
【0003】次に、上述のインバータ回路の動作につい
て説明する。先ず、入力端子1の入力電圧がLowレベ
ルのとき、Pchトランジスタ5はON状態であり、N
chトランジスタ6はOFF状態である。次に、入力電
圧が上昇すると、Nchトランジスタ6はスレッショル
ド電圧VTNでON状態になり、Pchトランジスタ5
は(VDD−|VTP|)でOFF状態になる。但し、
VDDは電源電圧であり、VTPはPchトランジスタ
5のスレッショルド電圧である。Next, the operation of the above-mentioned inverter circuit will be explained. First, when the input voltage of the input terminal 1 is at a low level, the Pch transistor 5 is in the ON state, and the N
ch transistor 6 is in an OFF state. Next, when the input voltage rises, the Nch transistor 6 turns on at the threshold voltage VTN, and the Pch transistor 5
is turned off at (VDD-|VTP|). however,
VDD is a power supply voltage, and VTP is a threshold voltage of the Pch transistor 5.
【0004】0004
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のインバータ回路は、1対のPchトランジスタ
5及びNchトランジスタ6で構成されており、入力電
圧がVTN〜(VDD−|VTP|)のとき、Pchト
ランジスタ5及びNchトランジスタ6が同時にON状
態になるため、電源端子3とGND端子4との間を流れ
る消費電流が大きいという問題点がある。However, the conventional inverter circuit described above is composed of a pair of Pch transistor 5 and Nch transistor 6, and when the input voltage is VTN~(VDD-|VTP|), Since the Pch transistor 5 and the Nch transistor 6 are turned on at the same time, there is a problem that the current consumption flowing between the power supply terminal 3 and the GND terminal 4 is large.
【0005】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、消費電流を低減することができるインバー
タ回路を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide an inverter circuit that can reduce current consumption.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明に係るインバータ
回路は、そのゲートが入力端子に接続されそのドレイン
が出力端子に接続された第1のPチャネルMOSトラン
ジスタ及び第1のNチャネルMOSトランジスタと、前
記第1のPチャネルMOSトランジスタのソースと電源
端子との間に接続された第2のPチャネルMOSトラン
ジスタと、前記第1のNチャネルMOSトランジスタの
ソースと接地端子との間に接続された第2のNチャネル
MOSトランジスタと、前記第2のPチャネルMOSト
ランジスタのゲートと前記入力端子との間及び前記第2
のNチャネルMOSトランジスタのゲートと前記入力端
子との間に夫々接続された遅延回路とを有することを特
徴とする。[Means for Solving the Problems] An inverter circuit according to the present invention includes a first P-channel MOS transistor and a first N-channel MOS transistor, each having its gate connected to an input terminal and its drain connected to an output terminal. , a second P-channel MOS transistor connected between the source of the first P-channel MOS transistor and the power supply terminal, and a second P-channel MOS transistor connected between the source of the first N-channel MOS transistor and the ground terminal. between the second N-channel MOS transistor and the gate of the second P-channel MOS transistor and the input terminal;
It is characterized by comprising delay circuits connected between the gates of the N-channel MOS transistors and the input terminals, respectively.
【0007】[0007]
【作用】本発明においては、第1のPチャネルMOSト
ランジスタのソースと電源端子との間に第2のPチャネ
ルMOSトランジスタが接続され、第1のNチャネルM
OSトランジスタのソースと接地端子との間に第2のN
チャネルMOSトランジスタが接続されていて、この第
2のPチャネルMOSトランジスタのゲートと入力端子
との間及び第2のNチャネルMOSトランジスタのソー
スと入力端子との間には夫々遅延回路が接続されている
。このため、第2のPチャネルMOSトランジスタ及び
第2のNチャネルMOSトランジスタは、夫々第1のP
チャネルMOSトランジスタ及び第1のNチャネルMO
Sトランジスタよりも遅れて動作する。従って、電源端
子と接地端子との間に直列に接続されたトランジスタの
全てがON状態になる時間を従来に比して短縮できるの
で、電源端子と接地端子との間を流れる消費電流を低減
することができる。[Operation] In the present invention, the second P-channel MOS transistor is connected between the source of the first P-channel MOS transistor and the power supply terminal, and the first N-channel MOS transistor is connected between the source of the first P-channel MOS transistor and the power supply terminal.
A second N is connected between the source of the OS transistor and the ground terminal.
A channel MOS transistor is connected, and a delay circuit is connected between the gate of the second P-channel MOS transistor and the input terminal and between the source and the input terminal of the second N-channel MOS transistor. There is. Therefore, the second P-channel MOS transistor and the second N-channel MOS transistor are connected to the first P-channel MOS transistor, respectively.
Channel MOS transistor and first N-channel MO
It operates later than the S transistor. Therefore, the time during which all the transistors connected in series between the power supply terminal and the ground terminal are in the ON state can be shortened compared to the conventional method, thereby reducing the current consumption flowing between the power supply terminal and the ground terminal. be able to.
【0008】各遅延回路は以下に示すように構成するこ
とができる。即ち、前記第2のPチャネルMOSトラン
ジスタのゲート又は前記第2のNチャネルMOSトラン
ジスタのゲートと前記入力端子との間に夫々抵抗を接続
し、前記第2のPチャネルMOSトランジスタのゲート
又は前記第2のNチャネルMOSトランジスタのゲート
と接地端子との間に夫々コンデンサを接続する。これに
より、前記抵抗の抵抗値及び前記コンデンサの容量に基
づいて前記入力端子の入力電圧を遅延させることができ
る。また、前記抵抗の替わりに、前記第2のPチャネル
MOSトランジスタのゲート又は前記第2のNチャネル
MOSトランジスタのゲートと前記入力端子との間に夫
々第3のPチャネルMOSトランジスタ及び第3のNチ
ャネルMOSトランジスタを並列接続し、この第3のP
チャネルMOSトランジスタ及び第3のNチャネルMO
SトランジスタのON抵抗を利用することもできる。こ
の場合、前記遅延回路の形成面積を縮小することができ
る。Each delay circuit can be configured as shown below. That is, a resistor is connected between the gate of the second P-channel MOS transistor or the gate of the second N-channel MOS transistor and the input terminal, respectively, and the gate of the second P-channel MOS transistor or the gate of the second N-channel MOS transistor is connected to the input terminal. A capacitor is connected between the gate of each of the second N-channel MOS transistors and the ground terminal. Thereby, the input voltage of the input terminal can be delayed based on the resistance value of the resistor and the capacitance of the capacitor. Further, instead of the resistor, a third P-channel MOS transistor and a third N-channel MOS transistor are connected between the gate of the second P-channel MOS transistor or the gate of the second N-channel MOS transistor and the input terminal, respectively. Channel MOS transistors are connected in parallel, and this third P
Channel MOS transistor and third N-channel MO
It is also possible to use the ON resistance of the S transistor. In this case, the formation area of the delay circuit can be reduced.
【0009】[0009]
【実施例】次に、本発明の実施例について添付の図面を
参照して説明する。Embodiments Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
【0010】図1は本発明の第1の実施例に係るインバ
ータ回路を示す回路図である。Pchトランジスタ5は
、従来例と同様にして、そのゲートが入力端子1に接続
され、そのドレインが出力端子2に接続されている。
Pchトランジスタ7はPchトランジスタ5のソース
と電源端子3との間に接続されている。抵抗10はPc
hトランジスタ7のゲートと入力端子1との間に接続さ
れている。コンデンサ11はPchトランジスタ7のゲ
ートとGND端子4との間に接続されている。この抵抗
10及びコンデンサ11により遅延回路9が構成されて
いる。FIG. 1 is a circuit diagram showing an inverter circuit according to a first embodiment of the present invention. The Pch transistor 5 has its gate connected to the input terminal 1 and its drain connected to the output terminal 2, as in the conventional example. Pch transistor 7 is connected between the source of Pch transistor 5 and power supply terminal 3. Resistor 10 is Pc
h is connected between the gate of transistor 7 and input terminal 1. The capacitor 11 is connected between the gate of the Pch transistor 7 and the GND terminal 4. The resistor 10 and capacitor 11 constitute a delay circuit 9.
【0011】一方、Nchトランジスタ6は、従来例と
同様にして、そのゲートが入力端子1に接続され、その
ドレインが出力端子2に接続されている。Nchトラン
ジスタ8はNchトランジスタ6のソースとGND端子
4との間に接続されている。そして、Nchトランジス
タ8のゲートと入力端子1との間にも、抵抗10及びコ
ンデンサ11からなる遅延回路9が接続されている。On the other hand, the Nch transistor 6 has its gate connected to the input terminal 1 and its drain connected to the output terminal 2, as in the conventional example. Nch transistor 8 is connected between the source of Nch transistor 6 and GND terminal 4. A delay circuit 9 consisting of a resistor 10 and a capacitor 11 is also connected between the gate of the Nch transistor 8 and the input terminal 1.
【0012】次に、上述のインバータ回路の動作につい
て説明する。先ず、入力端子1の入力電圧がLowレベ
ルのとき、Pchトランジスタ5,7はON状態であり
、Nchトランジスタ6,8はOFF状態である。次に
、入力電圧が上昇すると、Nchトランジスタ6はスレ
ッショルド電圧VTNでON状態になるが、Nchトラ
ンジスタ8は遅延回路9が設けられているためNchト
ランジスタ6よりも遅れてON状態になる。一方、Pc
hトランジスタ5は(VDD−|VTP|)でOFF状
態になるが、Pchトランジスタ7は遅延回路9が設け
られているためPchトランジスタ5よりも遅れてOF
F状態になる。Next, the operation of the above-mentioned inverter circuit will be explained. First, when the input voltage of the input terminal 1 is at a low level, the Pch transistors 5 and 7 are in an ON state, and the Nch transistors 6 and 8 are in an OFF state. Next, when the input voltage increases, the Nch transistor 6 turns on at the threshold voltage VTN, but the Nch transistor 8 turns on later than the Nch transistor 6 because the delay circuit 9 is provided. On the other hand, Pc
The h transistor 5 turns off at (VDD-|VTP|), but the Pch transistor 7 turns off later than the Pch transistor 5 because it is provided with a delay circuit 9.
Becomes F state.
【0013】このように、本実施例によれば、電源端子
3とGND端子4との間に直列に接続された2対のトラ
ンジスタ5乃至8の全てがON状態になる時間を、従来
例における1対のトランジスタ5,6の場合に比して短
縮できるので、電源端子3とGND端子4との間を流れ
る消費電流を低減することができる。As described above, according to the present embodiment, the time during which all of the two pairs of transistors 5 to 8 connected in series between the power supply terminal 3 and the GND terminal 4 are in the ON state is different from that in the conventional example. Since the length can be shortened compared to the case of a pair of transistors 5 and 6, the current consumption flowing between the power supply terminal 3 and the GND terminal 4 can be reduced.
【0014】図2は本発明の第2の実施例に係るインバ
ータ回路を示す回路図である。なお、本実施例は遅延回
路の構成が第1の実施例と異なるものである。FIG. 2 is a circuit diagram showing an inverter circuit according to a second embodiment of the present invention. Note that this embodiment differs from the first embodiment in the configuration of the delay circuit.
【0015】Pchトランジスタ5はそのゲートが入力
端子1に接続され、そのドレインが出力端子2に接続さ
れている。Pchトランジスタ7はPchトランジスタ
5のソースと電源端子3との間に接続されている。Pc
hトランジスタ12はそのゲートが電源端子3に接続さ
れ、そのソースが入力端子1に接続され、そのドレイン
がPchトランジスタ7のゲートに接続されている。N
chトランジスタ13はそのゲートがGND端子4に接
続され、そのソースがPchトランジスタ7のゲートに
接続され、そのドレインが入力端子1に接続されている
。コンデンサ11はPchトランジスタ7のゲートとG
ND端子4との間に接続されている。即ち、Pchトラ
ンジスタ12、Nchトランジスタ13及びコンデンサ
11により遅延回路9aが構成されている。The Pch transistor 5 has its gate connected to the input terminal 1 and its drain connected to the output terminal 2. Pch transistor 7 is connected between the source of Pch transistor 5 and power supply terminal 3. Pc
The h transistor 12 has its gate connected to the power supply terminal 3, its source connected to the input terminal 1, and its drain connected to the gate of the Pch transistor 7. N
The ch transistor 13 has its gate connected to the GND terminal 4, its source connected to the gate of the Pch transistor 7, and its drain connected to the input terminal 1. The capacitor 11 is connected to the gate of the Pch transistor 7 and the G
It is connected between the ND terminal 4 and the ND terminal 4. That is, the Pch transistor 12, the Nch transistor 13, and the capacitor 11 constitute a delay circuit 9a.
【0016】一方、Nchトランジスタ6はそのゲート
が入力端子1に接続され、そのドレインが出力端子2に
接続されている。Nchトランジスタ8はNchトラン
ジスタ6のソースとGND端子4との間に接続されてい
る。Pchトランジスタ14はそのゲートが電源端子3
に接続され、そのソースが入力端子1に接続され、その
ドレインがNchトランジスタ8のゲートに接続されて
いる。Nchトランジスタ15はそのゲートがGND端
子4に接続され、そのソースがNchトランジスタ8の
ゲートに接続され、そのドレインが入力端子1に接続さ
れている。コンデンサ11はNchトランジスタ8のゲ
ートとGND端子4との間に接続されている。即ち、P
chトランジスタ14、Nchトランジスタ15及びコ
ンデンサ11により遅延回路9bが構成されている。On the other hand, the Nch transistor 6 has its gate connected to the input terminal 1 and its drain connected to the output terminal 2. Nch transistor 8 is connected between the source of Nch transistor 6 and GND terminal 4. The Pch transistor 14 has its gate connected to the power supply terminal 3.
, its source is connected to the input terminal 1 , and its drain is connected to the gate of the Nch transistor 8 . The Nch transistor 15 has its gate connected to the GND terminal 4 , its source connected to the gate of the Nch transistor 8 , and its drain connected to the input terminal 1 . Capacitor 11 is connected between the gate of Nch transistor 8 and GND terminal 4. That is, P
The ch transistor 14, the Nch transistor 15, and the capacitor 11 constitute a delay circuit 9b.
【0017】本実施例においては、入力端子1とPch
トランジスタ7のゲートとの間に接続された遅延回路9
aは、トランジスタ12,13のON抵抗及びコンデン
サ11により入力電圧を遅延させる。一方、入力端子1
とNchトランジスタ8のゲートとの間に接続された遅
延回路9bは、トランジスタ14,15のON抵抗及び
コンデンサ11により入力電圧を遅延させる。このため
、入力端子1の入力電圧がLowレベルから上昇すると
き、第1の実施例と同様にして、Nchトランジスタ8
はNchトランジスタ6よりも遅れてON状態になるの
で、電源端子3とGND端子4との間を流れる消費電流
を低減することができる。In this embodiment, input terminal 1 and Pch
Delay circuit 9 connected between the gate of transistor 7
a delays the input voltage by the ON resistances of the transistors 12 and 13 and the capacitor 11. On the other hand, input terminal 1
A delay circuit 9b connected between the gate of the Nch transistor 8 and the gate of the Nch transistor 8 delays the input voltage by the ON resistances of the transistors 14 and 15 and the capacitor 11. Therefore, when the input voltage of the input terminal 1 rises from the Low level, the Nch transistor 8
Since the transistor turns on later than the Nch transistor 6, the current consumption flowing between the power supply terminal 3 and the GND terminal 4 can be reduced.
【0018】また、本実施例においては、遅延回路9a
,9bはトランジスタのON抵抗を利用しているため、
第1の実施例における遅延回路9よりもその形成面積を
小さくすることができる。Furthermore, in this embodiment, the delay circuit 9a
, 9b uses the ON resistance of the transistor, so
The formation area of the delay circuit 9 can be made smaller than that of the delay circuit 9 in the first embodiment.
【0019】図3及び図4は夫々第2の実施例(図2参
照)及び従来例(図5参照)に係るインバータ回路にお
ける入力電圧、出力電圧及び消費電流の関係をシミュレ
ーションした結果を示すグラフ図である。FIGS. 3 and 4 are graphs showing the results of simulations of the relationships among input voltage, output voltage, and current consumption in inverter circuits according to the second embodiment (see FIG. 2) and the conventional example (see FIG. 5), respectively. It is a diagram.
【0020】この図3及び図4から明らかなように、第
2の実施例によれば、ピーク時の消費電流を従来に比し
て約25%低減することができる。As is clear from FIGS. 3 and 4, according to the second embodiment, the current consumption at peak times can be reduced by about 25% compared to the conventional one.
【0021】[0021]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、従
来のインバータ回路を構成する第1のPチャネルMOS
トランジスタ及び第1のNチャネルMOSトランジスタ
に夫々第2のPチャネルMOSトランジスタ及び第2の
NチャネルMOSトランジスタを直列に接続し、遅延回
路により前記第2のPチャネルMOSトランジスタ及び
前記第2のNチャネルMOSトランジスタの入力電圧を
遅延させるから、電源端子と接地端子との間に直列に接
続されたトランジスタの全てがON状態になる時間を従
来に比して短縮できる。従って、電源端子と接地端子と
の間を流れる消費電流を低減することができる。As explained above, according to the present invention, the first P-channel MOS constituting the conventional inverter circuit
A second P-channel MOS transistor and a second N-channel MOS transistor are connected in series to the transistor and the first N-channel MOS transistor, respectively, and a delay circuit connects the second P-channel MOS transistor and the second N-channel MOS transistor. Since the input voltage of the MOS transistor is delayed, the time required for all the transistors connected in series between the power supply terminal and the ground terminal to be in the ON state can be shortened compared to the conventional method. Therefore, the current consumption flowing between the power supply terminal and the ground terminal can be reduced.
【図1】本発明の第1の実施例に係るインバータ回路を
示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing an inverter circuit according to a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の第2の実施例に係るインバータ回路を
示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing an inverter circuit according to a second embodiment of the present invention.
【図3】第2の実施例に係るインバータ回路における入
力電圧、出力電圧及び消費電流の関係をシミュレーショ
ンした結果を示すグラフ図である。FIG. 3 is a graph diagram showing the results of simulating the relationship between input voltage, output voltage, and current consumption in an inverter circuit according to a second example.
【図4】従来例に係るインバータ回路における入力電圧
、出力電圧及び消費電流の関係をシミュレーションした
結果を示すグラフ図である。FIG. 4 is a graph diagram showing the results of simulating the relationship between input voltage, output voltage, and current consumption in an inverter circuit according to a conventional example.
【図5】従来のインバータ回路を示す回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram showing a conventional inverter circuit.
1;入力端子
2;出力端子
3;電源端子
4;GND端子
5,7,12,14;Pchトランジスタ6,8,13
,15;Nchトランジスタ9,9a,9b;遅延回路
10;抵抗
11;コンデンサ1; Input terminal 2; Output terminal 3; Power supply terminal 4; GND terminal 5, 7, 12, 14; Pch transistor 6, 8, 13
, 15; Nch transistors 9, 9a, 9b; delay circuit 10; resistor 11; capacitor
Claims (3)
ドレインが出力端子に接続された第1のPチャネルMO
Sトランジスタ及び第1のNチャネルMOSトランジス
タと、前記第1のPチャネルMOSトランジスタのソー
スと電源端子との間に接続された第2のPチャネルMO
Sトランジスタと、前記第1のNチャネルMOSトラン
ジスタのソースと接地端子との間に接続された第2のN
チャネルMOSトランジスタと、前記第2のPチャネル
MOSトランジスタのゲートと前記入力端子との間及び
前記第2のNチャネルMOSトランジスタのゲートと前
記入力端子との間に夫々接続された遅延回路とを有する
ことを特徴とするインバータ回路。1. A first P-channel MO whose gate is connected to an input terminal and whose drain is connected to an output terminal.
a second P-channel MOS transistor connected between an S transistor and a first N-channel MOS transistor, and a source of the first P-channel MOS transistor and a power supply terminal;
a second N-channel MOS transistor connected between the source of the first N-channel MOS transistor and the ground terminal;
a channel MOS transistor, and a delay circuit connected between the gate of the second P-channel MOS transistor and the input terminal and between the gate of the second N-channel MOS transistor and the input terminal, respectively. An inverter circuit characterized by:
ルMOSトランジスタのゲート又は前記第2のNチャネ
ルMOSトランジスタのゲートと前記入力端子との間に
夫々接続された抵抗と、前記第2のPチャネルMOSト
ランジスタのゲート又は前記第2のNチャネルMOSト
ランジスタのゲートと接地端子との間に夫々接続された
コンデンサとを有することを特徴とする請求項1に記載
のインバータ回路。2. Each of the delay circuits includes a resistor connected between the gate of the second P channel MOS transistor or the gate of the second N channel MOS transistor and the input terminal, and a resistor connected between the gate of the second P channel MOS transistor or the gate of the second N channel MOS transistor and the input terminal, and 2. The inverter circuit according to claim 1, further comprising a capacitor connected between the gate of the P-channel MOS transistor or the gate of the second N-channel MOS transistor and a ground terminal.
ルMOSトランジスタのゲート又は前記第2のNチャネ
ルMOSトランジスタのゲートと前記入力端子との間に
夫々並列接続された第3のPチャネルMOSトランジス
タ及び第3のNチャネルMOSトランジスタと、前記第
2のPチャネルMOSトランジスタのゲート又は前記第
2のNチャネルMOSトランジスタのゲートと接地端子
との間に夫々接続されたコンデンサとを有することを特
徴とする請求項1に記載のインバータ回路。3. Each of the delay circuits includes a third P-channel MOS transistor connected in parallel between the gate of the second P-channel MOS transistor or the gate of the second N-channel MOS transistor and the input terminal. A transistor, a third N-channel MOS transistor, and a capacitor connected between the gate of the second P-channel MOS transistor or the gate of the second N-channel MOS transistor and a ground terminal, respectively. The inverter circuit according to claim 1.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3091293A JPH04301921A (en) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | Inverter circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3091293A JPH04301921A (en) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | Inverter circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04301921A true JPH04301921A (en) | 1992-10-26 |
Family
ID=14022424
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3091293A Pending JPH04301921A (en) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | Inverter circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04301921A (en) |
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