JPH0430123B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0430123B2 JPH0430123B2 JP58009856A JP985683A JPH0430123B2 JP H0430123 B2 JPH0430123 B2 JP H0430123B2 JP 58009856 A JP58009856 A JP 58009856A JP 985683 A JP985683 A JP 985683A JP H0430123 B2 JPH0430123 B2 JP H0430123B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superconducting wire
- compound
- diffusion barrier
- wire
- superconducting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 91
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 75
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 67
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 63
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims description 20
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 10
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 30
- HFYPIIWISGZGRF-UHFFFAOYSA-N [Nb].[Sn].[Sn].[Sn] Chemical compound [Nb].[Sn].[Sn].[Sn] HFYPIIWISGZGRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 14
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 7
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 6
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical class [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 5
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 5
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- -1 niobium-tritin compound Chemical class 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000807 Ga alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001257 Nb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000756 V alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- CDZGJSREWGPJMG-UHFFFAOYSA-N copper gallium Chemical compound [Cu].[Ga] CDZGJSREWGPJMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 150000002258 gallium Chemical class 0.000 description 1
- 235000012907 honey Nutrition 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUSNMLFNXJSCDI-UHFFFAOYSA-N tolnaftate Chemical compound C=1C=C2C=CC=CC2=CC=1OC(=S)N(C)C1=CC=CC(C)=C1 FUSNMLFNXJSCDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003681 vanadium Chemical class 0.000 description 1
- 238000005491 wire drawing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、高磁界用超電導コイルに使用する超
電導線材に係り、特に熱拡散反応により超電導部
を形成する化合物複合超電導線材に関する。
電導線材に係り、特に熱拡散反応により超電導部
を形成する化合物複合超電導線材に関する。
核融合装置に使用するトロイダルコイルは、大
型高磁界コイルを使用している。そして、化合物
複合超電導線材は、高磁界特性に優れているた
め、核融合トロイダルコイルのコイル巻線用線材
として有望視されている。しかし、化合物複合超
電導線材は、機械的に脆いため、従来種々の構造
の化合物複合超電導線材が提案されているが、大
型高磁界超電導コイルは実現していない。
型高磁界コイルを使用している。そして、化合物
複合超電導線材は、高磁界特性に優れているた
め、核融合トロイダルコイルのコイル巻線用線材
として有望視されている。しかし、化合物複合超
電導線材は、機械的に脆いため、従来種々の構造
の化合物複合超電導線材が提案されているが、大
型高磁界超電導コイルは実現していない。
第1図〜第4図は、従来の化合物複合超電導線
材の一例を示したものである。第1図は、化合物
複合超電導線材の最も一般的な構造を示す断面図
である。第1図において、化合物複合超電導線材
10は、多数のフイラメント12がマトリツクス
14中に均一に分散内蔵されている。このフイラ
メント12は、フイラメント12内の元素とマト
リツクス14内の元素とが高温状態において拡散
反応させられた、例えばニオブ3錫(Nb3Sn)等
の超電導化合物を有している。マトリツクス14
の周囲には、拡散障壁16が被着してあり、熱拡
散反応時において、マトリツクス14中の超電導
化合物元素の一部が安定化材18中に拡散しない
ようにしてある。
材の一例を示したものである。第1図は、化合物
複合超電導線材の最も一般的な構造を示す断面図
である。第1図において、化合物複合超電導線材
10は、多数のフイラメント12がマトリツクス
14中に均一に分散内蔵されている。このフイラ
メント12は、フイラメント12内の元素とマト
リツクス14内の元素とが高温状態において拡散
反応させられた、例えばニオブ3錫(Nb3Sn)等
の超電導化合物を有している。マトリツクス14
の周囲には、拡散障壁16が被着してあり、熱拡
散反応時において、マトリツクス14中の超電導
化合物元素の一部が安定化材18中に拡散しない
ようにしてある。
このような化合物超電導線材10は、拡散障壁
16内の電流密度が高いこと、耐歪性が良いこ
と、交流損失が少ないこと、化合物複合超電導線
材として安定化されていること等が要求されてい
る。また、機械的特性として拡散障壁材の加工性
がよく拡散障壁16の破損がないこと、化合物複
合超電導線材の製造が容易であること等が必要で
ある。しかし、第1図に示した化合物複合超電導
線材10は、拡散障壁16の外径が150μm以上で
あり、安定性が十分でない。
16内の電流密度が高いこと、耐歪性が良いこ
と、交流損失が少ないこと、化合物複合超電導線
材として安定化されていること等が要求されてい
る。また、機械的特性として拡散障壁材の加工性
がよく拡散障壁16の破損がないこと、化合物複
合超電導線材の製造が容易であること等が必要で
ある。しかし、第1図に示した化合物複合超電導
線材10は、拡散障壁16の外径が150μm以上で
あり、安定性が十分でない。
第2図〜第4図に示したものは、第1図とは異
なる構造の化合物複合超電導線材の例である。第
2図に示した化合物複合超電導線材10は、安定
化材18中に配置した拡散障壁16が単一である
例であつて、線材の製造が容易である。しかし大
電流用線材においては、拡散障壁16の平均外径
が数mm以上にもなり、化合物複合超電導線材10
の安定性が悪くなる欠点がある。この超電導線材
の安定性Sは、第5図に示した電流と電圧との特
性曲線におけるIq−Ie/Ieで表わされる。すなわち、 極低温状態において超電導線材に流す電流を徐々
に増加させると、超電導状態が破れる臨界電流値
Icが存在する。そして、さらに電流を増大させる
と、完全に常電導状態になる電流値Iqに達する。
そして、超電導線材の安定性Sは、Sの値が大き
い程安定であり、Sの値が小さい程不安定であ
る。
なる構造の化合物複合超電導線材の例である。第
2図に示した化合物複合超電導線材10は、安定
化材18中に配置した拡散障壁16が単一である
例であつて、線材の製造が容易である。しかし大
電流用線材においては、拡散障壁16の平均外径
が数mm以上にもなり、化合物複合超電導線材10
の安定性が悪くなる欠点がある。この超電導線材
の安定性Sは、第5図に示した電流と電圧との特
性曲線におけるIq−Ie/Ieで表わされる。すなわち、 極低温状態において超電導線材に流す電流を徐々
に増加させると、超電導状態が破れる臨界電流値
Icが存在する。そして、さらに電流を増大させる
と、完全に常電導状態になる電流値Iqに達する。
そして、超電導線材の安定性Sは、Sの値が大き
い程安定であり、Sの値が小さい程不安定であ
る。
第3図に示した化合物複合超電導線材10は、
個々のフイラメント12がそれぞれ独立して拡散
障壁16により囲まれている。このような構造の
化合物超電導線材10は、拡散障壁16の平均外
径が約10μm、拡散障壁16の厚さが1μm以下と
なり、拡散障壁16が破損し易く化合物複合超電
導線材10の加工性および安定性を悪くする欠点
がある。そして、拡散障壁16の厚さを厚くする
と、拡散障壁16の破損は少なくなるが、拡散障
壁16内の電流密度が著しく低下する。
個々のフイラメント12がそれぞれ独立して拡散
障壁16により囲まれている。このような構造の
化合物超電導線材10は、拡散障壁16の平均外
径が約10μm、拡散障壁16の厚さが1μm以下と
なり、拡散障壁16が破損し易く化合物複合超電
導線材10の加工性および安定性を悪くする欠点
がある。そして、拡散障壁16の厚さを厚くする
と、拡散障壁16の破損は少なくなるが、拡散障
壁16内の電流密度が著しく低下する。
第4図に示した化合物複合超電導線材10は、
拡散障壁が二重に構成されている例である。すな
わち、前記した各化合物複合超電導線材の拡散障
壁16の外側に、補強用の拡散障壁17を被覆し
たものである。このような構造を有する化合物複
合超電導線材10は、外側の拡散障壁17の補強
作用により拡散障壁16の破損はないものの、拡
散障壁17の厚さが非常に厚くなり、拡散障壁内
の電流密度の低下および化合物複合超電導線材1
0の安定性を悪くする欠点がある。また、上記し
た各化合物複合超電導線材10は、フイラメント
が連続したものであるため、耐歪性が0.3〜0.8%
を超えると超電導線材としての特性が著しく悪化
し、大型高磁界超電導コイルとして用いた場合、
大きな電磁力が作用するとその限界歪量を越えて
化合物複合超電導線材が変形し、大幅なコイル性
能の劣化を招く可能性がある。
拡散障壁が二重に構成されている例である。すな
わち、前記した各化合物複合超電導線材の拡散障
壁16の外側に、補強用の拡散障壁17を被覆し
たものである。このような構造を有する化合物複
合超電導線材10は、外側の拡散障壁17の補強
作用により拡散障壁16の破損はないものの、拡
散障壁17の厚さが非常に厚くなり、拡散障壁内
の電流密度の低下および化合物複合超電導線材1
0の安定性を悪くする欠点がある。また、上記し
た各化合物複合超電導線材10は、フイラメント
が連続したものであるため、耐歪性が0.3〜0.8%
を超えると超電導線材としての特性が著しく悪化
し、大型高磁界超電導コイルとして用いた場合、
大きな電磁力が作用するとその限界歪量を越えて
化合物複合超電導線材が変形し、大幅なコイル性
能の劣化を招く可能性がある。
そこで、耐歪性に優れている第6図に示すよう
ないわゆるイン・サイチユー化合物超電導線を用
いた化合物複合超電導線材が開発されている。第
6図に示した化合物複合超電導線材10は、電流
を通すフイラメントが長手方向に連続しておら
ず、短かいフイラメントがイン・サイチユー化合
物超電導線20中に多数分散している。このイ
ン・サイチユー化合物超電導線20を有する化合
物複合超電導線材10は、限界歪量が1.0〜2.0%
の耐歪性を有するものの、製作上の制約からイ
ン・サイチユー化合物超電導線20と安定化材1
8とは、はんだ22をもつて接着している。しか
し、このような化合物複合超電導線材は、イン・
サイチユー化合物超電導線20中のフイラメント
が連続していないために、交流損失が大きく、か
つ化合物複合超電導線材の安定化も不十分である
という欠点を有している。
ないわゆるイン・サイチユー化合物超電導線を用
いた化合物複合超電導線材が開発されている。第
6図に示した化合物複合超電導線材10は、電流
を通すフイラメントが長手方向に連続しておら
ず、短かいフイラメントがイン・サイチユー化合
物超電導線20中に多数分散している。このイ
ン・サイチユー化合物超電導線20を有する化合
物複合超電導線材10は、限界歪量が1.0〜2.0%
の耐歪性を有するものの、製作上の制約からイ
ン・サイチユー化合物超電導線20と安定化材1
8とは、はんだ22をもつて接着している。しか
し、このような化合物複合超電導線材は、イン・
サイチユー化合物超電導線20中のフイラメント
が連続していないために、交流損失が大きく、か
つ化合物複合超電導線材の安定化も不十分である
という欠点を有している。
本発明は、前記従来技術の欠点を解消するため
になされたもので、超電導線材の安定性が優れた
化合物複合超電導線材を提供することを目的とす
る。
になされたもので、超電導線材の安定性が優れた
化合物複合超電導線材を提供することを目的とす
る。
本発明は、拡散障壁の外径を30〜100μmにする
と、化合物複合超電導線材の安定性が向上するこ
とを見出したことに基づいてなされたもので、超
電導化合物からなるフイラメントが分散している
マトリツクスと、このマトリツクスを覆つている
安定化材とを結合する拡散障壁の外径を30〜
100μmとすることにより、化合物複合超電導線材
の安定性を向上するように構成したものである。
と、化合物複合超電導線材の安定性が向上するこ
とを見出したことに基づいてなされたもので、超
電導化合物からなるフイラメントが分散している
マトリツクスと、このマトリツクスを覆つている
安定化材とを結合する拡散障壁の外径を30〜
100μmとすることにより、化合物複合超電導線材
の安定性を向上するように構成したものである。
本発明は、拡散障壁の平均外径を電気的結合が
問題とならない程度まで細分化し、細分化した多
数の化合物超電導フイラメントを拡散障壁を介し
て安定化材と複合化したものである。さらに、そ
の多数の化合物超電導フイラメントを横断面内に
おいて同心的に撚り合わせることがよい。特に、
イン・サイチユー化合物超電導線を用いた化合物
複合超電導線材においては、拡散障壁の細分化が
重要な意味をもつている。すなわち、前記したよ
うにイン・サイチユー化合物超電導線内の化合物
超電導フイラメントは、一本の連続したものでな
いため、交流損失が大きく、また電磁気的安定性
が悪い。したがつて、イン・サイチユー化合物超
電導線を用いた化合物複合超電導線材の交流損失
を小さくし、本質的安定化を図るためには、イ
ン・サイチユー化合物超電導線の平均外径を
100μm以下に細分化し、化合物超電導フイラメン
トを蜜にして拡散障壁を介して安定化材と密着さ
せることが必要となる。そして、大電流イン・サ
イチユー化合物超電導線の場合には、100μm以下
に細分化した多数の拡散障壁を有するイン・サイ
チユー化合物超電導線を安定化材を介して化合物
複合超電導線材の横断面内において同心的に撚り
合わせることが必要となる。
問題とならない程度まで細分化し、細分化した多
数の化合物超電導フイラメントを拡散障壁を介し
て安定化材と複合化したものである。さらに、そ
の多数の化合物超電導フイラメントを横断面内に
おいて同心的に撚り合わせることがよい。特に、
イン・サイチユー化合物超電導線を用いた化合物
複合超電導線材においては、拡散障壁の細分化が
重要な意味をもつている。すなわち、前記したよ
うにイン・サイチユー化合物超電導線内の化合物
超電導フイラメントは、一本の連続したものでな
いため、交流損失が大きく、また電磁気的安定性
が悪い。したがつて、イン・サイチユー化合物超
電導線を用いた化合物複合超電導線材の交流損失
を小さくし、本質的安定化を図るためには、イ
ン・サイチユー化合物超電導線の平均外径を
100μm以下に細分化し、化合物超電導フイラメン
トを蜜にして拡散障壁を介して安定化材と密着さ
せることが必要となる。そして、大電流イン・サ
イチユー化合物超電導線の場合には、100μm以下
に細分化した多数の拡散障壁を有するイン・サイ
チユー化合物超電導線を安定化材を介して化合物
複合超電導線材の横断面内において同心的に撚り
合わせることが必要となる。
このように本発明に係る化合物複合超電導線材
は、拡散反応のより生成する化合物複合超電導線
材、すなわち、熱的平衡状態において超電導部を
生成する化合物複合超電導線材に関している。こ
のような化合物超電導線材料としてはニオブ3
錫、ニオブ3錫のニオブまたは錫の一部、あるい
は両者の一部を他の元素で置換したニオブ3錫系
多元化合物やバナジウム3ガリウム(V3Ga)、
バナジウム3ガリウムのバナジウムまたはガリウ
ムの一部、あるいは両者の一部を他の元素で置換
したバナジウム3ガリウム系多元化合物などが
る。
は、拡散反応のより生成する化合物複合超電導線
材、すなわち、熱的平衡状態において超電導部を
生成する化合物複合超電導線材に関している。こ
のような化合物超電導線材料としてはニオブ3
錫、ニオブ3錫のニオブまたは錫の一部、あるい
は両者の一部を他の元素で置換したニオブ3錫系
多元化合物やバナジウム3ガリウム(V3Ga)、
バナジウム3ガリウムのバナジウムまたはガリウ
ムの一部、あるいは両者の一部を他の元素で置換
したバナジウム3ガリウム系多元化合物などが
る。
また、超電導フイラメントが分散しているマト
リツクスは、上記拡散反応過程において化合物超
電導フイラメントを形成する元素を含む銅合金、
例えば銅錫合金、銅ガリウム合金が用いられる。
さらに、安定化材は、通常極低温において電機比
抵抗が小さく、熱伝導率の良い高純度銅または高
純度アルミニウムが用いられる。さらに、このよ
うな化合物複合超電導線材における拡散障壁は、
一般にニオブ、タンタルあるいはこれらの合金が
用いられる。
リツクスは、上記拡散反応過程において化合物超
電導フイラメントを形成する元素を含む銅合金、
例えば銅錫合金、銅ガリウム合金が用いられる。
さらに、安定化材は、通常極低温において電機比
抵抗が小さく、熱伝導率の良い高純度銅または高
純度アルミニウムが用いられる。さらに、このよ
うな化合物複合超電導線材における拡散障壁は、
一般にニオブ、タンタルあるいはこれらの合金が
用いられる。
以下に本発明の具体的な実施例について説明す
る。
る。
実施例 1
第7図の如き横断面構成を有し、拡散障壁16
の平均外径Dの異なる4種類のニオブ3錫複合超
電導線材26を作成し、短尺超電導線材の安定性
と実効電流密度を測定し評価した。
の平均外径Dの異なる4種類のニオブ3錫複合超
電導線材26を作成し、短尺超電導線材の安定性
と実効電流密度を測定し評価した。
ニオブ3錫複合超電導線材26の外径は、1.53
mmであり、銅安定化材28とそれ以外の部分との
断面積比は、1.0である。そして、拡散障壁16
の平均外径は、それぞれ17.1,70.8,232.6,
1166μmであつた。したがつて、1つの拡散障壁
16の内部には、銅錫合金マトリツクス30に一
様に分散した約4μmの外径を有するニオブ3錫超
電導フイラメント32が3〜50715本内蔵されて
いる。これらのサンプルを液体ヘリウム中、10テ
ラスの磁界中において短尺超電導線材の安定性と
実効電流密度を測定した結果を第8図に示す。な
お、実効電流密度は、前記第5図に示したIcを銅
安定化材28の部分を除いた全断面積で除した値
とした。
mmであり、銅安定化材28とそれ以外の部分との
断面積比は、1.0である。そして、拡散障壁16
の平均外径は、それぞれ17.1,70.8,232.6,
1166μmであつた。したがつて、1つの拡散障壁
16の内部には、銅錫合金マトリツクス30に一
様に分散した約4μmの外径を有するニオブ3錫超
電導フイラメント32が3〜50715本内蔵されて
いる。これらのサンプルを液体ヘリウム中、10テ
ラスの磁界中において短尺超電導線材の安定性と
実効電流密度を測定した結果を第8図に示す。な
お、実効電流密度は、前記第5図に示したIcを銅
安定化材28の部分を除いた全断面積で除した値
とした。
この結果、第8図は示すようにニオブ3錫複合
超電導線材の安定性は、拡散障壁の平均外径が30
〜50μmのところにおいて最大値をもち、また実
効電流密度は、拡散障壁16の平均外径が70〜
100μmのとこにおいて最大値をもつことが明らか
となつた。なお、これらニオブ3錫複合超電導線
材26のサンプルの断面積を顕微鏡観察した結
果、拡散障壁16の平均外径が17.1μmの線材は、
拡散障壁16の厚さが平均して1μmと薄く、局部
的に拡散障壁16が破損していた。しかも、ニオ
ブ3錫超電導化合物の層が薄く、拡散障壁16の
破損のためニオブ3錫超電導化合物層の生成が不
十分であることがわかつた。したがつて、拡散障
壁16の破損は、ニオブ3錫複合超電導線材26
の安定性と実効電流密度を著しく低下させ好まし
くない。
超電導線材の安定性は、拡散障壁の平均外径が30
〜50μmのところにおいて最大値をもち、また実
効電流密度は、拡散障壁16の平均外径が70〜
100μmのとこにおいて最大値をもつことが明らか
となつた。なお、これらニオブ3錫複合超電導線
材26のサンプルの断面積を顕微鏡観察した結
果、拡散障壁16の平均外径が17.1μmの線材は、
拡散障壁16の厚さが平均して1μmと薄く、局部
的に拡散障壁16が破損していた。しかも、ニオ
ブ3錫超電導化合物の層が薄く、拡散障壁16の
破損のためニオブ3錫超電導化合物層の生成が不
十分であることがわかつた。したがつて、拡散障
壁16の破損は、ニオブ3錫複合超電導線材26
の安定性と実効電流密度を著しく低下させ好まし
くない。
一方、拡散障壁16の平均外径が大きくなるに
従い、化合物超電導フイラメント32からの銅安
定化材への熱拡散が悪くなり、安定性が低下して
好ましくない。
従い、化合物超電導フイラメント32からの銅安
定化材への熱拡散が悪くなり、安定性が低下して
好ましくない。
実施例 2
次に、前記実施例1と同様な実験をイン・サイ
チユーニオブ3錫複合超電導線材を用いて行つ
た。イン・サイチユーニオブ3錫複合超電導線材
の外径は、0.656mmであつて、銅安定化材とそれ
以外の部分との断面積比は1.0である。拡散障壁
の平均外径はそれぞれ21.5,46.4,104,
215464μmであつた。これら1つの拡散障壁の内
部には、銅錫合金の層が拡散障壁に接しており、
その内部に銅を35重量%含むニオブ合金を塑性変
形させたイン・サイチユー線が内蔵してある。
チユーニオブ3錫複合超電導線材を用いて行つ
た。イン・サイチユーニオブ3錫複合超電導線材
の外径は、0.656mmであつて、銅安定化材とそれ
以外の部分との断面積比は1.0である。拡散障壁
の平均外径はそれぞれ21.5,46.4,104,
215464μmであつた。これら1つの拡散障壁の内
部には、銅錫合金の層が拡散障壁に接しており、
その内部に銅を35重量%含むニオブ合金を塑性変
形させたイン・サイチユー線が内蔵してある。
イン・サイチユーニオブ3錫複合超電導線材
は、イン・サイチユー線内部の無数のニオブから
なる不連続フイラメントと、銅錫合金中の錫を
650℃、24時間熱処理をして拡散反応させること
により得られる。これらのサンプルを液体ヘリウ
ム中、10テスラの磁界中において短尺超電導線材
として安定性、実効電流密度を測定評価した結果
を第9図に示す。
は、イン・サイチユー線内部の無数のニオブから
なる不連続フイラメントと、銅錫合金中の錫を
650℃、24時間熱処理をして拡散反応させること
により得られる。これらのサンプルを液体ヘリウ
ム中、10テスラの磁界中において短尺超電導線材
として安定性、実効電流密度を測定評価した結果
を第9図に示す。
実験の結果、イン・サイチユーニオブ3錫複合
超電導線材の安定性は、実施例1と同様に拡散障
壁の平均外径が30〜50μmのところにおいて最大
値をもつ。しかし、実効電流密度の最大値は、拡
散障壁の外径が50〜80μmの部分にあり、実施例
1の場合より拡散障壁の平均外径がやや小さい側
に移行する。そして、拡散障壁の平均外径が
100μm以上となると、急激に実効電流密度が低下
した。そこで、イン・サイチユーニオブ3錫複合
超電導線材の横断面を顕微鏡観察したところ、拡
散障壁の平均外径が大きい線材ほど拡散障壁内の
中央部まで錫が拡散せず、ニオブ3錫化合物超電
導フイラメントへの転化が不十分であることがわ
かつた。また、拡散障壁の平均外径が21.5μmの
線材は、実施例1と同様に局部的に拡散障壁が破
損していた。これらのことから、イン・サイチユ
ー化合物超電導線材の場合においても、拡散障壁
の平均外径が30μm以下においては、拡散障壁の
破損が生じ易く、また製造コストを大幅に上昇さ
せることになる。
超電導線材の安定性は、実施例1と同様に拡散障
壁の平均外径が30〜50μmのところにおいて最大
値をもつ。しかし、実効電流密度の最大値は、拡
散障壁の外径が50〜80μmの部分にあり、実施例
1の場合より拡散障壁の平均外径がやや小さい側
に移行する。そして、拡散障壁の平均外径が
100μm以上となると、急激に実効電流密度が低下
した。そこで、イン・サイチユーニオブ3錫複合
超電導線材の横断面を顕微鏡観察したところ、拡
散障壁の平均外径が大きい線材ほど拡散障壁内の
中央部まで錫が拡散せず、ニオブ3錫化合物超電
導フイラメントへの転化が不十分であることがわ
かつた。また、拡散障壁の平均外径が21.5μmの
線材は、実施例1と同様に局部的に拡散障壁が破
損していた。これらのことから、イン・サイチユ
ー化合物超電導線材の場合においても、拡散障壁
の平均外径が30μm以下においては、拡散障壁の
破損が生じ易く、また製造コストを大幅に上昇さ
せることになる。
実施例 3
厚さ1.1mm、幅2.3mmの平角断面を有するイン・
サイチユー化合物複合超電導線材を作成し、液体
ヘリウム中において臨界電流の試験を行つた。第
10図A〜Dはイン・サイチユー化合物複合超電
導線材の製造方法の主要部を示すものである。こ
の化合物複合超電導線材の製造方法を、バナジウ
ム3カリウムを例にとり説明する。
サイチユー化合物複合超電導線材を作成し、液体
ヘリウム中において臨界電流の試験を行つた。第
10図A〜Dはイン・サイチユー化合物複合超電
導線材の製造方法の主要部を示すものである。こ
の化合物複合超電導線材の製造方法を、バナジウ
ム3カリウムを例にとり説明する。
まず、銅を40重量%含むバナジウム合金を消耗
電極真空アーク溶解において溶解し、直径60mm
の鋳塊を作成した。第10図Aは、この鋳塊の横
断面図である。鋳塊34は、銅を主体としたマト
リツクス36中にバナジウムのフイラメント38
が樹枝状に晶出している。このバナジウムフイラ
メント38は、鋳塊34の長手方向に沿つて不連
続となつている。
電極真空アーク溶解において溶解し、直径60mm
の鋳塊を作成した。第10図Aは、この鋳塊の横
断面図である。鋳塊34は、銅を主体としたマト
リツクス36中にバナジウムのフイラメント38
が樹枝状に晶出している。このバナジウムフイラ
メント38は、鋳塊34の長手方向に沿つて不連
続となつている。
次に、鋳塊34の表面を面削りしたのち、外径
が2mmになるまで伸線加工してイン・サイチユー
超電導線とし、その表面に溶融ガリウムメツキを
施した。このガリウムメツキは、メツキをしたの
ち300℃において予備拡散を行ない、メツキと予
備拡散とを数回繰り返し、約80μmに相当する厚
さのガリウムをマトリツクス36に予備拡散させ
た。そして、第10図Bに示す如く、イン・サイ
チユー超電導線40の表面に0.25mm厚さのニオブ
拡散障壁42を被覆したのち、0.67mm厚さの銅安
定化材44を被覆し、単心複合線46とした。
が2mmになるまで伸線加工してイン・サイチユー
超電導線とし、その表面に溶融ガリウムメツキを
施した。このガリウムメツキは、メツキをしたの
ち300℃において予備拡散を行ない、メツキと予
備拡散とを数回繰り返し、約80μmに相当する厚
さのガリウムをマトリツクス36に予備拡散させ
た。そして、第10図Bに示す如く、イン・サイ
チユー超電導線40の表面に0.25mm厚さのニオブ
拡散障壁42を被覆したのち、0.67mm厚さの銅安
定化材44を被覆し、単心複合線46とした。
その後、第10図Cに示す如く、単心複合線4
6を331本に束ね、5mm厚さの銅安定化材48を
周囲に被覆し、外径が25mmになるまで押出および
伸線加工した。そして、この段階においてピツチ
30mmをもつて線材全体を撚り、第10図Dに示す
ように厚さが1.1mm、幅が2.3mmの外径寸法を有す
る平角断面状の化合物超電導線材50に伸線加工
した。このようにして作成した化合物複合超電導
線材50に含まれている拡散障壁により囲まれた
イン・サイチユー線52の平均外径は、47μmで
あつた。そして、イン・サイチユー線52は、ガ
リウムを予備拡散した銅を主体とするマトリツク
ス36の中に微細に引き伸ばされた多数のバナジ
ウムフイラメント38がお互いに絡み合うように
均一に分散していた。
6を331本に束ね、5mm厚さの銅安定化材48を
周囲に被覆し、外径が25mmになるまで押出および
伸線加工した。そして、この段階においてピツチ
30mmをもつて線材全体を撚り、第10図Dに示す
ように厚さが1.1mm、幅が2.3mmの外径寸法を有す
る平角断面状の化合物超電導線材50に伸線加工
した。このようにして作成した化合物複合超電導
線材50に含まれている拡散障壁により囲まれた
イン・サイチユー線52の平均外径は、47μmで
あつた。そして、イン・サイチユー線52は、ガ
リウムを予備拡散した銅を主体とするマトリツク
ス36の中に微細に引き伸ばされた多数のバナジ
ウムフイラメント38がお互いに絡み合うように
均一に分散していた。
次に、上記の如くして作成した化合物複合超電
導線材50をアルゴン雰囲気中500℃において100
時間加熱し、銅を主体としたマトリツクス36中
のガリウムとバナジウムフイラメント38とを拡
散反応させて、バナジウムフイラメント38を全
てバナジウム3ガリウム超電導化合物フイラメン
トに変換し、化合物複合超電導線材を完成させ
た。
導線材50をアルゴン雰囲気中500℃において100
時間加熱し、銅を主体としたマトリツクス36中
のガリウムとバナジウムフイラメント38とを拡
散反応させて、バナジウムフイラメント38を全
てバナジウム3ガリウム超電導化合物フイラメン
トに変換し、化合物複合超電導線材を完成させ
た。
上記の如くして作成したイン・サイチユー化合
物複合超電導線材は、液体ヘリウム中、18テスラ
の磁界中において臨界電流が290アンペアであつ
た。そして、被覆した銅安定化材が、線材全断面
積の66%を占めているため、超電導状態から常電
導状態に移行する電圧の変化が緩やかであり、極
めて安定な挙動を示した。さらに、1テスラの交
流磁界中における交流損失は、1サイクルあたり
2.0×10-2J/cm3と小さな値を示し、従来の連続
フイラメントの線材と同程度のものであつた。ま
た、この線材の最小曲げ直径は、64mmであつた。
すなわち、線材を64mmの直径をもつて曲げた場合
であつても、線材表面における歪が1.7%であり、
線材の性能劣化がないことがわかつた。
物複合超電導線材は、液体ヘリウム中、18テスラ
の磁界中において臨界電流が290アンペアであつ
た。そして、被覆した銅安定化材が、線材全断面
積の66%を占めているため、超電導状態から常電
導状態に移行する電圧の変化が緩やかであり、極
めて安定な挙動を示した。さらに、1テスラの交
流磁界中における交流損失は、1サイクルあたり
2.0×10-2J/cm3と小さな値を示し、従来の連続
フイラメントの線材と同程度のものであつた。ま
た、この線材の最小曲げ直径は、64mmであつた。
すなわち、線材を64mmの直径をもつて曲げた場合
であつても、線材表面における歪が1.7%であり、
線材の性能劣化がないことがわかつた。
このように実施例のイン・サイチユー化合物複
合超電導線材は、高電流密度を得ることができ、
交流損失が少なく耐歪性があり、安定化された大
型大電流容量化合物複合超電導線材である。した
がつて、従来不可能であつた複雑な形状の大型高
磁界化合物超電導マグネツトを作成することがで
きる。その結果、高価な超電導線材料の使用量を
減少することができ、超電導コイルの巻き線厚み
も小さくなり、高価な液体ヘリウムなどの使用量
も減少でき、経済性に極めて優れている。
合超電導線材は、高電流密度を得ることができ、
交流損失が少なく耐歪性があり、安定化された大
型大電流容量化合物複合超電導線材である。した
がつて、従来不可能であつた複雑な形状の大型高
磁界化合物超電導マグネツトを作成することがで
きる。その結果、高価な超電導線材料の使用量を
減少することができ、超電導コイルの巻き線厚み
も小さくなり、高価な液体ヘリウムなどの使用量
も減少でき、経済性に極めて優れている。
以上説明したように本発明によれば、拡散障壁
の平均外径を30〜100μmとすることにより、安定
性の優れた化合物複合超電導線材を得ることがで
きる。
の平均外径を30〜100μmとすることにより、安定
性の優れた化合物複合超電導線材を得ることがで
きる。
第1図は化合物複合超電導線材の一般的構造を
示す一部断面図、第2図は拡散障壁が単一の化合
物複合超電導線材の断面図、第3図は個々の化合
物超電導フイラメントが拡散障壁により囲まれて
いる化合物複合超電導線材の一部断面図、第4図
は拡散障壁が二重になつている化合物複合超電導
線材の一部断面図、第5図は超電導状態における
電流と電圧の関係を示す図、第6図は従来のイ
ン・サイチユー化合物複合超電導線材の説明図、
第7図は本発明に係る実施例の化合物複合超電導
線材の一部断面図、第8図は前記実施例の化合物
複合超電導線材の拡散障壁の平均外径と安定性、
実効電流密度との関係を示す図、第9図は他の実
施例の化合物複合超電導線材の拡散障壁の外径と
安定性、実効電流密度との関係を示す図、第10
図Aないし第10図Dは本発明の実施例に係るイ
ン・サイチユー化合物複合超電導線材の製造工程
を示す図である。 10,50……化合物複合超電導線材、12…
…フイラメント、14,36……マトリツクス、
16,17……拡散障壁、18……安定化材、2
0……イン・サイチユー化合物超電導線、26…
…ニオブ3錫複合超電導線材、28,44,48
……銅安定化材、30……銅錫合金マトリツク
ス、32……ニオブ3錫超電導フイラメント。
示す一部断面図、第2図は拡散障壁が単一の化合
物複合超電導線材の断面図、第3図は個々の化合
物超電導フイラメントが拡散障壁により囲まれて
いる化合物複合超電導線材の一部断面図、第4図
は拡散障壁が二重になつている化合物複合超電導
線材の一部断面図、第5図は超電導状態における
電流と電圧の関係を示す図、第6図は従来のイ
ン・サイチユー化合物複合超電導線材の説明図、
第7図は本発明に係る実施例の化合物複合超電導
線材の一部断面図、第8図は前記実施例の化合物
複合超電導線材の拡散障壁の平均外径と安定性、
実効電流密度との関係を示す図、第9図は他の実
施例の化合物複合超電導線材の拡散障壁の外径と
安定性、実効電流密度との関係を示す図、第10
図Aないし第10図Dは本発明の実施例に係るイ
ン・サイチユー化合物複合超電導線材の製造工程
を示す図である。 10,50……化合物複合超電導線材、12…
…フイラメント、14,36……マトリツクス、
16,17……拡散障壁、18……安定化材、2
0……イン・サイチユー化合物超電導線、26…
…ニオブ3錫複合超電導線材、28,44,48
……銅安定化材、30……銅錫合金マトリツク
ス、32……ニオブ3錫超電導フイラメント。
Claims (1)
- 1 周囲のマトリツクスと拡散反応により形成し
た超電導化合物を有する複数のフイラメントと、
マトリツクスの周囲を覆う安定化材と、この安定
化材と前記マトリツクスとの間に介在し、前記拡
散反応時に前記マトリツクス中の超電導化合物元
素の安定化材中への拡散を防止する拡散障壁とか
らなる化合物複合超電導線材において、前記拡散
障壁の外径が30〜100μmであることを特徴とする
化合物複合超電導線材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58009856A JPS59138008A (ja) | 1983-01-26 | 1983-01-26 | 化合物複合超電導線材 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58009856A JPS59138008A (ja) | 1983-01-26 | 1983-01-26 | 化合物複合超電導線材 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59138008A JPS59138008A (ja) | 1984-08-08 |
JPH0430123B2 true JPH0430123B2 (ja) | 1992-05-20 |
Family
ID=11731772
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58009856A Granted JPS59138008A (ja) | 1983-01-26 | 1983-01-26 | 化合物複合超電導線材 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59138008A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2845905B2 (ja) * | 1988-10-13 | 1999-01-13 | 株式会社フジクラ | 交流通電用化合物系電導撚線 |
-
1983
- 1983-01-26 JP JP58009856A patent/JPS59138008A/ja active Granted
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
MULTIFILAMENT NIOBIUM TIN CONDUCTORS=1979 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS59138008A (ja) | 1984-08-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100479070C (zh) | 利用Ti源棒制造(Nb,Ti)3Sn线材的方法 | |
JPH0261764B2 (ja) | ||
JPH0377609B2 (ja) | ||
US3838503A (en) | Method of fabricating a composite multifilament intermetallic type superconducting wire | |
US4743713A (en) | Aluminum-stabilized NB3SN superconductor | |
US3836404A (en) | Method of fabricating composite superconductive electrical conductors | |
US4094059A (en) | Method for producing composite superconductors | |
JPH0430123B2 (ja) | ||
Iwasa | Recent developments in multifilament V 3 Ga & Nb 3 Sn wires in Japan | |
US3996662A (en) | Method for the manufacture of a superconductor having an intermetallic two element compound | |
JP4237341B2 (ja) | Nb3Sn化合物超電導線およびその製造方法 | |
US3868769A (en) | Method of making superconductors | |
JPH0377607B2 (ja) | ||
JP3425018B2 (ja) | Nb3Al系多芯超電導線 | |
JPH11353961A (ja) | Nb3Sn化合物超電導体の前駆線材およびその製造方法、Nb3Sn化合物超電導導体の製造方法、並びにNb3Sn化合物超電導コイルの製造方法 | |
JP4534276B2 (ja) | 酸化物超電導線材の接続方法 | |
JP2525016B2 (ja) | 超電導線 | |
JP2742436B2 (ja) | 化合物系超電導撚線の製造方法 | |
JP3489313B2 (ja) | Nb3Al系超電導線材の製造方法 | |
JP2742421B2 (ja) | 超電導線およびその製造方法 | |
JPH087681A (ja) | A3 b型化合物超電導線およびその製造方法 | |
JPH065130A (ja) | 複合多芯NbTi超電導線 | |
JPH09147635A (ja) | A15型超電導線材およびその製造方法 | |
JP3363164B2 (ja) | 超電導導体 | |
JPH0430124B2 (ja) |