JPH04293310A - Surface acoustic wave device - Google Patents
Surface acoustic wave deviceInfo
- Publication number
- JPH04293310A JPH04293310A JP5749091A JP5749091A JPH04293310A JP H04293310 A JPH04293310 A JP H04293310A JP 5749091 A JP5749091 A JP 5749091A JP 5749091 A JP5749091 A JP 5749091A JP H04293310 A JPH04293310 A JP H04293310A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- surface acoustic
- acoustic wave
- hot
- hot side
- solder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 9
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 2
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
Description
【0001】0001
【産業上の利用分野】この発明は、弾性表面波装置に関
するもので、特に、表面実装可能とされた弾性表面波装
置のパッケージング構造に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave device, and more particularly to a packaging structure for a surface acoustic wave device that can be surface mounted.
【0002】0002
【従来の技術】図7には、気密的にパッケージングされ
かつ表面実装可能とされた従来の弾性表面波装置1が断
面図で示されている。2. Description of the Related Art FIG. 7 shows a sectional view of a conventional surface acoustic wave device 1 that is airtightly packaged and can be surface mounted.
【0003】弾性表面波装置1のパッケージング部材は
、多層基板2および金属板3から構成される。多層基板
2は、たとえばアルミナから構成され、その端部の外表
面上には、アース側外部電極4およびホット側外部電極
5が形成される。また、多層基板2の内部には、アース
側外部電極4に電気的に接続されるように、アース側導
電層6および7が形成され、また、ホット側外部電極5
に電気的に接続されるように、ホット側導電層8が形成
される。金属板3は、多層基板2の上面に対して、コバ
ールリング9を介して全周にわたって溶接される。この
ようにして、高い気密性が与えられた空間が、多層基板
2と金属板3との間に形成される。The packaging member of the surface acoustic wave device 1 is composed of a multilayer substrate 2 and a metal plate 3. The multilayer substrate 2 is made of, for example, alumina, and a ground side external electrode 4 and a hot side external electrode 5 are formed on the outer surface of the end portion thereof. Further, inside the multilayer substrate 2, ground side conductive layers 6 and 7 are formed so as to be electrically connected to the ground side external electrode 4, and a hot side external electrode 5 is formed.
A hot side conductive layer 8 is formed so as to be electrically connected to. The metal plate 3 is welded to the upper surface of the multilayer substrate 2 over the entire circumference via a Kovar ring 9. In this way, a highly airtight space is formed between the multilayer substrate 2 and the metal plate 3.
【0004】多層基板2は、凹部10が形成され、この
凹部10内に弾性表面波素子チップ11が配置される。
弾性表面波素子チップ11は、アース側導電層7上にダ
イボンドされることによって固定されるとともに、ボン
ディングワイヤ12および13によって、それぞれ、ア
ース側導電層6およびホット側導電層8に電気的に接続
される。A recess 10 is formed in the multilayer substrate 2, and a surface acoustic wave element chip 11 is disposed within the recess 10. The surface acoustic wave element chip 11 is fixed by being die-bonded onto the ground side conductive layer 7, and is electrically connected to the ground side conductive layer 6 and the hot side conductive layer 8 by bonding wires 12 and 13, respectively. be done.
【0005】このようにして、弾性表面波の伝搬に必要
な空間の形成と高い気密性とが、多層基板2と金属板3
とからなるパッケージング部材により与えられ、かつ、
必要な電気的接続がボンディングワイヤ12および13
によって与えられる。In this way, the formation of the space necessary for the propagation of surface acoustic waves and high airtightness are achieved between the multilayer substrate 2 and the metal plate 3.
provided by a packaging member consisting of; and
The necessary electrical connections are made by bonding wires 12 and 13.
given by.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図7に
示した弾性表面波装置1は、パッケージングするために
、多層基板2、金属板3およびコバールリング9の3つ
の部品が必要であり、また、多層基板2自身のコストが
比較的高く、さらに、金属板3を多層基板2に接合する
ため溶接が必要であることから、パッケージングのため
のコストが高くつく。また、弾性表面波装置1を組立て
るに当たっては、弾性表面波素子チップ11のダイボン
ド、ボンディングワイヤ12および13によるワイヤボ
ンディング、および金属板3の溶接という少なくとも3
つの工程が必要である。したがって、組立て工程が比較
的煩雑であるという問題もある。However, the surface acoustic wave device 1 shown in FIG. 7 requires three parts, the multilayer substrate 2, the metal plate 3, and the Kovar ring 9, for packaging. The cost of the multilayer substrate 2 itself is relatively high, and furthermore, welding is required to join the metal plate 3 to the multilayer substrate 2, so the cost for packaging is high. Furthermore, in assembling the surface acoustic wave device 1, at least three steps are performed: die bonding of the surface acoustic wave element chip 11, wire bonding using bonding wires 12 and 13, and welding of the metal plate 3.
Two steps are required. Therefore, there is also the problem that the assembly process is relatively complicated.
【0007】それゆえに、この発明の目的は、このよう
な問題を解決し得る弾性表面波装置を提供しようとする
ことである。[0007] Therefore, an object of the present invention is to provide a surface acoustic wave device that can solve these problems.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】この発明による弾性表面
波装置は、まず弾性表面波素子チップを備える。この弾
性表面波素子チップは、基板、前記基板上に形成される
インタディジタルトランスデューサ、前記インタディジ
タルトランスデューサのアース側ラインに接続されかつ
前記インタディジタルトランスデューサを取囲むように
前記基板上に形成されるアース側パターン、および前記
インタディジタルトランスデューサのホット側ラインに
接続されるホット側パターンを備える。[Means for Solving the Problems] A surface acoustic wave device according to the present invention first includes a surface acoustic wave element chip. This surface acoustic wave element chip includes a substrate, an interdigital transducer formed on the substrate, and a ground line connected to the ground side line of the interdigital transducer and formed on the substrate so as to surround the interdigital transducer. and a hot side pattern connected to a hot side line of the interdigital transducer.
【0009】このような弾性表面波素子チップの前記イ
ンタディジタルトランスデューサが形成された前記基板
の面に対向して、ベース板が配置される。このベース板
は、前記アース側パターンに対応する位置に形成される
アース側ランド、前記ホット側パターンに対応する位置
に形成されるホット側ランド、前記アース側ランドに電
気的に接続されるアース側外部電極、および前記ホット
側ランドに電気的に接続されるホット側外部電極を備え
る。[0009] A base plate is disposed opposite to the surface of the substrate on which the interdigital transducer of such a surface acoustic wave element chip is formed. This base plate includes a ground side land formed at a position corresponding to the ground side pattern, a hot side land formed at a position corresponding to the hot side pattern, and a ground side electrically connected to the ground side land. The hot side external electrode is electrically connected to the hot side land.
【0010】また、前記アース側パターンと前記アース
側ランドとは、半田封止枠によって連結される。[0010] Furthermore, the ground side pattern and the ground side land are connected by a solder sealing frame.
【0011】さらに、前記ホット側パターンと前記ホッ
ト側ランドとは、半田バンプによって連結される。Furthermore, the hot side pattern and the hot side land are connected by a solder bump.
【0012】0012
【作用】この発明において、半田封止枠は、弾性表面波
素子チップとベース板とを機械的に接合するとともに、
アース側パターンとアース側ランドとを電気的に接続す
る機能を果たす。また、半田バンプは、ホット側パター
ンとホット側ランドとを電気的に接続する機能を果たす
。さらに、弾性表面波素子チップは、それ自身、ベース
板および半田封止枠とともに、気密封止されたパッケー
ジング構造を与え、また、半田封止枠および半田バンプ
の厚みは、弾性表面波の伝搬に必要な空間を形成する。[Function] In this invention, the solder sealing frame mechanically joins the surface acoustic wave element chip and the base plate, and
It functions to electrically connect the ground side pattern and the ground side land. Further, the solder bump functions to electrically connect the hot side pattern and the hot side land. Furthermore, the surface acoustic wave device chip itself, together with the base plate and the solder sealing frame, provides a hermetically sealed packaging structure, and the thickness of the solder sealing frame and the solder bumps is determined by the propagation of the surface acoustic wave. Create the space necessary for
【0013】[0013]
【発明の効果】したがって、この発明によれば、弾性表
面波素子チップ自身を、パッケージング部材の一部とし
て用いるため、部品点数の削減を図ることができる。Therefore, according to the present invention, since the surface acoustic wave element chip itself is used as a part of the packaging member, it is possible to reduce the number of parts.
【0014】また、半田封止枠は、弾性表面波素子チッ
プとベース板とを機械的に接合し、それらの間の空間を
気密封止するととも、電気的接続をも達成し、さらに、
半田バンプによる電気的接続は、半田封止枠の形成と同
時に行なうことができるので、組立てに要する工程数を
減少させることができる。Further, the solder sealing frame mechanically joins the surface acoustic wave element chip and the base plate, hermetically seals the space between them, and also achieves electrical connection.
Since the electrical connection using the solder bumps can be made simultaneously with the formation of the solder sealing frame, the number of steps required for assembly can be reduced.
【0015】また、半田封止枠の厚みによって空間が形
成されるため、ベース板としては、平板状の簡単な形状
のものを用いることができるので、ベース板自身も、安
価に提供することができる。Furthermore, since a space is formed depending on the thickness of the solder sealing frame, a simple flat plate can be used as the base plate, so the base plate itself can be provided at low cost. can.
【0016】[0016]
【実施例】この発明の一実施例による弾性表面波装置2
1が、図1、図2および図3に示されている。[Embodiment] Surface acoustic wave device 2 according to an embodiment of the present invention
1 is shown in FIGS. 1, 2 and 3.
【0017】弾性表面波装置21は、まず、弾性表面波
素子チップ22を備える。弾性表面波素子チップ22は
、弾性表面波を伝搬するための基板23を備える。基板
23は、たとえば、圧電体で構成される。基板23上に
は、図1に示されているように、インタディジタルトラ
ンスデューサ24および25、これらインタディジタル
トランスデューサ24および25のアース側ライン26
および27にそれぞれ接続されかつインタディジタルト
ランスデューサ24および25を取囲むアース側パター
ン28、ならびにインタディジタルトランスデューサ2
4および25のホット側ライン29および30に接続さ
れるホット側パターン31および32が形成される。
これらインタディジタルトランスデューサ24および2
5、ライン26,27,29,30ならびにパターン2
8,31,32は、基板23上に蒸着等によりメタライ
ジング膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用い
てパターニングすることにより形成される。The surface acoustic wave device 21 first includes a surface acoustic wave element chip 22 . The surface acoustic wave element chip 22 includes a substrate 23 for propagating surface acoustic waves. The substrate 23 is made of, for example, a piezoelectric material. On the substrate 23, as shown in FIG.
and 27 and surrounding the interdigital transducers 24 and 25, and the interdigital transducer 2
Hot side patterns 31 and 32 connected to hot side lines 29 and 30 of 4 and 25 are formed. These interdigital transducers 24 and 2
5. Lines 26, 27, 29, 30 and pattern 2
8, 31, and 32 are formed by forming a metallizing film on the substrate 23 by vapor deposition or the like, and then patterning it using photolithography technology.
【0018】この弾性表面波装置21は、上述の弾性表
面波素子チップ22のインタディジタルトランスデュー
サ24および25が形成された基板23の面に対向して
配置されるベース板33を備える。ベース板33は、単
独で図4および図5に示されている。なお、図4は、ベ
ース板3の上面を示し、図5は、ベース板33の下面を
示す。The surface acoustic wave device 21 includes a base plate 33 disposed opposite to the surface of the substrate 23 on which the interdigital transducers 24 and 25 of the surface acoustic wave element chip 22 described above are formed. Base plate 33 is shown alone in FIGS. 4 and 5. Note that FIG. 4 shows the top surface of the base plate 3, and FIG. 5 shows the bottom surface of the base plate 33.
【0019】ベース板33は、たとえばアルミナから構
成される。ベース板33上には、前述したアース側パタ
ーン28に対応する位置にアース側ランド34が形成さ
れる。また、ホット側パターン31および32に対応す
る位置に、それぞれ、ホット側ランド35および36が
形成される。また、ベース板33には、その上面から下
面にまで延びるように、アース側外部電極37および3
8、ならびにホット側外部電極39および40が形成さ
れる。アース側外部電極37および38は、ともに、ア
ース側ランド34に電気的に接続される。他方、アース
側外部電極39および40は、それぞれ、スルーホール
41および42を通ってホット側ランド35および36
に電気的に接続される。これらランド34,35,36
、ならびに外部電極37,38,39,40は、たとえ
ばスクリーン印刷によって形成される。The base plate 33 is made of, for example, alumina. A ground side land 34 is formed on the base plate 33 at a position corresponding to the ground side pattern 28 described above. Further, hot side lands 35 and 36 are formed at positions corresponding to hot side patterns 31 and 32, respectively. The base plate 33 also has a ground side external electrode 37 and 3 extending from the top surface to the bottom surface.
8 and hot side external electrodes 39 and 40 are formed. The earth side external electrodes 37 and 38 are both electrically connected to the earth side land 34. On the other hand, the ground side external electrodes 39 and 40 pass through through holes 41 and 42 to hot side lands 35 and 36, respectively.
electrically connected to. These lands 34, 35, 36
, and the external electrodes 37, 38, 39, 40 are formed, for example, by screen printing.
【0020】図1と図4とを対照すればわかるように、
アース側ランド34上には、半田封止枠43が付与され
、ホット側ランド35および36上には、半田バンプ4
4および45がそれぞれ付与される。これら半田封止枠
43ならびに半田バンプ44および45は、製造途中の
段階では、クリーム半田の形態でたとえばスクリーン印
刷によって形成される。その後、図2または図3に示す
ように、ベース板33が弾性表面波素子チップ22と合
わせた状態で加熱することにより、上述のクリーム半田
が溶融し、次いで固化したとき、図3に示すように、所
定の厚みを有する半田封止枠43ならびに半田バンプ4
4および45が形成される。半田封止枠43は、アース
側パターン28とアース側ランド34とを連結しており
、半田バンプ44は、ホット側パターン31とホット側
ランド35とを連結しており、半田バンプ45は、ホッ
ト側パターン32とホット側ランド36とを連結してい
る。したがって、弾性表面波素子チップ22に形成され
たアース側パターン28ならびにホット側パターン31
および32は、半田封止枠43ならびに半田バンプ44
および45を介して、それぞれ、アース側外部電極37
および38ならびにホット側外部電極39および40に
引出される。As can be seen by comparing FIGS. 1 and 4,
A solder sealing frame 43 is provided on the ground side land 34, and solder bumps 4 are provided on the hot side lands 35 and 36.
4 and 45 respectively. These solder sealing frame 43 and solder bumps 44 and 45 are formed in the form of cream solder by screen printing, for example, during the manufacturing stage. Thereafter, as shown in FIG. 2 or 3, by heating the base plate 33 together with the surface acoustic wave element chip 22, the cream solder described above melts and then solidifies, as shown in FIG. , a solder sealing frame 43 and solder bumps 4 having a predetermined thickness are provided.
4 and 45 are formed. The solder sealing frame 43 connects the earth side pattern 28 and the earth side land 34, the solder bump 44 connects the hot side pattern 31 and the hot side land 35, and the solder bump 45 connects the hot side pattern 31 and the hot side land 35. The side pattern 32 and the hot side land 36 are connected. Therefore, the ground side pattern 28 and the hot side pattern 31 formed on the surface acoustic wave element chip 22
and 32 are a solder sealing frame 43 and a solder bump 44
and 45, respectively, the ground side external electrode 37
and 38 and the hot side external electrodes 39 and 40.
【0021】なお、半田封止枠43ならびに半田バンプ
44および45に用いられる半田としては、高融点のも
のが好ましい。なぜなら、得られた弾性表面波装置21
を回路基板(図示せず)に実装するときに用いる半田付
けの温度によって再溶融することを防止するためである
。The solder used for the solder sealing frame 43 and the solder bumps 44 and 45 is preferably one with a high melting point. This is because the obtained surface acoustic wave device 21
This is to prevent it from being remelted due to the soldering temperature used when mounting it on a circuit board (not shown).
【0022】このように、この実施例によれば、弾性表
面波の伝搬に必要な空間の形成、高い気密性、および電
気的接続が、弾性表面波素子チップ22とベース板33
とを連結する半田封止枠43ならびに半田バンプ44お
よび45によって与えられることができる。As described above, according to this embodiment, the formation of a space necessary for the propagation of surface acoustic waves, high airtightness, and electrical connection can be achieved between the surface acoustic wave element chip 22 and the base plate 33.
and a solder sealing frame 43 and solder bumps 44 and 45.
【0023】図6は、この発明の他の実施例による弾性
表面波装置21aを示している。なお、図6は、前述し
た図3に相当する断面図であるが、図3に示す要素に相
当する要素には、同様の参照符号を付し、重複する説明
は省略する。FIG. 6 shows a surface acoustic wave device 21a according to another embodiment of the invention. Note that although FIG. 6 is a sectional view corresponding to FIG. 3 described above, elements corresponding to those shown in FIG. 3 are given the same reference numerals and redundant explanations will be omitted.
【0024】図6において、ベース板33には、スルー
ホールが形成されていない。そのため、たとえば、半田
バンプ44に接続されるホット側ランド35は、ベース
板33の上面を通ってホット側外部電極39にまで引出
される。他方、半田封止枠43に接続されるアース側ラ
ンド34は、絶縁膜46を介在させて、ホット側ランド
35と交差するように形成される。In FIG. 6, the base plate 33 has no through holes formed therein. Therefore, for example, the hot-side land 35 connected to the solder bump 44 is drawn out to the hot-side external electrode 39 through the upper surface of the base plate 33 . On the other hand, the ground side land 34 connected to the solder sealing frame 43 is formed to intersect with the hot side land 35 with an insulating film 46 interposed therebetween.
【図1】この発明の一実施例による弾性表面波装置21
を分解した状態で示す斜視図である。FIG. 1: Surface acoustic wave device 21 according to an embodiment of the present invention.
FIG.
【図2】図1に示した弾性表面波装置21の完成状態の
外観を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing the appearance of the surface acoustic wave device 21 shown in FIG. 1 in a completed state.
【図3】図2の線III−IIIに沿う断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view along line III-III in FIG. 2;
【図4】ベース板33を単独で示す上面図である。FIG. 4 is a top view showing the base plate 33 alone.
【図5】ベース板33を単独で示す下面図である。FIG. 5 is a bottom view showing the base plate 33 alone.
【図6】この発明の他の実施例による弾性表面波装置2
1aを示す、図3に相当の断面図である。FIG. 6: Surface acoustic wave device 2 according to another embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 3 and showing part 1a.
【図7】従来の弾性表面波装置1を示す断面図である。FIG. 7 is a sectional view showing a conventional surface acoustic wave device 1.
21,21a 弾性表面波装置
22 弾性表面波素子チップ
23 基板
24,25 インタディジタルトランスデューサ26
,27 アース側ライン
28 アース側パターン
29,30 ホット側ライン
31,32 ホット側パターン
33 ベース板
34 アース側ランド
35,36 ホット側ランド
37,38 アース側外部電極
39,40 ホット側外部電極
41,42 スルーホール
43 半田封止枠
44,45 半田バンプ
46 絶縁膜21, 21a Surface acoustic wave device 22 Surface acoustic wave element chip 23 Substrate 24, 25 Interdigital transducer 26
, 27 Earth side line 28 Earth side patterns 29, 30 Hot side lines 31, 32 Hot side pattern 33 Base plate 34 Earth side lands 35, 36 Hot side lands 37, 38 Earth side external electrodes 39, 40 Hot side external electrodes 41, 42 Through hole 43 Solder sealing frame 44, 45 Solder bump 46 Insulating film
Claims (1)
ディジタルトランスデューサ、前記インタディジタルト
ランスデューサのアース側ラインに接続されかつ前記イ
ンタディジタルトランスデューサを取囲むように前記基
板上に形成されるアース側パターン、および前記インタ
ディジタルトランスデューサのホット側ラインに接続さ
れるホット側パターンを備える、弾性表面波素子チップ
と、前記弾性表面波素子チップの前記インタディジタル
トランスデューサが形成された前記基板の面に対向して
配置されるものであって、前記アース側パターンに対応
する位置に形成されるアース側ランド、前記ホット側パ
ターンに対応する位置に形成されるホット側ランド、前
記アース側ランドに電気的に接続されるアース側外部電
極、および前記ホット側ランドに電気的に接続されるホ
ット側外部電極を備える、ベース板と、前記アース側パ
ターンと前記アース側ランドとを連結するように設けら
れる、半田封止枠と、前記ホット側パターンと前記ホッ
ト側ランドとを連結するように設けられる、半田バンプ
と、を備える、弾性表面波装置。1. A substrate, an interdigital transducer formed on the substrate, and a grounding pattern connected to a grounding line of the interdigital transducer and formed on the substrate so as to surround the interdigital transducer. and a surface acoustic wave element chip comprising a hot side pattern connected to the hot side line of the interdigital transducer, and the surface acoustic wave element chip is disposed opposite to the surface of the substrate on which the interdigital transducer is formed. A ground-side land formed at a position corresponding to the ground-side pattern, a hot-side land formed at a position corresponding to the hot-side pattern, and electrically connected to the ground-side land. a base plate including a ground-side external electrode and a hot-side external electrode electrically connected to the hot-side land; and a solder sealing frame provided to connect the ground-side pattern and the ground-side land. and a solder bump provided to connect the hot side pattern and the hot side land.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5749091A JPH04293310A (en) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | Surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5749091A JPH04293310A (en) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | Surface acoustic wave device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04293310A true JPH04293310A (en) | 1992-10-16 |
Family
ID=13057164
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5749091A Withdrawn JPH04293310A (en) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | Surface acoustic wave device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04293310A (en) |
Cited By (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006001125A1 (en) * | 2004-06-25 | 2006-01-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric device |
JP2006014095A (en) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Kyocera Corp | Communication device |
JP2006014296A (en) * | 2004-05-27 | 2006-01-12 | Kyocera Corp | Surface acoustic wave device and communication device |
JP2006042007A (en) * | 2004-07-28 | 2006-02-09 | Kyocera Corp | Surface acoustic wave element and communication device |
JP2006129417A (en) * | 2004-09-29 | 2006-05-18 | Kyocera Corp | Piezoelectric oscillator |
JP2006157257A (en) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Kyocera Corp | Surface acoustic wave device mounting substrate, high-frequency module, and portable terminal |
JP2006180438A (en) * | 2004-11-25 | 2006-07-06 | Kyocera Corp | Piezoelectric oscillator and manufacturing method thereof |
JP2006246112A (en) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Surface acoustic wave device and its manufacturing method |
JP2006270170A (en) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Seiko Epson Corp | Surface acoustic wave device and method of manufacturing surface acoustic wave device |
JP2007020073A (en) * | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | Electronic component and manufacturing method thereof |
JP2007027949A (en) * | 2005-07-13 | 2007-02-01 | Kyocera Corp | Filter device and multiband filter, duplexer and communication device using the same |
JP2007089143A (en) * | 2005-08-24 | 2007-04-05 | Kyocera Corp | Surface acoustic wave device, method of manufacturing the same, and communication device |
US7211934B2 (en) | 2003-01-07 | 2007-05-01 | Hitachi, Ltd. | Electronic device and method of manufacturing the same |
WO2007058280A1 (en) * | 2005-11-16 | 2007-05-24 | Kyocera Corporation | Electronic part sealing board, electronic part sealing board in multiple part form, electronic device using electronic part sealing board, and electronic device fabricating method |
US7227429B2 (en) | 2003-03-31 | 2007-06-05 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device and method of fabricating the same |
JP2007149879A (en) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Kyocera Corp | Electronic component sealing substrate, electronic device using the same, and method of manufacturing electronic device |
US7259032B2 (en) | 2002-11-26 | 2007-08-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Hermetically sealing a package to include a barrier metal |
US7289008B2 (en) | 2003-10-08 | 2007-10-30 | Kyocera Corporation | High-frequency module and communication apparatus |
US7298231B2 (en) | 2004-05-27 | 2007-11-20 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave device and communication apparatus |
US7301255B2 (en) | 2003-03-27 | 2007-11-27 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave apparatus and communications device |
US7301421B2 (en) | 2004-06-28 | 2007-11-27 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave device, manufacturing method therefor, and communications equipment |
US7307369B2 (en) | 2004-08-26 | 2007-12-11 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave device, surface acoustic wave apparatus, and communications equipment |
US7332986B2 (en) | 2004-06-28 | 2008-02-19 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave apparatus and communications equipment |
US7385463B2 (en) | 2003-12-24 | 2008-06-10 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave device and electronic circuit device |
US7389570B2 (en) | 2004-06-28 | 2008-06-24 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave device manufacturing method, surface acoustic wave device, and communications equipment |
JP2008166837A (en) * | 2008-03-10 | 2008-07-17 | Kyocera Corp | Electronic component sealing substrate, electronic device using the same, and electronic device manufacturing method |
US7453333B2 (en) | 2004-08-24 | 2008-11-18 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave apparatus and communications equipment |
US7513022B2 (en) | 2002-07-31 | 2009-04-07 | Kyocera Corporation | Method for manufacturing surface acoustic wave device |
US7550902B2 (en) | 2003-06-03 | 2009-06-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component device |
JP2009213004A (en) * | 2008-03-06 | 2009-09-17 | Epson Toyocom Corp | Electronic device and method of manufacturing the same |
JP2010187133A (en) * | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Seiko Epson Corp | Mounting structure of electronic component, and mounting method of electronic component |
US8227878B2 (en) | 2004-09-13 | 2012-07-24 | Seiko Epson Corporation | Sealed surface acoustic wave element package |
-
1991
- 1991-03-22 JP JP5749091A patent/JPH04293310A/en not_active Withdrawn
Cited By (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7513022B2 (en) | 2002-07-31 | 2009-04-07 | Kyocera Corporation | Method for manufacturing surface acoustic wave device |
US7259032B2 (en) | 2002-11-26 | 2007-08-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Hermetically sealing a package to include a barrier metal |
US7211934B2 (en) | 2003-01-07 | 2007-05-01 | Hitachi, Ltd. | Electronic device and method of manufacturing the same |
US7301255B2 (en) | 2003-03-27 | 2007-11-27 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave apparatus and communications device |
US7227429B2 (en) | 2003-03-31 | 2007-06-05 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device and method of fabricating the same |
USRE45419E1 (en) | 2003-03-31 | 2015-03-17 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and method of fabricating the same |
US7550902B2 (en) | 2003-06-03 | 2009-06-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component device |
US7289008B2 (en) | 2003-10-08 | 2007-10-30 | Kyocera Corporation | High-frequency module and communication apparatus |
US7385463B2 (en) | 2003-12-24 | 2008-06-10 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave device and electronic circuit device |
US7298231B2 (en) | 2004-05-27 | 2007-11-20 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave device and communication apparatus |
JP2006014296A (en) * | 2004-05-27 | 2006-01-12 | Kyocera Corp | Surface acoustic wave device and communication device |
GB2431512B (en) * | 2004-06-25 | 2008-05-21 | Murata Manufacturing Co | Piezoelectric device |
US7436272B2 (en) | 2004-06-25 | 2008-10-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric device |
GB2431512A (en) * | 2004-06-25 | 2007-04-25 | Murata Manufacturing Co | Piezoelectric device |
WO2006001125A1 (en) * | 2004-06-25 | 2006-01-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric device |
JP4646557B2 (en) * | 2004-06-28 | 2011-03-09 | 京セラ株式会社 | Communication device |
US7389570B2 (en) | 2004-06-28 | 2008-06-24 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave device manufacturing method, surface acoustic wave device, and communications equipment |
JP2006014095A (en) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Kyocera Corp | Communication device |
US7301421B2 (en) | 2004-06-28 | 2007-11-27 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave device, manufacturing method therefor, and communications equipment |
US7332986B2 (en) | 2004-06-28 | 2008-02-19 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave apparatus and communications equipment |
JP4498049B2 (en) * | 2004-07-28 | 2010-07-07 | 京セラ株式会社 | Surface acoustic wave element, surface acoustic wave device, and communication device |
JP2006042007A (en) * | 2004-07-28 | 2006-02-09 | Kyocera Corp | Surface acoustic wave element and communication device |
US7453333B2 (en) | 2004-08-24 | 2008-11-18 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave apparatus and communications equipment |
US7307369B2 (en) | 2004-08-26 | 2007-12-11 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave device, surface acoustic wave apparatus, and communications equipment |
US8227878B2 (en) | 2004-09-13 | 2012-07-24 | Seiko Epson Corporation | Sealed surface acoustic wave element package |
US8492856B2 (en) | 2004-09-13 | 2013-07-23 | Seiko Epson Corporation | Sealed electric element package |
JP4545004B2 (en) * | 2004-09-29 | 2010-09-15 | 京セラ株式会社 | Piezoelectric oscillator |
JP2006129417A (en) * | 2004-09-29 | 2006-05-18 | Kyocera Corp | Piezoelectric oscillator |
JP4578231B2 (en) * | 2004-11-25 | 2010-11-10 | 京セラ株式会社 | Piezoelectric oscillator and manufacturing method thereof |
JP2006180438A (en) * | 2004-11-25 | 2006-07-06 | Kyocera Corp | Piezoelectric oscillator and manufacturing method thereof |
JP2006157257A (en) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Kyocera Corp | Surface acoustic wave device mounting substrate, high-frequency module, and portable terminal |
JP4565979B2 (en) * | 2004-11-26 | 2010-10-20 | 京セラ株式会社 | Surface acoustic wave device mounting substrate, high-frequency module, and portable terminal |
JP2006246112A (en) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Surface acoustic wave device and its manufacturing method |
JP2006270170A (en) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Seiko Epson Corp | Surface acoustic wave device and method of manufacturing surface acoustic wave device |
JP2007020073A (en) * | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | Electronic component and manufacturing method thereof |
US7602264B2 (en) | 2005-07-13 | 2009-10-13 | Kyocera Corporation | Filter device, multiband filter, duplexer and communications equipment using the filter device |
JP2007027949A (en) * | 2005-07-13 | 2007-02-01 | Kyocera Corp | Filter device and multiband filter, duplexer and communication device using the same |
JP2007089143A (en) * | 2005-08-24 | 2007-04-05 | Kyocera Corp | Surface acoustic wave device, method of manufacturing the same, and communication device |
US7932594B2 (en) | 2005-11-16 | 2011-04-26 | Kyocera Corporation | Electronic component sealing substrate for hermetically sealing a micro electronic mechanical system of an electronic component |
WO2007058280A1 (en) * | 2005-11-16 | 2007-05-24 | Kyocera Corporation | Electronic part sealing board, electronic part sealing board in multiple part form, electronic device using electronic part sealing board, and electronic device fabricating method |
JP2007149879A (en) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Kyocera Corp | Electronic component sealing substrate, electronic device using the same, and method of manufacturing electronic device |
JP2009213004A (en) * | 2008-03-06 | 2009-09-17 | Epson Toyocom Corp | Electronic device and method of manufacturing the same |
JP2008166837A (en) * | 2008-03-10 | 2008-07-17 | Kyocera Corp | Electronic component sealing substrate, electronic device using the same, and electronic device manufacturing method |
JP2010187133A (en) * | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Seiko Epson Corp | Mounting structure of electronic component, and mounting method of electronic component |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH04293310A (en) | Surface acoustic wave device | |
JP3514361B2 (en) | Chip element and method of manufacturing chip element | |
JPWO2006001125A1 (en) | Piezoelectric device | |
US5949305A (en) | Saw filter encapsulated in a ceramic package with capacitance incorporated therein | |
JP2002135080A (en) | Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same | |
JPS63211663A (en) | Circuit board | |
WO2021059731A1 (en) | Piezoelectric vibration plate, piezoelectric vibration device, and method for manufacturing piezoelectric vibration device | |
JPH0818390A (en) | Surface acoustic wave device | |
JP3546506B2 (en) | Electronic component and method of manufacturing the same | |
JPH07283334A (en) | Airtightly sealed electronic parts | |
JP3269235B2 (en) | Electronic components | |
JP3659439B2 (en) | Surface mount electronic components | |
JP2002026679A (en) | Package for piezoelectric vibration device | |
JP2002064354A (en) | Package for surface-mount piezoelectric vibrator and production method for the same | |
JP2002084159A (en) | Surface-mounted piezoelectric vibrator | |
JP2005260600A (en) | Surface mount crystal unit | |
JPH04216652A (en) | Package structure of semiconductor device | |
JPH104152A (en) | Electronic component | |
JPH04293311A (en) | Surface acoustic wave device | |
JP2500310B2 (en) | Semiconductor device | |
JPH01273390A (en) | Electric circuit part | |
JPS61198656A (en) | Semiconductor device | |
JP3736226B2 (en) | SAW device | |
JP3850338B2 (en) | Wiring board | |
JPH1041416A (en) | Electronic part |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |