JPH04272643A - イオン注入装置およびイオン注入方法 - Google Patents
イオン注入装置およびイオン注入方法Info
- Publication number
- JPH04272643A JPH04272643A JP3010413A JP1041391A JPH04272643A JP H04272643 A JPH04272643 A JP H04272643A JP 3010413 A JP3010413 A JP 3010413A JP 1041391 A JP1041391 A JP 1041391A JP H04272643 A JPH04272643 A JP H04272643A
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- JP
- Japan
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- chamber
- vacuum
- ion implantation
- valve
- wafer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、試料としてのシリコ
ンウェハ表面にイオンを注入するためのイオン注入方法
およびイオン注入装置に関するものである。
ンウェハ表面にイオンを注入するためのイオン注入方法
およびイオン注入装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２はこの種従来の枚葉式イオン注入装
置の試料搬送部の概略構成を示す図である。図において
、１は試料としてのシリコンウェア、２はこのシリコン
ウェア１にイオン注入を行う真空処理室、３はこの真空
処理室２と大気との間に介在する入口側の予備排気室で
、真空処理室２との間はバルブ４ａ、大気との間はバル
ブ４ｂでそれぞれ仕切られている。５，６は予備排気室
３に設けられ窒素または空気を予備排気室３内に供給、
又は室外に排出する供給口および排出口である。
置の試料搬送部の概略構成を示す図である。図において
、１は試料としてのシリコンウェア、２はこのシリコン
ウェア１にイオン注入を行う真空処理室、３はこの真空
処理室２と大気との間に介在する入口側の予備排気室で
、真空処理室２との間はバルブ４ａ、大気との間はバル
ブ４ｂでそれぞれ仕切られている。５，６は予備排気室
３に設けられ窒素または空気を予備排気室３内に供給、
又は室外に排出する供給口および排出口である。
【０００３】７は真空処理室２と大気との間に介在する
出口側の予備排気室で、真空処理室２との間はバルブ４
ｃ、大気との間はバルブ４ｄでそれぞれ仕切られている
。 ８，９は出口側の予備排気室７に設けられ窒素または空
気を予備排気室７内に供給、又は室外に排出する供給口
および排出口である。なお、図中矢印Ａは、シリコンウ
ェハ１の配送順路を示す。
出口側の予備排気室で、真空処理室２との間はバルブ４
ｃ、大気との間はバルブ４ｄでそれぞれ仕切られている
。 ８，９は出口側の予備排気室７に設けられ窒素または空
気を予備排気室７内に供給、又は室外に排出する供給口
および排出口である。なお、図中矢印Ａは、シリコンウ
ェハ１の配送順路を示す。
【０００４】次に、上記のように試料搬送部が構成され
た従来のイオン注入装置の動作について説明する。まず
、大気側の所定場所に設置されたシリコンウェハ１は、
ベルトまたはアーム等によって開放されたバルブ４ｂか
ら入口側の予備排気室３内に搬送される。その後、バル
ブ４ｂが閉止され排出口６により予備排気室３内は真空
排気される。予備排気室３内が真空状態となるとバルブ
４ａが開放されてシリコンウェハ１は真空処理室２内に
移送され、ここで所定元素等のイオン注入処理がなされ
る。処理終了後、シリコンウェハ１は開放されたバルブ
４ｃから出口側の予備排気室７内に移送され、バルブ４
ｃが閉止された後に予備排気室７内は真空状態から大気
に戻され、バルブ４ｄが解放されてこれより所定のケー
スに移送、収納される。
た従来のイオン注入装置の動作について説明する。まず
、大気側の所定場所に設置されたシリコンウェハ１は、
ベルトまたはアーム等によって開放されたバルブ４ｂか
ら入口側の予備排気室３内に搬送される。その後、バル
ブ４ｂが閉止され排出口６により予備排気室３内は真空
排気される。予備排気室３内が真空状態となるとバルブ
４ａが開放されてシリコンウェハ１は真空処理室２内に
移送され、ここで所定元素等のイオン注入処理がなされ
る。処理終了後、シリコンウェハ１は開放されたバルブ
４ｃから出口側の予備排気室７内に移送され、バルブ４
ｃが閉止された後に予備排気室７内は真空状態から大気
に戻され、バルブ４ｄが解放されてこれより所定のケー
スに移送、収納される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のイオン注入装置
は以上のように構成されているので、注入処理前の試料
の搬送中に、試料表面に異物等が付着してもこれを除去
することができずに性能の劣化を来すとともに、又、搬
送部からの発塵異物が予備排気室に堆積した場合、装置
を停止して除去してやらなければならずに装置の稼動率
を低下させる等の問題点があった。
は以上のように構成されているので、注入処理前の試料
の搬送中に、試料表面に異物等が付着してもこれを除去
することができずに性能の劣化を来すとともに、又、搬
送部からの発塵異物が予備排気室に堆積した場合、装置
を停止して除去してやらなければならずに装置の稼動率
を低下させる等の問題点があった。
【０００６】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、注入処理前に試料の表面に付着
した異物を除去して試料の性能の劣化を防止するととも
に、搬送部からの発塵異物の予備排気室内における堆積
を防止して稼動率の向上を可能にするイオン注入装置お
よびイオン注入方法を提供することを目的とするもので
ある。
ためになされたもので、注入処理前に試料の表面に付着
した異物を除去して試料の性能の劣化を防止するととも
に、搬送部からの発塵異物の予備排気室内における堆積
を防止して稼動率の向上を可能にするイオン注入装置お
よびイオン注入方法を提供することを目的とするもので
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に係るイオン注
入装置は、予備排気室に超音波印加機能を具備したもの
であり、又、請求項２に係るイオン注入方法は、予備排
気室内に窒素または空気を供給しながら超音波を印加す
る工程と、窒素または空気の供給および超音波の印加を
停止し予備排気室内の排気を行う工程とを有したもので
ある。
入装置は、予備排気室に超音波印加機能を具備したもの
であり、又、請求項２に係るイオン注入方法は、予備排
気室内に窒素または空気を供給しながら超音波を印加す
る工程と、窒素または空気の供給および超音波の印加を
停止し予備排気室内の排気を行う工程とを有したもので
ある。
【０００８】
【作用】請求項１におけるイオン注入装置の予備排気室
は、超音波印加機能により試料表面に付着した異物を細
かな振動で脱離し、真空排気動作で室外に除去し、又、
請求項２におけるイオン注入方法の予備排気室内に窒素
または空気を供給しながら超音波を印加する工程は、試
料表面に付着した異物を脱離し、窒素または空気の供給
および超音波の印加を停止し予備排気室内の排気を行う
工程は、試料表面から脱離した異物や搬送部からの発塵
異物を室外に排除する。
は、超音波印加機能により試料表面に付着した異物を細
かな振動で脱離し、真空排気動作で室外に除去し、又、
請求項２におけるイオン注入方法の予備排気室内に窒素
または空気を供給しながら超音波を印加する工程は、試
料表面に付着した異物を脱離し、窒素または空気の供給
および超音波の印加を停止し予備排気室内の排気を行う
工程は、試料表面から脱離した異物や搬送部からの発塵
異物を室外に排除する。
【０００９】
【実施例】以下、この発明の一実施例におけるイオン注
入装置を図について説明する。図１において、シリコン
ウェハ１、真空処理室２、各バルブ４ａ〜４ｄ、出口側
の予備排気室７、供給口５，８、排出口６、９は図２に
おける従来装置のものと同様なので説明を省略する。１
０は大気と真空処理室２との間に介在する入口側の予備
排気室で、超音波発生器（図示せず）等による超音波印
加機能を具備し、真空処理室２との間はバルブ４ａ、大
気との間はバルブ４ｂでそれぞれ仕切られている。
入装置を図について説明する。図１において、シリコン
ウェハ１、真空処理室２、各バルブ４ａ〜４ｄ、出口側
の予備排気室７、供給口５，８、排出口６、９は図２に
おける従来装置のものと同様なので説明を省略する。１
０は大気と真空処理室２との間に介在する入口側の予備
排気室で、超音波発生器（図示せず）等による超音波印
加機能を具備し、真空処理室２との間はバルブ４ａ、大
気との間はバルブ４ｂでそれぞれ仕切られている。
【００１０】次に、上記のように構成されたこの発明の
一実施例におけるイオン注入装置の動作を説明する。ま
ず、シリコンウェハ１が従来装置と同様にして予備排気
室１０内に搬送されると、バルブ４ｂが閉止され予備排
気室１０内に超音波が印加され、ほぼ同時に排出口６か
ら真空排気が開始される。この時、シリコンウェハ１の
表面に付着していた異物等は超音波の振動により脱離し
、真空排気動作に伴って、排出口６から室外に排出され
る。
一実施例におけるイオン注入装置の動作を説明する。ま
ず、シリコンウェハ１が従来装置と同様にして予備排気
室１０内に搬送されると、バルブ４ｂが閉止され予備排
気室１０内に超音波が印加され、ほぼ同時に排出口６か
ら真空排気が開始される。この時、シリコンウェハ１の
表面に付着していた異物等は超音波の振動により脱離し
、真空排気動作に伴って、排出口６から室外に排出され
る。
【００１１】真空排気動作が完了すると、シリコンウェ
ハ１は異物等が全く付着していない状態で、開放された
バルブ４ａより真空処理室２内に移送され、所定の元素
のイオン注入処理が施される。その後、シリコンウェハ
１は出口側の予備排気室７内に移送され、供給口８より
供給される窒素または空気によりパージされた後、バル
ブ４ｄを介して所定のケースに収納される。
ハ１は異物等が全く付着していない状態で、開放された
バルブ４ａより真空処理室２内に移送され、所定の元素
のイオン注入処理が施される。その後、シリコンウェハ
１は出口側の予備排気室７内に移送され、供給口８より
供給される窒素または空気によりパージされた後、バル
ブ４ｄを介して所定のケースに収納される。
【００１２】一方、イオン注入処理作業が中断している
間に、入口側の予備排気室１０内には供給口５から窒素
または空気が供給されるとともに超音波が印加され、続
いて、窒素または空気の供給および超音波の印加を停止
して排気動作が行われる。このような動作が連続して複
数回繰り返されることにより、シリコンウェハ１表面か
ら離脱した異物や搬送部からの発塵異物が、予備排気室
１０内に堆積、付着することも防止される。
間に、入口側の予備排気室１０内には供給口５から窒素
または空気が供給されるとともに超音波が印加され、続
いて、窒素または空気の供給および超音波の印加を停止
して排気動作が行われる。このような動作が連続して複
数回繰り返されることにより、シリコンウェハ１表面か
ら離脱した異物や搬送部からの発塵異物が、予備排気室
１０内に堆積、付着することも防止される。
【００１３】尚、上記一実施例では入口側の予備排気室
１０に超音波印加機能を具備させたイオン注入装置につ
いて説明したが、出口側の予備排気室７に同機能を具備
させても良く、又、上記一実施例では枚葉式処理方式の
イオン注入装置について説明したが、バッチ処理方式等
のように他の処理方式のイオン注入装置に適用しても同
様の効果を奏することは言うまでもない。
１０に超音波印加機能を具備させたイオン注入装置につ
いて説明したが、出口側の予備排気室７に同機能を具備
させても良く、又、上記一実施例では枚葉式処理方式の
イオン注入装置について説明したが、バッチ処理方式等
のように他の処理方式のイオン注入装置に適用しても同
様の効果を奏することは言うまでもない。
【００１４】
【発明の効果】以上のように、この発明の請求項１によ
れば予備排気室に超音波印加機能を具備したので、試料
の表面に付着した異物を除去して試料の性能の劣化を防
止し、又、この発明の請求項２によれば予備排気室内に
窒素または空気を供給しながら超音波を印加する工程と
、窒素または空気の供給および超音波の印加を停止し予
備排気室内の排気を行う工程とを有したので、搬送部か
らの発塵異物の予備排気室内における堆積を防止して稼
動率の向上を可能にするイオン注入装置およびイオン注
入方法を提供することができる。
れば予備排気室に超音波印加機能を具備したので、試料
の表面に付着した異物を除去して試料の性能の劣化を防
止し、又、この発明の請求項２によれば予備排気室内に
窒素または空気を供給しながら超音波を印加する工程と
、窒素または空気の供給および超音波の印加を停止し予
備排気室内の排気を行う工程とを有したので、搬送部か
らの発塵異物の予備排気室内における堆積を防止して稼
動率の向上を可能にするイオン注入装置およびイオン注
入方法を提供することができる。
【図１】この発明の一実施例におけるイオン注入装置の
試料搬送部の概略構成を示す図である。
試料搬送部の概略構成を示す図である。
【図２】従来のイオン注入装置の試料搬送部の概略構成
を示す図である。
を示す図である。
１ 試料としてのシリコンウェハ
２ 真空排気室
１０ 予備排気室
Claims (2)
- 【請求項１】 予備排気室を介して大気から真空処理
室へ試料の搬送を行うイオン注入装置において、上記予
備排気室は超音波印加機能を具備していることを特徴と
するイオン注入装置。 - 【請求項２】 大気から真空処理室へ試料を搬送する
ために介在する予備排気室内に窒素又は空気を供給しな
がら超音波を印加する工程と、上記窒素又は空気の供給
および超音波の印加を停止し上記予備排気室内の排気を
行う工程とを有したことを特徴とするイオン注入方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3010413A JPH04272643A (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | イオン注入装置およびイオン注入方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3010413A JPH04272643A (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | イオン注入装置およびイオン注入方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04272643A true JPH04272643A (ja) | 1992-09-29 |
Family
ID=11749465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3010413A Pending JPH04272643A (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | イオン注入装置およびイオン注入方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04272643A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07173614A (ja) * | 1993-09-23 | 1995-07-11 | Becton Dickinson & Co | プラスチック品のバリアコーティング方法 |
| US5731592A (en) * | 1995-12-29 | 1998-03-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Exhaust system for an ion implanter |
| WO2013001700A1 (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-03 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 試料の作製装置，作製方法、及びそれを用いた荷電粒子線装置 |
| US20140165908A1 (en) * | 2012-12-13 | 2014-06-19 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Transfer chamber and method of using a transfer chamber |
| CN108611605A (zh) * | 2018-05-22 | 2018-10-02 | 桑尼光电技术（安徽）有限公司 | 一种光学镀膜机快速无尘进气装置 |
-
1991
- 1991-01-31 JP JP3010413A patent/JPH04272643A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07173614A (ja) * | 1993-09-23 | 1995-07-11 | Becton Dickinson & Co | プラスチック品のバリアコーティング方法 |
| US5731592A (en) * | 1995-12-29 | 1998-03-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Exhaust system for an ion implanter |
| WO2013001700A1 (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-03 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 試料の作製装置，作製方法、及びそれを用いた荷電粒子線装置 |
| US20140165908A1 (en) * | 2012-12-13 | 2014-06-19 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Transfer chamber and method of using a transfer chamber |
| WO2014093527A1 (en) * | 2012-12-13 | 2014-06-19 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Transfer chamber and method of using transfer chamber |
| US10446710B2 (en) * | 2012-12-13 | 2019-10-15 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Transfer chamber and method of using a transfer chamber |
| CN108611605A (zh) * | 2018-05-22 | 2018-10-02 | 桑尼光电技术（安徽）有限公司 | 一种光学镀膜机快速无尘进气装置 |
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