JPH04269598A - Ｉｃメモリカード - Google Patents
ＩｃメモリカードInfo
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- JPH04269598A JPH04269598A JP3030010A JP3001091A JPH04269598A JP H04269598 A JPH04269598 A JP H04269598A JP 3030010 A JP3030010 A JP 3030010A JP 3001091 A JP3001091 A JP 3001091A JP H04269598 A JPH04269598 A JP H04269598A
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- JP
- Japan
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- memory
- memory lsi
- printed wiring
- wiring board
- lsi chips
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- Pending
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- 230000015654 memory Effects 0.000 claims abstract description 81
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 36
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、メモリＬＳＩチップを
多数個内蔵したＩＣメモリカードに関するものである。
多数個内蔵したＩＣメモリカードに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＩＣメモリカードは、ＲＡＭ、Ｒ
ＯＭなどのメモリＬＳＩを内蔵した携帯型情報記憶装置
として、多方面で利用されている。用途の拡大に伴い、
記憶容量の大きい、すなわち大容量のＩＣメモリカード
が要望されるようになってきた。このような大容量のＩ
Ｃメモリカードにおいては、多数個のメモリＬＳＩを、
一定面積のプリント配線板に高密度に実装しなければな
らない。
ＯＭなどのメモリＬＳＩを内蔵した携帯型情報記憶装置
として、多方面で利用されている。用途の拡大に伴い、
記憶容量の大きい、すなわち大容量のＩＣメモリカード
が要望されるようになってきた。このような大容量のＩ
Ｃメモリカードにおいては、多数個のメモリＬＳＩを、
一定面積のプリント配線板に高密度に実装しなければな
らない。
【０００３】ところで、メモリＬＳＩの高密度な実装方
法としては、メモリＬＳＩのベアチップの電極に、いわ
ゆるフィルムキャリア方式で導体リードを接合し、メモ
リＬＳＩチップをプリント配線板に平面的に並べて実装
する方法が効果的とされている。
法としては、メモリＬＳＩのベアチップの電極に、いわ
ゆるフィルムキャリア方式で導体リードを接合し、メモ
リＬＳＩチップをプリント配線板に平面的に並べて実装
する方法が効果的とされている。
【０００４】以下図面を参照しながら、フィルムキャリ
ア方式により多数のメモリＬＳＩをプリント配線板に実
装した、従来のＩＣメモリカードについて説明する。
ア方式により多数のメモリＬＳＩをプリント配線板に実
装した、従来のＩＣメモリカードについて説明する。
【０００５】図５は従来のＩＣメモリカードを示す断面
図である。図５において、３１はケースでプリント配線
板３２を収納している。プリント配線板３２には導体配
線３３が形成されている。３４、３４’はメモリＬＳＩ
チップで、プリント配線板３２に平面的に配置されてい
る。メモリＬＳＩチップ３４の電極３５には、フルムキ
ャリア方式により金属突起３６を介して、導体リード３
７の一端部３７ａが接合されている。導体リード３７の
他端部３７ｂは、プリント配線板３２の導体配線３３に
接合されている。このようにベアチップを使用している
ので、プリント配線板でのメモリＬＳＩチップの占有面
積は比較的小さいものである。
図である。図５において、３１はケースでプリント配線
板３２を収納している。プリント配線板３２には導体配
線３３が形成されている。３４、３４’はメモリＬＳＩ
チップで、プリント配線板３２に平面的に配置されてい
る。メモリＬＳＩチップ３４の電極３５には、フルムキ
ャリア方式により金属突起３６を介して、導体リード３
７の一端部３７ａが接合されている。導体リード３７の
他端部３７ｂは、プリント配線板３２の導体配線３３に
接合されている。このようにベアチップを使用している
ので、プリント配線板でのメモリＬＳＩチップの占有面
積は比較的小さいものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、メモリＬＳＩチップがプリント配線板に平
面的に配置されているので、メモリＬＳＩチップの数が
多くなるとその占有面積も拡大する。従って一定面積を
有するプリント配線板に対し、実装できるメモリＬＳＩ
チップの数には自ずと限界があった。またメモリＬＳＩ
チップの数が増えると、メモリＬＳＩチップの電極に接
合された導体リード間を、電気的に接続するプリント配
線板の導体配線の距離が長くなって、配線スペースが増
えるので、プリント配線板がコスト高になると共に、信
号の伝達速度も遅くなるという課題を有していた。
の構成では、メモリＬＳＩチップがプリント配線板に平
面的に配置されているので、メモリＬＳＩチップの数が
多くなるとその占有面積も拡大する。従って一定面積を
有するプリント配線板に対し、実装できるメモリＬＳＩ
チップの数には自ずと限界があった。またメモリＬＳＩ
チップの数が増えると、メモリＬＳＩチップの電極に接
合された導体リード間を、電気的に接続するプリント配
線板の導体配線の距離が長くなって、配線スペースが増
えるので、プリント配線板がコスト高になると共に、信
号の伝達速度も遅くなるという課題を有していた。
【０００７】本発明は上記従来の課題を解決するもので
、メモリＬＳＩの実装密度を飛躍的に高め、一定の面積
を有するプリント配線板に、多数のメモリＬＳＩチップ
を搭載して大容量化を実現でき、さらに、配線スペース
を減少して信号伝達の高速化をも実現できるＩＣメモリ
カードを提供することを目的としている。
、メモリＬＳＩの実装密度を飛躍的に高め、一定の面積
を有するプリント配線板に、多数のメモリＬＳＩチップ
を搭載して大容量化を実現でき、さらに、配線スペース
を減少して信号伝達の高速化をも実現できるＩＣメモリ
カードを提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のＩＣメモリカードは、プリント配線板に積層
されたメモリＬＳＩチップの電極に、導体リードの一端
部が接合され、メモリＬＳＩチップの共通電極に接合さ
れた導体リードの他端部は、重ね合わされてプリント配
線板の導体配線に接合された構成であり、メモリＬＳＩ
チップの電極配置及び内部集積回路パターンを表裏逆に
形成したもの（以下逆パターンメモリＬＳＩと称する）
を積層した組と、メモリＬＳＩチップの電極配置及び内
部集積回路パターンを表裏逆にせず、通常通り形成した
もの（以下通常パターンメモリＬＳＩと称する）を積層
した組とを有する構成である。
に本発明のＩＣメモリカードは、プリント配線板に積層
されたメモリＬＳＩチップの電極に、導体リードの一端
部が接合され、メモリＬＳＩチップの共通電極に接合さ
れた導体リードの他端部は、重ね合わされてプリント配
線板の導体配線に接合された構成であり、メモリＬＳＩ
チップの電極配置及び内部集積回路パターンを表裏逆に
形成したもの（以下逆パターンメモリＬＳＩと称する）
を積層した組と、メモリＬＳＩチップの電極配置及び内
部集積回路パターンを表裏逆にせず、通常通り形成した
もの（以下通常パターンメモリＬＳＩと称する）を積層
した組とを有する構成である。
【０００９】
【作用】この構成によってメモリＬＳＩチップの占有面
積が大幅に縮小されるので、限られた面積のプリント配
線板に多数のメモリＬＳＩチップを搭載して大容量化を
実現できる。また、積層した各チップ間の共通電極の導
体リードを重ね合わせて直接接合しているので、配線ス
ペースの減少と導体配線の距離を短くすることが可能に
なり、さらに、通常パターンメモリＬＳＩを積層した組
と逆パターンメモリＬＳＩを積層した組とを隣接して配
置することにより、積層されたメモリＬＳＩチップの各
組を接続する導体配線の配線スペースの減少と配線距離
を短くすることが可能になり、プリント配線板のコスト
ダウンと信号伝達の高速化を実現できる。
積が大幅に縮小されるので、限られた面積のプリント配
線板に多数のメモリＬＳＩチップを搭載して大容量化を
実現できる。また、積層した各チップ間の共通電極の導
体リードを重ね合わせて直接接合しているので、配線ス
ペースの減少と導体配線の距離を短くすることが可能に
なり、さらに、通常パターンメモリＬＳＩを積層した組
と逆パターンメモリＬＳＩを積層した組とを隣接して配
置することにより、積層されたメモリＬＳＩチップの各
組を接続する導体配線の配線スペースの減少と配線距離
を短くすることが可能になり、プリント配線板のコスト
ダウンと信号伝達の高速化を実現できる。
【００１０】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１１】図１は本発明の一実施例におけるＩＣメモ
リカードの一部を切り欠いた斜視図であり、図２は同じ
く部分断面図であり、図３は同じく部分平面図である。 図４は本発明の一実施例におけるＩＣメモリーカードの
電気回路のブロック図である。
リカードの一部を切り欠いた斜視図であり、図２は同じ
く部分断面図であり、図３は同じく部分平面図である。 図４は本発明の一実施例におけるＩＣメモリーカードの
電気回路のブロック図である。
【００１２】図１から図４において、１はケースでプリ
ント配線板２を収納している。プリント配線板２はメモ
リ回路部３、コントロール回路部４、外部インタフェイ
ス回路部５で構成されている。メモリ回路部３は複数の
メモリＬＳＩチップ６、７等で構成され、同一種類のメ
モリＬＳＩチップを２層に積層したものを多数組プリン
ト配線板２に搭載している。コントロール回路部４はデ
コーダＩＣ８等で構成され、アドレス信号やコントロー
ル信号によるチップ選択、電源切換えによるバックアッ
プコントロール等を行う。外部インタフェイス回路部５
は接続コネクタ９等で構成され、接続コネクタ９は他の
機器や装置に取りつけられた接続部（図示せず）に結合
され、プリント配線板２に対して電源の供給と信号の授
受を行う。１０はメモリ回路部３をバックアップする電
池で、コイン型リチウム電池等を使用し、ケース１に収
納されている。電池１０はメモリ回路部３及びコントロ
ール回路部４に対して接続コネクタ９から電源が供給さ
れないときに、バックアップ電源を供給する。
ント配線板２を収納している。プリント配線板２はメモ
リ回路部３、コントロール回路部４、外部インタフェイ
ス回路部５で構成されている。メモリ回路部３は複数の
メモリＬＳＩチップ６、７等で構成され、同一種類のメ
モリＬＳＩチップを２層に積層したものを多数組プリン
ト配線板２に搭載している。コントロール回路部４はデ
コーダＩＣ８等で構成され、アドレス信号やコントロー
ル信号によるチップ選択、電源切換えによるバックアッ
プコントロール等を行う。外部インタフェイス回路部５
は接続コネクタ９等で構成され、接続コネクタ９は他の
機器や装置に取りつけられた接続部（図示せず）に結合
され、プリント配線板２に対して電源の供給と信号の授
受を行う。１０はメモリ回路部３をバックアップする電
池で、コイン型リチウム電池等を使用し、ケース１に収
納されている。電池１０はメモリ回路部３及びコントロ
ール回路部４に対して接続コネクタ９から電源が供給さ
れないときに、バックアップ電源を供給する。
【００１３】次に、メモリＬＳＩチップの積層状態につ
いて述べる。メモリＬＳＩチップ６は他のメモリＬＳＩ
チップ６’の上に、それぞれの電極配列が同一になる方
向に積層されており、積層したメモリＬＳＩチップ６及
び６’は、電極配列及び内部集積回路パターンを表裏逆
にして形成した逆パターンメモリＬＳＩである。また、
メモリＬＳＩチップ７は他のメモリＬＳＩチップ７’の
上に、それぞれの電極配列が同一方向に積層されており
、積層したメモリＬＳＩチップ７及び７’は、電極配列
及び内部集積回路パターンを表裏逆にせず、通常通りに
形成した通常パターンメモリＬＳＩである。
いて述べる。メモリＬＳＩチップ６は他のメモリＬＳＩ
チップ６’の上に、それぞれの電極配列が同一になる方
向に積層されており、積層したメモリＬＳＩチップ６及
び６’は、電極配列及び内部集積回路パターンを表裏逆
にして形成した逆パターンメモリＬＳＩである。また、
メモリＬＳＩチップ７は他のメモリＬＳＩチップ７’の
上に、それぞれの電極配列が同一方向に積層されており
、積層したメモリＬＳＩチップ７及び７’は、電極配列
及び内部集積回路パターンを表裏逆にせず、通常通りに
形成した通常パターンメモリＬＳＩである。
【００１４】１１及び１１’はメモリＬＳＩチップ６及
び６’のそれぞれの電極で、金属突起１２及び１２’を
介して導体リード１３及び１３’の一端部１３ａ及び１
３’ａが接合されている。１４及び１４’はメモリＬＳ
Ｉチップ７及び７’の電極で、それぞれ金属突起１５及
び１５’を介して導体リード１６及び１６’の一端部１
６ａ及び１６’ａが接続されている。
び６’のそれぞれの電極で、金属突起１２及び１２’を
介して導体リード１３及び１３’の一端部１３ａ及び１
３’ａが接合されている。１４及び１４’はメモリＬＳ
Ｉチップ７及び７’の電極で、それぞれ金属突起１５及
び１５’を介して導体リード１６及び１６’の一端部１
６ａ及び１６’ａが接続されている。
【００１５】そして、電極１１、１１’、１４及び１４
’はメモリＬＳＩチップ６、６’、７及び７’の共通電
極であるので、導体リード１３’の他端部１３’ｂの上
に導体リード１３の他端部１３ｂを重ねて、また、導体
リード１６’の他端部１６’ｂの上に導体リード１６の
他端部１６ｂを重ねて、プリント配線板２の導体配線１
７に接続されている。
’はメモリＬＳＩチップ６、６’、７及び７’の共通電
極であるので、導体リード１３’の他端部１３’ｂの上
に導体リード１３の他端部１３ｂを重ねて、また、導体
リード１６’の他端部１６’ｂの上に導体リード１６の
他端部１６ｂを重ねて、プリント配線板２の導体配線１
７に接続されている。
【００１６】また、１８及び１９はメモリＬＳＩチップ
６及び７の別の電極で、互いに共通電極であるので、導
体リード２０及び２１はプリント配線板２の同一の導体
リード２２の上に接合されている。
６及び７の別の電極で、互いに共通電極であるので、導
体リード２０及び２１はプリント配線板２の同一の導体
リード２２の上に接合されている。
【００１７】２３は樹脂等で構成された絶縁材であり、
メモリＬＳＩチップ６、６’、７及び７’の表面を保護
する役目をしている。
メモリＬＳＩチップ６、６’、７及び７’の表面を保護
する役目をしている。
【００１８】以上のように本実施例によれば、メモリＬ
ＳＩチップ６、７等を複数個積層してプリント配線板２
に搭載することにより、メモリＬＳＩチップ６、７等の
占有面積を大幅に縮小することができ、一定面積のプリ
ント配線板２に多数のメモリＬＳＩチップ６、７等を搭
載できるので、大容量のＩＣメモリカードを実現するこ
とができる。
ＳＩチップ６、７等を複数個積層してプリント配線板２
に搭載することにより、メモリＬＳＩチップ６、７等の
占有面積を大幅に縮小することができ、一定面積のプリ
ント配線板２に多数のメモリＬＳＩチップ６、７等を搭
載できるので、大容量のＩＣメモリカードを実現するこ
とができる。
【００１９】さらに、メモリＬＳＩチップ６及び７は、
その電極配列及び内部集積回路パターンが互いに表裏逆
にすることにより、プリント配線板２にメモリＬＳＩチ
ップ６及び７を同一辺を互いに隣接させて配置すると、
両者の電極配列及び内部集積回路パターンは線対称にな
るため、隣接する両者の一辺の電極配列が同一になり、
プリント配線板２の導体配線１７及び２２の引き回しが
簡略化でき、配線距離も短くなる。したがって、配線ス
ペースが小さくなり、プリント配線板２のコストダウン
が図れるとともに、信号の伝達速度の速いＩＣメモリカ
ードを実現できる。
その電極配列及び内部集積回路パターンが互いに表裏逆
にすることにより、プリント配線板２にメモリＬＳＩチ
ップ６及び７を同一辺を互いに隣接させて配置すると、
両者の電極配列及び内部集積回路パターンは線対称にな
るため、隣接する両者の一辺の電極配列が同一になり、
プリント配線板２の導体配線１７及び２２の引き回しが
簡略化でき、配線距離も短くなる。したがって、配線ス
ペースが小さくなり、プリント配線板２のコストダウン
が図れるとともに、信号の伝達速度の速いＩＣメモリカ
ードを実現できる。
【００２０】
【発明の効果】以上のように本発明は、プリント配線板
にメモリＬＳＩチップを積層することにより、メモリＬ
ＳＩの占有面積が大幅に縮小されるので、一定面積のプ
リント配線板に多数のメモリＬＳＩチップを搭載が可能
となり、大容量化が実現でき、さらに、積層されたメモ
リＬＳＩチップの電極に、導体リードの一端部が接合さ
れ、メモリＬＳＩチップの共通電極に接合された導体リ
ードの他端部は、重ね合わされてプリント配線板の導体
配線に接合し、積層されたメモリＬＳＩチップは、電極
配置及び内部集積回路パターンを表裏逆にした逆パター
ンメモリＬＳＩを積層した組と、通常パターンメモリＬ
ＳＩを積層した組とを有する構成としたことにより、プ
リント配線板の導体配線の配線スペースが縮小されると
ともに、配線距離もを短くすることが可能になり、プリ
ント配線板のコストダウンと信号伝達の高速化という効
果を得ることができる優れたＩＣメモリカードを実現で
きるものである。
にメモリＬＳＩチップを積層することにより、メモリＬ
ＳＩの占有面積が大幅に縮小されるので、一定面積のプ
リント配線板に多数のメモリＬＳＩチップを搭載が可能
となり、大容量化が実現でき、さらに、積層されたメモ
リＬＳＩチップの電極に、導体リードの一端部が接合さ
れ、メモリＬＳＩチップの共通電極に接合された導体リ
ードの他端部は、重ね合わされてプリント配線板の導体
配線に接合し、積層されたメモリＬＳＩチップは、電極
配置及び内部集積回路パターンを表裏逆にした逆パター
ンメモリＬＳＩを積層した組と、通常パターンメモリＬ
ＳＩを積層した組とを有する構成としたことにより、プ
リント配線板の導体配線の配線スペースが縮小されると
ともに、配線距離もを短くすることが可能になり、プリ
ント配線板のコストダウンと信号伝達の高速化という効
果を得ることができる優れたＩＣメモリカードを実現で
きるものである。
【図１】本発明の実施例におけるＩＣメモリカードの一
部を切り欠いた斜視図
部を切り欠いた斜視図
【図２】本発明の実施例におけるＩＣメモリカードの部
分断面図
分断面図
【図３】本発明の実施例におけるＩＣメモリカードの部
分平面図
分平面図
【図４】本発明の実施例におけるＩＣメモリカードの電
気回路のブロック図
気回路のブロック図
【図５】従来のＩＣメモリカードの部分断面図
【図６】
従来のＩＣメモリカードの部分平面図
従来のＩＣメモリカードの部分平面図
２ プリント配線板
６ メモリＬＳＩチップ
７ メモリＬＳＩチップ
１１ 電極
１３ 導体リード
１３ａ 導体リードの一端部
１３ｂ 導体リードの他端部
１４ 電極
１６ 導体リード
１６ａ 導体リードの一端部
１６ｂ 導体リードの他端部
１７ 導体配線
Claims (1)
- 【請求項１】プリント配線板にメモリＬＳＩチップが複
数個積層され、上記積層された各メモリＬＳＩチップの
電極には、導体リードの一端部が接合され、上記メモリ
ＬＳＩチップの共通電極に接合された上記導体リードの
他端部は、重ね合わされて上記プリント配線板の導体配
線に接合された構成であって、上記積層されたメモリＬ
ＳＩチップは、電極配置及び内部集積回路パターンを表
裏逆にして形成したメモリＬＳＩチップを積層した組と
、上記メモリＬＳＩチップの電極配置及び内部集積回路
パターンを表裏逆にしていないものを積層した組とを有
することを特徴とするＩＣメモリカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3030010A JPH04269598A (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | Ｉｃメモリカード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3030010A JPH04269598A (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | Ｉｃメモリカード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04269598A true JPH04269598A (ja) | 1992-09-25 |
Family
ID=12291902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3030010A Pending JPH04269598A (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | Ｉｃメモリカード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04269598A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6421248B1 (en) | 1997-01-15 | 2002-07-16 | Infineon Technologies Ag | Chip card module |
-
1991
- 1991-02-25 JP JP3030010A patent/JPH04269598A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6421248B1 (en) | 1997-01-15 | 2002-07-16 | Infineon Technologies Ag | Chip card module |
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