JPH04262299A - 蛍光板の製造方法 - Google Patents
蛍光板の製造方法Info
- Publication number
- JPH04262299A JPH04262299A JP3229477A JP22947791A JPH04262299A JP H04262299 A JPH04262299 A JP H04262299A JP 3229477 A JP3229477 A JP 3229477A JP 22947791 A JP22947791 A JP 22947791A JP H04262299 A JPH04262299 A JP H04262299A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fluorescent screen
- storage phosphor
- storage
- manufacture
- phosphor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 12
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 3
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 claims description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 27
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M sodium iodide Chemical compound [Na+].[I-] FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 6
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- JAAGVIUFBAHDMA-UHFFFAOYSA-M rubidium bromide Chemical compound [Br-].[Rb+] JAAGVIUFBAHDMA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Chemical compound [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M lithium iodide Chemical compound [Li+].[I-] HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- WFUBYPSJBBQSOU-UHFFFAOYSA-M rubidium iodide Chemical compound [Rb+].[I-] WFUBYPSJBBQSOU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 235000009518 sodium iodide Nutrition 0.000 description 2
- 230000004936 stimulating effect Effects 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- HBHVDXQRNLPIRO-UHFFFAOYSA-L barium(2+);bromide;fluoride Chemical compound [F-].[Br-].[Ba+2] HBHVDXQRNLPIRO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- RBRFDGCVTRKUEW-UHFFFAOYSA-L barium(2+);chloride;fluoride Chemical compound [F-].[Cl-].[Ba+2] RBRFDGCVTRKUEW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001942 caesium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002925 chemical effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910001940 europium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N europium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Eu+3].[Eu+3] AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000048 melt cooling Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000002601 radiography Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/12—Halides
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
- G21K2004/04—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens with an intermediate layer
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
- G21K2004/06—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens with a phosphor layer
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
- G21K2004/10—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens with a protective film
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、未加工品をその融点以
下の温度で熱間加工することにより蛍光板、特に蓄積蛍
光板を製造する方法に関する。
下の温度で熱間加工することにより蛍光板、特に蓄積蛍
光板を製造する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】周知の通り、入射するX線又はγ線が光
電効果又はコンプトン効果によって電子を放出するシン
チレータは蛍光体から製造することができる。これらの
二次電子はそのエネルギーを再び蛍光体に放射し、これ
を励起して蛍光させる。次の二次電子増倍管内でこの光
量子は電流パルスを放出し、これがパルス波高分析器に
導かれ、その高さに応じて選別される。蛍光体としては
有利には、一般に異物質を少量加えることによって活性
化される無機化合物、例えばタリウムで活性化されたヨ
ウ化ナトリウム、ヨウ化カリウム又はヨウ化セシウム並
びに、ナトリウムで不純化されたヨウ化セシウム又はユ
ーロピウムで活性化されたヨウ化リチウムが好適である
。
電効果又はコンプトン効果によって電子を放出するシン
チレータは蛍光体から製造することができる。これらの
二次電子はそのエネルギーを再び蛍光体に放射し、これ
を励起して蛍光させる。次の二次電子増倍管内でこの光
量子は電流パルスを放出し、これがパルス波高分析器に
導かれ、その高さに応じて選別される。蛍光体としては
有利には、一般に異物質を少量加えることによって活性
化される無機化合物、例えばタリウムで活性化されたヨ
ウ化ナトリウム、ヨウ化カリウム又はヨウ化セシウム並
びに、ナトリウムで不純化されたヨウ化セシウム又はユ
ーロピウムで活性化されたヨウ化リチウムが好適である
。
【0003】ディジタルコンピュータラジオグラフィで
は周知の通り、X線透視像をいわゆる蓄積板中で電荷に
変え、蓄積する。このため蓄積板は、一般に支持体例え
ば箔上に塗布された蓄積蛍光体を含む。読出し装置内で
種々異なるX線強度の二次元パターンは適当な電気信号
に変えられ、アナログ−ディジタル変換器を介して画像
合成装置に導かれる。アナログ信号への新たな変換後、
画像は受像スクリーン上で可視状態にされる。
は周知の通り、X線透視像をいわゆる蓄積板中で電荷に
変え、蓄積する。このため蓄積板は、一般に支持体例え
ば箔上に塗布された蓄積蛍光体を含む。読出し装置内で
種々異なるX線強度の二次元パターンは適当な電気信号
に変えられ、アナログ−ディジタル変換器を介して画像
合成装置に導かれる。アナログ信号への新たな変換後、
画像は受像スクリーン上で可視状態にされる。
【0004】読出し装置内で蓄積蛍光体は高エネルギー
読取り光線、特に赤色レーザによって励起され、これら
のフォトルミネセンスは点状に順次その都度光導波路に
より増幅器としての光電子像倍管に供給される。レーザ
光線は光学装置を用いて蓄積板に集光され、回転鏡でラ
インを越えて屈折させることができる。蓄積板及びレー
ザの扇形ビームは段階的に相互に移動し、従って全画像
が一行ずつレーザビームによって走査される。
読取り光線、特に赤色レーザによって励起され、これら
のフォトルミネセンスは点状に順次その都度光導波路に
より増幅器としての光電子像倍管に供給される。レーザ
光線は光学装置を用いて蓄積板に集光され、回転鏡でラ
インを越えて屈折させることができる。蓄積板及びレー
ザの扇形ビームは段階的に相互に移動し、従って全画像
が一行ずつレーザビームによって走査される。
【0005】この結像系の本質的な特徴は位置分解能、
コントラスト、画像の鮮明さ、信号対雑音比及び変調伝
達関数である。これらの特徴は主としてその都度の蓄積
蛍光体の固有の特性に依存し、特に蓄積板の蛍光体被覆
の光学的性質によって影響される。この場合蓄積蛍光層
内での誘導光線及び放出光線の光散乱は特に重要である
。この蓄積蛍光層内での光散乱は主として蓄積蛍光体の
孔及び第二物質相に起因する。焦束された誘導光線が蓄
積蛍光層を貫通する際に散乱し、幾何光学によって予め
与えられた刺激容量を越えた場合、記録された誘導放出
強さは誘導光線の散乱容量が加わることにより劣化する
。この場合誘導光線の極く一部は全蓄積蛍光容量を流化
することができる。この散乱効果は蓄積蛍光層の厚さが
増すにつれて増大し、特に位置分解能、コントラスト及
び変調伝達関数を劣化させる。
コントラスト、画像の鮮明さ、信号対雑音比及び変調伝
達関数である。これらの特徴は主としてその都度の蓄積
蛍光体の固有の特性に依存し、特に蓄積板の蛍光体被覆
の光学的性質によって影響される。この場合蓄積蛍光層
内での誘導光線及び放出光線の光散乱は特に重要である
。この蓄積蛍光層内での光散乱は主として蓄積蛍光体の
孔及び第二物質相に起因する。焦束された誘導光線が蓄
積蛍光層を貫通する際に散乱し、幾何光学によって予め
与えられた刺激容量を越えた場合、記録された誘導放出
強さは誘導光線の散乱容量が加わることにより劣化する
。この場合誘導光線の極く一部は全蓄積蛍光容量を流化
することができる。この散乱効果は蓄積蛍光層の厚さが
増すにつれて増大し、特に位置分解能、コントラスト及
び変調伝達関数を劣化させる。
【0006】蓄積層が例えばユーロピウムで活性化され
た臭化弗化バリウムBaFBr:Eu又はタリウムで活
性化された臭化ルビジウムRbBr:Tlからなる蓄積
蛍光スクリーンは一般に、粉末状の蓄積蛍光体を多くの
有機結合剤中に分散させ、引続き一般にプラスチック箔
からなる支持体上に塗布することにより製造される。
た臭化弗化バリウムBaFBr:Eu又はタリウムで活
性化された臭化ルビジウムRbBr:Tlからなる蓄積
蛍光スクリーンは一般に、粉末状の蓄積蛍光体を多くの
有機結合剤中に分散させ、引続き一般にプラスチック箔
からなる支持体上に塗布することにより製造される。
【0007】蓄積蛍光体と結合剤の光学的に異なる相は
読出された画像に著しい影響を及ぼす可能性のある内部
光学散乱に曝されることが判明した。例えば約0.1〜
0.3mmの厚さを有する蓄積蛍光層内には、読出しの
ために使用されたレーザ光線がその入射焦光の約10倍
ほど散布される。
読出された画像に著しい影響を及ぼす可能性のある内部
光学散乱に曝されることが判明した。例えば約0.1〜
0.3mmの厚さを有する蓄積蛍光層内には、読出しの
ために使用されたレーザ光線がその入射焦光の約10倍
ほど散布される。
【0008】従って円筒状の未加工品を母型内で加熱融
解させることにより、研磨された面を有する沃化セシウ
ムCsIからなる平坦な成形体を製造し得ることは公知
である(「SPIE」、第508巻、「Product
. Aspects ofSingle Poi
nt Mach.Optics」(1984)、第1
21〜125頁)。
解させることにより、研磨された面を有する沃化セシウ
ムCsIからなる平坦な成形体を製造し得ることは公知
である(「SPIE」、第508巻、「Product
. Aspects ofSingle Poi
nt Mach.Optics」(1984)、第1
21〜125頁)。
【0009】更に粉末状蛍光体、例えばユーロピウムで
活性化された塩化弗化バリウムBaFCl:Eu又はタ
リウムで活性化された沃化セシウムCsI:Tlを熱処
理に付すことによってX線及びγ線用蛍光体を製造し得
ることも公知である。粉末状混合物を融点以下の高めた
温度でまた凝縮するのに十分な時間、約50000kg
/cm2までの高圧下にプレス加工する。意図した加工
処理によって製造され た蛍光体からなるインゴットを
場合によっては引続き更に融点以下の温度で鍛造するこ
ともできる(ドイツ連邦共和国特許出願公開第2849
705号明細書)。
活性化された塩化弗化バリウムBaFCl:Eu又はタ
リウムで活性化された沃化セシウムCsI:Tlを熱処
理に付すことによってX線及びγ線用蛍光体を製造し得
ることも公知である。粉末状混合物を融点以下の高めた
温度でまた凝縮するのに十分な時間、約50000kg
/cm2までの高圧下にプレス加工する。意図した加工
処理によって製造され た蛍光体からなるインゴットを
場合によっては引続き更に融点以下の温度で鍛造するこ
ともできる(ドイツ連邦共和国特許出願公開第2849
705号明細書)。
【0010】粉末状のシンチレータ材料を凝縮添加物と
混合し、容器内で加熱し、次いで静水圧下にプレス加工
することにより、板状シンチレータを製造することも可
能である。冷却後この焼結体を容器から取出し、薄板に
加工する。焼結体板からなるこのシンチレータは、フォ
トダイオードで共通の構造ユニットを作る検出器内に組
み込むことができる(ドイツ連邦共和国特許出願公開第
3629180号明細書)。
混合し、容器内で加熱し、次いで静水圧下にプレス加工
することにより、板状シンチレータを製造することも可
能である。冷却後この焼結体を容器から取出し、薄板に
加工する。焼結体板からなるこのシンチレータは、フォ
トダイオードで共通の構造ユニットを作る検出器内に組
み込むことができる(ドイツ連邦共和国特許出願公開第
3629180号明細書)。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、蛍光体のこ
の公知の製造方法を簡略化しまた改良すること、特に蛍
光体の内部光学散乱を十分に回避し、他の支持体なしに
自立的に使用することのできる板を製造することを課題
とする。本発明は、公知の意図した加工処理によって製
造された蓄積蛍光体の空隙が、形成された画像の特性に
著しい影響を及ぼす内部光学散乱を生ぜしめるという認
識に基づくものである。
の公知の製造方法を簡略化しまた改良すること、特に蛍
光体の内部光学散乱を十分に回避し、他の支持体なしに
自立的に使用することのできる板を製造することを課題
とする。本発明は、公知の意図した加工処理によって製
造された蓄積蛍光体の空隙が、形成された画像の特性に
著しい影響を及ぼす内部光学散乱を生ぜしめるという認
識に基づくものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記の課題は本発明によ
れば、請求項1又は2の特徴部に記載した各要件を満た
すことにより解決される。特に有利な実施態様はその他
の請求項に記載されている。
れば、請求項1又は2の特徴部に記載した各要件を満た
すことにより解決される。特に有利な実施態様はその他
の請求項に記載されている。
【0013】
【発明の効果】蛍光体又は蓄積蛍光体からなる光学的に
等方性及び透明で、散乱光の僅かな未加工品を圧延又は
押出加工することによって、厚さが少なくとも0.05
mmで、約5mmを著しく越えることなく、有利には約
0.1〜1mm、特に約0.2〜0.5mmであっても
よい薄板が製造される。これにより少なくとも約80%
の高い加工度によって、場合によっては特殊な支持体な
しに自立的に使用することができまたその内部散乱が実
際に無視し得るほどに小さい板が得られる。
等方性及び透明で、散乱光の僅かな未加工品を圧延又は
押出加工することによって、厚さが少なくとも0.05
mmで、約5mmを著しく越えることなく、有利には約
0.1〜1mm、特に約0.2〜0.5mmであっても
よい薄板が製造される。これにより少なくとも約80%
の高い加工度によって、場合によっては特殊な支持体な
しに自立的に使用することができまたその内部散乱が実
際に無視し得るほどに小さい板が得られる。
【0014】
【実施例】未加工品は、溶融ブロックとして熱的に制御
された溶融冷却処理によって又は結晶ブロックとして結
晶成長により製造することのできる透明で、封入物のな
い多結晶又は単結晶体である。本発明によるこの方法に
は、単一又は多ドーパントとして例えばタリウム、銀、
アルカリ金属又はアルカリ土類金属、並びに希土類のよ
うな適当なドーパントを有するハロゲン化アルカリの化
合物群からなる蓄積蛍光体がその完全に一致する溶融状
態及びその高い可塑性により適している。タリウムで活
性化されたヨウ化ルビジウムからは平面が例えば約10
0×100mm及び厚さが有利には約0.1〜0.3m
mの板を製造することができ、これは一般に支持体例え
ばガラスを有する。タリウムで活性化されたヨウ化ナト
リウムからは、平面が例えば500×500mm及び厚
さが例えば約2〜20mm、有利には約3〜10mm、
特に約8mmの板を製造することもでき、これは特殊な
支持体なしにシンチレータとして使用することができる
。
された溶融冷却処理によって又は結晶ブロックとして結
晶成長により製造することのできる透明で、封入物のな
い多結晶又は単結晶体である。本発明によるこの方法に
は、単一又は多ドーパントとして例えばタリウム、銀、
アルカリ金属又はアルカリ土類金属、並びに希土類のよ
うな適当なドーパントを有するハロゲン化アルカリの化
合物群からなる蓄積蛍光体がその完全に一致する溶融状
態及びその高い可塑性により適している。タリウムで活
性化されたヨウ化ルビジウムからは平面が例えば約10
0×100mm及び厚さが有利には約0.1〜0.3m
mの板を製造することができ、これは一般に支持体例え
ばガラスを有する。タリウムで活性化されたヨウ化ナト
リウムからは、平面が例えば500×500mm及び厚
さが例えば約2〜20mm、有利には約3〜10mm、
特に約8mmの板を製造することもでき、これは特殊な
支持体なしにシンチレータとして使用することができる
。
【0015】圧延による熱間加工の場合適当な未加工品
を温度約20〜600℃、しかしそれぞれの蓄積蛍光体
の融点以下で圧力10〜800MPaで約95%までの
加工度で変形する。この方法により自己支持形の蓄積蛍
光板及び支持体上に塗布されている多層蓄積蛍光スクリ
ーンを製造することができる。場合によっては更に蓄積
蛍光層に光学吸収層及び反射層を、又は機械的及び化学
的作用に対する保護層を設けることもできる。
を温度約20〜600℃、しかしそれぞれの蓄積蛍光体
の融点以下で圧力10〜800MPaで約95%までの
加工度で変形する。この方法により自己支持形の蓄積蛍
光板及び支持体上に塗布されている多層蓄積蛍光スクリ
ーンを製造することができる。場合によっては更に蓄積
蛍光層に光学吸収層及び反射層を、又は機械的及び化学
的作用に対する保護層を設けることもできる。
【0016】押出加工による熱間加工では未加工品をプ
レス型内に配置し、融点以下の温度一般には600℃以
下で圧力約100MPa〜800MPaで一軸性の型板
移動により、所望の幾何学開口を有する口金から圧出す
る。この方法により特に自己支持形の薄い蓄積蛍光層を
連続的に製造することができ、これは場合によっては後
からプレス又は接着することにより適当な保護層、反射
層又は吸収層とまた基板又は支持体と結合することがで
きる。
レス型内に配置し、融点以下の温度一般には600℃以
下で圧力約100MPa〜800MPaで一軸性の型板
移動により、所望の幾何学開口を有する口金から圧出す
る。この方法により特に自己支持形の薄い蓄積蛍光層を
連続的に製造することができ、これは場合によっては後
からプレス又は接着することにより適当な保護層、反射
層又は吸収層とまた基板又は支持体と結合することがで
きる。
Claims (4)
- 【請求項1】 未加工品をその融点以下の温度で熱間
加工することによって蛍光板を製造するにあたり、未加
工品を圧延又は押出加工により加工することを特徴とす
る蛍光板の製造方法。 - 【請求項2】 蛍光板が光吸収層を有することを特徴
とする請求項1記載の方法。 - 【請求項3】 蛍光板が反射層を有することを特徴と
する請求項1記載の方法。 - 【請求項4】 蛍光板が保護層を有することを特徴と
する請求項1記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4025980.3 | 1990-08-16 | ||
DE4025980A DE4025980C1 (ja) | 1990-08-16 | 1990-08-16 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04262299A true JPH04262299A (ja) | 1992-09-17 |
Family
ID=6412369
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3229477A Withdrawn JPH04262299A (ja) | 1990-08-16 | 1991-08-14 | 蛍光板の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0471267A3 (ja) |
JP (1) | JPH04262299A (ja) |
DE (1) | DE4025980C1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4202818C2 (de) * | 1992-01-31 | 1993-11-11 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines Leuchtstoffschirmes |
EP1017062A3 (en) * | 1998-12-28 | 2001-10-04 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Radiation image conversion panel and method of manufacturing radiation image conversion panel |
DE10147420A1 (de) * | 2001-09-26 | 2003-04-17 | Siemens Ag | Röntgenbildspeicher und Verfahren zur Untersuchung eines Patienten nach dem Prinzip der Subtraktionsangiographie |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4242221A (en) * | 1977-11-21 | 1980-12-30 | General Electric Company | Ceramic-like scintillators |
US4733088A (en) * | 1985-09-02 | 1988-03-22 | Hitachi, Ltd. | Radiation detector |
US4879202A (en) * | 1986-07-11 | 1989-11-07 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Radiation image storage panel and process for the preparation of the same |
EP0369049A1 (de) * | 1988-11-15 | 1990-05-23 | Siemens Aktiengesellschaft | Speicherleuchtschirm mit einem stimulierbaren Speicherleuchtstoff |
-
1990
- 1990-08-16 DE DE4025980A patent/DE4025980C1/de not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-08-05 EP EP19910113146 patent/EP0471267A3/de not_active Withdrawn
- 1991-08-14 JP JP3229477A patent/JPH04262299A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0471267A3 (en) | 1992-03-04 |
DE4025980C1 (ja) | 1991-11-28 |
EP0471267A2 (de) | 1992-02-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5407140B2 (ja) | 放射線用シンチレータプレート | |
US7655157B2 (en) | Doped cadmium tungstate scintillator with improved radiation hardness | |
EP1203394B1 (en) | METHOD FOR PREPARING A CsX PHOTOSTIMULABLE PHOSPHOR AND PHOSPHORS THEREFROM | |
JPH0677079B2 (ja) | 放射線画像情報読取装置 | |
JPS62501169A (ja) | 発光セラミツクプレ−ト | |
JP3987287B2 (ja) | 放射線像変換パネル | |
JPH02692A (ja) | ラジオグラフィー用発光材料 | |
US7378676B2 (en) | Stimulable phosphor screens or panels and manufacturing control thereof | |
US6352949B1 (en) | Fluoro glass ceramic showing photostimulable properties | |
JP2007205970A (ja) | シンチレータプレート | |
JPWO2007060814A1 (ja) | 放射線用シンチレータプレート | |
JPH04262299A (ja) | 蛍光板の製造方法 | |
JP7657806B2 (ja) | 平面パネルx線検出器で使用するための発光ガラスセラミック、平面パネルx線検出器、および画像化システム | |
JPH02129600A (ja) | 放射線画像読取用螢光体板 | |
EP1526552B1 (en) | System for reading out a plurality of differing storage phosphor screens | |
JP2002020742A (ja) | アルカリハライド系蛍光体および放射線像変換パネル | |
JPH06235799A (ja) | 照射画像を記録および複製するための方法、この方法を用いる装置、照射画像を保存するためのパネルおよび光刺激性ホスファー | |
JP3813794B2 (ja) | アルカリハライド系蛍光体および放射線像変換パネル | |
JP2640021B2 (ja) | 放射線像変換パネルと放射線像再生方法 | |
JPH0718958B2 (ja) | 放射線画像変換パネル | |
JP2006090851A (ja) | 放射線画像変換パネルの製造装置及び放射線画像変換パネルの製造方法 | |
JPWO2008015910A1 (ja) | シンチレータプレートの製造方法及びシンチレータプレート | |
JP2002296398A (ja) | 放射線像変換パネルの製造方法 | |
JP2022129614A (ja) | シンチレータおよび放射線測定装置 | |
JPH0341187A (ja) | 輝尽性螢光体とその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981112 |