[go: up one dir, main page]

JPH04257906A - Constant current circuit - Google Patents

Constant current circuit

Info

Publication number
JPH04257906A
JPH04257906A JP3019593A JP1959391A JPH04257906A JP H04257906 A JPH04257906 A JP H04257906A JP 3019593 A JP3019593 A JP 3019593A JP 1959391 A JP1959391 A JP 1959391A JP H04257906 A JPH04257906 A JP H04257906A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
current
circuit
turned
constant current
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP3019593A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2776034B2 (en
Inventor
Mitsutoshi Sugawara
光俊 菅原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP3019593A priority Critical patent/JP2776034B2/en
Publication of JPH04257906A publication Critical patent/JPH04257906A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2776034B2 publication Critical patent/JP2776034B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

PURPOSE:To completely prevent a current from flowing in the case of the stop and further to prevent current accuracy from getting worse in the case of the use by turning on/off a switching transistor provided serially to a connecting means. CONSTITUTION:When the potential of a control terminal 3 is low, an NMOS transistor Q11 for switching is turned off and an NMOS transistor Q12 is turned on. As the result, an NPN transistor Q1 is operated as a diode short-circuiting the collector and the base, and a current mirror circuit is formed. When the potential of the control terminal 3 is high, the Q12, is turned off and the Q11 is turned on. Therefore, since no bias is impressed to the bases of NPN transistors Q1-Q3, those transistors are turned off, and the operation of a using circuit 1 is stopped. Since the Q1 is turned off at such a time, no current flows to a resistor R1. On the other hand, when an inverter 11 is manufactured with CMOS constitution, current consumption at the inverter 11 is zero as well.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は定電流回路に関し、特に
、待機時の消費電流を低減させた定電流回路の回路構成
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a constant current circuit, and more particularly to a circuit configuration of a constant current circuit that reduces current consumption during standby.

【0002】0002

【従来の技術】従来、定電流回路は、アナログ集積回路
において差動増幅器やエミッタホロア(又はソースホロ
ア)回路にバイアス電流を印加したり、各種増幅器の負
荷としてバイアス電流を与えるためなどに広く使われて
いる。
[Prior Art] Conventionally, constant current circuits have been widely used in analog integrated circuits to apply bias currents to differential amplifiers and emitter follower (or source follower) circuits, and to provide bias currents as loads for various amplifiers. There is.

【0003】従来の定電流回路の一例の回路図を図5に
示す。この定電流回路は、上に述べたような利用回路1
に何本かのバイアス電流(図5においては2本で代表す
る)を印加するために、図5に示すように、抵抗R1 
に流れる電流と、NPN型のバイポーラトランジスタ(
以後NPNトランジスタと記す)Q1 ,Q2 および
Q3 と、抵抗R2 ,R3 およびR4 とからなる
カレントミラー回路2を持っている。
FIG. 5 shows a circuit diagram of an example of a conventional constant current circuit. This constant current circuit is similar to Utilization Circuit 1 as described above.
In order to apply several bias currents (represented by two in FIG. 5) to the resistor R1, as shown in FIG.
and the current flowing through the NPN bipolar transistor (
It has a current mirror circuit 2 consisting of NPN transistors Q1, Q2 and Q3 (hereinafter referred to as NPN transistors) and resistors R2, R3 and R4.

【0004】NPNトランジスタQ4 は、抵抗R1 
の一端を入力とし又、NPNトランジスタQ1 ,Q2
 およびQ3 のベースを出力とするエミッタホロア回
路として動作する。尚、このトランジスタQ4 を設け
る代りに、トランジスタQ1 のコレクタとベースとを
直接ダイオード接続した定電流回路が用いられることも
ある。
[0004] The NPN transistor Q4 has a resistor R1
One end of the input is input, and NPN transistors Q1, Q2
It operates as an emitter follower circuit whose output is the base of Q3. Note that instead of providing this transistor Q4, a constant current circuit may be used in which the collector and base of the transistor Q1 are directly diode-connected.

【0005】この定電流回路の電源4としては、外部か
ら集積回路に印加される電源、もしくは集積回路の中で
発生される電圧源が用いられる。
As the power source 4 of this constant current circuit, a power source applied to the integrated circuit from the outside or a voltage source generated within the integrated circuit is used.

【0006】ところで、このような定電流回路によって
バイアス電流を与えられる利用回路1についてみると、
この利用回路1を、非選択時や待機時に停止させたい場
合がしばしばあり、このような時には、定電流回路をオ
フさせることによって利用回路を停止させる。
By the way, if we look at the circuit 1 to which a bias current is applied by such a constant current circuit,
There are many cases where it is desired to stop the usage circuit 1 during non-selection or standby, and in such cases, the usage circuit is stopped by turning off the constant current circuit.

【0007】図5におけるNPNトランジスタQ51は
、この目的のために設けられたものであって、制御端子
3の電位をハイにするとトランジスタQ51がオンし、
このトランジスタのコレクタに接続されたカレントミラ
ー回路2の入力電圧がほぼ0Vになるので、利用回路1
をオフにすることができる。
The NPN transistor Q51 in FIG. 5 is provided for this purpose, and when the potential of the control terminal 3 is set high, the transistor Q51 is turned on.
Since the input voltage of the current mirror circuit 2 connected to the collector of this transistor becomes approximately 0V, the circuit 1 used
can be turned off.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の定電流回路では、利用回路1をオフするためにNPN
トランジスタQ51をオンさせた場合、NPNトランジ
スタQ2 およびQ3 はオフなり、利用回路1には電
流を供給しない。
[Problems to be Solved by the Invention] As mentioned above, in the conventional constant current circuit, in order to turn off the utilization circuit 1, an NPN
When transistor Q51 is turned on, NPN transistors Q2 and Q3 are turned off and no current is supplied to circuit 1.

【0009】ところがこの場合、抵抗R1 とトランジ
スタQ51とを通して電流が流れるめ、その電力消費が
問題となる。特に、電池駆動の機器に用いられる集積回
路であっていくつもの定電流回路を有する場合には大き
な問題となる。
However, in this case, since current flows through the resistor R1 and the transistor Q51, power consumption becomes a problem. In particular, this becomes a big problem when the integrated circuit is used in a battery-powered device and includes a number of constant current circuits.

【0010】一方、上記の消費電力の問題を形決するた
めに、抵抗R1 に直列にアナログスイッチ回路を挿入
した定電流回路が実用化されている。
On the other hand, in order to solve the above problem of power consumption, a constant current circuit in which an analog switch circuit is inserted in series with the resistor R1 has been put into practical use.

【0011】しかし、このような定電流回路では、抵抗
R1 の値に対してアナログスイッチ回路のオン抵抗が
加わるので、電流の精度が悪化するという欠点がある。 この電流精度の悪化を避けるためには、アナログスイッ
チ回路のオン抵抗を充分低くすることが有効であるが、
このためには大きなトランジスタを用いる必要があり、
高価になってしまう。
However, such a constant current circuit has the disadvantage that current accuracy deteriorates because the on-resistance of the analog switch circuit is added to the value of the resistor R1. In order to avoid this deterioration in current accuracy, it is effective to make the on-resistance of the analog switch circuit sufficiently low.
This requires the use of large transistors,
It becomes expensive.

【0012】本発明は上記のような問題に鑑みてなされ
たものであって、停止時には全く電流が流れず、利用時
にはスイッチングトランジスタによる電流精度の悪化が
生ずることのない定電流回路を簡単な手段で実現するこ
とを目的とする。
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and provides a simple means for creating a constant current circuit in which no current flows at all when stopped and which does not cause deterioration in current accuracy due to switching transistors when in use. The aim is to realize this.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明の定電流回路は、
外部の回路に電流を供給する電流源トランジスタと、制
御電極がこの電流源トランジスタの制御電極に接続され
たバイアストランジスタと、前記バイアストランジスタ
に基準電流を与える基準電流源とを含み、前記バイアス
トランジスタの基準電流源側の電極と制御電極とを接続
する接続手段を介して前記バイアストランジスタの制御
電極と前記電流源トランジスタの制御電極とに同等のバ
イアスを印加することによって前記電流源トランジスタ
の出力電流を前記基準電流と同等ならしめるように制御
する型の定電流回路において、前記接続手段に直列に、
スイッチングトランジスタを設けたことを特徴とする。
[Means for Solving the Problems] The constant current circuit of the present invention has the following features:
A current source transistor that supplies current to an external circuit, a bias transistor whose control electrode is connected to a control electrode of the current source transistor, and a reference current source that supplies a reference current to the bias transistor, The output current of the current source transistor is controlled by applying an equal bias to the control electrode of the bias transistor and the control electrode of the current source transistor through a connecting means that connects the electrode on the reference current source side and the control electrode. In a constant current circuit of the type that controls the current to be equal to the reference current, in series with the connection means,
It is characterized by the provision of a switching transistor.

【0014】[0014]

【実施例】次に、本発明の最適な実施例について、図面
を参照して説明する。図1は本発明の第1の実施例の回
路図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram of a first embodiment of the present invention.

【0015】本実施例は、前述した従来の定電流回路の
うち、NPNトランジスタQ1 のコレクタとベースと
をダイオード接続した構成の定電流回路に対して本発明
を適用したものである。
In this embodiment, the present invention is applied to, among the conventional constant current circuits described above, a constant current circuit having a configuration in which the collector and base of an NPN transistor Q1 are diode-connected.

【0016】本実施例が従来の定電流回路と異なる点は
、従来の定電流回路におけるNPNトランジスタQ51
を取り除き、2つのNチャンネルMOSトランジスタ(
以後NMOSトランジスタと記す)Q11およびQ12
並びにインバータ11を設けた点にある。
The difference between this embodiment and the conventional constant current circuit is that the NPN transistor Q51 in the conventional constant current circuit
and two N-channel MOS transistors (
Q11 and Q12 (hereinafter referred to as NMOS transistors)
Another point is that an inverter 11 is provided.

【0017】本実施例では、NPNトランジスタQ1 
のコレクタとベースとの間にNMOSトランジスタQ1
2を接続し、NPNトランジスタQ1 のベースと接地
端子との間にNMOSトランジスタQ11を接続してい
る。そして、この2つのNMOSトランジスタの導通状
態は、インバータ11が設けられていることによって、
相反するように制御される。
In this embodiment, the NPN transistor Q1
An NMOS transistor Q1 is connected between the collector and base of
2 is connected, and an NMOS transistor Q11 is connected between the base of the NPN transistor Q1 and the ground terminal. The conduction state of these two NMOS transistors is determined by the provision of the inverter 11.
controlled in a contradictory manner.

【0018】以下に本実施例の動作について述べる。制
御端子3の電位がロウの時は、スイッチング用のNMO
SトランジスタQ11がオフする。一方、NMOSトラ
ンジスタQ12はオンする。
The operation of this embodiment will be described below. When the potential of control terminal 3 is low, the switching NMO
S transistor Q11 is turned off. On the other hand, NMOS transistor Q12 is turned on.

【0019】この結果、NPNトランジスタQ1 はコ
レクタ・ベース間がショートされたダイオードとして動
作し、従来の定電流回路と同じくカレントミラー回路が
形成される。
As a result, the NPN transistor Q1 operates as a diode with its collector and base shorted, forming a current mirror circuit similar to a conventional constant current circuit.

【0020】この際、NMOSトランジスタQ12には
、NPNトランジスタQ1 ,Q2 およびQ3 のベ
ース電流が流れるが、この値はNPNトランジスタQ1
 のコレクタ電流、すなわち抵抗R1 に流れる電流に
比べて約1/100であるので、NMOSトランジスタ
Q12のオン抵抗を気にせずに小さなサイズのトランジ
スタを使用することができ、安価である。
At this time, the base currents of the NPN transistors Q1, Q2, and Q3 flow through the NMOS transistor Q12, but this value is smaller than that of the NPN transistor Q1.
Since the collector current is about 1/100 of the current flowing through the resistor R1, a small-sized transistor can be used without worrying about the on-resistance of the NMOS transistor Q12, and it is inexpensive.

【0021】一方、制御端子3の電位がハイの時は、N
MOSトランジスQ12がオフし、反対にNMOSトラ
ンジスタQ11がオンする。従ってこの時は、NPNト
ランジスタQ1 ,Q2 およびQ3 のベースにはバ
イアスが印加されないので、これらのトランジスタはオ
フとなり、利用回路1の動作を停止することができる。
On the other hand, when the potential of the control terminal 3 is high, N
MOS transistor Q12 is turned off, and conversely, NMOS transistor Q11 is turned on. Therefore, at this time, since no bias is applied to the bases of the NPN transistors Q1, Q2, and Q3, these transistors are turned off, and the operation of the circuit 1 to be used can be stopped.

【0022】この時、NPNトランジスタQ1 がオフ
であるから抵抗R1 には電流が流れない。又、インバ
ータ11をCMOS構成で作った場合にはこのインバー
タ11での消費電流も0である。従って、図1に示す本
実施例では、停止時には全く電流が流れない。
At this time, since the NPN transistor Q1 is off, no current flows through the resistor R1. Further, when the inverter 11 is made with a CMOS configuration, the current consumption in the inverter 11 is also zero. Therefore, in this embodiment shown in FIG. 1, no current flows at all when the motor is stopped.

【0023】尚、NMOSトランジスタQ11はなくて
も動作には支障ないが、切り変え動作を高速にするため
に挿入されたものである。
Although the NMOS transistor Q11 can be omitted without any problem in operation, it is inserted to speed up the switching operation.

【0024】次に、本発明の第2の実施例について述べ
る。図2は本発明の第2の実施例の回路構成を示す回路
図である。
Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 2 is a circuit diagram showing the circuit configuration of a second embodiment of the present invention.

【0025】本実施例は、図1に示す第1の実施例に、
NPNトランジスタQ4 を付加したものである。
[0025] This embodiment has the following additions to the first embodiment shown in FIG.
An NPN transistor Q4 is added.

【0026】NPNトランジスタQ4 はエミッタホロ
アとして動作し、NMOSトランジスタQ12に流れる
電流(すなわちNPNトランジスタQ1 ,Q2 およ
びQ3 のベース電流)を自らのコレクタから供給し、
NMOSトランジスタQ12のベース側からの電流を電
流増幅度分の一(通常1/100程度)にして、カレン
トミラー回路の入力への影響を軽減している。
The NPN transistor Q4 operates as an emitter follower and supplies the current flowing to the NMOS transistor Q12 (that is, the base current of the NPN transistors Q1, Q2, and Q3) from its own collector.
The current from the base side of the NMOS transistor Q12 is reduced to one part of the current amplification degree (usually about 1/100) to reduce the influence on the input of the current mirror circuit.

【0027】すなわち、NPNバイポーラトランジスタ
Q4 を設けることによって、NMOSトランジスタQ
12をバイポーラトランジスタで構成しても、そのベー
ス電流などがカレントミラー回路の入力に影響しないよ
うにすることができる。
That is, by providing the NPN bipolar transistor Q4, the NMOS transistor Q
Even if 12 is configured with a bipolar transistor, its base current etc. can be prevented from affecting the input of the current mirror circuit.

【0028】従って、本実施例によれば、NMOSトラ
ンジスタQ12をバイポーラトランジスタで構成するこ
とが可能であり、回路構成の融通性が向上する。
Therefore, according to this embodiment, it is possible to configure the NMOS transistor Q12 with a bipolar transistor, improving the flexibility of the circuit configuration.

【0029】次に、本発明の第3の実施例について説明
する。図3は、本発明の第3の実施例の回路構成を示す
回路図である。
Next, a third embodiment of the present invention will be described. FIG. 3 is a circuit diagram showing the circuit configuration of a third embodiment of the present invention.

【0030】本実施例は、図2に示す第2の実施例にお
いて、NPNトランジスタをPNPトランジスタに替え
たものである。又、本実施例では、図2におけるNMO
SトランジスタQ11を、第2の実施例とは反対導電型
のPMOSトランジスタQ11Pに置き替え、更にイン
バータ11を取り除いてある。尚、図3では、図2中の
対応する回路素子に、添時P をつけて表わしている。
In this embodiment, the NPN transistor in the second embodiment shown in FIG. 2 is replaced with a PNP transistor. In addition, in this example, the NMO in FIG.
The S transistor Q11 is replaced with a PMOS transistor Q11P of a conductivity type opposite to that of the second embodiment, and the inverter 11 is also removed. In addition, in FIG. 3, the corresponding circuit elements in FIG. 2 are indicated with the suffix P.

【0031】図3において、制御端子3の電位がロウの
場合は、スイッチング用のPMOSトランジスタQ11
P がオンし、PNPトランジスタQ1P,Q2Pおよ
びQ3Pをオフさせる。この時、スイッチング用のNM
OSトランジスタQ12P はオフであり、PNPトラ
ンジスタQ4Pはベースバイアスを切られるのでオフに
なっている。
In FIG. 3, when the potential of the control terminal 3 is low, the switching PMOS transistor Q11
P turns on, turning off PNP transistors Q1P, Q2P and Q3P. At this time, the switching NM
OS transistor Q12P is off, and PNP transistor Q4P is off because its base bias is cut off.

【0032】一方、制御端子3の電位がハイの時は、P
MOSトランジスタQ11P がオフになり、NMOS
トラジスタQ12P がオンするので、本実施例は、通
常のカレントミラー回路として動作する。
On the other hand, when the potential of the control terminal 3 is high, P
MOS transistor Q11P is turned off, and NMOS
Since transistor Q12P is turned on, this embodiment operates as a normal current mirror circuit.

【0033】尚、NMOSトランジスタQ12P に流
れる電流は、PNPトランジスタQ1P,Q2Pおよび
Q3Pのベース電流の電流増幅度分の一であり、PNP
トランジスタQ1Pのコレクタ電流(すなわち抵抗R1
Pに流れる電流)に比べて極めて小さいものである。従
って、NMOSトランジスタQ12P のオン抵抗を無
視できるため、このトランジスタのサイズは極めて小さ
なものでよい。
Note that the current flowing through the NMOS transistor Q12P is one part of the current amplification degree of the base current of the PNP transistors Q1P, Q2P, and Q3P.
The collector current of transistor Q1P (i.e. resistor R1
This is extremely small compared to the current flowing through P. Therefore, since the on-resistance of the NMOS transistor Q12P can be ignored, the size of this transistor may be extremely small.

【0034】又、本実施例では、スイッチング用のMO
SトランジスタQ11P およびQ12Pに互いに反対
導電型のMOSトランジスタを用いているので、図1に
示す第1の実施例および図2に示す第2の実施例におけ
るインバータ11を省くことができるという利点もある
[0034] Also, in this embodiment, the switching MO
Since MOS transistors of opposite conductivity types are used for the S transistors Q11P and Q12P, there is an advantage that the inverter 11 in the first embodiment shown in FIG. 1 and the second embodiment shown in FIG. 2 can be omitted. .

【0035】次に、本発明の第4の実施例について述べ
る。図4は、本発明の第4の実施例の回路構成を示す回
路図である。
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described. FIG. 4 is a circuit diagram showing the circuit configuration of a fourth embodiment of the present invention.

【0036】本実施例は、図1に示す第1の実施例にお
いて、NPNトランジスタをNMOSトランジスタに置
き替えて構成したものであって、第1の実施例と同様の
動作を行なう。
This embodiment is constructed by replacing the NPN transistor with an NMOS transistor in the first embodiment shown in FIG. 1, and performs the same operation as the first embodiment.

【0037】本実施例では、第1の実施例における抵抗
R1 の替りに定電流源5を用いている。このような構
成によれば、制御端子3の電位がハイの時にはNMOS
トランジスタQ12およびQ41がオフするので、定電
流源5の電流は流れ込む先がなくなり、結局電流が0に
なってしまう。
In this embodiment, a constant current source 5 is used in place of the resistor R1 in the first embodiment. According to such a configuration, when the potential of the control terminal 3 is high, the NMOS
Since transistors Q12 and Q41 are turned off, there is no place for the current from constant current source 5 to flow, and the current eventually becomes zero.

【0038】本実施例は、第1の実施例の効果を含み、
更に回路をCMOSトランジスタだけで構成できるとい
う効果も合せ持っている。
This embodiment includes the effects of the first embodiment,
Furthermore, it also has the effect that the circuit can be constructed using only CMOS transistors.

【0039】[0039]

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、カレン
トミラー回路のバイアス用トランジスタのコレクタ(又
はドレイン)とベース(又はゲート)を接続する経路に
直列にスイッチングトランジスタを有している。
As described above, the present invention includes a switching transistor in series with the path connecting the collector (or drain) and base (or gate) of the bias transistor of the current mirror circuit.

【0040】従って、本発明によれば、このスイッチン
グトランジスタをオン・オフすることにより、停止時に
は全く電流が流れず、しかも利用時には電流精度の悪化
が生ずることのない定電流回路を、小さなスイッチング
トランジスタを用いた簡単な回路で安価に実現すること
ができる。
Therefore, according to the present invention, by turning the switching transistor on and off, a constant current circuit in which no current flows at all when stopped and which does not cause deterioration of current accuracy when in use can be created using a small switching transistor. It can be realized at low cost with a simple circuit using .

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】本発明の第1の実施例の回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施例の回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram of a second embodiment of the invention.

【図3】本発明の第3の実施例の回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram of a third embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第4の実施例の回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram of a fourth embodiment of the present invention.

【図5】従来の定電流回路の一例の回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram of an example of a conventional constant current circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1    利用回路 2    カレントミラー回路 3    制御端子 4    電源 5    定電流源 11    インバータ 1 Utilized circuit 2 Current mirror circuit 3 Control terminal 4 Power supply 5 Constant current source 11 Inverter

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  外部の回路に電流を供給する電流源ト
ランジスタと、制御電極がこの電流源トランジスタの制
御電極に接続されたバイアストランジスタと、前記バイ
アストランジスタに基準電流を与える基準電流源とを含
み、前記バイアストランジスタの基準電流源側の電極と
制御電極とを接続する接続手段を介して前記バイアスト
ランジスタの制御電極と前記電流源トランジスタの制御
電極とに同等のバイアスを印加することによって、前記
電流源トランジスタの出力電流を前記基準電流と同等な
らしめるように制御する型の定電流回路において、前記
接続手段に直列に、スイッチングトランジスタを設けた
ことを特徴とする定電流回路。
1. A current source transistor that supplies current to an external circuit, a bias transistor whose control electrode is connected to a control electrode of the current source transistor, and a reference current source that supplies a reference current to the bias transistor. , by applying an equal bias to the control electrode of the bias transistor and the control electrode of the current source transistor through a connecting means that connects the reference current source side electrode of the bias transistor and the control electrode, 1. A constant current circuit of a type that controls the output current of a source transistor to be equal to the reference current, characterized in that a switching transistor is provided in series with the connection means.
【請求項2】  請求項1記載の定電流回路において、
前記バイアストランジスタの制御電極と接地端子との間
に設けられた第2のスイッチングトランジスタと、この
第2のスイッチングトランジスタの導通状態と前記接続
手段に直列に設けられたスイッチングトランジスタの導
通状態とを互いに相反するように制御する手段とを有す
ることを特徴とする定電流回路。
2. The constant current circuit according to claim 1,
A second switching transistor provided between the control electrode of the bias transistor and the ground terminal, and a conduction state of the second switching transistor and a conduction state of the switching transistor provided in series with the connection means are mutually connected. 1. A constant current circuit comprising means for controlling in a contradictory manner.
JP3019593A 1991-02-13 1991-02-13 Constant current circuit Expired - Fee Related JP2776034B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3019593A JP2776034B2 (en) 1991-02-13 1991-02-13 Constant current circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3019593A JP2776034B2 (en) 1991-02-13 1991-02-13 Constant current circuit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04257906A true JPH04257906A (en) 1992-09-14
JP2776034B2 JP2776034B2 (en) 1998-07-16

Family

ID=12003544

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3019593A Expired - Fee Related JP2776034B2 (en) 1991-02-13 1991-02-13 Constant current circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2776034B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006109484A (en) * 2004-10-06 2006-04-20 Agere Systems Inc Current mirror having fast turn-on time
US7307470B2 (en) * 2004-11-11 2007-12-11 Nec Electronics Corporation Semiconductor device with leakage current compensating circuit

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63140486A (en) * 1986-12-03 1988-06-13 Hitachi Ltd Semiconductor device
JPH02216903A (en) * 1988-11-21 1990-08-29 Nec Corp Current mirror circuit

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63140486A (en) * 1986-12-03 1988-06-13 Hitachi Ltd Semiconductor device
JPH02216903A (en) * 1988-11-21 1990-08-29 Nec Corp Current mirror circuit

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006109484A (en) * 2004-10-06 2006-04-20 Agere Systems Inc Current mirror having fast turn-on time
US7307470B2 (en) * 2004-11-11 2007-12-11 Nec Electronics Corporation Semiconductor device with leakage current compensating circuit

Also Published As

Publication number Publication date
JP2776034B2 (en) 1998-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5656957A (en) Comparator circuit with hysteresis
KR950010048B1 (en) Semiconductor integrated circuit device with substrate potential detection circuit
US5608344A (en) Comparator circuit with hysteresis
JPH04126409A (en) Bias current control circuit
JPH08204470A (en) Operational amplifier
JPH04277920A (en) Level shift circuit
JPH0693615B2 (en) Driver circuit
KR930004351B1 (en) Level shift circuit
US5023479A (en) Low power output gate
JPH06180332A (en) Current detection circuit
KR0157124B1 (en) Current mismatching compensation circuit for fast cmos charge pump
JPH04257906A (en) Constant current circuit
US5162671A (en) Schmitt voltage comparator
JP2639350B2 (en) Operational amplifier
US20230095590A1 (en) Bias current generation circuit and flash memory
US5063310A (en) Transistor write current switching circuit for magnetic recording
JP3799775B2 (en) Output buffer circuit
US5945842A (en) Output circuit for conversion from CMOS circuit level to ECL circuit level
JP2500791B2 (en) Operational amplifier circuit
JP3134302B2 (en) Current switching circuit
KR100191783B1 (en) Switch circuit for interface
JP3552931B2 (en) Output circuit
JPH0766709A (en) ECL / CMOS level conversion circuit and semiconductor integrated circuit including the same
JP3251306B2 (en) Semiconductor logic circuit
JPH04287103A (en) Current source circuit

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19980331

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090501

Year of fee payment: 11

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees